JPS63318765A - 集積回路用コンデンサ−の構造 - Google Patents
集積回路用コンデンサ−の構造Info
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- JPS63318765A JPS63318765A JP15483487A JP15483487A JPS63318765A JP S63318765 A JPS63318765 A JP S63318765A JP 15483487 A JP15483487 A JP 15483487A JP 15483487 A JP15483487 A JP 15483487A JP S63318765 A JPS63318765 A JP S63318765A
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- capacitor
- polycrystalline silicon
- capacitors
- integrated circuits
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本Ｑ明は、ウェーハー上のコンデンサーの構成に閃し、
特にポリシリコンを電極とするコンデンサーの改良に閃
するものである。
特にポリシリコンを電極とするコンデンサーの改良に閃
するものである。
ウェーハー上にポリシリコンコンデンサーを形成する方
法において、下層のポリシリコン電極を凹凸上の上に形
成することによりポリシリコン電極の面積を増加させ、
従来と同一容量のコンデンサーを形成する場合、横方向
の面積を減少させ、チップ面積を縮小することを可能に
したものである。
法において、下層のポリシリコン電極を凹凸上の上に形
成することによりポリシリコン電極の面積を増加させ、
従来と同一容量のコンデンサーを形成する場合、横方向
の面積を減少させ、チップ面積を縮小することを可能に
したものである。
従来の、ポリシリコンコンデンサーの形成方法は、図２
に示すような構造であった。
に示すような構造であった。
即ち、ウェーハー上に形成された絶縁分離用酸化膜（Ｌ
ＯＧＯ３）２の上に不純物を高濃度に含んだ多結晶シリ
コン３を形成し、コンデンサーの下部電極とし、この多
結晶シリコンを酸化して誘〜電体層４とする。次に不純
物を高濃度に含んだ多結晶シリコン５を形成し、パター
ニングを行う。
ＯＧＯ３）２の上に不純物を高濃度に含んだ多結晶シリ
コン３を形成し、コンデンサーの下部電極とし、この多
結晶シリコンを酸化して誘〜電体層４とする。次に不純
物を高濃度に含んだ多結晶シリコン５を形成し、パター
ニングを行う。
コンデンサーの容量は、対向面積で決まるため、このバ
ターニングで容量を決める。
ターニングで容量を決める。
しかし前述の従来技術では、所望する大容量のコンデン
サーを形成するために、酸化膜４を薄くするとか、誘電
率の異る、例えば窒化シリコン膜のような膜を用いる他
は、横方向に大面積の多結品シリコンを使わざるを得ず
、スイッチトキャパシターフィルター等の技術を使用す
る半導体素子のチップ面積を大きクシ、安価に製造する
ことを妨げていた。
サーを形成するために、酸化膜４を薄くするとか、誘電
率の異る、例えば窒化シリコン膜のような膜を用いる他
は、横方向に大面積の多結品シリコンを使わざるを得ず
、スイッチトキャパシターフィルター等の技術を使用す
る半導体素子のチップ面積を大きクシ、安価に製造する
ことを妨げていた。
本発明の集積回路用コンデンサー構造は、基板もしくは
基板上の酸化膜上に凹凸を形成するとともに、コンデン
サーをこの凹凸上に形成することを特徴とする。
基板上の酸化膜上に凹凸を形成するとともに、コンデン
サーをこの凹凸上に形成することを特徴とする。
第１図は、 本発明の実施例を示す断面図である。ウェ
ーハー１の上に形成された０、７〜１゜６μｍのＬＯＧ
Ｏ８膜に４５＠の角度のついた斜面をフッ酸とフッ化ア
ンモンからなるテーパーエッチ液により形成する。 こ
うしてできたＬＯＧＯ３２の上に多結晶シリコンを５６
０＠Ｃ〜６３０ａＣの温度にて３０００〜５０００λデ
ポジシヨンする。これに、リンを１０”〜１０”／ｃｍ
”の濃度にて拡散する。次いでレジストを塗布シ、パタ
ーニングを行い、コンデンサーの下部電極３とする。
この多結晶シリコンを９００゜Ｃ〜１０００″″Ｃにて
酸化し、５００〜１０００人の酸化膜４を形成する。こ
の上に、再度多結晶シリコンを５８０＠Ｃ〜６３０°Ｃ
の温度にて３０００〜５０００人デボジシ、ンし、リン
を１０１１〜１０″”／ｃｍ”の濃度にて拡散する。次
いでレジストを塗布し、パターニングを行い、コンデン
サーの上部電極５とする。第３図は、本発明の別の実施
例を示す断面図である。′ウェーハー１の上に形成され
た０、７〜１．６μｍのＬＯＣＯ３Ｉｆ１２に、 リア
クティブイオンエッチ（ＲＩ Ｅ）により異方性エツチ
ングを行って、０．２〜０．７μｍの段差を形成する。
ーハー１の上に形成された０、７〜１゜６μｍのＬＯＧ
Ｏ８膜に４５＠の角度のついた斜面をフッ酸とフッ化ア
ンモンからなるテーパーエッチ液により形成する。 こ
うしてできたＬＯＧＯ３２の上に多結晶シリコンを５６
０＠Ｃ〜６３０ａＣの温度にて３０００〜５０００λデ
ポジシヨンする。これに、リンを１０”〜１０”／ｃｍ
”の濃度にて拡散する。次いでレジストを塗布シ、パタ
ーニングを行い、コンデンサーの下部電極３とする。
この多結晶シリコンを９００゜Ｃ〜１０００″″Ｃにて
酸化し、５００〜１０００人の酸化膜４を形成する。こ
の上に、再度多結晶シリコンを５８０＠Ｃ〜６３０°Ｃ
の温度にて３０００〜５０００人デボジシ、ンし、リン
を１０１１〜１０″”／ｃｍ”の濃度にて拡散する。次
いでレジストを塗布し、パターニングを行い、コンデン
サーの上部電極５とする。第３図は、本発明の別の実施
例を示す断面図である。′ウェーハー１の上に形成され
た０、７〜１．６μｍのＬＯＣＯ３Ｉｆ１２に、 リア
クティブイオンエッチ（ＲＩ Ｅ）により異方性エツチ
ングを行って、０．２〜０．７μｍの段差を形成する。
こうして形成されたＬＯＧＯ３ＩＩ！！２の上に、多結
晶シリコンを５６０６Ｃ〜６３０°Ｃの温度にて３００
０〜５０００λ程度デポジションする。これにリンを１
０’一〜１０８″／ｃｍ”の濃度にて拡散する。次いで
レジストを塗布し、パターニングを行い、コンデンサー
の下部電極３とする。この多結晶シリコンを９００”Ｃ
〜１１００°Ｃにて酸化し、５００〜１０００人の酸化
膜４を形成する。 この上に、再度多結晶シリコンを５
６０゜０〜６３０°Ｃの濃度にて３０００〜５０００人
デポジションし、リンを１０１１〜１０’ ” ／ｃｍ
３の濃度に拡散する。 次いでレジストを塗布し、パタ
ーニングを行い、コンデンサーの上部電極５を形成する
。
晶シリコンを５６０６Ｃ〜６３０°Ｃの温度にて３００
０〜５０００λ程度デポジションする。これにリンを１
０’一〜１０８″／ｃｍ”の濃度にて拡散する。次いで
レジストを塗布し、パターニングを行い、コンデンサー
の下部電極３とする。この多結晶シリコンを９００”Ｃ
〜１１００°Ｃにて酸化し、５００〜１０００人の酸化
膜４を形成する。 この上に、再度多結晶シリコンを５
６０゜０〜６３０°Ｃの濃度にて３０００〜５０００人
デポジションし、リンを１０１１〜１０’ ” ／ｃｍ
３の濃度に拡散する。 次いでレジストを塗布し、パタ
ーニングを行い、コンデンサーの上部電極５を形成する
。
（発明の効果〕
以上、述べたように本発明の構造を作れば、コンデンサ
ーをＬＯＧＯ３の平面上に作るのに比べてＬＯＧＯ３の
横方向の面積を有効に使って一容量の大きなコンデンサ
ーを作れる、もしくは同一容量であれば、面積を小さく
できて、チップ面積を小さくシ、コストを下げることが
できる。
ーをＬＯＧＯ３の平面上に作るのに比べてＬＯＧＯ３の
横方向の面積を有効に使って一容量の大きなコンデンサ
ーを作れる、もしくは同一容量であれば、面積を小さく
できて、チップ面積を小さくシ、コストを下げることが
できる。
第１図は、本発明の実施例を示す集積回路用コンデンサ
ーの主要断面図。 第２図は、従来の集積回路用コンデンサーを示す主要断
面図。 第・３図は、本発明の別の実施例を示す集積回路用コン
デンサーの主要断面図。 １・・・ウェーハー ２・・・絶縁分離用の酸化膜（ＬＯＧＯ３）３・・・多
結晶シリコン ４・・・酸化膜 ５・・・多結晶シリコン 以 上
ーの主要断面図。 第２図は、従来の集積回路用コンデンサーを示す主要断
面図。 第・３図は、本発明の別の実施例を示す集積回路用コン
デンサーの主要断面図。 １・・・ウェーハー ２・・・絶縁分離用の酸化膜（ＬＯＧＯ３）３・・・多
結晶シリコン ４・・・酸化膜 ５・・・多結晶シリコン 以 上
Claims (1)
- 基板もしくは基板上の酸化膜の上に形成された凹凸の凹
凸上に形成されたコンデンサーを有することを特徴とす
る、集積回路用コンデンサーの構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15483487A JPS63318765A (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | 集積回路用コンデンサ−の構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15483487A JPS63318765A (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | 集積回路用コンデンサ−の構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63318765A true JPS63318765A (ja) | 1988-12-27 |
Family
ID=15592900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15483487A Pending JPS63318765A (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | 集積回路用コンデンサ−の構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63318765A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5404265A (en) * | 1992-08-28 | 1995-04-04 | Fujitsu Limited | Interconnect capacitors |
-
1987
- 1987-06-22 JP JP15483487A patent/JPS63318765A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5404265A (en) * | 1992-08-28 | 1995-04-04 | Fujitsu Limited | Interconnect capacitors |
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