JPS63254183A - 5―フェニル―ピリミジン誘導体を含むスメクチック液晶組成物 - Google Patents

5―フェニル―ピリミジン誘導体を含むスメクチック液晶組成物

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JPS63254183A
JPS63254183A JP63067473A JP6747388A JPS63254183A JP S63254183 A JPS63254183 A JP S63254183A JP 63067473 A JP63067473 A JP 63067473A JP 6747388 A JP6747388 A JP 6747388A JP S63254183 A JPS63254183 A JP S63254183A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 液晶は特に最近の10年間に、電気光学的性質およびデ
ィスプレー装置用の性質が要求される種々の技術分野(
例えば、時計−、ポケット型計算器−およびタイプライ
タ−用ディスプレー)に使用されている。これらのディ
スプレー装置の原理は、液晶化合物のネマチック−、コ
レステリック−および/またはスメクチック相において
誘電的配列効果にあり、その際に一誘電異方性に起因し
て一化合物の分子長軸が負荷された電場において特に有
利な配列をする。
これらのディスプレーの場合の通例の切り換え時間は、
特異な性質の為に工業的に非常に有望な化合物である液
晶の多くの他の潜在的な用途分野にとって非常に長過ぎ
る。この欠点は、沢山の画像点を番地に分割しなければ
ならない時に特に顕著になる。これによって比較的に大
きな面積を持つ装置、例えばビデオ装置、オシログラフ
またはテレビジョン、レーダー、EDV−またはワード
プロセッター用スクリーンの製造コストが高く成り過ぎ
る。
僅か二三年の間にネマチック液晶およびコレステリック
液晶の他に実際の用途にとって強誘電性スメクチック液
晶相も益々重要に成ってきている。
クラーク(C1ark)やラガーウエル(Lagerw
all)は、非常に薄いセルにおいてか\る液晶系を用
いることが、慣用のTN“捩ネマチック”セルに比較し
て約1 、000のファクターまでの迅速な切り換え時
間を有する電気光学的切り換え装置またはディスプレー
要素をもたらすことを証明することができた(例えば、
Lagerwall等、′ディスプレーの為の強誘電性
液晶(FerroelectricLiquid)″、
SIDシンポジウム、1985年10月会議、サンジエ
ゴ、カルフォルニア、米国参照)。この有利な性質およ
び他の有利な性質−一例えば双安定切り換え性および殆
ど視角に無関係なコントラスト−の為に、強誘電性液晶
は原則として上記の用途分野にとって、例えばマトリッ
クスによる番地分割に良好に適している。
電気光学的なディスプレーにおいて強誘電性液晶を実際
に用いるの為には、広い温度範囲にわたって安定してい
る対掌性の傾斜したスメクチック相、例えばSc−相が
必要とされる(R。
BoMeyer  、Liebert  、L、5tr
ze1eckr、、P、Keller。
J、Physique 36 、L−69(I975)
)  。
この目的は、自体対掌性のスメクチック相、例えばSc
−相を形成する化合物にて達成できるが、一方において
は、非対掌性の傾斜したスメクチック相を形成する化合
物に光学活性化合物を混ぜ込むことによって達成できる
(M、Bru−net 、、CCWilliams 、
 Ann、Phys、 3−1237(I978))。
それ故にスメクチック相を形成しそしてそれの混合物に
よってスメクチック相、特にSC−またはSc−相を形
成することのできる化合物が必要とされている。
傾斜したスメクチック相を持つ現在使用可能な殆どの物
質の大きな欠点は、温度に関して制限された相範囲の他
に化学的、熱的または光化学的な安定性が低いことおよ
び大抵の用途に適していない大きな正の誘電異方性があ
る。
本発明者は、一般式(I) 〔式中、R+およびR2は互いに同じであるかまたは異
なっており、不斉炭素原子を有していてもよく且つ隣接
していない一つ以上の−CH2−基が−0−または−5
−で交換されていてもよい2〜16の炭素原子数の直鎖
状または分枝状アルキル−または−アルケニル基を意味
し;−^および−Bは基 であり、 その際、いずれの場合もR1,R2が一へ、−Bのフェ
ニル基の部分に位置しており; そしてmおよびnは0または1であるが、m十〇は常に
Oまたはlである。〕 で表される化合物をスメクチック液晶混合物の成分とし
て特に適していることを見出した。
これらの化合物は大きな化学的、熱的および光化学的安
定性を有している。このものは更に負のまたは僅かだけ
の正の誘電異方性を示す(実施例1〜3参照)。それ故
に混合物の誘電性は弐(I)の成分によって良好な影響
を受ける。
更に式(I)の対掌性化合物はこのものを含有する混合
物の強誘電性に正の影響も及ばず。
何故なたばこのもの自体が既に良好な強誘電性を有して
いるからである(実施例1および8)。
式(I)の化合物の内特に、式(II)〔式中、Xは単
一結合、−〇または−Sを意味しそしてR3およびR4
は互いに同じであるかまたは異なっており、不斉炭素原
子を含有していてもよい炭素原子数7〜14の直鎖状ま
たは分枝状アルキル基または一アルケニル基である。〕
で表される化合物が有利である。
即ち本発明者は、式(II)の化合物が液晶のS、−ま
たはSc−相を形成することを見出した。それどころか
これらの化合物の大部分は非常に広い温度範囲を有しそ
して専ら良好な□即ち比較的に低い温度の所にSc−ま
たはS。
範囲がある。この状況は、一般的な知見(例えばFue
ssige Kr1stalle in Tabell
en”、(VEBDeutscher Verkag 
fuer Grundstoffindustrie)
、ライプツイヒ、第1巻(I974) 、第■巻(I9
84)る。
更に式(II)の化合物はSc−またはS、−の他にし
ばしばSA−相も示す。このことはそれの用途にとって
非常に有利である。それ故に弐更に、n=1またはm=
1の式(r)の化合物は特に有利である。これらの化合
物は大部分が範囲を広げるの為の混合成分として適し且
つ同時に混合物の誘電挙動に有利な影響を及ぼす。
SC−またはSC−混合物中で式(II)の化合物を公
知の種類の化合物 〔式中、Xが単一結合または−0を意味しおよびR5は
同じかまたは異なる炭素原子数6〜15のアルキル基で
ある。〕 と−緒に用いるのが特に有利である。
即ち、全く驚くべきことに、式(II)の化合物と式(
III)の化合物を一緒に用いることが、Sc−または
Sc−をより低い温度にだけでなくより高い温度にまで
広げせしめることを見出した(“誘電されたSc”、実
施例3参照)。この挙動は極めて珍しく且つ有利である
本発明に従って用いる化合物の製法はドイツ特許出願公
開第3,709,618.4号明細書に開示されている
。以下の実施例によって本発明を更に詳細に説明する。
K +;Sc 555A601  および40°Cで1
.5nc/cm”の自然な極性並びにIOV、ff /
μmの方形波電圧を負荷した際に200μsの切り換え
時間を有している。この温度での傾斜角度は25°であ
りそして10kHzでの誘電異方性Δε= −0,6で
ある。
ルオ シー エニル −ピ1ζジンは、相順序 メオトロピック(homeotoropic)配向およ
びε±(プラナ−(planar)配向)を10kHz
および75°Cで示す: ε・・−3,5、ε主3.8→ Δε−−0.3゜ε・
・は方向ベクトルに対して平行又は垂直である(I0k
Hz、75°C)を有している:ε・・= 3.79、
εr 3.9→ Δεε主3.8→実画I津1 50χの(S)−2−デシルチオ−5−(4−(6−メ
チルオクチルオキシ)フェニルツーピリミジンと50χ
の(S)−2−オクチルチオ−5−(4−(6−メチル
オクチルオキシ)フェニルツーピリミジンとより成る混
合物は以下の相順序を示す: K 17 S、 535A581 尖施桝」 30χの5−デシル−2−(4−デシルオキシフェニル
)−ピリミジン、55χの5−オクチル−2−(4−オ
クチルオキシフェニル)−ピリミジン、10χの5−デ
シル−2−(4−オクチルオキシフェニル)−ピリミジ
ンおよび5χの2−オクチルオキシ−5−[4−(4−
デシルオキシ−フェニル)メチルオキシ−フェニルツー
ピリミジンより成る混合物は+7°Cまで過冷却できそ
して以下の相順序を示す:5c53SAおよび5A71
 I fjl (S)−2−オクチルチオ−5−(4−(6−メチルオ
クチルオキシ)−フェニル〕−とリミジン(^)と文献
“Fuessige Xristalle in Ta
bellen”、(VEBDeutscher Ver
kag fuer Grundstoffindust
rie)、ライブライと、第1巻(I974)から公知
の式(I)に含まれない化合物の5−オクチル−2−(
4−オクチルオキシ−フェニル)−ピリミジン(B)と
の混合物。
これらの両者の物質を混合した場合極めて驚くべき且つ
極めて有利な挙動が図面の一対の相グラフ(加熱曲線)
から明らかになる。即ち、SCが低い温度にも高い温度
にも広がる。後者の挙動は従来には開示されていなかっ
た。
災旌炭」 80χの(S)−2−ヘプチルチオ−5−[4−(6−
メチルオクチルオキシ)−フェニルツーピリミジンと2
0χの(S)−2−ノニルオキシ−5−(4−(6−メ
チルオクチルオキシ)−フェニルツーピリミジンとより
なる混合物は一20°C以下まで過冷却でき且つ以下の
相順序を示す: SF −3St 17 Sc 575A641実蓋■」 45χの(S)−2−デシルチオ−5−(4−(6−メ
チルオクチルオキシ)−フェニルツーピリミジン、45
χの(S)−2−オクチルチオ−5−[4−(6−メチ
ルオクチルオキシ)−フェニルツーピリミジンおよび1
0χのN−4−(4−オクチルオキシベンゾイルオキシ
)−ベンゾイル−(S)〜プロリンー(R)−2−メチ
ルプロピルエステルよりなる混合物は10’C〜42°
Cの範囲でS、を示しそして25’Cで+30 nC/
cm2の自然な極性を並びに5SFLCデイスプレーに
おいて10νart /μmの方形電圧を負荷した際に
45μsの切り換え時間を有している。
実施■」 40χの(S)−2−デシルチオ−5−(4−(6−メ
チルオクチルオキシ)−フェニルツーピリミジン、40
χの(S)−2−オクチルチオ−5−(4−(6−メチ
ルオクチルオキシ)−フェニルツーピリミジン、2χの
5−ウンデシル−2−(4−デシルオキシフェニル)−
ピリミジン、2χの5−デシル−2−(4−オクチルオ
キシ−フェニル)−ピリミジン、5.5χの5−デシル
−2−(4−デシルオキシ−フェニル)−ピリミジン、
10゜5χの5−オクチル−2−(4−オクチルオキシ
−フェニル)−ピリミジンより成る混合物は5°Cの融
点を有し特に以下の相順序を示す: Sl 18° S、58° SA 62° I実差側■ 1.3χの(S) −2−(4−デシルオキシ−フェニ
ル)−5−(4−(6−メチルオクチルオキシ)−フェ
ニル〕−ピリミジン、39.5χの(R,5)−4−デ
シルオキシ安息香酸−(4−(4−(メチルへキシルオ
キシ)−フェニル〕−エステル、32.6χの5−オク
チル−2−(4−オクチルオキシフェニル)−ピリミジ
ン、16χの5−デシル−2−(4−デシルオキシ−フ
ェニル)−ピリミジン、10.6χの5−デシル−2−
(4−オクチルオキシ−フェニル)−ピリミジンより成
る混合物は以下の相順序を示す: K  3 Sc 62 Ss 68 N” 69 I
【図面の簡単な説明】
図面は、スメクチック液晶混合物の成分として5−フェ
ニル−ポリジン誘導体を用いた場合の相グラフ(加熱曲
線)を示している。 =15−

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、R^1およびR^2は互いに同じであるかまた
    は異なっており、不斉炭素原子を有していてもよく且つ
    隣接していない一つ以上の−CH_2−基が−O−また
    は−S−で交換されていてもよい2〜16の炭素原子数
    の直鎖状または分枝状アルキル−または−アルケニル基
    を意味し; −Aおよび−Bは基 ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
    式、表等があります▼ であり、 その際、いずれの場合もR^5、R^2が−A、−Bの
    フェニル基の部分に位置しており; そしてmおよびnは0または1であるが、m+nは常に
    0または1である。〕 で表される化合物をスメクチック液晶混合物の成分とし
    て用いる方法。 2)式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 〔式中、Xは単一結合、−Oまたは−Sを意味しそして
    R^3およびR^4は互いに同じであるかまたは異なっ
    ており、不斉炭素原子を含有していてもよい炭素原子数
    7〜14の直鎖状または分枝状アルキル基または−アル
    ケニル基である。〕で表される化合物を用いる請求項1
    に記載の方法。 3)対掌性のスメクチック液晶相の成分として用いる請
    求項1または第2項に記載の方法。 4)対掌性の傾斜したスメクチック液晶相の成分として
    用いる請求項1または第2項に記載の方法。 5)対掌性のスメクチックC−相(S_c^*)の成分
    として用いる請求項1または第2項に記載の方法。 6)S_c−またはS_c^*−相において式(III)
    ▲数式、化学式、表等があります▼(III) 〔式中、Xが単一結合または−Oを意味しおよびR^5
    とR^6とは同じかまたは異なる炭素原子数6〜15の
    アルキル基である。〕 の化合物と組み合わせて用いる請求項2に記載の方法。 7)請求項1〜6項の何れか一つに記載の液晶相を含有
    する電気光学的な切り換え要素またはディスプレー要素
    。 8)ディスプレーまたは切り換え要素をSSFLC技術
    においてまたはAC−分野の安定化技術において作動さ
    せる請求項1に記載の電気光学的な切り換え要素または
    ディスプレー要素。
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