JPS63282943A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS63282943A JPS63282943A JP11864687A JP11864687A JPS63282943A JP S63282943 A JPS63282943 A JP S63282943A JP 11864687 A JP11864687 A JP 11864687A JP 11864687 A JP11864687 A JP 11864687A JP S63282943 A JPS63282943 A JP S63282943A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
艮権宏駅
本発明は磁性層を再生用及び記録用の２つの異なる機能
に分離した光磁気記録媒体に関する。
に分離した光磁気記録媒体に関する。
従来技術
本発明者は先に特開昭５９−４５６４４号及び同６０−
１６４３０２号においてマグネトプラムバイトヘキサゴ
ナルフェライト磁性体を光磁気記録媒体に用いることを
提案した。ここで使用される磁性体は光磁気記録媒体に
おける記録、再生又は消去特性を改良するため結晶内の
Ｆｅの一部を他の金属で置換したものである。しかし記
録特性（記録感度）を改良するためにＦｅの一部をＩｎ
。
１６４３０２号においてマグネトプラムバイトヘキサゴ
ナルフェライト磁性体を光磁気記録媒体に用いることを
提案した。ここで使用される磁性体は光磁気記録媒体に
おける記録、再生又は消去特性を改良するため結晶内の
Ｆｅの一部を他の金属で置換したものである。しかし記
録特性（記録感度）を改良するためにＦｅの一部をＩｎ
。
Ｓｃ、Ｚｎ等で置換してキュリ一温度を下げると、記録
保持に寄与する保磁力Ｈｃが著しく低下するし、また消
去特性を改良するためにＦｅの一部をＡ氾、Ｇａ、Ｒｈ
、Ｃｒ等で置換して飽和磁化Ｍｓを小さくし、適正値に
すると、再生特性に寄与する磁気光学効果（この場合は
ファラデー回転角θＦ）が著しく減少する。
保持に寄与する保磁力Ｈｃが著しく低下するし、また消
去特性を改良するためにＦｅの一部をＡ氾、Ｇａ、Ｒｈ
、Ｃｒ等で置換して飽和磁化Ｍｓを小さくし、適正値に
すると、再生特性に寄与する磁気光学効果（この場合は
ファラデー回転角θＦ）が著しく減少する。
従って前記提案の光磁気記録媒体では記録、再生及び消
去特性を全て満足することは困難であった。しかもこれ
らの記録媒体は磁性膜を作製する際、基板温度を５５０
°Ｃ以上と高くする必要があり、このため特殊な耐熱基
板しか使用できず、基板を高温に維持して均一に加熱す
ることは困難であり、量産化も困難であった。
去特性を全て満足することは困難であった。しかもこれ
らの記録媒体は磁性膜を作製する際、基板温度を５５０
°Ｃ以上と高くする必要があり、このため特殊な耐熱基
板しか使用できず、基板を高温に維持して均一に加熱す
ることは困難であり、量産化も困難であった。
目 的
本発明の目的は記録、再生及び消去特性を全て満足する
と共に、基板の使用範囲を拡大し、且つ量産化も可能な
光磁気記録媒体を提供することである。
と共に、基板の使用範囲を拡大し、且つ量産化も可能な
光磁気記録媒体を提供することである。
構 成
本発明の光磁気記録媒体は耐熱基板上に磁性層を有する
光磁気記録媒体において、磁性層を再生用及び記録用の
２つの機能の異なる層に分割し、再生用磁性層はＢｉ含
有鉄ガーネット及びＣｏ含有フェライトの少くとも１種
の磁性体で構成し、記録用磁性層はＨｅが大きく、且つ
適正なＭｓを有するマグネトプラムバイトヘキサゴナル
フェライト磁性体とこの磁性体に対し融点降下作用のあ
る金属、金属の合金、又は化合物を含有して構成したこ
とを特徴とするものである。
光磁気記録媒体において、磁性層を再生用及び記録用の
２つの機能の異なる層に分割し、再生用磁性層はＢｉ含
有鉄ガーネット及びＣｏ含有フェライトの少くとも１種
の磁性体で構成し、記録用磁性層はＨｅが大きく、且つ
適正なＭｓを有するマグネトプラムバイトヘキサゴナル
フェライト磁性体とこの磁性体に対し融点降下作用のあ
る金属、金属の合金、又は化合物を含有して構成したこ
とを特徴とするものである。
このように本発明の光磁気記録媒体は従来の磁性層を、
再生専用としてθ、の大きい磁性層、及び記録（記録保
持及び消去）専用としてＨｅが大きく、且つ適正なＭｓ
を有する磁性層の２つの機能の異なる層に分離したもの
である。なおこれらの２つの層は基板に対しいずれが上
にあっても下にあってもよい。
再生専用としてθ、の大きい磁性層、及び記録（記録保
持及び消去）専用としてＨｅが大きく、且つ適正なＭｓ
を有する磁性層の２つの機能の異なる層に分離したもの
である。なおこれらの２つの層は基板に対しいずれが上
にあっても下にあってもよい。
本発明の再生用磁性層はＢｉ含有ガーネット及びＣｏ含
有フェライトの少くとも１種の磁性体で構成される。こ
れら磁性体の具体例をθ、値と共に下記に示す。
有フェライトの少くとも１種の磁性体で構成される。こ
れら磁性体の具体例をθ、値と共に下記に示す。
【 糺−栽 方傳蚤劉虱（Ａ−１）
１．２Ｂｉ２０３−０．３Ｙ２０．−０．６Ｇａ２０
３−１．９Ｆ８２０３２．０（λ＝６３３ｎｍ）（Ａ−
２） Ｂｉ２Ｏ３・０．５Ｇｄ２０３−０．６Ａ＆０３
・１．９Ｆｅ２０３１．５（λ＝６３３０ｍ）（Ａ−３
） Ｂｉ、０３・０．５ＤＹ２０３−ＣＯＯ−ＧｅＯ□
−１，５Ｆｅ２０． １．０（λ＝６３３ｎｍ）（Ａ
−４） Ｂｉ２Ｏ３・０．５ＤＹ２０３−０．４Ｉｎ２
０３・２．３Ｆｅ２０３１．５（λ＝６３３ｎｍ）（Ａ
−５）Ｃｏ０・０．４Ａ馬０３・０．６Ｆｅ２０３２．
０（１２７８００ｍ）（Ａ−６） ＣｏＯ・Ｏ−６Ｍｎ
０ ・Ｏ−２ＧｅＯ□＋ ｏ、５Ｆｅ、ｏ３１．５ （
λ＝７８００ｍ）（Ａ−７） Ｃｏ０・０．６Ｚｎ０・
０−２Ｔ１０２ ・Ｏ−５Ｆｅ２ｏ３１ 、Ｏ（１２７
８００ｍ）（Ｆ８） Ｃｏｏ・Ｏ−６Ｒｈ２０３ ・０
．４Ｆｅ２０３ ２．５ （１２７８００ｍ
）（Ａ−９）ＣｏＯ・０．６Ｃｒ２０３・０．４Ｆｅ２
０３２．０（１２７８００ｍ）なお再生用磁性層はこれ
ら組成のターゲット又は焼結物を基板等の表面上にスパ
ッタリング又は蒸着法により成膜することにより形成さ
れる。
１．２Ｂｉ２０３−０．３Ｙ２０．−０．６Ｇａ２０
３−１．９Ｆ８２０３２．０（λ＝６３３ｎｍ）（Ａ−
２） Ｂｉ２Ｏ３・０．５Ｇｄ２０３−０．６Ａ＆０３
・１．９Ｆｅ２０３１．５（λ＝６３３０ｍ）（Ａ−３
） Ｂｉ、０３・０．５ＤＹ２０３−ＣＯＯ−ＧｅＯ□
−１，５Ｆｅ２０． １．０（λ＝６３３ｎｍ）（Ａ
−４） Ｂｉ２Ｏ３・０．５ＤＹ２０３−０．４Ｉｎ２
０３・２．３Ｆｅ２０３１．５（λ＝６３３ｎｍ）（Ａ
−５）Ｃｏ０・０．４Ａ馬０３・０．６Ｆｅ２０３２．
０（１２７８００ｍ）（Ａ−６） ＣｏＯ・Ｏ−６Ｍｎ
０ ・Ｏ−２ＧｅＯ□＋ ｏ、５Ｆｅ、ｏ３１．５ （
λ＝７８００ｍ）（Ａ−７） Ｃｏ０・０．６Ｚｎ０・
０−２Ｔ１０２ ・Ｏ−５Ｆｅ２ｏ３１ 、Ｏ（１２７
８００ｍ）（Ｆ８） Ｃｏｏ・Ｏ−６Ｒｈ２０３ ・０
．４Ｆｅ２０３ ２．５ （１２７８００ｍ
）（Ａ−９）ＣｏＯ・０．６Ｃｒ２０３・０．４Ｆｅ２
０３２．０（１２７８００ｍ）なお再生用磁性層はこれ
ら組成のターゲット又は焼結物を基板等の表面上にスパ
ッタリング又は蒸着法により成膜することにより形成さ
れる。
厚さは通常、０．１〜１μｍ程度である。
一方、本発明の記録用磁性層はＨｃが大きく、且つ適正
なＭｓを有するマグネトプラムバイトヘキサゴナルフェ
ライト磁性体とこの磁性体に対し融点降下作用のある金
属、金属の合金又は酸化物、炭酸塩等の化合物を含む系
で構成される。ここで前記フェラト磁性体のＨｅは０．
５〜５ＫＯｅが好ましく、またＭｓは５−５０ｅｍｕ／
ｇが好ましい。このような特性を有するマグネトプラム
バイトヘキサゴナルフェライト組成の具体例をＨｃ値及
びＭｓ値と共に下記に示す。
なＭｓを有するマグネトプラムバイトヘキサゴナルフェ
ライト磁性体とこの磁性体に対し融点降下作用のある金
属、金属の合金又は酸化物、炭酸塩等の化合物を含む系
で構成される。ここで前記フェラト磁性体のＨｅは０．
５〜５ＫＯｅが好ましく、またＭｓは５−５０ｅｍｕ／
ｇが好ましい。このような特性を有するマグネトプラム
バイトヘキサゴナルフェライト組成の具体例をＨｃ値及
びＭｓ値と共に下記に示す。
換 組成 □Ｍｓ（ｅｓｕ／ｇ）（１）Ｓ■・Ａ
馬０３・０．調０３・４（Ｆも０３） ２
１５（２）ＢａＯ−Ａ馬へ・０．５Ｉｎ２０３・４
〔Ｆｅ２Ｏ３〕２１５（３）ＢａＯ・１．５Ａ馬０３・
ＳｎＯ２・ＺｎＯ・４〔Ｆｅ２Ｏ３〕４１５（４） Ｓ
ｒＯ・１．５Ｇａ２０．・０．５Ｓｃ２０．・３．５［
Ｆｅ２Ｏ，） ２ ２５（５） ＢａＯ−１
，５Ｃｒ２０３・０．５Ｉｎ２０３・３．５［Ｆｅ２Ｏ
，） １．０ ３０Ｈα覗→融（ｅｓｕ／ｇ） （６）ＳｒＯ・１．５Ａ馬０３・０．５Ｔモ０・０．５
Ｚｎ２０・３．５〔Ｆｅ２Ｏ３〕４．０２０（７）Ｂａ
Ｏ・１．５Ｒｈ２０３・０．５Ｓｂ２０３−４．０［Ｆ
ｅ２Ｏ，］ ４．０ ２５（８） Ｂａ
Ｏ・ＡＬＯ，・０．５Ｔｉ０２・０．５Ｚｎ０３．５（
Ｆｅ２０．） ２．０ ２０またこれらフェ
ライト磁性体に対し融点降下作用のある金属、金属の合
金又は化合物の具体例としてはＳｎ、 Ｐｂ、 Ｓｉ、
Ｉｎ２Ｔｅ２． Ｓｂ２Ｔｅ３゜Ｂｉ２Ｔｅ３．Ｇａ
Ｓｂ、ＩｎＳｂ、ＰｂＯ，ＰｂＦ２゜Ｎａ２ＣＯ３，Ｂ
ｉ２Ｏ３，Ｐ２Ｏ，、Ｈ３ＢＯ３，ＮａＣＯ３等及びそ
れらの混合物が挙げられる。更に記録用磁性層に用いら
れる焼結物及びターゲットの具体例としては下記のもの
が挙げられる。
馬０３・０．調０３・４（Ｆも０３） ２
１５（２）ＢａＯ−Ａ馬へ・０．５Ｉｎ２０３・４
〔Ｆｅ２Ｏ３〕２１５（３）ＢａＯ・１．５Ａ馬０３・
ＳｎＯ２・ＺｎＯ・４〔Ｆｅ２Ｏ３〕４１５（４） Ｓ
ｒＯ・１．５Ｇａ２０．・０．５Ｓｃ２０．・３．５［
Ｆｅ２Ｏ，） ２ ２５（５） ＢａＯ−１
，５Ｃｒ２０３・０．５Ｉｎ２０３・３．５［Ｆｅ２Ｏ
，） １．０ ３０Ｈα覗→融（ｅｓｕ／ｇ） （６）ＳｒＯ・１．５Ａ馬０３・０．５Ｔモ０・０．５
Ｚｎ２０・３．５〔Ｆｅ２Ｏ３〕４．０２０（７）Ｂａ
Ｏ・１．５Ｒｈ２０３・０．５Ｓｂ２０３−４．０［Ｆ
ｅ２Ｏ，］ ４．０ ２５（８） Ｂａ
Ｏ・ＡＬＯ，・０．５Ｔｉ０２・０．５Ｚｎ０３．５（
Ｆｅ２０．） ２．０ ２０またこれらフェ
ライト磁性体に対し融点降下作用のある金属、金属の合
金又は化合物の具体例としてはＳｎ、 Ｐｂ、 Ｓｉ、
Ｉｎ２Ｔｅ２． Ｓｂ２Ｔｅ３゜Ｂｉ２Ｔｅ３．Ｇａ
Ｓｂ、ＩｎＳｂ、ＰｂＯ，ＰｂＦ２゜Ｎａ２ＣＯ３，Ｂ
ｉ２Ｏ３，Ｐ２Ｏ，、Ｈ３ＢＯ３，ＮａＣＯ３等及びそ
れらの混合物が挙げられる。更に記録用磁性層に用いら
れる焼結物及びターゲットの具体例としては下記のもの
が挙げられる。
刈採 組 成
（Ｂ−１）ＳｒＯ・ＡＬＯ３−０，５ＳＣ２０３−４（
Ｆｅ２０．）−ＰｂＯ（Ｂ−２）ＢａＯ−Ａ％０３・０
．５Ｉｎ２０３・４（Ｆｅ２０．）・ＰｂＯ・ＰｂＦ２
（Ｂ−３）Ｂａ０４．５Ａ４０３・ＳｎＯ□・Ｚｎ０・
４（Ｆｅ２０３：ｌ ・Ｎａ２Ｃｏ３（Ｂ−４）Ｓｒｆ
）１．５Ｇａ２０３・０．５Ｓｃ２０３・３．５（Ｆｅ
２０３）・Ｂｉ２０３（Ｂ−５） Ｂａ０・１．５Ｃｒ
２０３−０．５Ｉｎ２０３−３．５（Ｆｅ２０３） −
ｐ２ｏ、 −Ｈ３ＢＯ３（Ｂ−６）ＳｒＯ−１，５１，
０３−０，５Ｔｅ２０−０．５Ｚｎ２０−３．５（Ｆｅ
２０３）・Ｂｉ２０３（Ｂ−７）ＢａＯ−１，５Ｒｈ２
０３・０．５Ｓｂ２０３−４．０（Ｆｅ２０３：ｌ−Ｂ
ｉ２０３（Ｂ−８）ＢａＯ・Ａ鳥０３・０．５Ｔｉ２０
３・０．５Ｓｃ２０３・３．５〔Ｆｅ２Ｏ３〕・Ｐ２Ｏ
５・ＮａＣＯ３記録用磁性層は基板上にこれら組成の焼
結物又はターゲットをスパッタリング、蒸着等の方法で
成膜することにより形成される。厚さは通常、０．１〜
１μｍ程度である。
Ｆｅ２０．）−ＰｂＯ（Ｂ−２）ＢａＯ−Ａ％０３・０
．５Ｉｎ２０３・４（Ｆｅ２０．）・ＰｂＯ・ＰｂＦ２
（Ｂ−３）Ｂａ０４．５Ａ４０３・ＳｎＯ□・Ｚｎ０・
４（Ｆｅ２０３：ｌ ・Ｎａ２Ｃｏ３（Ｂ−４）Ｓｒｆ
）１．５Ｇａ２０３・０．５Ｓｃ２０３・３．５（Ｆｅ
２０３）・Ｂｉ２０３（Ｂ−５） Ｂａ０・１．５Ｃｒ
２０３−０．５Ｉｎ２０３−３．５（Ｆｅ２０３） −
ｐ２ｏ、 −Ｈ３ＢＯ３（Ｂ−６）ＳｒＯ−１，５１，
０３−０，５Ｔｅ２０−０．５Ｚｎ２０−３．５（Ｆｅ
２０３）・Ｂｉ２０３（Ｂ−７）ＢａＯ−１，５Ｒｈ２
０３・０．５Ｓｂ２０３−４．０（Ｆｅ２０３：ｌ−Ｂ
ｉ２０３（Ｂ−８）ＢａＯ・Ａ鳥０３・０．５Ｔｉ２０
３・０．５Ｓｃ２０３・３．５〔Ｆｅ２Ｏ３〕・Ｐ２Ｏ
５・ＮａＣＯ３記録用磁性層は基板上にこれら組成の焼
結物又はターゲットをスパッタリング、蒸着等の方法で
成膜することにより形成される。厚さは通常、０．１〜
１μｍ程度である。
基板としては通常のガラス、例えばソーダガラス、鉛ガ
ラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、アルミノケイ酸
ガラス、結晶化ガラス（商品名ミラクロンＰＨ−３、ミ
ラクロンＰＣ−１、ミラクロンＰＰ−１、ミラクロンＰ
Ｈ−１）；セラミック、例えばアルミナ、ＭｇＯ，Ｂａ
Ｏ。
ラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、アルミノケイ酸
ガラス、結晶化ガラス（商品名ミラクロンＰＨ−３、ミ
ラクロンＰＣ−１、ミラクロンＰＰ−１、ミラクロンＰ
Ｈ−１）；セラミック、例えばアルミナ、ＭｇＯ，Ｂａ
Ｏ。
ＡＱＮ、ＰＬＺＴ；単結晶、例えばシリコン、ＧＧＧ、
リチウムタンタレート、サファイア、ＭｇＯ；金属板（
例えばアルマイト、アルミニウム、ステンレス、ジュラ
ルミン；プラスチック板、例えばポリアミドイミド、ポ
リイミド、アラミド、ポリケトンイミド、ポリビフェニ
ルイミド、ポリピロメリット酸イミド等が挙げられる。
リチウムタンタレート、サファイア、ＭｇＯ；金属板（
例えばアルマイト、アルミニウム、ステンレス、ジュラ
ルミン；プラスチック板、例えばポリアミドイミド、ポ
リイミド、アラミド、ポリケトンイミド、ポリビフェニ
ルイミド、ポリピロメリット酸イミド等が挙げられる。
本発明の光磁気記録媒体には再生用及び記録用の各磁性
層の結晶配向性を改良するために、基板と磁性層との間
に下地層を設けたり、記録媒体の表面保護のため磁性層
上に保護層を設けたり、磁性層のファラデー効果を利用
して再生を行なうために磁性層上に反射層を設けたり（
但しこの場合基板としては透光性のものを使用する）、
ファラデー回転角を増大させて再生出力を向上するため
に磁性層と反射層との間に誘電層を設けたり、或いは記
録、消去時の熱伝導によるレーザー出力の損失を低減す
るために基板と磁性層或いは反射層との間に断熱層を設
けることができる。また光磁気記録媒体の記録、再生及
び消去を誤りなく行なうために、基板、下地層、磁性層
、反射層、断熱層、誘導層又は保護層自体に、或いは基
板又は前記層上に別途にガイドトラックを設けることが
できる。
層の結晶配向性を改良するために、基板と磁性層との間
に下地層を設けたり、記録媒体の表面保護のため磁性層
上に保護層を設けたり、磁性層のファラデー効果を利用
して再生を行なうために磁性層上に反射層を設けたり（
但しこの場合基板としては透光性のものを使用する）、
ファラデー回転角を増大させて再生出力を向上するため
に磁性層と反射層との間に誘電層を設けたり、或いは記
録、消去時の熱伝導によるレーザー出力の損失を低減す
るために基板と磁性層或いは反射層との間に断熱層を設
けることができる。また光磁気記録媒体の記録、再生及
び消去を誤りなく行なうために、基板、下地層、磁性層
、反射層、断熱層、誘導層又は保護層自体に、或いは基
板又は前記層上に別途にガイドトラックを設けることが
できる。
以上のような光磁気記録媒体の構成例を第１〜３図に示
す。即ち第１図の光磁気記録媒体は基板１上に、下地層
２、再生用磁性層３、記録用磁性層４及び反射層５を順
次設けたものであ＝７＝ る。第２図の光磁気記録媒体は基板１上に下地層２、記
録用磁性層４、再生用磁性層３、帯状ガイドトラック６
及び保護層７を順次設けたものである。また第３図の記
録媒体は基板１上に下地Ｍ２、再生用磁性層３、溝状ガ
イドトラック６′付き記録用磁性層４、反射層５及び保
護層７を順次設けたものである。
す。即ち第１図の光磁気記録媒体は基板１上に、下地層
２、再生用磁性層３、記録用磁性層４及び反射層５を順
次設けたものであ＝７＝ る。第２図の光磁気記録媒体は基板１上に下地層２、記
録用磁性層４、再生用磁性層３、帯状ガイドトラック６
及び保護層７を順次設けたものである。また第３図の記
録媒体は基板１上に下地Ｍ２、再生用磁性層３、溝状ガ
イドトラック６′付き記録用磁性層４、反射層５及び保
護層７を順次設けたものである。
ここで下地層の材料としては軟磁性体、例えばＮｉ−Ｚ
ｎフェライト、Ｃｏ−Ｚｎフェライト、Ｍ ｎ −Ｚ
ｎフェライト、Ｍ ｇ −Ｚ ｎフェラ −イト；誘
電体、例えばＳ ｉ Ｏ、Ｓ ｊ０２ ＋ Ｓ １３
Ｎ４ ＋ＭｇＯ，Ｔｉｅ２．ＺｎＯ，Ａｆ１２０３．Ｔ
ｈｅ２等が挙げられる。厚さは０．１〜１μｍ程度が適
当である。
ｎフェライト、Ｃｏ−Ｚｎフェライト、Ｍ ｎ −Ｚ
ｎフェライト、Ｍ ｇ −Ｚ ｎフェラ −イト；誘
電体、例えばＳ ｉ Ｏ、Ｓ ｊ０２ ＋ Ｓ １３
Ｎ４ ＋ＭｇＯ，Ｔｉｅ２．ＺｎＯ，Ａｆ１２０３．Ｔ
ｈｅ２等が挙げられる。厚さは０．１〜１μｍ程度が適
当である。
保護層の材料としては前述のような誘導体；基板に用い
られるようなイミド系樹脂やアクリル樹脂、スチレン樹
脂、エポキシ樹脂、フェーノール樹脂、ポリウレタン樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエー
テルスルホン樹脂等の樹脂等が挙げられる。厚さは０．
１〜１０μｍ程度が適当である。
られるようなイミド系樹脂やアクリル樹脂、スチレン樹
脂、エポキシ樹脂、フェーノール樹脂、ポリウレタン樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエー
テルスルホン樹脂等の樹脂等が挙げられる。厚さは０．
１〜１０μｍ程度が適当である。
反射層の材料としては金属、例えばＣｒ、Ｎｉ。
Ａｕ、ＡＱ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｐｄ。
Ｎｄ、Ｃｏｔ Ｆｅ ；金属窒化物、例えばＴ ａ Ｎ
。
。
ＴｓＮ、ＣｒＮ等が挙げられる。厚さは０．１〜０．５
μｍ程度が適当である。
μｍ程度が適当である。
断熱層の材料としては前述のような誘導体が挙げられる
。厚さは０．１〜１μｍ程度が適当である。
。厚さは０．１〜１μｍ程度が適当である。
以上のような各層の形成法としては無機材料の場合は通
常、蒸着、スパッタリング等の方法が、また有機材料の
場合は通常、塗布法（スピンコード法）が採用される。
常、蒸着、スパッタリング等の方法が、また有機材料の
場合は通常、塗布法（スピンコード法）が採用される。
以下に本発明を実施例によって説明する。
実施例１
ソーダガラス基板上にＮ ｉ −Ｚ ｎフェライトを基
板温度２００℃でスパッタリングして０．２μｍ厚の下
地層を形成し、その上に前記Ａ−１の焼結体、及び前記
Ｂ−１の焼結体を基板温度４５０℃で順次スパッタリン
グして夫々０．５μｍ厚の再牛用磁性層及び０．２μｍ
厚の記録用磁性層を形成した後、更にその上にｐｔを基
板温度４００℃でスパッタリングして０．１μｍ厚の反
射層を形成することにより第１図のタイプの光磁気ディ
スクを作った。
板温度２００℃でスパッタリングして０．２μｍ厚の下
地層を形成し、その上に前記Ａ−１の焼結体、及び前記
Ｂ−１の焼結体を基板温度４５０℃で順次スパッタリン
グして夫々０．５μｍ厚の再牛用磁性層及び０．２μｍ
厚の記録用磁性層を形成した後、更にその上にｐｔを基
板温度４００℃でスパッタリングして０．１μｍ厚の反
射層を形成することにより第１図のタイプの光磁気ディ
スクを作った。
実施例２
パイレックス（ホウケイ酸）ガラス基板上にＺｎ○を基
板温度３００℃でスパッタリングして０．１μｍ厚の下
地層を形成し、その上に前記Ｂ−２の焼結体及び前記Ａ
−２の焼結体を基板温度４５０℃で順次スパッタリング
して夫々０．２μｍ厚の記録用磁性層及び０．５μｍ厚
の再生用磁性層を形成した。次にこの再生用磁性層上に
蒸着法で０．１μｍ厚のＣｒ膜を形成し、更にその上に
スピンコード法により紫外線硬化性樹脂膜を形成した後
、これに、ガラス板上に巾１．０μｍ、トラックピッチ
１．８μｍの帯状（溝状ガイド）Ｃｒパターンを有する
マスクを密着し、その上から全面露光し、樹脂膜を溶剤
で部分的に除去し、露出したＣｒ膜にスパッタエツチン
グを行なって再生用磁性層上に帯状Ｃｒパターンからな
るガイドトラックを形成し、更にその上にシリコン樹脂
をスピンコードして５μｍ厚の保護層を形成することに
より第２図のタイプの光磁気ディスクを作った。
板温度３００℃でスパッタリングして０．１μｍ厚の下
地層を形成し、その上に前記Ｂ−２の焼結体及び前記Ａ
−２の焼結体を基板温度４５０℃で順次スパッタリング
して夫々０．２μｍ厚の記録用磁性層及び０．５μｍ厚
の再生用磁性層を形成した。次にこの再生用磁性層上に
蒸着法で０．１μｍ厚のＣｒ膜を形成し、更にその上に
スピンコード法により紫外線硬化性樹脂膜を形成した後
、これに、ガラス板上に巾１．０μｍ、トラックピッチ
１．８μｍの帯状（溝状ガイド）Ｃｒパターンを有する
マスクを密着し、その上から全面露光し、樹脂膜を溶剤
で部分的に除去し、露出したＣｒ膜にスパッタエツチン
グを行なって再生用磁性層上に帯状Ｃｒパターンからな
るガイドトラックを形成し、更にその上にシリコン樹脂
をスピンコードして５μｍ厚の保護層を形成することに
より第２図のタイプの光磁気ディスクを作った。
実施例３
ポリビフェニルイミド基板上にＣｏ−Ｚｎフェライトを
基板温度３００℃で蒸着して下地層を形成後、その上に
前記Ａ−６の焼結体及び前記Ｂ−３の焼結体を基板温度
４００°Ｃで順次蒸着して夫々０．５μｍ厚の再生用磁
性層及び０．２μｍ厚の記録用磁性層を形成した。次に
この記録用磁性層上に紫外線硬化性樹脂をスピンコード
して樹脂膜を形成し、これに実施例２で用いた帯状Ｃｒ
パターンを有するマスクを密着し、その上から全面露光
し、樹脂膜を溶剤で部分的に除去し、露出した記録用磁
性層にエツチングを行なってこの磁性層自体に溝状ガイ
ドトラックを形成した後、その上にＡｕ及びＳ ｉ Ｏ
２を基板温度４００℃で順次蒸着して夫々０．１μｍ厚
の反射層及び１μｍ厚の保護層を形成することにより第
３図のタイプの光磁気ディスクを作った。
基板温度３００℃で蒸着して下地層を形成後、その上に
前記Ａ−６の焼結体及び前記Ｂ−３の焼結体を基板温度
４００°Ｃで順次蒸着して夫々０．５μｍ厚の再生用磁
性層及び０．２μｍ厚の記録用磁性層を形成した。次に
この記録用磁性層上に紫外線硬化性樹脂をスピンコード
して樹脂膜を形成し、これに実施例２で用いた帯状Ｃｒ
パターンを有するマスクを密着し、その上から全面露光
し、樹脂膜を溶剤で部分的に除去し、露出した記録用磁
性層にエツチングを行なってこの磁性層自体に溝状ガイ
ドトラックを形成した後、その上にＡｕ及びＳ ｉ Ｏ
２を基板温度４００℃で順次蒸着して夫々０．１μｍ厚
の反射層及び１μｍ厚の保護層を形成することにより第
３図のタイプの光磁気ディスクを作った。
実施例４
Ａ−１の代りにＡ−３を用い、且つＢ−１の代りにＢ−
４を用いた他は実施例１と同じ方法で第１図のタイプの
光磁気ディスクを作った。
４を用いた他は実施例１と同じ方法で第１図のタイプの
光磁気ディスクを作った。
実施例５
Ｂ−２の代りにＢ−５を用い、且つＡ−２の代りにＡ−
４を用いた他は実施例２と同じ方法で第２図のタイプの
光磁気ディスクを作った。
４を用いた他は実施例２と同じ方法で第２図のタイプの
光磁気ディスクを作った。
実施例６
Ａ−６の代りにＡ−５を用い、且つＢ−３の代りにＢ−
６を用いた他は実施例３と同じ方法で第３図のタイプの
光磁気ディスクを作った。
６を用いた他は実施例３と同じ方法で第３図のタイプの
光磁気ディスクを作った。
実施例７
Ａ−１の代りにＡ−７を用い、且つＢ−１の代りにＢ−
７を用いた他は実施例１と同じ方法で第１図のタイプの
光磁気ディスクを作った。
７を用いた他は実施例１と同じ方法で第１図のタイプの
光磁気ディスクを作った。
実施例８
Ａ−１の代りにＡ−８を用い、且つＢ−１の代り１３Ｂ
−８を用いた他は実施例１と同じ方法で第１図のタイプ
の光磁気ディスクを作った。
−８を用いた他は実施例１と同じ方法で第１図のタイプ
の光磁気ディスクを作った。
実施例９
Ｂ−２の代りにＢ−１を用い、Ａ−２の代りにＡ−９を
用い、且つ下地層をＮｉ−Ｚｎフェライトで０．２μｍ
厚に形成した他は実施例２と同じ方法で第２図のタイプ
の光磁気ディスクを作った。
用い、且つ下地層をＮｉ−Ｚｎフェライトで０．２μｍ
厚に形成した他は実施例２と同じ方法で第２図のタイプ
の光磁気ディスクを作った。
次に以上の９種の光磁気ディスクについて下記条件で記
録、再生及び消去を行なった。
録、再生及び消去を行なった。
記録条件
光源二波長７８０ｎｍ、ディスク面での出力１５ｍＷの
半導体レーザー光 線速：５ｍ／秒 デユーティ：５０％ 記録磁界：２０００ｅ 再生条件 光源：波長７８０止、ディスク面での出力４ｍＷの半導
体レーザー光 線速：記録条件と同じ 消去条件 光源：記録条件と同じ 線速：記録条件と同じ デユーティ：記録条件と同じ 消去磁界： １００００ｅ（但し磁界方向は記録時とは
逆） その結果、記録時はビット約２μｍで記録され、Ｃ／Ｎ
＝４０〜４５ｄＢの信号が得られた。また消去時は記録
は完全に消去された。
半導体レーザー光 線速：５ｍ／秒 デユーティ：５０％ 記録磁界：２０００ｅ 再生条件 光源：波長７８０止、ディスク面での出力４ｍＷの半導
体レーザー光 線速：記録条件と同じ 消去条件 光源：記録条件と同じ 線速：記録条件と同じ デユーティ：記録条件と同じ 消去磁界： １００００ｅ（但し磁界方向は記録時とは
逆） その結果、記録時はビット約２μｍで記録され、Ｃ／Ｎ
＝４０〜４５ｄＢの信号が得られた。また消去時は記録
は完全に消去された。
効 果
以上の如く本発明の光磁気記録媒体は従来の磁性層を再
生専用の磁性層及び記録専用の磁性層に分離したので、
記録、再生及び、消去特性を全て満足する上、いかなる
耐熱基板も使用でき、しかも量産化が容易である等の利
点がある。
生専用の磁性層及び記録専用の磁性層に分離したので、
記録、再生及び、消去特性を全て満足する上、いかなる
耐熱基板も使用でき、しかも量産化が容易である等の利
点がある。
第１〜３図は夫々本発明光磁気記録媒体の一例の構成図
である。 １・・・耐熱基板 ２・・・下地層３・・再生用磁
性層 ４・・・記録用磁性層５・・・反射層 ６
・・・帯状ガイドトラック６′・・・溝状ガイドトラッ
ク ７・・・保護層
である。 １・・・耐熱基板 ２・・・下地層３・・再生用磁
性層 ４・・・記録用磁性層５・・・反射層 ６
・・・帯状ガイドトラック６′・・・溝状ガイドトラッ
ク ７・・・保護層
Claims (1)
- １、基板上に磁性層を有する光磁気記録媒体において、
磁性層を再生用及び記録用の２つの機能の異なる層に分
割し、再生用磁性層はＢｉ含有鉄ガーネット及びＣｏ含
有フェライトの少くとも１種の磁性体で構成し、記録用
磁性層は保磁力が大きく、且つ適正な飽和磁化を有する
マグネトプラムバイトヘキサゴナルフェライト磁性体と
この磁性体に対し融点降下作用のある金属、金属の合金
、又は化合物を含有して構成したことを特徴とする光磁
気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11864687A JP2655843B2 (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11864687A JP2655843B2 (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63282943A true JPS63282943A (ja) | 1988-11-18 |
| JP2655843B2 JP2655843B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=14741709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11864687A Expired - Lifetime JP2655843B2 (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2655843B2 (ja) |
-
1987
- 1987-05-14 JP JP11864687A patent/JP2655843B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2655843B2 (ja) | 1997-09-24 |
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