JPS6322731B2 - - Google Patents
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- JPS6322731B2 JPS6322731B2 JP57166943A JP16694382A JPS6322731B2 JP S6322731 B2 JPS6322731 B2 JP S6322731B2 JP 57166943 A JP57166943 A JP 57166943A JP 16694382 A JP16694382 A JP 16694382A JP S6322731 B2 JPS6322731 B2 JP S6322731B2
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- Japan
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- transistor
- voltage
- filter
- resistor
- capacitor
- Prior art date
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/326—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator the resonator being an acoustic wave device, e.g. SAW or BAW device
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、たとえば選択呼出機能を有する無線
機に用いる発振回路、特に所定の中心周波数を有
するリードフイルタを用いる発振回路に関するも
のである。
機に用いる発振回路、特に所定の中心周波数を有
するリードフイルタを用いる発振回路に関するも
のである。
従来例の構成とその問題点
第１図は従来のリードフイルタを用いた発振回
路を示している。第１図において１はリードフイ
ルタ（圧電音叉型振動子）であり、このリードフ
イルタ１の内部構造を第２図に示す。
路を示している。第１図において１はリードフイ
ルタ（圧電音叉型振動子）であり、このリードフ
イルタ１の内部構造を第２図に示す。
第２図において、３４はＵ字状の音叉であり、
この音叉３４は支持子４０に固定されている。３
５，３６は圧電磁器素子であり、この圧電磁器素
子３５，３６は上記音叉３４に接着されている。
３７は、一方の圧電磁気素子３５の電極に接続さ
れたリード線、３８は他方の圧電磁器素子３６に
接続されたリード線、３９は音叉３４に接続され
たリード線であり、このリード線３９は音叉３４
を介して圧電磁器素子３５，３６の他方の電極に
接続されることになる。
この音叉３４は支持子４０に固定されている。３
５，３６は圧電磁器素子であり、この圧電磁器素
子３５，３６は上記音叉３４に接着されている。
３７は、一方の圧電磁気素子３５の電極に接続さ
れたリード線、３８は他方の圧電磁器素子３６に
接続されたリード線、３９は音叉３４に接続され
たリード線であり、このリード線３９は音叉３４
を介して圧電磁器素子３５，３６の他方の電極に
接続されることになる。
リード線３７に電気信号が印加されると、圧電
磁器素子３５は、この電気信号を機械振動に変換
する。この変換された機械振動によつて、音叉３
４は、音叉固有の振動周波数成分のみのエネルギ
ーで振動する。この音叉３４の固有の機械振動が
再び圧電磁器素子３６で電気信号に変換されリー
ド線３８より取り出される。したがつて上記のよ
うにリードフイルタ１は、多数の周波数成分の混
在した電気信号の中から任意の一周波のみを取り
出すことから、バンドパスフイルタの作用をす
る。
磁器素子３５は、この電気信号を機械振動に変換
する。この変換された機械振動によつて、音叉３
４は、音叉固有の振動周波数成分のみのエネルギ
ーで振動する。この音叉３４の固有の機械振動が
再び圧電磁器素子３６で電気信号に変換されリー
ド線３８より取り出される。したがつて上記のよ
うにリードフイルタ１は、多数の周波数成分の混
在した電気信号の中から任意の一周波のみを取り
出すことから、バンドパスフイルタの作用をす
る。
第１図において２，３はNPN型のトランジス
タ、４は約10Vの直流電圧が印加される端子、５
は出力端子、６，７，８，９はトランジスタ２の
バイアス抵抗、１０はトランジスタ２のバイパス
コンデンサ、１１はトランジスタ２のコレクタと
抵抗１２間に接続されている直流阻止コンデン
サ、１２は直流阻止コンデンサ１１とリードフイ
ルタ１の間に接続されているマツチング抵抗、１
３はリードフイルタ１とトランジスタ３のベース
間に接続されている直流阻止コンデンサ、１４は
抵抗１６と並列に接続されている。し張発振防止
用コンデンサ、１５，１６，１７はトランジスタ
３のバイアス抵抗、１８はトランジスタ３のエミ
ツタと端子５間に接続されている直流阻止コンデ
ンサ、１９はトランジスタ３のエミツタとトラン
ジスタ２のベース間に接続された帰還回路の一部
品で、位相を補正するための帰還コンデンサ、２
０は帰還コンデンサ１９と同じ目的の位相を補正
するための抵抗、２１はアース端子である。
タ、４は約10Vの直流電圧が印加される端子、５
は出力端子、６，７，８，９はトランジスタ２の
バイアス抵抗、１０はトランジスタ２のバイパス
コンデンサ、１１はトランジスタ２のコレクタと
抵抗１２間に接続されている直流阻止コンデン
サ、１２は直流阻止コンデンサ１１とリードフイ
ルタ１の間に接続されているマツチング抵抗、１
３はリードフイルタ１とトランジスタ３のベース
間に接続されている直流阻止コンデンサ、１４は
抵抗１６と並列に接続されている。し張発振防止
用コンデンサ、１５，１６，１７はトランジスタ
３のバイアス抵抗、１８はトランジスタ３のエミ
ツタと端子５間に接続されている直流阻止コンデ
ンサ、１９はトランジスタ３のエミツタとトラン
ジスタ２のベース間に接続された帰還回路の一部
品で、位相を補正するための帰還コンデンサ、２
０は帰還コンデンサ１９と同じ目的の位相を補正
するための抵抗、２１はアース端子である。
第１図に示す従来の発振回路は４ブロツクから
構成されている。位相反転増幅器RAは、上記
NPN型のトランジスタ２とバイアス抵抗６，７，
８，９とバイパスコンデンサ１０とから成つてい
る。リードフイルタ部LFは、上記リードフイル
タ１と直流阻止コンデンサ１１、マツチング抵抗
１２、直流阻止コンデンサ１３とから成つてい
る。エミツタホロワ回路EFは、上記NPN型のト
ランジスタ３、バイアス抵抗１５，１６，１７、
し張発振防止用コンデンサ１４と直流阻止コンデ
ンサ１８とから成つている。帰還回路PFは帰還
コンデンサ１９と帰還抵抗２０とから成つてい
る。
構成されている。位相反転増幅器RAは、上記
NPN型のトランジスタ２とバイアス抵抗６，７，
８，９とバイパスコンデンサ１０とから成つてい
る。リードフイルタ部LFは、上記リードフイル
タ１と直流阻止コンデンサ１１、マツチング抵抗
１２、直流阻止コンデンサ１３とから成つてい
る。エミツタホロワ回路EFは、上記NPN型のト
ランジスタ３、バイアス抵抗１５，１６，１７、
し張発振防止用コンデンサ１４と直流阻止コンデ
ンサ１８とから成つている。帰還回路PFは帰還
コンデンサ１９と帰還抵抗２０とから成つてい
る。
各ブロツク間の接続は、第１図のようになつて
いる。すなわち、上記位相反転増幅器RAの出力
端と上記エミツタホロワ回路EFの入力端との間
にリードフイルタ部LFが接続されている。さら
に、上記エミツタホロワ回路EFの出力端と上記
位相反転増幅器RAの入力端の間には、帰還回路
PFが接続されている。
いる。すなわち、上記位相反転増幅器RAの出力
端と上記エミツタホロワ回路EFの入力端との間
にリードフイルタ部LFが接続されている。さら
に、上記エミツタホロワ回路EFの出力端と上記
位相反転増幅器RAの入力端の間には、帰還回路
PFが接続されている。
次に従来のリードフイルタを用いる発振回路の
動作について第１図、第３図により説明する。第
３図Ａ〜Ｄは、第１図のＡ点〜Ｄ点の波形を示し
ている。第１図において微小ノイズa1がトランジ
スタ２のベースに入ると、微小ノイズa1の電圧は
トランジスタ２のベースからエミツタを通り、バ
イパスコンデンサ１０を経由してアース端子２１
へ流れる。このため、トランジスタ２の電流増幅
率hfe倍された電流が直流電圧の印加される端子
４より、バイアス抵抗８を通りトランジスタ２の
コレクタ・エミツタに流れ、バイアス抵抗９、バ
イパスコンデンサ１０を経由してアース端子２１
へ流れる。上記トランジスタ２の出力電圧b1がト
ランジスタ２のコレクタ、直流阻止コンデンサ１
１、マツチング抵抗１２を経由して、リードフイ
ルタ１の圧電磁器素子３５に入力される。第３図
Ｃのc1はリードフイルタ１の入力端の波形を示し
ている。
動作について第１図、第３図により説明する。第
３図Ａ〜Ｄは、第１図のＡ点〜Ｄ点の波形を示し
ている。第１図において微小ノイズa1がトランジ
スタ２のベースに入ると、微小ノイズa1の電圧は
トランジスタ２のベースからエミツタを通り、バ
イパスコンデンサ１０を経由してアース端子２１
へ流れる。このため、トランジスタ２の電流増幅
率hfe倍された電流が直流電圧の印加される端子
４より、バイアス抵抗８を通りトランジスタ２の
コレクタ・エミツタに流れ、バイアス抵抗９、バ
イパスコンデンサ１０を経由してアース端子２１
へ流れる。上記トランジスタ２の出力電圧b1がト
ランジスタ２のコレクタ、直流阻止コンデンサ１
１、マツチング抵抗１２を経由して、リードフイ
ルタ１の圧電磁器素子３５に入力される。第３図
Ｃのc1はリードフイルタ１の入力端の波形を示し
ている。
第３図Ｃのc1の電圧がリードフイルタ１に印加
されると、リードフイルタ１の出力端には、第３
図のd1に示す電圧が出力される。この出力電圧の
周波数は、リードフイルタ１の固有振動周波数と
なる。このリードフイルタ１の出力電圧d1は、コ
ンデンサ１３を介してトランジスタ３のベースに
印加され、この電圧がトランジスタ３のエミツタ
ホロワ回路により電流増幅され、帰還抵抗２０と
帰環コンデンサ１９を経由して、トランジスタ２
のベースへ帰還される。
されると、リードフイルタ１の出力端には、第３
図のd1に示す電圧が出力される。この出力電圧の
周波数は、リードフイルタ１の固有振動周波数と
なる。このリードフイルタ１の出力電圧d1は、コ
ンデンサ１３を介してトランジスタ３のベースに
印加され、この電圧がトランジスタ３のエミツタ
ホロワ回路により電流増幅され、帰還抵抗２０と
帰環コンデンサ１９を経由して、トランジスタ２
のベースへ帰還される。
トランジスタ２のベースに帰還された電圧は、
第３図Ａのa2に示す電圧波形となる。この電圧a2
は、トランジスタ２、バイアス抵抗６，７，８，
９およびバイパスコンデンサ１０により構成され
る位相反転増幅器RAにより再び増幅され、第３
図Ｂのb2に示す電圧が、コンデンサ１１、抵抗１
２を経由して、リードフイルタ１の圧電磁器素子
３５に再び入力される。第３図Ｃのc2の電圧がリ
ードフイルタ１の入力端の波形を示している。第
３図Ｃのc2の電圧がリードフイルタ１に印加され
ると、リードフイルタ１の出力端には第３図Ｄの
d2に示す電圧が再び出力される。この出力電圧の
周波数はリードフイルタ１の固有振動数となる。
このリードフイルタ１の出力電圧d2は、コンデン
サ１３を介して、再びトランジスタ３のベースに
印加され、この電圧がトランジスタ３、バイアス
抵抗１５，１６，１７から構成されるエミツタホ
ロワ回路EFにより電流増幅され、帰還抵抗２０
と帰還コンデンサ１９を経由してトランジスタ２
のベースへ再び帰還される。このとき、Ｄ点を入
力端として、エミツタホロワ回路EF、位相反転
増幅器RAを通つて、Ｃ点に出力される信号の増
幅度が、リードフイルタ１の挿入損失を上まわつ
ているため、第１図に示す発振回路は安定して発
振する。
第３図Ａのa2に示す電圧波形となる。この電圧a2
は、トランジスタ２、バイアス抵抗６，７，８，
９およびバイパスコンデンサ１０により構成され
る位相反転増幅器RAにより再び増幅され、第３
図Ｂのb2に示す電圧が、コンデンサ１１、抵抗１
２を経由して、リードフイルタ１の圧電磁器素子
３５に再び入力される。第３図Ｃのc2の電圧がリ
ードフイルタ１の入力端の波形を示している。第
３図Ｃのc2の電圧がリードフイルタ１に印加され
ると、リードフイルタ１の出力端には第３図Ｄの
d2に示す電圧が再び出力される。この出力電圧の
周波数はリードフイルタ１の固有振動数となる。
このリードフイルタ１の出力電圧d2は、コンデン
サ１３を介して、再びトランジスタ３のベースに
印加され、この電圧がトランジスタ３、バイアス
抵抗１５，１６，１７から構成されるエミツタホ
ロワ回路EFにより電流増幅され、帰還抵抗２０
と帰還コンデンサ１９を経由してトランジスタ２
のベースへ再び帰還される。このとき、Ｄ点を入
力端として、エミツタホロワ回路EF、位相反転
増幅器RAを通つて、Ｃ点に出力される信号の増
幅度が、リードフイルタ１の挿入損失を上まわつ
ているため、第１図に示す発振回路は安定して発
振する。
なお、第１図の発振回路図においてリードフイ
ルタ１は、第１図の発振回路図に端子３７，３
８，３９がコネクタ接続されていて、着脱可能に
なつている。したがつて、発振周波数を変更した
い場合は、希望する中心周波数のリードフイルタ
に交換すれば、容易に同一発振回路で中心周波数
の変更ができる。
ルタ１は、第１図の発振回路図に端子３７，３
８，３９がコネクタ接続されていて、着脱可能に
なつている。したがつて、発振周波数を変更した
い場合は、希望する中心周波数のリードフイルタ
に交換すれば、容易に同一発振回路で中心周波数
の変更ができる。
しかしながら、上記従来例においては、部品点
数が多く、小型・軽量化が困難であつた。
数が多く、小型・軽量化が困難であつた。
発明の目的
本発明は、上記従来の問題点を除去するもので
あり、少ない部品点数で動作する発振回路を構成
することを目的とするものである。
あり、少ない部品点数で動作する発振回路を構成
することを目的とするものである。
発明の構成
本発明は、位相反転増幅器とエミツタホロワ回
路を、NPN型のトランジスタとPNP型トランジ
スタで構成し、エミツタホロワ回路の出力から帰
還する帰還抵抗を位相反転増幅器のバイアス抵抗
として兼用することにより上記目的を達成しよう
とするものである。
路を、NPN型のトランジスタとPNP型トランジ
スタで構成し、エミツタホロワ回路の出力から帰
還する帰還抵抗を位相反転増幅器のバイアス抵抗
として兼用することにより上記目的を達成しよう
とするものである。
実施例の説明
以下に本発明の一実施例の構成について、図面
とともに説明する。第４図において、２２はリー
ドフイルタであり、このリードフイルタ２２は第
１図のリードフイルタ１と同一のものである。２
３は、NPN型のトランジスタ、２４はPNP型の
トランジスタ、２５は約1.5Vの直流電圧が印加
される端子、２６は出力端子、２７は、トランジ
スタ２４のエミツタとトランジスタ２３のベース
間に接続された帰還回路の位相を補正するための
コンデンサ、２８は帰還コンデンサ２７と並列接
続された位相を補正するためと、トランジスタ２
３のバイアス抵抗とを兼ねる抵抗、２９はトラン
ジスタ２３のバイアス抵抗、３０，３１はトラン
ジスタ２４のバイアス抵抗、３２はバイアス抵抗
３１と並列に接続されている、し張発振防止用コ
ンデンサ、３３はトランジスタ２４のエミツタと
端子２６間に接続されている直流阻止コンデンサ
である。
とともに説明する。第４図において、２２はリー
ドフイルタであり、このリードフイルタ２２は第
１図のリードフイルタ１と同一のものである。２
３は、NPN型のトランジスタ、２４はPNP型の
トランジスタ、２５は約1.5Vの直流電圧が印加
される端子、２６は出力端子、２７は、トランジ
スタ２４のエミツタとトランジスタ２３のベース
間に接続された帰還回路の位相を補正するための
コンデンサ、２８は帰還コンデンサ２７と並列接
続された位相を補正するためと、トランジスタ２
３のバイアス抵抗とを兼ねる抵抗、２９はトラン
ジスタ２３のバイアス抵抗、３０，３１はトラン
ジスタ２４のバイアス抵抗、３２はバイアス抵抗
３１と並列に接続されている、し張発振防止用コ
ンデンサ、３３はトランジスタ２４のエミツタと
端子２６間に接続されている直流阻止コンデンサ
である。
第４図に示す実施例の発振回路は４ブロツクか
ら構成されている。位相反転増幅器RAは、上記
NPN型のトランジスタ２３とバイアス抵抗２９
とから成つている。リードフイルタ部LFは、上
記リードフイルタ２２から成つている。エミツタ
ホロワ回路EFは、上記PNP型のトランジスタ２
４、バイアス抵抗３０，３１、し張発振防止用コ
ンデンサ３２と直流阻止コンデンサ３３とから成
つている。帰還回路PFは帰還コンデンサ２７と
帰還抵抗２８とから成つている。
ら構成されている。位相反転増幅器RAは、上記
NPN型のトランジスタ２３とバイアス抵抗２９
とから成つている。リードフイルタ部LFは、上
記リードフイルタ２２から成つている。エミツタ
ホロワ回路EFは、上記PNP型のトランジスタ２
４、バイアス抵抗３０，３１、し張発振防止用コ
ンデンサ３２と直流阻止コンデンサ３３とから成
つている。帰還回路PFは帰還コンデンサ２７と
帰還抵抗２８とから成つている。
各ブロツク間の接続は第４図のようになつてい
る。すなわち、上記位相反転増幅器RAの出力端
と上記エミツタホロワ回路EFの入力端との間に
リードフイルタ部LFが接続されている。さらに
上記エミツタホロワ回路EFの出力端と上記位相
反転増幅器RAの入力端の間には、帰還回路PFが
接続されていて、帰還抵抗２８はトランジスタ２
３のバイアス抵抗も兼ねている。
る。すなわち、上記位相反転増幅器RAの出力端
と上記エミツタホロワ回路EFの入力端との間に
リードフイルタ部LFが接続されている。さらに
上記エミツタホロワ回路EFの出力端と上記位相
反転増幅器RAの入力端の間には、帰還回路PFが
接続されていて、帰還抵抗２８はトランジスタ２
３のバイアス抵抗も兼ねている。
次に上記実施例の動作について第４図、第５図
により説明する。第５図Ａ〜Ｃは、第４図のＡ点
〜Ｃ点の波形を示している。第４図において、微
小ノイズa1がトランジスタ２３のベースに入ると
微小ノイズの電圧は、トランジスタ２３のベース
からエミツタを通り、アース３４へ流れる。この
ため、トランジスタ２３の電流増幅率hfe倍され
た電流が直流電圧の印加される端子２５より、抵
抗２９を通り、トランジスタ２３のコレクタ・エ
ミツタに流れ、アース３４へ流れる。上記トラン
ジスタ２３の出力電圧b1がコレクタを経由して、
リードフイルタ２２の圧電磁器素子３５に入力さ
れる。第５図のＢのb1は、リードフイルタ２２の
入力端の波形を示している。
により説明する。第５図Ａ〜Ｃは、第４図のＡ点
〜Ｃ点の波形を示している。第４図において、微
小ノイズa1がトランジスタ２３のベースに入ると
微小ノイズの電圧は、トランジスタ２３のベース
からエミツタを通り、アース３４へ流れる。この
ため、トランジスタ２３の電流増幅率hfe倍され
た電流が直流電圧の印加される端子２５より、抵
抗２９を通り、トランジスタ２３のコレクタ・エ
ミツタに流れ、アース３４へ流れる。上記トラン
ジスタ２３の出力電圧b1がコレクタを経由して、
リードフイルタ２２の圧電磁器素子３５に入力さ
れる。第５図のＢのb1は、リードフイルタ２２の
入力端の波形を示している。
第５図Ｂのb1の電圧がリードフイルタ２２に印
加されると、リードフイルタ２２の出力端には、
第５図Ｃのc1に示す電圧が出力される。この出力
電圧の周波数は、リードフイルタ２２の固有振動
周波数となる。このリードフイルタ２２の出力電
圧c1は、トランジスタ２４のベースに印加され、
この電圧がトランジスタ２４のエミツタホロワ回
路により電流増幅され、帰環抵抗２８と帰環コン
デンサ２７を経由して、トランジスタ２３のベー
スへ帰還される。
加されると、リードフイルタ２２の出力端には、
第５図Ｃのc1に示す電圧が出力される。この出力
電圧の周波数は、リードフイルタ２２の固有振動
周波数となる。このリードフイルタ２２の出力電
圧c1は、トランジスタ２４のベースに印加され、
この電圧がトランジスタ２４のエミツタホロワ回
路により電流増幅され、帰環抵抗２８と帰環コン
デンサ２７を経由して、トランジスタ２３のベー
スへ帰還される。
トランジスタ２３のベース電圧は第５図Ａのa2
に示す電圧が出力される。この電圧は、トランジ
スタ２３の位相反転増幅器により再び増幅され、
第５図Ｂのb2に示す電圧がリードフイルタ２２の
圧電磁器素子３５に再び入力される。第５図Ｂの
b2は、リードフイルタ２２の入力端の波形を示し
ている。第５図Ｂのb2の電圧がリードフイルタ２
２に印加されると、リードフイルタ２２の出力端
には、第３図Ｃのc2に示す電圧が再び出力され
る。この出力電圧の周波数は、リードフイルタ２
２の固有振動数となる。このリードフイルタ２２
の出力電圧c2は、再びトランジスタ２４のベース
に印加され、この電圧がトランジスタ２４のエミ
ツタホロワ回路により電流増幅され、帰還抵抗２
８と帰還コンデンサ２７を経由してトランジスタ
２３のベースへ再び帰還される。
に示す電圧が出力される。この電圧は、トランジ
スタ２３の位相反転増幅器により再び増幅され、
第５図Ｂのb2に示す電圧がリードフイルタ２２の
圧電磁器素子３５に再び入力される。第５図Ｂの
b2は、リードフイルタ２２の入力端の波形を示し
ている。第５図Ｂのb2の電圧がリードフイルタ２
２に印加されると、リードフイルタ２２の出力端
には、第３図Ｃのc2に示す電圧が再び出力され
る。この出力電圧の周波数は、リードフイルタ２
２の固有振動数となる。このリードフイルタ２２
の出力電圧c2は、再びトランジスタ２４のベース
に印加され、この電圧がトランジスタ２４のエミ
ツタホロワ回路により電流増幅され、帰還抵抗２
８と帰還コンデンサ２７を経由してトランジスタ
２３のベースへ再び帰還される。
このとき、Ｃ点を入力としてトランジスタ２４
のエミツタホロワ回路、トランジスタ２３の位相
反転増幅器を通つてＢ点に出力される信号の増幅
度が、リードフイルタ２２の挿入損失を上まわつ
ていれば発振回路は、安定して発振する。
のエミツタホロワ回路、トランジスタ２３の位相
反転増幅器を通つてＢ点に出力される信号の増幅
度が、リードフイルタ２２の挿入損失を上まわつ
ていれば発振回路は、安定して発振する。
本実施例によれば次の２点の効果が得られる。
PNP型のトランジスタと、NPN型のトラン
ジスタを組み合わせることによつて、帰還回路
の抵抗と、反転増幅器のバイアス抵抗を共用に
したため、部品点数を大幅に削減できる。
ジスタを組み合わせることによつて、帰還回路
の抵抗と、反転増幅器のバイアス抵抗を共用に
したため、部品点数を大幅に削減できる。
第１図従来例におけるバイアス抵抗６，９が
不要になつたため、たとえば1.5V程度の直流
電源でも、発振回路を駆動させることができ
る。
不要になつたため、たとえば1.5V程度の直流
電源でも、発振回路を駆動させることができ
る。
次に本発明の第２の実施例について、第６図を
もとに説明する。第６図は、第４図と相似してい
るので、第４図と異なる点のみ述べる。第４図に
示す実施例では、端子２５に正の直流電圧を印加
していたのに対し、第６図に示す実施例では負の
直流電圧を印加している。第４図のNPNトラン
ジスタ２３を第６図ではPNPトランジスタ２３
ａに換えた。第４図のPNPトランジスタ２４を
第６図ではNPNトランジスタ２４ａに換えた。
その他の部品、端子は第４図と第６図は等しい。
もとに説明する。第６図は、第４図と相似してい
るので、第４図と異なる点のみ述べる。第４図に
示す実施例では、端子２５に正の直流電圧を印加
していたのに対し、第６図に示す実施例では負の
直流電圧を印加している。第４図のNPNトラン
ジスタ２３を第６図ではPNPトランジスタ２３
ａに換えた。第４図のPNPトランジスタ２４を
第６図ではNPNトランジスタ２４ａに換えた。
その他の部品、端子は第４図と第６図は等しい。
第２の実施例の動作と第２の実施例の効果は、
第１の実施例の動作と第１の実施例の効果と同様
である。
第１の実施例の動作と第１の実施例の効果と同様
である。
発明の効果
本発明は、上記実施例より明らかなように
NPN型トランジスタのベースバイアスをPNP型
トランジスタのエミツタバイアス抵抗、帰還抵抗
を介して行なつているので、NPN型トランジス
タの電源ベース間のバイアス抵抗は不要となり、
回路を小型化にできるという効果を有する。ま
た、本発明は前段、後段の増幅器を直流結合にし
ているので、電源電圧を低電圧化することがで
き、乾電池１個による回路駆動もできるという効
果を有する。
NPN型トランジスタのベースバイアスをPNP型
トランジスタのエミツタバイアス抵抗、帰還抵抗
を介して行なつているので、NPN型トランジス
タの電源ベース間のバイアス抵抗は不要となり、
回路を小型化にできるという効果を有する。ま
た、本発明は前段、後段の増幅器を直流結合にし
ているので、電源電圧を低電圧化することがで
き、乾電池１個による回路駆動もできるという効
果を有する。
第１図は、従来のリードフイルタを用いた発振
回路の電気回路図、第２図はリードフイルタの正
面図、第３図Ａ〜Ｄは第１図Ａ〜Ｄに示す発振回
路の各々の波形図、第４図は本発明の一実施例に
おけるリードフイルタを用いた発振回路の電気回
路図、第５図Ａ〜Ｃは第４図Ａ〜Ｃに示す発振回
路の各々の波形図、第６図は本発明の第２の実施
例におけるリードフイルタを用いた発振回路の電
気回路図である。 ２２……リードフイルタ、２３……トランジス
タ、２４……トランジスタ、２５……直流電圧を
印加する端子、２６……出力電圧端子、２７……
コンデンサ、２８……帰還抵抗、２９，３０，３
１……バイアス抵抗、３３……直流阻止コンデン
サ。
回路の電気回路図、第２図はリードフイルタの正
面図、第３図Ａ〜Ｄは第１図Ａ〜Ｄに示す発振回
路の各々の波形図、第４図は本発明の一実施例に
おけるリードフイルタを用いた発振回路の電気回
路図、第５図Ａ〜Ｃは第４図Ａ〜Ｃに示す発振回
路の各々の波形図、第６図は本発明の第２の実施
例におけるリードフイルタを用いた発振回路の電
気回路図である。 ２２……リードフイルタ、２３……トランジス
タ、２４……トランジスタ、２５……直流電圧を
印加する端子、２６……出力電圧端子、２７……
コンデンサ、２８……帰還抵抗、２９，３０，３
１……バイアス抵抗、３３……直流阻止コンデン
サ。
Claims (1)
- １ ベースはリードフイルタの出力端子と第１の
バイアス抵抗を介してアースに接続され、コレク
タはアースに接続され、エミツタは第２のバイア
ス抵抗を介して電源に接続されたPNP型トラン
ジスタと、コレクタは上記リードフイルタの入力
端子と第３のバイアス抵抗を介して上記電源に接
続されたNPN型トランジスタと、このNPN型ト
ランジスタのベースと上記PNP型トランジスタ
のエミツタとの間に直列に接続された帰還抵抗
と、この帰還抵抗に並列に接続された帰環コンデ
ンサとを備えた発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57166943A JPS5957507A (ja) | 1982-09-25 | 1982-09-25 | 発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57166943A JPS5957507A (ja) | 1982-09-25 | 1982-09-25 | 発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5957507A JPS5957507A (ja) | 1984-04-03 |
| JPS6322731B2 true JPS6322731B2 (ja) | 1988-05-13 |
Family
ID=15840507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57166943A Granted JPS5957507A (ja) | 1982-09-25 | 1982-09-25 | 発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5957507A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022059958A1 (ko) * | 2020-09-15 | 2022-03-24 | 주식회사 예인 | 유해전자파 감쇠기능을 구비한 음이온 발생 led 조명등 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5119309A (ja) * | 1974-08-07 | 1976-02-16 | Sekisan Kogyo Kk | Yohekyokonkuriitoburotsuku |
-
1982
- 1982-09-25 JP JP57166943A patent/JPS5957507A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5957507A (ja) | 1984-04-03 |
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