JPS6326387B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、乾式二成分反転現像方法に関するも
のである。

従来、静電写真法においては、静電潜像の電荷
の少ない部分に現像粒子を付着させ、最大電荷密
度の部分には付着させない乾式二成分反転現像方
法がある。この方法の場合、従来の正転、すなわ
ちポジ・ポジ現像方法に比べ、非画像部電位が高
いため、静電誘導によりコピー紙上へのキヤリア
付着が発生し、貧画像となるものである。

そこで、このようなキヤリア付着を防止するた
めに、現像スリーブに対し静電潜像の極性と同極
性のバイアス電圧を印加させるとよいが、これで
も完全には防止できない。しかも、バイアス電圧
を高くする程コピーの地肌汚れが増大する不都合
を生ずる。他方、このバイアス電圧が低い場合に
は、地汚れは少ないものの、当初のキヤリア付着
を生ずる。また、現像装置では一定量の現像剤の
電気的特性を測定し、これをキヤリアとトナーと
の電気的特性値を用いて換算し、トナー濃度を検
知する手段を有するものであるが、このセンサー
のボビンや壁面へのキヤリア付着を生じ、検知動
作の安定性に欠けるものである。

これらの点につき、測定結果とともに説明す
る。まず、装置としては第１図に示すように、矢
印方向に回転しその表面に帯電、露光手段により
静電潜像が形成される感光体ドラム１が設けられ
ている。そして、この感光体ドラム１の左下部に
は磁気ブラシ現像装置２が配置されており、その
磁気ブラシによつて感光体ドラム１上の静電潜像
を現像するものである。ここで、この磁気ブラシ
現像装置２は現像容器３内に非磁性の円筒スリー
ブ４とこの円筒スリーブ４内に設けられた複数の
磁石５とからなる現像スリーブ６を有しており、
磁石５によつて矢印方向に回転する円筒スリーブ
４の表面に磁気ブラシを形成する。また、円筒ス
リーブ４の表面に近接させて掻き落し板７が設け
られており、この掻き落し板７の略中央部には開
口８が形成されている。この掻き落し板７の下方
には開口８と連結されたホツパー９が配設されて
いる。このホツパー９は漏斗状をしており、その
下部には流出口１０が設けられ、さらにこの流出
口１０の下には非磁性の円筒１１が設けられてい
る。この円筒１１にはコイル１２が巻回され、こ
のコイル１２はそのインダクタンスＬとコンデン
サＣとによりLC発振回路を形成するもので、そ
の発振周波数を検知する周波数検知器１３に接続
されている。この周波数検知器１３と基準回路１
４との出力を比較回路１５で比較し、その出力に
よつてトナーホツパー１６の下部に設けられたト
ナー補給ローラ１７の回転を制御するように駆動
回路１８に信号を与える。

そこで、現像剤のトナーとして正極性で株式会
社リコー製のFT6400、キヤリアとして負極性で
2μのテフロンコートされた粒径100μの球形鉄粉
を用い、感光体ドラム１としてはSeドラムを正
帯電（暗部は約800V、明部は約100V）したもの
を用いて、フロート現像、アース現像およびバイ
アス現像で反転画像を作成したところ、画像濃度
（ライン）、地肌およびキヤリア付着についてつぎ
のような結果が得られた。まず、フロート現像で
は画像濃度は良いものの地肌汚れ、キヤリア付着
を生じ、アース現像では地肌汚れは生せず画像濃
度もまずまずのものとなつたが、かなりのキヤリ
ア付着を生じた。また、バイアス現像ではバイア
ス電位を200Vとしたとき画像濃度、地肌につい
ては良好な結果が得られたがキヤリア付着を生
じ、バイアス電位を400Vとしたときこのキヤリ
ア付着を多少軽減でき、バイアス電位を600Vと
したときにはキヤリア付着については400Vの場
合と変わらなかつたが地肌汚れを生じ、さらにバ
イアス電位を800Vとしたときには画像濃度、キ
ヤリア付着については良好な結果が得られたが、
地肌汚れをかなり生じたものである。結局、いず
れの場合も良コピー条件とはならなかつたもので
ある。また、トナー濃度センサー、ボビンにもキ
ヤリアが付着し、正常なコントロールができなか
つたものである。

また、キヤリアとして鉄粉偏平キヤリア（粒径
150μで約2μのテフロンコート）を使用した場合
も同様の結果となつた。

さらに、キヤリアとしてノン・コートサヤリア
鉄粉を用いた場合には、つぎのような結果となつ
た。まず、フロート現像の場合には画像濃度のみ
が良く、地肌汚れを生じキヤリア付着については
かなり生じたものである。また、アース現像の場
合には地肌汚れのみ良くて画像濃度は悪くなり、
キヤリア付着は最悪となつた。そして、200Vの
バイアス現像ではアース現像における画像濃度、
キヤリア付着を多少良くした程度であり、400V
の場合にはさらに多少良くなつたものの依然とし
てキヤリア付着を生じ、かつ地肌汚れも多少生じ
るようになつた。そして、バイアス電位が400V
以上では、バイアスリークにより実験不可能であ
つた。したがつて、この場合でも良好なるコピー
条件は得られなかつたものである。もつとも、セ
ンサーのボビンや壁画へのキヤリア付着は、コー
トキヤリアの場合に比べて多少良くなつたもので
ある。

本発明は、このような点に鑑みなされたもの
で、キヤリア付着および地肌汚れのない反転コピ
ー画像を得ることができ、かつ細線の再現性がよ
く、またトナーセンサー等におけるボビンや壁画
へのキヤリア付着をも防止することができる乾式
二成分反転現像方法を提供することを目的とする
ものである。

本発明は、乾式二成分反転現像剤におけるキヤ
リアの粒径およびバイアス電位に着目し、それら
を所定の条件とすることにより、キヤリア付着お
よび地肌汚れがなく画像濃度、細線の再現性が良
好となるようにしたものである。

本発明の一実施例を図面に基いて説明する。ま
ず、装置としては第１図に示したようなものを用
い、バイアス現像により反転現像画像を作成する
ものである。そして、従来例として行なつた測定
条件においてキヤリアの粒径を変えて、このキヤ
リア粒径とコピー紙上のキヤリア付着等との関係
を現像バイアスのバイアス電位をパラメータとし
て測定したところ、第２図ないし第６図に示すよ
うな結果が得られた。

まず、第２図はコピー紙上のキヤリア付着のキ
ヤリア粒径依存性を示すものであり、この結果に
よればバイアス電位が0Vのときにはキヤリア粒
径が250μ以上、バイアス電位が200〜400Vのとき
にはキヤリア粒径が200μ以上でなければキヤリ
ア付着を防止できないことがわかる。

そして、第３図は画像濃度のキヤリア粒径依存
性を示すものであり、キヤリア粒径によつて画像
濃度に差はあるものの特に不良なものを生ずるこ
とはない。この場合、第２図に基づくキヤリア粒
径が250μ以上という条件でみれば、十分な画像
濃度となることがわかる。

また、第４図は地肌汚れのキヤリア粒径依存性
を示すものであり、特にキヤリア粒径の大小が地
肌汚れに影響しないことがわかる。もつとも、バ
イアス電位が高くなる程地肌汚れの程度が悪くな
る方向にあり、この地肌汚れ防止のための条件と
して、バイアス電位を非画像部電位より200V以
上低くさせることが必要となる。この実施例では
非画像部電位が800Vであるので、バイアス電位
が600V以下であれば地肌汚れを防止できること
となる。

さらに、第５図は細線再現性、すなわちライン
像のこすれのキヤリア粒径依存性を示すもので、
キヤリア粒径が大きくなる程細線再現性が低下
し、キヤリア粒径が400μ以下であることが必要
となることがわかる。

また、第６図はセンサー、ボビンへのキヤリア
付着のキヤリア粒径依存性を示すもので、キヤリ
ア粒径が小さい程このキヤリア付着を生じ易いこ
とがわかる。

したがつて、これらの結果によれば、バイアス
電位を静電潜像の非画像部電位より200V以上低
く、キヤリア粒径を250〜400μとさせることによ
り、コピー紙上へのキヤリア付着、地肌汚れおよ
びセンサー、ボビンへのキヤリア付着を防止しつ
つ、画像濃度および細線の再現性を良好なものと
することができる。

本発明は、上述したように現像バイアスのバイ
アス電位を非画像部電位より200V以上低くし、
かつ粒径が250〜400μのキヤリアを含む乾式二成
分反転現像剤を用いて現像させたので、コピー紙
上へのキヤリア付着、地肌汚れをなくしつつ画像
濃度および細線の再現性の良好な反転画像を得る
ことができ、またセンサー、ボビンへのキヤリア
付着も防止できるのでトナー濃度コントロールを
安定して行わせることができるものである。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の一実施例を示すもので、第１図
は現像装置付近の側面図、第２図はキヤリア付着
―キヤリア粒径特性図、第３図は画像濃度―キヤ
リア粒径特性図、第４図は地肌汚れ―キヤリア粒
径特性図、第５図は細線再現性―キヤリア粒径特
性図、第６図はキヤリア付着―キヤリア粒径特性
図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 現像バイアスのバイアス電位を静電潜像の非
   画像部電位より200V以上低くしつつ、粒径が250
   〜400μのキヤリアを含む乾式二成分反転現像剤
   による磁気ブラシにて現像するようにしたことを
   特徴とする乾式二成分反転現像方法。 ２ 現像バイアスのバイアス電位を0Vとしたこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の乾式
   二成分反転現像方法。