JPS63226945A - 保護回路 - Google Patents
保護回路Info
- Publication number
- JPS63226945A JPS63226945A JP62060393A JP6039387A JPS63226945A JP S63226945 A JPS63226945 A JP S63226945A JP 62060393 A JP62060393 A JP 62060393A JP 6039387 A JP6039387 A JP 6039387A JP S63226945 A JPS63226945 A JP S63226945A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- layer
- protective
- pad
- polycrystalline silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
- H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
- H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs
- H10D89/911—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs using passive elements as protective elements
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は保護回路に関し、特に集積回路への外部からの
接続部に使用されるものである。
接続部に使用されるものである。
（従来の技術）
一般に保護回路の抵抗を形成している多結晶シリコンは
、高電界になりやすい縁の部分が静電破壊をおこす。そ
こで第２図に示すように、多結晶シリコン（入力保護抵
抗）層１１をパッド１２１と同電位の金属膜１２−で覆
い上記縁の部分の高電界を緩和し、静電破壊を防ぐ方法
が知られている。第２図において１２３は集積回路内部
のトランジスタと接続され金属膜１２２と同層ノーの金
属膜、１３は金属Ｋｌ ２＊ ｅ １２３と多結晶シ
リコンノー１１とを侭続するコンタクトホールである。
、高電界になりやすい縁の部分が静電破壊をおこす。そ
こで第２図に示すように、多結晶シリコン（入力保護抵
抗）層１１をパッド１２１と同電位の金属膜１２−で覆
い上記縁の部分の高電界を緩和し、静電破壊を防ぐ方法
が知られている。第２図において１２３は集積回路内部
のトランジスタと接続され金属膜１２２と同層ノーの金
属膜、１３は金属Ｋｌ ２＊ ｅ １２３と多結晶シ
リコンノー１１とを侭続するコンタクトホールである。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで抵抗を形成している多結晶シリコン層１１から
金属配置！！１２３を引き出した場合、この金属配線１
２３の近傍（ｔ＃にコンタクト１３の近傍）では、金属
膜１２２と１２３とが同一階層であるため、電界緩和用
の金属膜１２３によって抵抗用多結晶シリコンＪ＠１１
を榎うことができなくなる。このため多結晶シリコン層
１ノから金属配線１２３を引き出す個所の近傍が静電破
壊に弱くなる問題があった。
金属配置！！１２３を引き出した場合、この金属配線１
２３の近傍（ｔ＃にコンタクト１３の近傍）では、金属
膜１２２と１２３とが同一階層であるため、電界緩和用
の金属膜１２３によって抵抗用多結晶シリコンＪ＠１１
を榎うことができなくなる。このため多結晶シリコン層
１ノから金属配線１２３を引き出す個所の近傍が静電破
壊に弱くなる問題があった。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、保護抵抗ノ
ーでの静電破壊を防止でき、静電耐圧の高い保護回路を
提供しよう七するものである。
ーでの静電破壊を防止でき、静電耐圧の高い保護回路を
提供しよう七するものである。
［発明の構成コ
（問題点を解決するための手段と作用）本発明は、半導
体集積回路のパッドに接続される保護抵抗ノーと、この
抵抗ノーの少くとも周辺上を覆いかつ前記バットと同様
の電位を有する第１の金ｍｇと、＃記抵抗ノーから引き
出され前記第１゛の金Ｍ４ＩＩｇとは階ノーの異なる第
２の金属膜とを具備したことを特徴とする。即ち本発明
は、多結晶シリコン等の保護抵抗ノーから引き出す金属
配縁と、電界緩和用の金属膜とを別々のノーに形成して
、多結晶シリコン等の保譲疵抗層の周辺部分を全てパッ
ドと同電位の金属膜で覆うことによって上記周辺部分の
全てにわたり高電界を緩和し、静電耐圧の高い保護回路
を得るものである。
体集積回路のパッドに接続される保護抵抗ノーと、この
抵抗ノーの少くとも周辺上を覆いかつ前記バットと同様
の電位を有する第１の金ｍｇと、＃記抵抗ノーから引き
出され前記第１゛の金Ｍ４ＩＩｇとは階ノーの異なる第
２の金属膜とを具備したことを特徴とする。即ち本発明
は、多結晶シリコン等の保護抵抗ノーから引き出す金属
配縁と、電界緩和用の金属膜とを別々のノーに形成して
、多結晶シリコン等の保譲疵抗層の周辺部分を全てパッ
ドと同電位の金属膜で覆うことによって上記周辺部分の
全てにわたり高電界を緩和し、静電耐圧の高い保護回路
を得るものである。
（実施例）
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第１
図は同実施例のパターン平面図である。
図は同実施例のパターン平面図である。
図において２ノは保護抵抗となる多結晶シリコン層、２
２１．２２１は第１層目の金属膜、２３は第２層目の金
属膜で、集積回路内部のトランゾスタに接続される。２
４は多結晶シリコンノー２ノと第１層目の金属膜２２．
とを接続するためのコンタクトホール、２５２は第１層
目の金属膜２２２と第２層目の金属１！Ｘ２３とを接続
するためのコンタクトホールである。
２１．２２１は第１層目の金属膜、２３は第２層目の金
属膜で、集積回路内部のトランゾスタに接続される。２
４は多結晶シリコンノー２ノと第１層目の金属膜２２．
とを接続するためのコンタクトホール、２５２は第１層
目の金属膜２２２と第２層目の金属１！Ｘ２３とを接続
するためのコンタクトホールである。
第１図において、第１層目の金属膜２２１は静電破壊に
対する保護膜に用いられ、第１層目の金Ｍ膜２２３は多
結晶シリコン層２ノと第２層目の金属膜２３とを接続す
るための媒体に用いられ、第２１−目の金属膜２３は多
結晶シリコン層２１から信号を引き出す配線として用い
られる。ポリシリコン層２１．第１層目金属膜２２１，
２２２ 。
対する保護膜に用いられ、第１層目の金Ｍ膜２２３は多
結晶シリコン層２ノと第２層目の金属膜２３とを接続す
るための媒体に用いられ、第２１−目の金属膜２３は多
結晶シリコン層２１から信号を引き出す配線として用い
られる。ポリシリコン層２１．第１層目金属膜２２１，
２２２ 。
第２層目金属膜２３の階層関係は、一番下（半導体基板
に一番近い側〕がポリシリコン層２１・第２層目金属膜
２３が一番上、第１ノー目金属膜２２１２２□か前記両
者の中間に位置すると考えてよいこのような第１図の構
造にすると、多結晶シリコン層２ノの緑の部分を全て金
属膜２２１ で穂うことができる。
に一番近い側〕がポリシリコン層２１・第２層目金属膜
２３が一番上、第１ノー目金属膜２２１２２□か前記両
者の中間に位置すると考えてよいこのような第１図の構
造にすると、多結晶シリコン層２ノの緑の部分を全て金
属膜２２１ で穂うことができる。
なお本発明は実施例のみに限られず、ａ［々の応用が可
能である。例えば実施例では、保護抵抗として多結晶シ
リコンを用いたが、これのみに限られず、例えば半導体
基板上に不純物拡散でつくったＮ型、Ｐ撤半導体によっ
てつくった抵抗を用いてもよい。また入カトランノスタ
配Ｉｆ１１２３とパッド２２３ （第１層目金ｍ膜〕の
上下関係は、実施例の場合とは逆でもよい。
能である。例えば実施例では、保護抵抗として多結晶シ
リコンを用いたが、これのみに限られず、例えば半導体
基板上に不純物拡散でつくったＮ型、Ｐ撤半導体によっ
てつくった抵抗を用いてもよい。また入カトランノスタ
配Ｉｆ１１２３とパッド２２３ （第１層目金ｍ膜〕の
上下関係は、実施例の場合とは逆でもよい。
［発明の効果］
以上説明した如く本発明によれば、保護抵抗層の周辺上
の部分を金属膜により全て榎うことができるので、従来
よシも静電耐圧の尚り保護回路を提供することができる
ものである。
の部分を金属膜により全て榎うことができるので、従来
よシも静電耐圧の尚り保護回路を提供することができる
ものである。
第１図は本発明の一実施例を示すパターン平面図、第２
図は従来例のパターン平面図である。 ２ノ・・・多結晶シリコン）＊、ｚｘｌ 、２ｚ２・・
、第１層目金属膜、２２３・・・パッド（第１層目金属
膜）、２３・・・第２層目金属膜、２４ 、２５１．２
５．・・・コンタクトホール。
図は従来例のパターン平面図である。 ２ノ・・・多結晶シリコン）＊、ｚｘｌ 、２ｚ２・・
、第１層目金属膜、２２３・・・パッド（第１層目金属
膜）、２３・・・第２層目金属膜、２４ 、２５１．２
５．・・・コンタクトホール。
Claims (4)
- （１）半導体集積回路のパッドに接続される保護抵抗層
と、この抵抗層の少くとも周辺上を覆いかつ前記パッド
と同様の電位を有する第１の金属膜と、前記抵抗層から
引き出され前記第１の金属膜とは階層の異なる第２の金
属膜とを具備したことを特徴とする保護回路。 - （２）前記第２の金属膜は前記半導体集積回路のトラン
ジスタに接続されることを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載の保護回路。 - （３）前記パッドは、前記抵抗層上の第１の金属膜と連
続する第１の金属膜であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の保護回路。 - （４）前記第１の金属膜は、前記抵抗層上の少くとも周
辺全体を覆うものであることを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62060393A JPH069205B2 (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62060393A JPH069205B2 (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 保護回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63226945A true JPS63226945A (ja) | 1988-09-21 |
| JPH069205B2 JPH069205B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=13140864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62060393A Expired - Fee Related JPH069205B2 (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH069205B2 (ja) |
-
1987
- 1987-03-16 JP JP62060393A patent/JPH069205B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH069205B2 (ja) | 1994-02-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |