JPS634323B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS634323B2 JPS634323B2 JP55110218A JP11021880A JPS634323B2 JP S634323 B2 JPS634323 B2 JP S634323B2 JP 55110218 A JP55110218 A JP 55110218A JP 11021880 A JP11021880 A JP 11021880A JP S634323 B2 JPS634323 B2 JP S634323B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- trimming
- film resistor
- film
- width
- resistor
- Prior art date
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- Expired
Links
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本考案は、膜抵抗体のレーザ光を用いたトリミ
ング方法に関するものである。
ング方法に関するものである。
膜抵抗体をトリミングして高精度を得るもつと
も一般的な方法として、第１図に示すようなＬカ
ツトトリミング法がある。これは、 膜抵抗体１の幅方向に先ずレーザ光を照射して
膜除去を行ない、所望値のたとえば−10％となる
と次に長さ方向へトリミングを開始するターンポ
イント２を経て前記の粗調整から微調整を行な
う。
も一般的な方法として、第１図に示すようなＬカ
ツトトリミング法がある。これは、 膜抵抗体１の幅方向に先ずレーザ光を照射して
膜除去を行ない、所望値のたとえば−10％となる
と次に長さ方向へトリミングを開始するターンポ
イント２を経て前記の粗調整から微調整を行な
う。
ここでターンポイント２の周辺部２−１（交斜
線部）にはマイクロクラツクを生じやすく膜抵抗
体の安定度、ノイズ発生等の欠点がある。
線部）にはマイクロクラツクを生じやすく膜抵抗
体の安定度、ノイズ発生等の欠点がある。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな
くし、高安定でしかも高精度の膜抵抗体のトリミ
ング方法を提供するにある。
くし、高安定でしかも高精度の膜抵抗体のトリミ
ング方法を提供するにある。
即ち、本発明は、直線トリミングを組み合わせ
て、所望の抵抗値を得るレーザトリミング法を提
供するものである。
て、所望の抵抗値を得るレーザトリミング法を提
供するものである。
次に本発明を一実施例により説明する。第２図
に示す通り、コの字形パターンの膜抵抗体１１の
一辺で、一方の電極１２の方向へレーザ光を照射
して膜除去を行ない残り膜巾W1として、たとえ
ば所望値の−10％までの粗調整を行なう。さらに
他方の辺で他方の電極１３の方向へ同様にして膜
除去を行ない残り膜巾W2として微調整を行なう。
に示す通り、コの字形パターンの膜抵抗体１１の
一辺で、一方の電極１２の方向へレーザ光を照射
して膜除去を行ない残り膜巾W1として、たとえ
ば所望値の−10％までの粗調整を行なう。さらに
他方の辺で他方の電極１３の方向へ同様にして膜
除去を行ない残り膜巾W2として微調整を行なう。
このとき残りの膜幅W2は粗調整時の残り膜幅
W1よりもさらに大きくとることにより素子感度
（レーザ光による膜除去長に対する抵抗値変化量）
を小さくし、高精度の膜抵抗体が得られる。
W1よりもさらに大きくとることにより素子感度
（レーザ光による膜除去長に対する抵抗値変化量）
を小さくし、高精度の膜抵抗体が得られる。
以上述べたように本発明によれば、Ｌカツトト
リミングにおけるターンポイントで発生するマイ
クロクラツクを防止し、しかもレーザトリミング
の精度、速度を損なうことなく高安定度で、高精
度の膜抵抗体が得られる。
リミングにおけるターンポイントで発生するマイ
クロクラツクを防止し、しかもレーザトリミング
の精度、速度を損なうことなく高安定度で、高精
度の膜抵抗体が得られる。
第１図は従来の実施例を示す平面図、第２図は
本考案による一実施例を示す平面図である。 １１：膜抵抗体、１２，１３：電極、W1，
W2：残り膜幅。
本考案による一実施例を示す平面図である。 １１：膜抵抗体、１２，１３：電極、W1，
W2：残り膜幅。
Claims (1)
- １ コの字形膜抵抗体パターンにレーザ光を用い
て直線トリミングを施し所望の抵抗値となすトリ
ミングにおいて、コの字形膜抵抗体の一方の辺で
粗調整を、他方の辺で前記粗調整時よりも残り膜
幅を広くした微調整を行なうことを特徴とする膜
抵抗体のトリミング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11021880A JPS5735304A (en) | 1980-08-13 | 1980-08-13 | Method of trimming film resistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11021880A JPS5735304A (en) | 1980-08-13 | 1980-08-13 | Method of trimming film resistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5735304A JPS5735304A (en) | 1982-02-25 |
| JPS634323B2 true JPS634323B2 (ja) | 1988-01-28 |
Family
ID=14530062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11021880A Granted JPS5735304A (en) | 1980-08-13 | 1980-08-13 | Method of trimming film resistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5735304A (ja) |
-
1980
- 1980-08-13 JP JP11021880A patent/JPS5735304A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5735304A (en) | 1982-02-25 |
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