JPS6338337U - - Google Patents

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JPS6338337U
JPS6338337U JP1986129489U JP12948986U JPS6338337U JP S6338337 U JPS6338337 U JP S6338337U JP 1986129489 U JP1986129489 U JP 1986129489U JP 12948986 U JP12948986 U JP 12948986U JP S6338337 U JPS6338337 U JP S6338337U
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JP
Japan
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semiconductor
semiconductor element
flow path
substrate
heat transfer
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JP1986129489U
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/877—Bump connectors and die-attach connectors

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例の集積回路冷却装置
の縦断面図、第２図は本考案の他の実施例の斜視
図、第３図は伝熱体を通過する沸騰気泡量と伝熱
性能との関係線図、第４図、第５図、第６図、第
７図は本考案の他の実施例の縦断面図、第８図は
従来例の縦断面図である。 １……伝熱体、２……集積回路チツプ、３……
流路壁、４……配線基板、５……沸騰気泡、６…
…不電導性液、７……柔軟薄膜、１０……形状記
憶合金、２０……流路制限部材。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 冷却用伝熱体を取り付けた半導体素子を複数個
    搭載した基板を１枚あるいは複数枚積層して熱媒
    体を封入した容器内に浸して該半導体素子を沸騰
    冷却する半導体冷却装置において、基板の半導体
    素子の搭載された面とともに熱媒体の流路を形成
    する該基板に対向する流路壁と各々の半導体素子
    に取り付けられた伝熱体との間隙の大きさを変え
    て、それぞれの半導体素子について、伝熱体一つ
    に対する熱媒体の流路体積を変えることにより、
    半導体素子の発熱量あるいは半導体素子の搭載さ
    れた基板上の位置にかかわらず、それぞれの半導
    体素子をあらかじめ定めた温度に保つことを特徴
    とする半導体冷却装置。
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