JPS63308355A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPS63308355A JPS63308355A JP62145805A JP14580587A JPS63308355A JP S63308355 A JPS63308355 A JP S63308355A JP 62145805 A JP62145805 A JP 62145805A JP 14580587 A JP14580587 A JP 14580587A JP S63308355 A JPS63308355 A JP S63308355A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- moisture
- resin
- semiconductor element
- sealing resin
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、樹脂封止型半導体装置に関し、さらに詳し
くは、外部からの湿気の浸入を排除し得るようにした樹
脂封止型半導体装置の改良に係るものである。
くは、外部からの湿気の浸入を排除し得るようにした樹
脂封止型半導体装置の改良に係るものである。
従来例によるこの種の樹脂封止型半導体装置の１１２！
ｉ！構成を第２図に示す。
ｉ！構成を第２図に示す。
すなわち、この第２図従来例構成において、符号１は樹
脂封止型半導体装置を示し、２は金属フレームなどのア
イランド３に固定支持させた半導体素子、４は外部リー
ド端子、５は半導体素子２の各電極部と、外部リード端
子４の基端部とを接続するワイヤー、６は外部リード端
子４のリード先端部を除き、これらを外部から絶縁封止
して回路保護をなす封止樹脂であり、通常はエポキシ樹
脂ベース、を主瀉とした樹脂材料、一般的には有機高分
子と無機充填材を用いている。
脂封止型半導体装置を示し、２は金属フレームなどのア
イランド３に固定支持させた半導体素子、４は外部リー
ド端子、５は半導体素子２の各電極部と、外部リード端
子４の基端部とを接続するワイヤー、６は外部リード端
子４のリード先端部を除き、これらを外部から絶縁封止
して回路保護をなす封止樹脂であり、通常はエポキシ樹
脂ベース、を主瀉とした樹脂材料、一般的には有機高分
子と無機充填材を用いている。
しかしながら、このように構成される従来の樹脂封止型
半導体装置においては、半導体素子を封止している封止
樹脂に有機高分子材料を用いており、これが必然的に吸
湿性、透湿性を有しているために、封止樹脂の表面から
内部に浸入する水分によって、素子表面のアルミ配線に
腐食を生ずるとか、また、吸湿後の赤外線リフロー、ｖ
ｐｓ操作などにおける熱ストレスでの水分の急激な気化
に伴なう半導体特性の変化、あるいは、装置構成材料自
身の破壊などの故障を惹き起す惧れがあると云う問題点
があった。
半導体装置においては、半導体素子を封止している封止
樹脂に有機高分子材料を用いており、これが必然的に吸
湿性、透湿性を有しているために、封止樹脂の表面から
内部に浸入する水分によって、素子表面のアルミ配線に
腐食を生ずるとか、また、吸湿後の赤外線リフロー、ｖ
ｐｓ操作などにおける熱ストレスでの水分の急激な気化
に伴なう半導体特性の変化、あるいは、装置構成材料自
身の破壊などの故障を惹き起す惧れがあると云う問題点
があった。
この発明は従来のこのような問題点を解消するためにな
されたものであって、その目的とするところは、半導体
素子の封【ヒ樹脂表面から内部への吸湿、透湿を生じ難
くした。この種の樹脂封止型半導体装置を提供すること
である。
されたものであって、その目的とするところは、半導体
素子の封【ヒ樹脂表面から内部への吸湿、透湿を生じ難
くした。この種の樹脂封止型半導体装置を提供すること
である。
前記目的を達成するために、この発明に係る樹脂封止型
半導体装置は、アイランドに固定支持させた半導体素子
の各電極と、外部リード端子の基端部とをワイヤーによ
り接続させると共に、外部リード端子のリード端部を除
いてこれらを樹脂封止させた樹脂封止型半導体装置にお
いて、封止樹脂内部での半導体素子の少なくとも表裏両
面に対向して、非透湿性、または難透湿性材料層を一体
的に埋設させたものである。
半導体装置は、アイランドに固定支持させた半導体素子
の各電極と、外部リード端子の基端部とをワイヤーによ
り接続させると共に、外部リード端子のリード端部を除
いてこれらを樹脂封止させた樹脂封止型半導体装置にお
いて、封止樹脂内部での半導体素子の少なくとも表裏両
面に対向して、非透湿性、または難透湿性材料層を一体
的に埋設させたものである。
すなわち、この発明においては、樹脂封止型半導体装置
において、半導体素子の少なくとも表裏両面に対向する
封止樹脂内部に、非透湿性、または難透湿性材料層を一
体的に埋設させたから、封止樹脂の表面から半導体素子
を封止した内部への水分の浸入を５この非透湿性、また
は難透湿性材料層によって遮蔽でき、封止された半導体
素子に対する浸入水分の影響を阻＋ｈ 、もしくは十分
に遅延させ得るのである。
において、半導体素子の少なくとも表裏両面に対向する
封止樹脂内部に、非透湿性、または難透湿性材料層を一
体的に埋設させたから、封止樹脂の表面から半導体素子
を封止した内部への水分の浸入を５この非透湿性、また
は難透湿性材料層によって遮蔽でき、封止された半導体
素子に対する浸入水分の影響を阻＋ｈ 、もしくは十分
に遅延させ得るのである。
以下、この発明に係る樹脂封止型半導体装置の一実施例
につき、第１図を参照して詳細に説明する。
につき、第１図を参照して詳細に説明する。
第１図はこの実施例装置の概要構成を模式的に示した断
面図であり、この第１図実施例装置におて、前記第２図
従来例装置と同一符号は同一または相当部分を示してい
る。
面図であり、この第１図実施例装置におて、前記第２図
従来例装置と同一符号は同一または相当部分を示してい
る。
すなわち、この第１図実施例装置においても、符号ｌは
樹脂封止型半導体ｍａｔを示し、２は金属フレームなど
のアイランド３に固定支持させた半導体素子、４は外部
リード端子、５は半導体素子２の各電極と、外部リード
端子４の基端部とを接続するワイヤー、８は外部リード
端子４のリード先端部を除き、これらを外部から絶縁封
止して回路保護をなす封止樹脂であり、また、７．７は
半導体素子２の表裏両面に対向するようにして、封止樹
脂６の内部に一体的に埋設して同様に封入させた１例え
ば薄い金属板などによる非透湿性材料層である。
樹脂封止型半導体ｍａｔを示し、２は金属フレームなど
のアイランド３に固定支持させた半導体素子、４は外部
リード端子、５は半導体素子２の各電極と、外部リード
端子４の基端部とを接続するワイヤー、８は外部リード
端子４のリード先端部を除き、これらを外部から絶縁封
止して回路保護をなす封止樹脂であり、また、７．７は
半導体素子２の表裏両面に対向するようにして、封止樹
脂６の内部に一体的に埋設して同様に封入させた１例え
ば薄い金属板などによる非透湿性材料層である。
従って、この実施例構成の場合、封止樹脂８の表面から
吸湿、または透湿された水分は、埋設されている非透湿
性材料層７．７により遮蔽され、その内部への浸透、つ
まり、半導体素子２の表面部への浸透が阻止されるか、
あるいは浸入パスが長くなり、その浸透を時間的に十分
遅延させ得て、同表面部に到達し難くでき、結果的には
、従来の場合に見られた浸入水分によるアルミ配線の腐
食とか、吸湿後の赤外線リフロー、ｖｐｓ操作などでの
熱ストレスに伴なう半導体特性の変化、装置構成の破壊
などの故障を生ずる惧れが解消されるのである。
吸湿、または透湿された水分は、埋設されている非透湿
性材料層７．７により遮蔽され、その内部への浸透、つ
まり、半導体素子２の表面部への浸透が阻止されるか、
あるいは浸入パスが長くなり、その浸透を時間的に十分
遅延させ得て、同表面部に到達し難くでき、結果的には
、従来の場合に見られた浸入水分によるアルミ配線の腐
食とか、吸湿後の赤外線リフロー、ｖｐｓ操作などでの
熱ストレスに伴なう半導体特性の変化、装置構成の破壊
などの故障を生ずる惧れが解消されるのである。
なお、前記実施例においては、薄い金属板などによる非
透湿性材料層を、半導体素子の少なくとも表裏両面に対
向する封止樹脂内部に一体的に埋設させているが、この
非透湿性材料層に代え、高分子フィルムなどの難透湿性
材料層を用いてもはＣ同様な作用、効果が得られる。
透湿性材料層を、半導体素子の少なくとも表裏両面に対
向する封止樹脂内部に一体的に埋設させているが、この
非透湿性材料層に代え、高分子フィルムなどの難透湿性
材料層を用いてもはＣ同様な作用、効果が得られる。
以上詳述したようにこの発明によれば、アイランドに固
定支持させた半導体素子の各電極と、外部リード端子の
基端部とをワイヤーにより接続させると共に、外部リー
ド端子のリード端部を除いてこれらを樹脂封止した樹脂
封止型半導体装置において、その封止樹脂の内部に半導
体素子の少なくとも表裏両面に対向させた状態で、非透
湿性。
定支持させた半導体素子の各電極と、外部リード端子の
基端部とをワイヤーにより接続させると共に、外部リー
ド端子のリード端部を除いてこれらを樹脂封止した樹脂
封止型半導体装置において、その封止樹脂の内部に半導
体素子の少なくとも表裏両面に対向させた状態で、非透
湿性。
または難透湿性材料層を一体的に埋設させて構成したの
で、封止樹脂の表面から半導体素子を封止した内部への
水分の浸入を、この非透湿性、または難透湿性材料層に
よって遮蔽でき、封止された半導体素子に対する浸入水
分の影響を阻止し、あるいは素子表面部への浸入水分の
到達を十分に遅延させ得られ、これによって表面アルミ
配線の腐食、吸湿後の赤外線リフロー、 ｖｐｓ操作な
どでの熱ストレスに伴なう半導体特性の変化、装置構成
の破壊などの故障を解消でき、しかも構造的にも比較的
簡単で容易に実施し得るなどの優れた特長を有するもの
である。
で、封止樹脂の表面から半導体素子を封止した内部への
水分の浸入を、この非透湿性、または難透湿性材料層に
よって遮蔽でき、封止された半導体素子に対する浸入水
分の影響を阻止し、あるいは素子表面部への浸入水分の
到達を十分に遅延させ得られ、これによって表面アルミ
配線の腐食、吸湿後の赤外線リフロー、 ｖｐｓ操作な
どでの熱ストレスに伴なう半導体特性の変化、装置構成
の破壊などの故障を解消でき、しかも構造的にも比較的
簡単で容易に実施し得るなどの優れた特長を有するもの
である。
第１図はこの発明に係る樹脂封止型半導体装置の一実施
例による概要構成を模式的に示す断面図であり、また、
第２図は従来例による同上装置の概要構成を模式的に示
す断面図である。 １・・・・樹脂封止型半導体装置、２・・・・半導体素
子、３・・・・アイランド、４・・・・外部リード端子
。 ５・・・・ワイヤー、６・・・・封止樹脂、７・・・・
非透湿性材料層。
例による概要構成を模式的に示す断面図であり、また、
第２図は従来例による同上装置の概要構成を模式的に示
す断面図である。 １・・・・樹脂封止型半導体装置、２・・・・半導体素
子、３・・・・アイランド、４・・・・外部リード端子
。 ５・・・・ワイヤー、６・・・・封止樹脂、７・・・・
非透湿性材料層。
Claims (3)
- （１）アイランドに固定支持させた半導体素子の各電極
と、外部リード端子の基端部とをワイヤーにより接続さ
せると共に、外部リード端子のリード端部を除いてこれ
らを樹脂封止した樹脂封止型半導体装置において、前記
封止樹脂内部での半導体素子の少なくとも表裏両面に対
向させて、非透湿性、または難透湿性材料層を一体的に
埋設させたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - （２）非透湿性材料層に薄い金属板を用いたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の樹脂封止型半導体
装置。 - （３）難透湿性材料層に高分子フィルムを用いたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の樹脂封止型半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62145805A JPS63308355A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62145805A JPS63308355A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63308355A true JPS63308355A (ja) | 1988-12-15 |
Family
ID=15393556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62145805A Pending JPS63308355A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63308355A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04312963A (ja) * | 1991-02-21 | 1992-11-04 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 耐湿性の改良された半導体装置およびその製造方法 |
| US6048754A (en) * | 1990-07-21 | 2000-04-11 | Mitsui Chemicals, Inc. | Method of manufacturing a semiconductor device with an airtight space formed internally within a hollow package |
| KR20010069478A (ko) * | 2001-03-27 | 2001-07-25 | 김영선 | 금속 봉합된 플라스틱 패캐지(피피엠에스) |
| EP1983567A4 (en) * | 2006-02-03 | 2012-05-09 | Mtex Matsumura Corp | HOLLOWED SEAL MADE OF RESIN AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF |
-
1987
- 1987-06-10 JP JP62145805A patent/JPS63308355A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6048754A (en) * | 1990-07-21 | 2000-04-11 | Mitsui Chemicals, Inc. | Method of manufacturing a semiconductor device with an airtight space formed internally within a hollow package |
| JPH04312963A (ja) * | 1991-02-21 | 1992-11-04 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 耐湿性の改良された半導体装置およびその製造方法 |
| KR20010069478A (ko) * | 2001-03-27 | 2001-07-25 | 김영선 | 금속 봉합된 플라스틱 패캐지(피피엠에스) |
| EP1983567A4 (en) * | 2006-02-03 | 2012-05-09 | Mtex Matsumura Corp | HOLLOWED SEAL MADE OF RESIN AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF |
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