JPS6340347A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS6340347A JPS6340347A JP18442286A JP18442286A JPS6340347A JP S6340347 A JPS6340347 A JP S6340347A JP 18442286 A JP18442286 A JP 18442286A JP 18442286 A JP18442286 A JP 18442286A JP S6340347 A JPS6340347 A JP S6340347A
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- JP
- Japan
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- wiring
- insulating film
- polycrystalline silicon
- film
- interlayer insulating
- Prior art date
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は半導体集積回路装置の配線構造に関するもの
である。
である。
［従来の技術］
第３図は、従来の半導体集積回路装置を示す平面図であ
り、第４図は、第３図のＡ−Ａ−線断面図である。
り、第４図は、第３図のＡ−Ａ−線断面図である。
図において、半導体基板１表面にフィールド用絶縁ｌ！
１２が形成されており、このフィールド用絶縁１１１２
表面に多結晶シリコン配置３が形成されている。フィー
ルド用絶縁膜２表面および多結晶シリコン配線３表面に
層間絶縁１４が形成されており、この層間絶縁膜４表面
に、多結晶シリコン配置１３と交差するようにアルミニ
ウム配線５が形成されている。また、層間絶縁膜４表面
にアルミニウム配ｌ１１６が形成されており、このアル
ミニウム配線６は、多結晶シリコン配線３とアルミニウ
ム配置ｉ１５との交差部付近でコンタクトホール７によ
り多結晶シリコン配線３に接続されている。
１２が形成されており、このフィールド用絶縁１１１２
表面に多結晶シリコン配置３が形成されている。フィー
ルド用絶縁膜２表面および多結晶シリコン配線３表面に
層間絶縁１４が形成されており、この層間絶縁膜４表面
に、多結晶シリコン配置１３と交差するようにアルミニ
ウム配線５が形成されている。また、層間絶縁膜４表面
にアルミニウム配ｌ１１６が形成されており、このアル
ミニウム配線６は、多結晶シリコン配線３とアルミニウ
ム配置ｉ１５との交差部付近でコンタクトホール７によ
り多結晶シリコン配線３に接続されている。
［発明が解決しようとする問題点コ
従来の半導体集積回路装置における配線の交差部は以上
のように構成されているので、多結晶シリコン配線３と
アルミニウム配線５との交差部において多結晶シリコン
配線３と層間絶縁ｖＡ４とアルミニウム配線５とからキ
ャパシタ構造が形成される。この場合、多結晶シリコン
配線３の上面部とフィールド用絶縁１１１２表面との高
低差が大きく段差部が形成されているため、層間絶縁１
４を形成するとき、この段差部近傍で層間絶縁［１４の
膜厚が、マルＡ内に示したように減少して多結晶シリコ
ン配線３とアルミニウム配線５間の結合容量が増加し、
多結晶シリコン配線３とアルミニウム配線５間で信号の
クロストークが生じるという問題点があった。
のように構成されているので、多結晶シリコン配線３と
アルミニウム配線５との交差部において多結晶シリコン
配線３と層間絶縁ｖＡ４とアルミニウム配線５とからキ
ャパシタ構造が形成される。この場合、多結晶シリコン
配線３の上面部とフィールド用絶縁１１１２表面との高
低差が大きく段差部が形成されているため、層間絶縁１
４を形成するとき、この段差部近傍で層間絶縁［１４の
膜厚が、マルＡ内に示したように減少して多結晶シリコ
ン配線３とアルミニウム配線５間の結合容量が増加し、
多結晶シリコン配線３とアルミニウム配線５間で信号の
クロストークが生じるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、配線の交差部において配線間の信号のクロス
トークが生じにくい半導体集積回路装置を得ることを目
的とする。
たもので、配線の交差部において配線間の信号のクロス
トークが生じにくい半導体集積回路装置を得ることを目
的とする。
［問題点を解決するための手段１
この発明にかかる半導体集積回路装置は、半導体基板表
面にフィールド用絶縁膜を形成し、このフィールド用絶
縁膜表面に互いに間隔を隔てて多結晶シリコン膜を形成
し、この多結晶シリコン膜表面に第１の層間絶縁膜を形
成し、この第１の層間絶縁ｍ間のフィールド用絶縁膜の
露出した表面に多結晶シリコン配線を形成し、第″１の
層間絶縁膜表面、残りのフィールド用絶縁膜の露出した
表面および多結晶シリコン配線表面に第２の層間絶縁膜
を形成し、この第２の層間絶縁膜表面に多結晶シリコン
配線と交差するように金属配線を形成したものである。
面にフィールド用絶縁膜を形成し、このフィールド用絶
縁膜表面に互いに間隔を隔てて多結晶シリコン膜を形成
し、この多結晶シリコン膜表面に第１の層間絶縁膜を形
成し、この第１の層間絶縁ｍ間のフィールド用絶縁膜の
露出した表面に多結晶シリコン配線を形成し、第″１の
層間絶縁膜表面、残りのフィールド用絶縁膜の露出した
表面および多結晶シリコン配線表面に第２の層間絶縁膜
を形成し、この第２の層間絶縁膜表面に多結晶シリコン
配線と交差するように金属配線を形成したものである。
［作用］
この発明においては、多結晶シリコン配線の両側に多結
晶シリコン膜、第１の層間絶縁膜を形成することによっ
て、この多結晶シリコン配線の上面部と第１の層間絶縁
膜の上面部との高低差が小さくなり、第２の層間絶縁膜
を形成したとき、この第２の層間絶縁膜のｍ厚が多結晶
シリコン配線と金属配線との交差部において減少するの
が防止される。このため、多結晶シリコン配線と金属配
線間の結合容量の増大が防止され、配線間の信号のクロ
ストークが生じにくくなる。
晶シリコン膜、第１の層間絶縁膜を形成することによっ
て、この多結晶シリコン配線の上面部と第１の層間絶縁
膜の上面部との高低差が小さくなり、第２の層間絶縁膜
を形成したとき、この第２の層間絶縁膜のｍ厚が多結晶
シリコン配線と金属配線との交差部において減少するの
が防止される。このため、多結晶シリコン配線と金属配
線間の結合容量の増大が防止され、配線間の信号のクロ
ストークが生じにくくなる。
［実施例］
以下、この発明の実施例を図について説明する。
なお、この実施例の説明において、従来の技術の説明と
重複する部分については、適宜その説明を省略する。
重複する部分については、適宜その説明を省略する。
第１図は、この発明の実施例である半導体集積回路装置
を示す平面図であり、第２図は、第゛１図のＡ−Ａ”線
断面図である。
を示す平面図であり、第２図は、第゛１図のＡ−Ａ”線
断面図である。
この実施例の構成が、第３図および第４図の半導体集積
回路装置の構成と異なる点は以下の点である。すなわち
、フィールド用絶縁！１２表面に互い！、：間隔を隔て
て多結晶シリコン膜８が形成されており、この多結晶シ
リコン１１１８表面に層間絶縁１１９が形成されている
。層間絶縁ｖＡ９間のフィールド用絶縁膜２の露出した
表面に多結晶シリコン配線３が形成されている。層間絶
縁１１９表面、残りのフィールド用絶縁膜２の露出した
表面および多結晶シリコン配線３表面に層間絶縁ｌｌＩ
４０が形成されており、この層間絶縁膜４０表面に多結
晶シリコン配線３と交差するようにアルミニウム配線５
０が形成されている。
回路装置の構成と異なる点は以下の点である。すなわち
、フィールド用絶縁！１２表面に互い！、：間隔を隔て
て多結晶シリコン膜８が形成されており、この多結晶シ
リコン１１１８表面に層間絶縁１１９が形成されている
。層間絶縁ｖＡ９間のフィールド用絶縁膜２の露出した
表面に多結晶シリコン配線３が形成されている。層間絶
縁１１９表面、残りのフィールド用絶縁膜２の露出した
表面および多結晶シリコン配線３表面に層間絶縁ｌｌＩ
４０が形成されており、この層間絶縁膜４０表面に多結
晶シリコン配線３と交差するようにアルミニウム配線５
０が形成されている。
このように、多結晶シリコン配線３の両側に多結晶シリ
コンＩ［Ｉ１８．層間絶縁ｌｌｌ９を形成することによ
って、多結晶シリコン配線３の上面部と層間絶ａｌｌ１
９の上面部との高低差を小さくすることができるので、
層間絶縁１Ｉ４０を形成したとき、多結晶シリコン配置
３とアルミニウム配置ｆｉ５０との交差部において、層
間絶縁膜４０の膜厚が、従来の第４図のマルＡ内に示し
たように減少するのを防ぐことができる。このため、多
結晶シリコン配置１３と層間絶縁ｍ間０とアルミニウム
配線５ｏとで形成されるキャパシタ構造において、多結
晶シリコン配線３とアルミニウム配線５０間の結合容量
の増大を防ぎ、多結晶シリコン配ｗＡ３とアルミニウム
配置９５０間の信号のクロストークを生じにくくするこ
とができる。
コンＩ［Ｉ１８．層間絶縁ｌｌｌ９を形成することによ
って、多結晶シリコン配線３の上面部と層間絶ａｌｌ１
９の上面部との高低差を小さくすることができるので、
層間絶縁１Ｉ４０を形成したとき、多結晶シリコン配置
３とアルミニウム配置ｆｉ５０との交差部において、層
間絶縁膜４０の膜厚が、従来の第４図のマルＡ内に示し
たように減少するのを防ぐことができる。このため、多
結晶シリコン配置１３と層間絶縁ｍ間０とアルミニウム
配線５ｏとで形成されるキャパシタ構造において、多結
晶シリコン配線３とアルミニウム配線５０間の結合容量
の増大を防ぎ、多結晶シリコン配ｗＡ３とアルミニウム
配置９５０間の信号のクロストークを生じにくくするこ
とができる。
なお、上記実施例では、上層の配線がアルミニウム配線
である場合について示したが、上層の配線として他の金
属配線を用いるようにしてもよい。
である場合について示したが、上層の配線として他の金
属配線を用いるようにしてもよい。
［発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、半辱体１ｓ板表面にフ
ィールド用絶縁膜を形成し、このフィールド用絶縁膜表
面に互いに間隔を隔てて多結晶シリコン膜を形成し、こ
の多結晶シリコン膜表面に第１の層間絶縁膜を形成し、
この第１の層間結縁膜間のフィールド用絶縁膜の露出し
た表面に多結晶シリコン配線を形成し、第１の層間絶縁
膜表面、残りのフィールド用＃！縁摸の露出した表ｒｆ
ＪＩ３よび多結晶シリコン配線表面に第２の層間絶縁膜
を形成し、この第２の層間絶縁膜表面に多結晶シリコン
配線と交差するように金属配線を形成するので、多結晶
シリコン配線の上面部と第１の磨間絶ＲＩＩの上面部と
の高低差が小さくなり、第２の層間絶ａｍの膜厚が、多
結晶シリコン配線と金属配線との交差部において減少す
るのが防止される。このため、多結晶シリコン配線と金
属配線間の結合容量の増大が防止され、配線の交差部に
おいて配線間の信号のクロストークが生じにくい半導体
集積回路装置を得ることができる。
ィールド用絶縁膜を形成し、このフィールド用絶縁膜表
面に互いに間隔を隔てて多結晶シリコン膜を形成し、こ
の多結晶シリコン膜表面に第１の層間絶縁膜を形成し、
この第１の層間結縁膜間のフィールド用絶縁膜の露出し
た表面に多結晶シリコン配線を形成し、第１の層間絶縁
膜表面、残りのフィールド用＃！縁摸の露出した表ｒｆ
ＪＩ３よび多結晶シリコン配線表面に第２の層間絶縁膜
を形成し、この第２の層間絶縁膜表面に多結晶シリコン
配線と交差するように金属配線を形成するので、多結晶
シリコン配線の上面部と第１の磨間絶ＲＩＩの上面部と
の高低差が小さくなり、第２の層間絶ａｍの膜厚が、多
結晶シリコン配線と金属配線との交差部において減少す
るのが防止される。このため、多結晶シリコン配線と金
属配線間の結合容量の増大が防止され、配線の交差部に
おいて配線間の信号のクロストークが生じにくい半導体
集積回路装置を得ることができる。
第１図は、この発明の大筋例である半導体集積回路装置
を示す平面図であり、第２図は、第１図のＡ−Ａ′線断
面図である。 第３図は、従来の半導体集積回路装置を示す平面図であ
り、第４図は、第３因のＡ−Ａ−線断面図である。 図において、１は半導体基板、２はフィールド用１Ｉｆ
Ｊ緑膜、３は多結晶シリコン配線、４．９．４０はｍ間
絶縁膜、５．６．５０はアルミニウム配線、７はコンタ
クトホール、８は多結晶シリコン膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
を示す平面図であり、第２図は、第１図のＡ−Ａ′線断
面図である。 第３図は、従来の半導体集積回路装置を示す平面図であ
り、第４図は、第３因のＡ−Ａ−線断面図である。 図において、１は半導体基板、２はフィールド用１Ｉｆ
Ｊ緑膜、３は多結晶シリコン配線、４．９．４０はｍ間
絶縁膜、５．６．５０はアルミニウム配線、７はコンタ
クトホール、８は多結晶シリコン膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）半導体基板と、 前記半導体基板表面に形成されるフィールド用絶縁膜と
、 前記フィールド用絶縁膜表面に互いに間隔を隔てて形成
される多結晶シリコン膜と、 前記多結晶シリコン膜表面に形成される第１の層間絶縁
膜と、 前記第１の層間絶縁膜間の前記フィールド用絶縁膜の露
出した表面に形成される多結晶シリコン配線と、 前記第１の層間絶縁膜表面、残りの前記フィールド用絶
縁膜の露出した表面および前記多結晶シリコン配線表面
に形成される第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁
膜表面に前記多結晶シリコン配線と交差するように形成
される金属配線とを備えた半導体集積回路装置。 - （２）前記金属配線はアルミニウムからなる特許請求の
範囲第１項記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18442286A JPS6340347A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18442286A JPS6340347A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6340347A true JPS6340347A (ja) | 1988-02-20 |
Family
ID=16152881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18442286A Pending JPS6340347A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6340347A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006080514A (ja) * | 2002-12-25 | 2006-03-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| US8058672B2 (en) | 2002-12-25 | 2011-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
| JP2013207240A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 赤外線センサアレー |
| US9046410B2 (en) | 2012-03-29 | 2015-06-02 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Light receiving device |
-
1986
- 1986-08-05 JP JP18442286A patent/JPS6340347A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006080514A (ja) * | 2002-12-25 | 2006-03-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| US8058672B2 (en) | 2002-12-25 | 2011-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
| US8227837B2 (en) | 2002-12-25 | 2012-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
| US8569802B2 (en) | 2002-12-25 | 2013-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
| JP2013207240A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 赤外線センサアレー |
| US9046410B2 (en) | 2012-03-29 | 2015-06-02 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Light receiving device |
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