JPS6336071B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6336071B2
JPS6336071B2 JP56192937A JP19293781A JPS6336071B2 JP S6336071 B2 JPS6336071 B2 JP S6336071B2 JP 56192937 A JP56192937 A JP 56192937A JP 19293781 A JP19293781 A JP 19293781A JP S6336071 B2 JPS6336071 B2 JP S6336071B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
time
drive circuit
resistor
magnetic bubble
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP56192937A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5897186A (ja
Inventor
Kazuhiro Ishida
Kazufumi Suzukawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP56192937A priority Critical patent/JPS5897186A/ja
Publication of JPS5897186A publication Critical patent/JPS5897186A/ja
Publication of JPS6336071B2 publication Critical patent/JPS6336071B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
    • G11C19/08Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
    • G11C19/0858Generating, replicating or annihilating magnetic domains (also comprising different types of magnetic domains, e.g. "Hard Bubbles")

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブルメモリ駆動回路、特に磁気
バブルメモリ素子の磁気バブル発生回路(ジエネ
レータ)に印加される磁気バブル書き込み用パル
スの立下り時間のみを独立して変えることができ
るようにした磁気バブルメモリ駆動回路に関する
ものである。
一般に磁気バブルメモリ素子において、磁気バ
ブルを発生させるジエネレータの駆動回路は、ジ
エネレータの磁気バブル書き込み特性の向上およ
び書き込みエラーの低減などの目的として磁気バ
ブル発生用パルスの立上り時定数を早くし、立下
りを遅くするという波形整形が行なわれている。
第1図a,b,cは従来より一般的に用いられ
ている磁気バブル発生用ジエネレータ駆動回路の
一例を説明する図である。同図aにおいて、1は
同図bに示した入力パルスP1を入力とするプリ
ドライバ用トランジスタ、2はドライブ用トラン
ジスタ、R1,R2はプリドライバ用トランジスタ
をオンするバイアス抵抗、R3は負荷(ジエネレ
ータ)3に流す負荷電流(パルス発生電流)を決
める電流制限抵抗であり、この電流制限抵抗R3
はR3≪R1,R2の条件を有している。Cは電源V
とドライブ用トランジスタ3のベース間に接続さ
れたコンデンサである。
このような構成されたジエネレータ駆動回路に
おいて、トランジスタ1,2がオンとなると、負
荷3には同図Cで示したようにスイツチング特性
を有する出力パルスP2が流れる。この場合、こ
の出力パルスP2の立上り時間(オンタイム)の
時定数τ1は抵抗R1とR2との並列抵抗値と、コン
デンサCとの積、すなわちτ1≒R1・R2C/R1
R2となり、立下り時間(オフタイム)の時定数
τ2は抵抗R1とコンデンサCとの積、すなわちτ2
R1・Cとなる。そして、この出力パルスP2の立
下り時間(オフタイム)を長くするるには抵抗
R1を大きくする必要がある。ところが、ドライ
ブ用トランジスタ2のエミツタに低抵抗R3を接
続して負荷(ジエネレータ)3の変動に対して定
電流特性を持たせた定電流スイツチ回路では抵抗
R1とR2とがほぼ同程度の抵抗値の組合せとなる
ため、抵抗R1とR2の比をそれほど大きくとれず、
したがつて出力パルスP2の立下り時間(オフタ
イム)のみを遅くすることができないという欠点
があつた。また、ドライブ用トランジスタ2のベ
ースバイアス電流の規定により、抵抗R1および
R2を大きくするのに制限があり、遅延時間を長
くするにはコンデンサCの容量を大きくしなけれ
ばならないという欠点があつた。
したがつ本発明は、ベースバイアス抵抗とは独
立に抵抗とコンデンサとを設け、立下り時にはベ
ースバイアス抵抗回路を切り離すダイオードを接
続することによつて、立下り時間(オフタイム)
のみを単独に遅らせかつ遅延時間を長くするのに
大容量のコンデンサを不要とした磁気バブルメモ
リ駆動回路を提供することを目的としている。
以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明
する。
第2図a,b,cは本発明による磁気バブルメ
モリ駆動回路に係わる磁気バブル発生用ジエネレ
ータ駆動回路の一例を示す図であり、第1図と同
記号は同一要素となるので、その説明は省略す
る。第2図aにおいて、ドライブ用トランジスタ
2のベースバイアス抵抗R1とR2との接続点と、
ドライブ用トランジスタ2のベースとの間には、
立下り時間のみにベースバイアス抵抗R1,R2
切り離すダイオード4が接続され、かつ電源Vと
ドライブ側トランジスタ2のベースとの間にはオ
フタイム時の時定数決定用抵抗R4が接続されて
いる。この場合、各抵抗R1〜R4は、R3≪R1
R2,R4でかつR4≫R1,R2の条件を有している。
このような構成によると、プリドライバ用トラ
ンジスタ1に同図bで示した入力パルスP1が入
力されると、負荷(ジエネレータ)3には同図c
で示したスイツチング特性を有する出力パルス
P2′が流れる。この場合、この出力パルスP2′の立
上り時間(オンタイム)の時定数τ1′は抵抗R1
R2およびR4の3個の抵抗の並列抵抗値とコンデ
ンサCとの積で決定され、立下り時間(オフタイ
ム)の時定数τ2′は抵抗R4とコンデンサCとの積
で決定される。したがつて抵抗R1,R2に比較し
て抵抗R4を十分に大きな低抗値とし、コンデン
サCを小さな容量にすることによつて、立上り時
間(オンタイム)の遅れ時間を十分に小さくする
ことができ、立下り時間(オフタイム)の時定数
のみを長くすることができる。
第3図は本発明による磁気バブルメモリ駆動回
路に係わる磁気バブル発生用ジエネレータ駆動回
路の他の実施例を示す回路図であり、前述の図と
同記号は同一要素となるのでその説明は省略す
る。同図において、第2図と異なる点は、コンデ
ンサCを、ドライバ用トランジスタ2のベースと
グランドとの間に接続したものである。このよう
な構成においても、第2図a,b,cで説明した
動作と全く同様となり、前述と全く同様の効果が
得られる。
第4図、第5図は本発明による磁気バブルメモ
リ駆動回路に係わる磁気バブル発生用ジエネレー
タ駆動回路のさらに他の実施例を示す回路図であ
り、前述の図と同記号は同一要素となるのでその
説明は省略する。これらの図において、前述の図
と異なる点は、上記実施例においてはPNPトラ
ンジスタを使用したものに対してNPNトランジ
スタを用いたものである。このような構成におい
ても前述と全く同様の効果を得ることができる。
また、上記実施例において、抵抗R1の代りに
ツエナーダイオード、サーミスタ等を用いたジエ
ネレータ駆動回路に適用しても前述と全く同様の
効果が得られることは明らかである。
以上説明したように本発明によれば、立上り時
間が早く、かつ立下り時間の遅い磁気バブル発生
用パルスが容易に得られるので、磁気バブル書き
込み特性を大幅に向上させ、かつ磁気バブル書き
込みエラーの全く発生しない高性能、高品質およ
び高信頼性を有する磁気バブルメモリ駆動回路が
得られるなどの極めて優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図a,b,cは従来のジエネレータ駆動回
路の一例を説明する図、第2図a,b,cは本発
明によるジエネレータ駆動回路の一例を説明する
図、第3図ないし第5図は本発明によるジエネレ
ータ駆動回路の他の実施例を説明するための図で
ある。 1……プリドライバ用トランジスタ、2……ド
ライバ用トランジスタ、3……負荷(ジエネレー
タ)、4……ダイオード。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 電源とアース間に分割抵抗を介して直列接続
    されかつ矩形波パルスを入力とする第1のトラン
    ジスタと、前記分割抵抗間に入力端が接続されか
    つ前記電源とアース間に負荷と直列接続されて該
    負荷に台形波パルスを出力する第2のトランジス
    タとを備えた磁気バブルメモリ駆動回路におい
    て、前記分割抵抗と前記第2のトランジスタの入
    力端間にダイオードを接続し、かつ前記第2のト
    ランジスタの入力端と前記電源またはアース間と
    の間にコンデンサ、抵抗を接続し、第2のトラン
    ジスタのオフタイムのみを遅らせることを特徴と
    した磁気バブルメモリ駆動回路。
JP56192937A 1981-12-02 1981-12-02 磁気バブルメモリ駆動回路 Granted JPS5897186A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56192937A JPS5897186A (ja) 1981-12-02 1981-12-02 磁気バブルメモリ駆動回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56192937A JPS5897186A (ja) 1981-12-02 1981-12-02 磁気バブルメモリ駆動回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5897186A JPS5897186A (ja) 1983-06-09
JPS6336071B2 true JPS6336071B2 (ja) 1988-07-19

Family

ID=16299477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56192937A Granted JPS5897186A (ja) 1981-12-02 1981-12-02 磁気バブルメモリ駆動回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5897186A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58218094A (ja) * 1982-06-11 1983-12-19 Hitachi Ltd 磁気バブルメモリ駆動回路

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5897186A (ja) 1983-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4424582A (en) Semiconductor memory device
US4485351A (en) Circuit for deriving of signals and counter cycle signals from one sided input signal
JPS6336071B2 (ja)
US4242605A (en) Transient array drive for bipolar ROM/PROM
US5319251A (en) Circuit arrangement for generating a switching pulse from a square-wave signal
JP3509497B2 (ja) 不感応コンパレータ回路
JPH0219651B2 (ja)
JP2951655B2 (ja) ライトドライバ回路
JP2563443B2 (ja) パルス発生回路
JPS63261919A (ja) エッジ検出回路
JPS58202627A (ja) 電子回路
JPH0193919A (ja) レベルシフト回路
JPH04243320A (ja) 高電圧系負荷駆動回路
JPS5919423A (ja) パルス電圧発生回路
JPH0427732B2 (ja)
JPS6223394B2 (ja)
JPH0359805A (ja) デジタル磁気記録回路
JPH0365684B2 (ja)
JPS60148221A (ja) 出力回路
JPS60117818A (ja) アナログ信号切換回路装置
JPH0158696B2 (ja)
JPH0363254B2 (ja)
JPS6135628B2 (ja)
JPH0785534B2 (ja) パルス電流出力回路
JPH0524595B2 (ja)