JPS63277669A

JPS63277669A - 新規６員環ラクトンの製法

Info

Publication number: JPS63277669A
Application number: JP62112736A
Authority: JP
Inventors: Seiichi Takano; 誠一高野; Kuniro Ogasawara; 国郎小笠原; Yoshiisa Sekiguchi; 喜功関口
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1987-05-08
Filing date: 1987-05-08
Publication date: 1988-11-15

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】童ｇ帽別艷本発明は、香料として有用であり（参考文献：Ｐｒｏｇ
ｒｅｓｓ　ｉｎ　ｔｈｅ　Ｃｈｅｍ、　Ｏｒｇ、　Ｎａ
ｔ、　Ｐｒｏｄ、＋　３５　＋４３Ｈ１９７８））　、
また抗菌作用を示し医薬品として有用である（参考文献
：　Ｐｈｙｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ＋　１１＋２０２５
（１９７２））　５．６−シヒドロー　α−ピロン誘導
体の新規な光学的に選択性が高い製造法およびその中間
体に関する。

従来の（術とその□野点下記一般式（ＩＶ）Ｏ［式中、Ｒは水酸基の保護基を意味する。］により示さ
れる化合物を光学選択的に合成した例は、Ｒがアセチル
基の場合中間体として認識されているが単離はされてい
ない（参考文献：Ｔ、Ｌ、。

２４、４８８３　（１９８３）　）。また、同様にＲが
アセチル基の場合も記載されている他の例がある〔参考
文献：Ｃｈｅｗ、　Ａｂｓａｔｒａｃｔ　８７：１１８
０３１ｋ（Ｃａｒｂｏｈｙｄｒ、　Ｒｅｓ。

１９７７、５６（１）、１８０ｌ８０−２（Ｅｎ　、然
るに、本発明のようにＲがヘンシル基または置換ベンジ
ル基である例については記載がない。

！！！：を解決するための手段、作用、六果木発明者は
、Ｄ−マンノースから容易に合成出来る光学活性な一般
式（Ｖ）、、７！−ＣＨｚ　ＯＲ（Ｖ　）〔式中、Ｒは水酸基の保護基を意味する。〕から製造で
きる（参考文献二月刊薬事、　２６．　（ＩＬ　７９〜
９６（１９８４）。Ｔ、Ｌ、、２４．４２３３（１９８
３））光学活性のある一般式（１）％式％（１）により示される化合物を出発物質として、上記一般式（
ＩＶ）の化合物に至る新規の合成法を発明した。即ち、
一般式（Ｉ）により示される化合物に、ｎ−ブチルリチ
ウムの存在下炭酸ガスを反応させて一般式（ＩＩ）ＨＯＯＣＣ＝ＣＣＨｚ−ＣＨＣＨｚＯＲ（ＩＦ　）Ｏ■ により示される化合物とし、次いでアセチレン結合のシ
ス方向に水素を付加するパラジウム系触媒の存在下水素
ガスを反応せしめて一般式（ＩＩＩ）Ｈにより示される化合物に還元し、次いでこの化合物を脱
水閉環して一般式（ＩＶ）により示される化合物を製造
する方法である。

また、本発明は本製造法に係わる化合物に関する。

以下、本発明の方法の反応条件についてさらに詳しく説
明する。

水酸基の保護基としては、本発明のどの反応のステップ
においても脱離しがたい保護基が好ましくその例として
はベンジル基、フェニル基の水素が低級アルキル基また
は低級アルコキシ基によって置換されたベンジル基、ト
リメチルシリル基、ジメチル−む−ブチルシリル基また
はジフェニル−ｔ−ブチルシリル基が挙げられる。

次に、各反応ステップの反応条件を次表に示した。

（以下、余白）反応条件の一覧表ステップ・　（１）→（ＩＩ）（モル比）　　（１）　　：　ｎ−ＢｕＬｉ＝２．０〜
２．５モル倍好ましくは２．２〜２．５モル倍炭酸ガスは、（１）の１モル倍から大過剰を使用する。

（反応温度）−１０〜−５０°Ｃ１好ましくは−２０〜
−４０°Ｃ（？ｇ　媒）エチルエーテルングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、
好ましくはテトラヒドロフランを使用する。

ステップ・　（Ｉｆ）→（［［）（モル比）触媒重量比は（Ｕ）に対して１〜１００％好
ましくは２〜５％である。

（反応温度）１０〜３０°Ｃ（触媒の種類）リンドラ−触媒、Ｐｄ／ＢａＣＯ，。

Ｐｄ／ＣａＣＯｓ，ラネーニッケル（溶媒）酢酸エチル、エタノール、メタノールステップ
・　（１）→（ＩＶ）（反応温度）８０〜１５０°Ｃ、好ましくは、　　８０
〜１１０°Ｃ（共沸溶媒）ベンゼン、トルエン、キシレン好ましくは
ベンゼン以下、参考例と実施例により本発明をさらに詳しく説明
する。なお、本発明はこれら実施例によって限定される
ものではない。

（参考例）（Ｒ）−５−ベンジルオキシ−４−ヒドロキ
シ−１−ペンチン（（１）、Ｒ・ベンジル〕の製法。

（Ｓ）−０−ベンジルグリシドール２０．０ｇ（１２２
ｍｍｏｌ）のＤＭＳＯ（８０　ｄ）溶液に、５°Ｃ以下
撹拌下、リチウム　アセチライド　エチレンジアミン錯
体（９０χ）１８、７ｇ（１８３ｍｍｏｌ）を少量宛加
え、同温で４０ｎ＋ｉｎ撹拌した。反応混合物に飽和食
塩水（１５０ｍ）を加え、次いで濃塩酸を加え酸性とし
、エーテルで抽出した。エーテル抽出液を５χ重曹水、
次いで飽和食塩水で洗浄した。エーテル層を無水硫酸マ
グネシウム上乾燥し、エーテル層から溶媒を留去した。

溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付
し表記の末端アセチレン化合物２０．６９ｇ（８９χ）
を得た。

ｂｐ９５°Ｃ（０．３ｔｏｒｒ）；　（ｚ）　Ｄ　”　
−１２．０°　（ｃ＝２．１４、　ＣＩ’ｌＣＩｉ）。

（実施例）　　（Ｒ）−（Ｚ）−６−ベンジルオキシ−
５−ヒドロキシヘキセ−２−エノイック酸ラクトンの製
法参考例で得られた化合物１．８１ｇ（９．５０ｍｍｏ
ｌ）のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）　（５０ｍｊり溶
液に一３０°Ｃで撹拌下に、ｎ−ブチルリチウム（ｎ−
ＢｕＬｉ）　（１０χｗ／ｖ　ｉｎｈｅｘａｎｅ）　１
４．６　ｍｌｌ　（２２．８ｍｍｏｌ）を加えた。同温
で１５分間撹拌後、炭酸ガスを導入し１時間撹拌した。

反応混合物に飽和食塩水（８０　ｄ）を加え、エチルエ
ーテルで洗浄後、水層を濃塩酸で酸性とし、エチルエー
テルで抽出し、エチルエーテルを無水硫酸マグネシウム
で乾燥した。溶媒留去してカルボン酸［　（ＩＩ）　、
Ｒ・ベンジル］の粗製品２．２７ｇを得た。

粗カルボン酸（　（ＩＩ）　、Ｒ・ベンジル〕の内１．
７２ｇを酢酸エチル３０ｄ中、リンドラ−（Ｌｉｎｄｌ
ａｒ）触媒１００■の存在下、室温（約１０〜３０°Ｃ
）常圧下で８、５時間にわたって部分水素化した。部分
水素化後σ反応液をセライト濾過後、溶媒留去すると（
Ｚ）−カルボン酸（　（Ｉ［［）　、Ｒ＝ベンジル〕の
粗製品１．５７ｇを得た。

粗カルボン酸（　（Ｉ［［）　、Ｒ＝ベンジル）　１．
１０ｇをベンゼン３０１ｄ中、ヂーン・スターク（Ｄｅ
ａｎ−Ｓｔａｒｋ）装置を付して８．５時間還流した。

ベンゼン液を５χ重曹水次いで飽和食塩水で洗浄し、ベ
ンゼン層を無水硫酸マグネシウム上乾燥、溶媒を留去し
た。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）〔式中、Ｒは水酸基の保護基を意味する。〕により示さ
れる化合物に、ｎ−ブチルリチウムの存在下炭酸ガスを
反応させて一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II）により示される化合物とし、これにアセチレン結合のシ
ス方向に水素原子が付加するパラジウム系触媒の存在下
、水素ガスを反応せしめて一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（III）により示される化合物に還元し、次いでこの化合物を脱
水閉環することを特徴とする一般式（IV）▲数式、化学
式、表等があります▼（IV）により示される化合物の製造法。
（２）一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（II）〔式中、Ｒは水酸基の保護基を意味する。〕により示さ
れる光学活性体（＊印の不斉炭素原子が（Ｓ）体または
（Ｒ）体になる。）。
（３）一般式（IV） ▲数式、化学式、表等があります▼（IV）〔式中、Ｒは水酸基の保護基を意味する。〕により示さ
れる光学活性体（＊印の不斉炭素原子が（Ｓ）体または
（Ｒ）体になる。）。