JPS6342853B2 - - Google Patents
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- JPS6342853B2 JPS6342853B2 JP56084594A JP8459481A JPS6342853B2 JP S6342853 B2 JPS6342853 B2 JP S6342853B2 JP 56084594 A JP56084594 A JP 56084594A JP 8459481 A JP8459481 A JP 8459481A JP S6342853 B2 JPS6342853 B2 JP S6342853B2
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- wire
- bonding pad
- wire bonding
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- conductive
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- H10W72/90—Bond pads, in general
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
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- Electronic Switches (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は例えばフアクシミリの感熱記録用へツ
ド等に用いられるワイヤボンデイングパツド装置
に関する。
ド等に用いられるワイヤボンデイングパツド装置
に関する。
(従来の技術)
従来、フアクシミリの感熱記録用ヘツドは第3
図に示すように構成される。即ち、11はセラミ
ツク等の絶縁基板上に薄膜、厚膜等の技術によつ
て、一列に高密度で並べた多数の発熱抵抗体で、
この発熱抵抗体11は連続する複数個(この例で
は8個)からなる複数のブロツクに分割されてい
る。前記発熱抵抗体11の各ブロツクは夫々対応
してダイオードアレイ12に接続される。このダ
イオードアレイ12はこの例では1チツプ内に8
個のダイオード121を納めたフリツプチツプ型
のダイオードアレイである。前記発熱抵抗体11
は各一端が対応するダイオードアレイ12内の各
ダイオード121を介してブロツク選択電極13
にブロツク毎に共通接続され、各他端が各ブロツ
ク間で同一位置にあるものどうし共通接続されて
個別選択電極14に接続される。
図に示すように構成される。即ち、11はセラミ
ツク等の絶縁基板上に薄膜、厚膜等の技術によつ
て、一列に高密度で並べた多数の発熱抵抗体で、
この発熱抵抗体11は連続する複数個(この例で
は8個)からなる複数のブロツクに分割されてい
る。前記発熱抵抗体11の各ブロツクは夫々対応
してダイオードアレイ12に接続される。このダ
イオードアレイ12はこの例では1チツプ内に8
個のダイオード121を納めたフリツプチツプ型
のダイオードアレイである。前記発熱抵抗体11
は各一端が対応するダイオードアレイ12内の各
ダイオード121を介してブロツク選択電極13
にブロツク毎に共通接続され、各他端が各ブロツ
ク間で同一位置にあるものどうし共通接続されて
個別選択電極14に接続される。
而して、フアクシミリの記録は、所望の発熱抵
抗体11に感熱紙を接触させて行われる。
抗体11に感熱紙を接触させて行われる。
このような感熱記録用ヘツドでは発熱抵抗体1
1の数が数百ないし千数百程度と極めて多数であ
るため、第3図に示すように、発熱抵抗体11に
直列に回り込み防止用ダイオード121を接続し
たマトリクス配線によつて駆動回路数の低減を図
つている。この場合に問題となるのは、数百から
千数百個という多数の発熱抵抗体11と回り込み
防止用ダイオード121とをいかに作業能率よく
接続し、かつヘツド全体をコンパクトに構成する
かという点である。この点を解決するため、第4
図a,bに示すように、複数個のダイオードを1
チツプ内に納めたダイオードアレイ12を、発熱
抵抗体11が形成されている基板15上に配設
し、このダイオードアレイ12を発熱抵抗体11
に直接接続してヘツドを小形にまとめている。と
ころが、この場合にはダイオードアレイ12と発
熱抵抗体11からの導線16との接続が問題とな
る。ダイオードアレイ12と導線16とを接続す
る技術は、半導体素子のボンデイング技術として
各種の方法が考えられるが、いずれの方法を用い
るにしても、導線16のボンデイングパツド16
1の相互間隔及びダイオードアレイ12のボンデ
イングパツド122の相互間隔200μm以下の高
密度であると、ボンデイングの信頼性の点で歩溜
りが急激に低下する。このため、第4図a,bに
示すように、ダイオードアレイ12のボンデイン
グパツド122及び導線16のボンデイングパツ
ド161は夫々直線状ではなく千鳥状に配設され
る。
1の数が数百ないし千数百程度と極めて多数であ
るため、第3図に示すように、発熱抵抗体11に
直列に回り込み防止用ダイオード121を接続し
たマトリクス配線によつて駆動回路数の低減を図
つている。この場合に問題となるのは、数百から
千数百個という多数の発熱抵抗体11と回り込み
防止用ダイオード121とをいかに作業能率よく
接続し、かつヘツド全体をコンパクトに構成する
かという点である。この点を解決するため、第4
図a,bに示すように、複数個のダイオードを1
チツプ内に納めたダイオードアレイ12を、発熱
抵抗体11が形成されている基板15上に配設
し、このダイオードアレイ12を発熱抵抗体11
に直接接続してヘツドを小形にまとめている。と
ころが、この場合にはダイオードアレイ12と発
熱抵抗体11からの導線16との接続が問題とな
る。ダイオードアレイ12と導線16とを接続す
る技術は、半導体素子のボンデイング技術として
各種の方法が考えられるが、いずれの方法を用い
るにしても、導線16のボンデイングパツド16
1の相互間隔及びダイオードアレイ12のボンデ
イングパツド122の相互間隔200μm以下の高
密度であると、ボンデイングの信頼性の点で歩溜
りが急激に低下する。このため、第4図a,bに
示すように、ダイオードアレイ12のボンデイン
グパツド122及び導線16のボンデイングパツ
ド161は夫々直線状ではなく千鳥状に配設され
る。
しかしながら、第4図a,bに示す様にボンデ
イングパツド161を千鳥状に配設しても、その
ボンデイングパツド161の高密度化には限界が
あつた。
イングパツド161を千鳥状に配設しても、その
ボンデイングパツド161の高密度化には限界が
あつた。
(発明が解決しようとする問題点)
上述の問題点に鑑みて、本発明は高密度に配置
されたワイヤボンデイングパツド装置を提供する
ことを目的とする。
されたワイヤボンデイングパツド装置を提供する
ことを目的とする。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
上述の目的を達成するために、本発明のワイヤ
ボンデイングパツド装置は、ワイヤボンデイング
パツドに隣接する部分の導線の幅は、他の部分の
導線の幅よりも狭いことを特徴とするものであ
る。
ボンデイングパツド装置は、ワイヤボンデイング
パツドに隣接する部分の導線の幅は、他の部分の
導線の幅よりも狭いことを特徴とするものであ
る。
(作用)
上述の構成をとることにより、本発明のワイヤ
ボンデイングパツド装置は、そのワイヤボンデイ
ングパツドを高密度に配置することができる。
ボンデイングパツド装置は、そのワイヤボンデイ
ングパツドを高密度に配置することができる。
(実施例)
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明す
る。
る。
第1図aにおいて、ワイヤボンデイングパツド
161は千鳥状に配置され、このワイヤボンデイ
ングパツド161に電気的に接続する導線16が
形成されている。17は、このワイヤボンデイン
グパツド161にワイヤボンデイングされたボン
デイングワイヤである。このワイヤボンデイング
パツド161に隣接する部分Eの導線16の幅C
は、他の部分の導線16の幅Dよりも狭い。例え
ば、ボンデイングパツド161の幅Aを0.14mm、
ワイヤボンデイングパツド161と導線16との
間隔Bは0.03mm、導線16の幅狭部の幅Cは0.05
mm、導線16の幅広部の幅Dは0.07mm、ボンデイ
ングワイヤ17の径は0.025mmとすると、ワイヤ
ボンデイングパツド161のピツチPは、0.11mm
となる。すなわち、導線16はEの部分の幅を狭
くしたことにより、ワイヤボンデイングパツド1
61の配置密度が高まることになる。
161は千鳥状に配置され、このワイヤボンデイ
ングパツド161に電気的に接続する導線16が
形成されている。17は、このワイヤボンデイン
グパツド161にワイヤボンデイングされたボン
デイングワイヤである。このワイヤボンデイング
パツド161に隣接する部分Eの導線16の幅C
は、他の部分の導線16の幅Dよりも狭い。例え
ば、ボンデイングパツド161の幅Aを0.14mm、
ワイヤボンデイングパツド161と導線16との
間隔Bは0.03mm、導線16の幅狭部の幅Cは0.05
mm、導線16の幅広部の幅Dは0.07mm、ボンデイ
ングワイヤ17の径は0.025mmとすると、ワイヤ
ボンデイングパツド161のピツチPは、0.11mm
となる。すなわち、導線16はEの部分の幅を狭
くしたことにより、ワイヤボンデイングパツド1
61の配置密度が高まることになる。
しかし、第1図aに示すワイヤボンデイングパ
ツド装置においては、導線16の高さとボンデイ
ングパツド161の高さは第1図bに示すように
同一高さに形成される。而して、高密度のボンデ
イングはボンデイングワイヤ径、ボンデイングパ
ツドピツチ及びボンデイングパツドサイズにより
制限される。このため、ワイヤボンデイングパツ
ド161のピツチPは、0.11mmが限界となる。
ツド装置においては、導線16の高さとボンデイ
ングパツド161の高さは第1図bに示すように
同一高さに形成される。而して、高密度のボンデ
イングはボンデイングワイヤ径、ボンデイングパ
ツドピツチ及びボンデイングパツドサイズにより
制限される。このため、ワイヤボンデイングパツ
ド161のピツチPは、0.11mmが限界となる。
したがつて、第1図aに示すワイヤボンデイン
グパツド装置においては、そのワイヤボンデイン
グパツド161の配置の高密度化には限界があ
る。
グパツド装置においては、そのワイヤボンデイン
グパツド161の配置の高密度化には限界があ
る。
次に、第1図a,bをさらに改良したワイヤボ
ンデイングパツド装置の他の実施例を第2図a,
bにしたがつて説明する。
ンデイングパツド装置の他の実施例を第2図a,
bにしたがつて説明する。
第2図a,bにおいて、感熱記録用ヘツドの発
熱抵抗体に接続された導線16の先端にはワイヤ
ボンデイングパツド161が形成される。このワ
イヤボンデイングパツド161は隣接するボンデ
イングパツド161の位置をずらせ、一つ置きボ
ンデイングパツド161の位置を同一線上に配置
したいわゆる千鳥状に配設される。ワイヤボンデ
イングパツド161に隣接する導線16部は他の
導線16部より幅狭に形成される。而して、幅狭
の導線16部に隣接するボンデイングパツド16
1部(図中斑点状部)は導線16の高さより例え
ば10ミクロン程度高くなるように例えば部分メツ
キ等が施されている。171はボンデイングワイ
ヤ17のボンデイング部である。
熱抵抗体に接続された導線16の先端にはワイヤ
ボンデイングパツド161が形成される。このワ
イヤボンデイングパツド161は隣接するボンデ
イングパツド161の位置をずらせ、一つ置きボ
ンデイングパツド161の位置を同一線上に配置
したいわゆる千鳥状に配設される。ワイヤボンデ
イングパツド161に隣接する導線16部は他の
導線16部より幅狭に形成される。而して、幅狭
の導線16部に隣接するボンデイングパツド16
1部(図中斑点状部)は導線16の高さより例え
ば10ミクロン程度高くなるように例えば部分メツ
キ等が施されている。171はボンデイングワイ
ヤ17のボンデイング部である。
このようにワイヤボンデイングパツド161の
高さを隣接する導線16の高さより高く形成する
ことにより、ボンデイングワイヤ17の径、ワイ
ヤボンデイングパツド161の幅を変えることな
く、パツドピツチを詰めることができ高密度化を
図ることができる。例えば、ワイヤボンデイング
パツド161の高さを導線16の高さより10ミク
ロン程度高くすることにより、ワイヤボンデイン
グパツド161のピツチPを0.09mmにすることが
でき、ボンデイングマシン精度を±40ミクロンま
で吸収できる。この場合、ワイヤボンデイングパ
ツド161の幅は0.14mm、ワイヤボンデイングパ
ツド161と幅狭の導線16部との間隔Bは
0.025mm、幅狭の導線16部の幅Cは0.04mm、幅
広の導線16部の幅Dは0.07mmである。
高さを隣接する導線16の高さより高く形成する
ことにより、ボンデイングワイヤ17の径、ワイ
ヤボンデイングパツド161の幅を変えることな
く、パツドピツチを詰めることができ高密度化を
図ることができる。例えば、ワイヤボンデイング
パツド161の高さを導線16の高さより10ミク
ロン程度高くすることにより、ワイヤボンデイン
グパツド161のピツチPを0.09mmにすることが
でき、ボンデイングマシン精度を±40ミクロンま
で吸収できる。この場合、ワイヤボンデイングパ
ツド161の幅は0.14mm、ワイヤボンデイングパ
ツド161と幅狭の導線16部との間隔Bは
0.025mm、幅狭の導線16部の幅Cは0.04mm、幅
広の導線16部の幅Dは0.07mmである。
したがつて、第2図a,bに示すワイヤボンデ
イングパツド装置は、第1図a,bに示すワイヤ
ボンデイングパツド装置よりもそのワイヤボンデ
イングパツドの配置を高密度化することができ
る。
イングパツド装置は、第1図a,bに示すワイヤ
ボンデイングパツド装置よりもそのワイヤボンデ
イングパツドの配置を高密度化することができ
る。
[発明の効果]
本発明のワイヤボンデイングパツド装置は、上
述の構成をとることにより、ボンデイングパツド
のピツチを小さくすることができ、高密度化を行
うことができる。
述の構成をとることにより、ボンデイングパツド
のピツチを小さくすることができ、高密度化を行
うことができる。
特に、フアクシミリの感熱記録用ヘツド等に用
いて好適する。
いて好適する。
第1図aは本発明のワイヤボンデイングパツド
装置の一実施例を示す平面図、第1図bは第1図
aの3B−3B線断面図、第2図aは本発明の他
の実施例を示す平面図、第2図bは第2図aの4
B−4B線断面図、第3図は従来の感熱記録用ヘ
ツドを示す回路図、第4図a,bは従来の感熱記
録用ヘツドのダイオードアレイと導線とのワイヤ
ボンデイング部を示す平面図及び側面図である。 11……発熱抵抗体、12……ダイオードアレ
イ、121……ダイオード、16……導線、16
1……ワイヤボンデイングパツド、17……ボン
デイングワイヤ、171……ボンデイングパツド
部。
装置の一実施例を示す平面図、第1図bは第1図
aの3B−3B線断面図、第2図aは本発明の他
の実施例を示す平面図、第2図bは第2図aの4
B−4B線断面図、第3図は従来の感熱記録用ヘ
ツドを示す回路図、第4図a,bは従来の感熱記
録用ヘツドのダイオードアレイと導線とのワイヤ
ボンデイング部を示す平面図及び側面図である。 11……発熱抵抗体、12……ダイオードアレ
イ、121……ダイオード、16……導線、16
1……ワイヤボンデイングパツド、17……ボン
デイングワイヤ、171……ボンデイングパツド
部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 千鳥状に配置されたワイヤボンデイングパツ
ドと、 このワイヤボンデイングパツドに電気的に接続
する導線とを備え、 前記ワイヤボンデイングパツドに隣接する部分
の前記導線の幅は、他の部分の前記導線の幅より
も狭いことを特徴とするワイヤボンデイングパツ
ド装置。 2 前記導線の隣りに設けられる前記ワイヤボン
デイングパツドは、前記導線より高く形成するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のワイ
ヤボンデイングパツド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56084594A JPS57199228A (en) | 1981-06-02 | 1981-06-02 | Wire bonding pad device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56084594A JPS57199228A (en) | 1981-06-02 | 1981-06-02 | Wire bonding pad device |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1144105A Division JPH0242737A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | ワイヤボンディングパッド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57199228A JPS57199228A (en) | 1982-12-07 |
| JPS6342853B2 true JPS6342853B2 (ja) | 1988-08-25 |
Family
ID=13835002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56084594A Granted JPS57199228A (en) | 1981-06-02 | 1981-06-02 | Wire bonding pad device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57199228A (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6035524A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-23 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置 |
| JPS6114740A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-22 | Toshiba Corp | ボンデイングパツド |
| JPH0356033Y2 (ja) * | 1985-05-13 | 1991-12-16 | ||
| JPS63276235A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-14 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPH01174927U (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-13 | ||
| JP2605844B2 (ja) * | 1988-11-29 | 1997-04-30 | 富士ゼロックス株式会社 | 印字記録ヘッド |
| JPH0650961Y2 (ja) * | 1989-01-10 | 1994-12-21 | 株式会社村田製作所 | 多連チップ型抵抗器 |
| JPH0242737A (ja) * | 1989-06-08 | 1990-02-13 | Toshiba Corp | ワイヤボンディングパッド装置 |
| JPH0823042A (ja) * | 1994-07-07 | 1996-01-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法及びこれに使用される金型 |
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