JPS6337594A - 薄膜エレクトロルミネツセンス素子の製造法 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネツセンス素子の製造法Info
- Publication number
- JPS6337594A JPS6337594A JP61179412A JP17941286A JPS6337594A JP S6337594 A JPS6337594 A JP S6337594A JP 61179412 A JP61179412 A JP 61179412A JP 17941286 A JP17941286 A JP 17941286A JP S6337594 A JPS6337594 A JP S6337594A
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- JP
- Japan
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- electrode
- thin film
- manufacture
- electroluminescence device
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はコンピュータ一端末用としてＣＲＴより＠量で
薄型の平面デイスプレィとして注目さｎているエレクト
ロルミネッセンスＸ子（ＥＬ素子）の製造法に関する。
薄型の平面デイスプレィとして注目さｎているエレクト
ロルミネッセンスＸ子（ＥＬ素子）の製造法に関する。
（従来の技術）
一般的に薄膜ＥＬ素子は発光効率、信頼性を高めろため
に、ガラスなどの透光性基板上に、透明電極、第一絶縁
層、発光層、第二絶縁層、背面電極を積層した二重絶縁
層構造をしている。
に、ガラスなどの透光性基板上に、透明電極、第一絶縁
層、発光層、第二絶縁層、背面電極を積層した二重絶縁
層構造をしている。
第２図に二重絶縁層構造ＥＬ素子の基本構成を示す。透
明なガラス基板１上に、第一電極として透明電極２，３
ヲ表示目的に合わせてセグメントあるいはストライプ状
に形成し、その上に第一絶縁層４としてＹｚＯ３ｅ ｆ
ｉＪｘＯｓｅ Ｔａｚ０５＋５ｉ（ｈ などの誘電体、
発光７４５としてＺｎＳ：Ｍｎ。
明なガラス基板１上に、第一電極として透明電極２，３
ヲ表示目的に合わせてセグメントあるいはストライプ状
に形成し、その上に第一絶縁層４としてＹｚＯ３ｅ ｆ
ｉＪｘＯｓｅ Ｔａｚ０５＋５ｉ（ｈ などの誘電体、
発光７４５としてＺｎＳ：Ｍｎ。
ＣａＳ：Ｅｕ、 ＣＩ、 ＳｒＳ：Ｃｅ、 ＣＩなどの
硫化物に適宜発光中心をドープした蛍光体、第二絶縁層
６として第一絶縁層と同様の誘電体を順次スパッタ又を
工電子ビーム蒸着により形成し、さらに第二電極として
Ａｌ１に蒸着し、フォトプロセスにより、電極パターン
を形成する。この素子の透明電極２．３Ａｌｔ極７電極
極間に約２００Ｖの父流電圧を印加すると、発光層４に
は１０６Ｖ／ｃｍ穆度の高電界がかかり、電界発光（Ｅ
Ｌ）ａ９が透明電極側から観察さｎる。
硫化物に適宜発光中心をドープした蛍光体、第二絶縁層
６として第一絶縁層と同様の誘電体を順次スパッタ又を
工電子ビーム蒸着により形成し、さらに第二電極として
Ａｌ１に蒸着し、フォトプロセスにより、電極パターン
を形成する。この素子の透明電極２．３Ａｌｔ極７電極
極間に約２００Ｖの父流電圧を印加すると、発光層４に
は１０６Ｖ／ｃｍ穆度の高電界がかかり、電界発光（Ｅ
Ｌ）ａ９が透明電極側から観察さｎる。
（発明が解決しようとする問題点）
この様な二重絶縁構造の薄膜ＥＬ素子は、全膜厚全合計
しても２μｍ足らずの非常に薄いものであるにもかかわ
らず、駆動電圧を工２００Ｖ以上と高いため、６膜の耐
圧特性は非常に重要である。
しても２μｍ足らずの非常に薄いものであるにもかかわ
らず、駆動電圧を工２００Ｖ以上と高いため、６膜の耐
圧特性は非常に重要である。
しかし第２図から明らかなように、このＬうな構成では
透明電極のエツジ部とＡＩ電極との間隔が少さいため、
電極間に電圧を印加した場せ、透明電極エツジ部に電界
が集中しエツジ部のみ強く発光するあるいは絶縁破壊を
生じやすいなどの問題点があった。
透明電極のエツジ部とＡＩ電極との間隔が少さいため、
電極間に電圧を印加した場せ、透明電極エツジ部に電界
が集中しエツジ部のみ強く発光するあるいは絶縁破壊を
生じやすいなどの問題点があった。
本発明は透明電極エツジ部に電界が集中することのない
薄膜ＥＬ素子の製造法を提供するものである。
薄膜ＥＬ素子の製造法を提供するものである。
（問題点を解決するための手段〉
従来の薄膜ＥＬ素子のこのような欠点は第一電極である
透明電極エツジの段差がその上に順次形成さｎる各層に
転写されることにより生じている。そこで本発明は第一
電極エツジの段差を解消し、フラットな第一電極層を形
成するようにしたものである。
透明電極エツジの段差がその上に順次形成さｎる各層に
転写されることにより生じている。そこで本発明は第一
電極エツジの段差を解消し、フラットな第一電極層を形
成するようにしたものである。
本発明は、ガラス基板など絶縁性基板上にＡＩ。
Ｔａ、 Ｔｉ、 Ｎｂ 等の金属薄膜を形成後レジスト
を形成し電解液中で陽極酸化し、不４！部分を絶縁性の
酸化物に変えることにより電極パターンを形成するもの
であり、従来のエツチング法では、不要部分をエツチン
グ溶液中に溶解して１！他パターンを形成するため段差
を生じるが陽極酸化法では不要部分に、電極金属とほぼ
同膜厚又はそｎ以上の酸化物が生成するため段差を解消
することができる。
を形成し電解液中で陽極酸化し、不４！部分を絶縁性の
酸化物に変えることにより電極パターンを形成するもの
であり、従来のエツチング法では、不要部分をエツチン
グ溶液中に溶解して１！他パターンを形成するため段差
を生じるが陽極酸化法では不要部分に、電極金属とほぼ
同膜厚又はそｎ以上の酸化物が生成するため段差を解消
することができる。
ここで第一電極を陽極酸化法で電極形成した素子は、第
一電極に金属を使用するため、ＥＬ発光は透明電極を使
用した第二電極側から取り出す構造としなければならな
い。以下、実施例に基づき、具体的に説明する。
一電極に金属を使用するため、ＥＬ発光は透明電極を使
用した第二電極側から取り出す構造としなければならな
い。以下、実施例に基づき、具体的に説明する。
第１図は本発明に基づくＥＬ素子の製造法全示すもので
ある。ホウケイ酸ガラス１０（＃７０５９コーニング社
）上にＡＩ薄ｐＡ１１ ２０００λｔ−電子ビーム蒸着
法で形成する。この基板上に７オトレジスト１２．１３
（ＥＰＰＲ東京応化製）を２μ塗布しフォトプロセスに
エリストライブ状レジストパターン１２．を形成した。
ある。ホウケイ酸ガラス１０（＃７０５９コーニング社
）上にＡＩ薄ｐＡ１１ ２０００λｔ−電子ビーム蒸着
法で形成する。この基板上に７オトレジスト１２．１３
（ＥＰＰＲ東京応化製）を２μ塗布しフォトプロセスに
エリストライブ状レジストパターン１２．を形成した。
次にｌ １ｍｌ ／ ｌのシュウｒＲ溶液中で、２０ｖ
の正電圧を与えて陽極酸化を行う。陽極酸化は、浴温０
℃±１℃対極にＡＩ板を用い、電流密度α１ｍＡ／（ｙ
以下になる！で行う。陽極酸化によりレジストでマスク
さｎなかりた。アルミニウム露出部１３はＡ ｌ ２０
ｓに変わり１を極ハターンが形成される。ＡＩの陽極酸
化により生成したＡＪ２０３は体積が増加し、膜厚にＡ
Ｉに比べて約１．３倍となる。
の正電圧を与えて陽極酸化を行う。陽極酸化は、浴温０
℃±１℃対極にＡＩ板を用い、電流密度α１ｍＡ／（ｙ
以下になる！で行う。陽極酸化によりレジストでマスク
さｎなかりた。アルミニウム露出部１３はＡ ｌ ２０
ｓに変わり１を極ハターンが形成される。ＡＩの陽極酸
化により生成したＡＪ２０３は体積が増加し、膜厚にＡ
Ｉに比べて約１．３倍となる。
陽極酸化により第１１を極パターン會形成後、レジスト
をはく離し、第一絶縁層１４としてＹ２Ｏ，３５００人
、発光層１５としてＺｎＳ ：Ｍｎ（Ｍｎ５ｗｔ％含有
）５０００人、第二絶縁層１６としてＹ２Ｏ３３５００
Åを電子ビーム蒸着法により形成し、さらにマドライブ
状透明電極１７としてＩＴＯ２０００λをスパッタリン
グにより、ＡＩ’東極と直交する工うに形成する。
をはく離し、第一絶縁層１４としてＹ２Ｏ，３５００人
、発光層１５としてＺｎＳ ：Ｍｎ（Ｍｎ５ｗｔ％含有
）５０００人、第二絶縁層１６としてＹ２Ｏ３３５００
Åを電子ビーム蒸着法により形成し、さらにマドライブ
状透明電極１７としてＩＴＯ２０００λをスパッタリン
グにより、ＡＩ’東極と直交する工うに形成する。
この素子のＡＪ、ＩＴＯ透Ｂ）３′ＦＪＬ極間に電圧を
印加すると、均一に発光しエツジ部だけ強く光る現！！
はなかった。また同様の発光層、絶縁層を有する、第２
図に示す構成に作成した素子と、本発明により作成した
素子のＰ縁耐圧を比較すると２３０ｖから２９０Ｖｉｃ
向上しており、電極エツジの段差解消の効果が大きい。
印加すると、均一に発光しエツジ部だけ強く光る現！！
はなかった。また同様の発光層、絶縁層を有する、第２
図に示す構成に作成した素子と、本発明により作成した
素子のＰ縁耐圧を比較すると２３０ｖから２９０Ｖｉｃ
向上しており、電極エツジの段差解消の効果が大きい。
ここで第−電極層Ｊｌは１１に限定さｎろものでなく、
例えばＴａ、 Ｔｉ、 Ｎｂ 等陽極酸化に工り絶縁性
の酸化物を生ずるものであｎ、ば使用し得る。
例えばＴａ、 Ｔｉ、 Ｎｂ 等陽極酸化に工り絶縁性
の酸化物を生ずるものであｎ、ば使用し得る。
（発明の効果）
本発明により第一［極エツジ部だけ強（光る現象のない
絶縁耐圧の高い素子が得らｎ、成品の歩留り向上、高信
頼化に大きく寄与するもので、その実用上の効果は極め
て大である。
絶縁耐圧の高い素子が得らｎ、成品の歩留り向上、高信
頼化に大きく寄与するもので、その実用上の効果は極め
て大である。
図、第２図は従来の薄［ＥＬ素子を示す断面図である。
符号の説明
１［Ｌ ガラス基板
１１、Ａ１
１２． フォトレジスト
１５、発光濁
１人 透明電極
第１図
Claims (1)
- １．絶縁基板上に金属層を形成し、電極パターン状に
レジストを形成し、陽極酸化後レジストを剥離し、発光
層を介して透明電極を配置することを特徴とする薄膜エ
レクトロルミネッセンス素子の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61179412A JPS6337594A (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61179412A JPS6337594A (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6337594A true JPS6337594A (ja) | 1988-02-18 |
Family
ID=16065413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61179412A Pending JPS6337594A (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6337594A (ja) |
-
1986
- 1986-07-30 JP JP61179412A patent/JPS6337594A/ja active Pending
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