JPS6350015A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6350015A JPS6350015A JP19454486A JP19454486A JPS6350015A JP S6350015 A JPS6350015 A JP S6350015A JP 19454486 A JP19454486 A JP 19454486A JP 19454486 A JP19454486 A JP 19454486A JP S6350015 A JPS6350015 A JP S6350015A
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- film
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- oxide film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置製造方法に関し、特に半導体基板
表面に所望の不純物をイオン注入する方法に関する。
表面に所望の不純物をイオン注入する方法に関する。
従来、この種の半導体装置製造方法は、半導体基板表面
にイオン注入のマスク材料としてレジストを用いて所望
のマスクパターンを形成し前記マスクパターンを通して
不純物をイオン注入し、半導体基板表面に所望の不純物
領域を形成していた。
にイオン注入のマスク材料としてレジストを用いて所望
のマスクパターンを形成し前記マスクパターンを通して
不純物をイオン注入し、半導体基板表面に所望の不純物
領域を形成していた。
上述した従来の半導体装置製造方法は、イオン注入マス
クパターンをレジストを半導体基板表面に塗布、被着形
成後、所定のパターンによって写真蝕刻形成していた為
、絶縁物質であるレジスト中に、イオン他人時の不純物
イオンの電荷が蓄損し、半導体基板とレジストとの間に
放電現象が発生し、半導体基板上の特にＭＯ８型トラン
ジスタのゲート絶縁膜の様な薄い絶縁膜が破壊されると
いう欠点がおった。
クパターンをレジストを半導体基板表面に塗布、被着形
成後、所定のパターンによって写真蝕刻形成していた為
、絶縁物質であるレジスト中に、イオン他人時の不純物
イオンの電荷が蓄損し、半導体基板とレジストとの間に
放電現象が発生し、半導体基板上の特にＭＯ８型トラン
ジスタのゲート絶縁膜の様な薄い絶縁膜が破壊されると
いう欠点がおった。
上述した従来の半導体装置製造方法に対して、本発明は
半導体基板及び半導体基板表面上の薄い絶縁膜等をイオ
ン注入時のマスク材と電界的にシールドする効果が得ら
れ、かつ、イオン注入時、所望の不純物イオンが透過可
能な導電性薄膜を形成することである。更に、上述した
導電性薄膜は、イオン注入装置に半導体基板を固定する
際に、−定電位に保たれた導電性クランプで固定するこ
とにより一層の効果が得られる。
半導体基板及び半導体基板表面上の薄い絶縁膜等をイオ
ン注入時のマスク材と電界的にシールドする効果が得ら
れ、かつ、イオン注入時、所望の不純物イオンが透過可
能な導電性薄膜を形成することである。更に、上述した
導電性薄膜は、イオン注入装置に半導体基板を固定する
際に、−定電位に保たれた導電性クランプで固定するこ
とにより一層の効果が得られる。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上全面に
導電性薄膜を形成する工程と、前記導電性薄膜上全面に
イオン注入時のイオン？マスキングするマスク材料を形
成する工程と、前記マスク材料を必要な部分金銭して除
去する工程と、所望する不純物を前記半導体基板表面に
イオン注入する工程金倉んで構成さｊ、る。
導電性薄膜を形成する工程と、前記導電性薄膜上全面に
イオン注入時のイオン？マスキングするマスク材料を形
成する工程と、前記マスク材料を必要な部分金銭して除
去する工程と、所望する不純物を前記半導体基板表面に
イオン注入する工程金倉んで構成さｊ、る。
次に、本発明をＭＯ８型トランジスタのＳＤ領領域選択
的に拡散層を形成する方法に適用した一実施例について
詳細に説明する。
的に拡散層を形成する方法に適用した一実施例について
詳細に説明する。
第１図に本発明を適用するＭＯ８型トランジスタの断面
図を示す。半導体基板１の表面上に形成された厚さ０．
８μｍ のフィールド酸化膜２とそのフィールド酸化膜
２で囲まれた領域」二の厚さ５０〜４００Ａのゲート酸
化膜３と前記ゲート酸化膜３上に形成されたゲート電極
４から成る複数のＰ１４０Ｓ型トランジスタの８Ｄ領域
に選択的に拡散層を形成する為に、まず、第２１凶に示
す様に半導体基板１上に形成されたフィールドｆｆ１２
化膜２を含むＭＯ８型トランジスタ上全面に導電性薄膜
として厚さ１００〜５００Ａの薄いアルミニウム膜２を
蒸着、もしくけスバヴタにより形成し、その後所望する
トランジスタにのみイオン注入する為の厚さ１．５〜２
．０μｍのレジスト３を選択的に形成し、全面に例えば
、エネルギー１０〜３００に−ｅｖのボロンをイオン注
入する。この場合レジスト６、フィールド酸化膜２゜及
びゲート電極４ば、十分な厚さを持つのでボロンイオン
は、レジスト６、フィールド酸化膜２゜ゲート電極４全
通して半導体基板１まで到達せずに、レジスト６、フィ
ールド酸化膜２及びゲート電極４中にトラップｇｆＬる
が、イオンの電荷の一部は、導電性薄膜であるアルミニ
ウム膜を通して半導体基板１を支えている、クランプに
逃げる。
図を示す。半導体基板１の表面上に形成された厚さ０．
８μｍ のフィールド酸化膜２とそのフィールド酸化膜
２で囲まれた領域」二の厚さ５０〜４００Ａのゲート酸
化膜３と前記ゲート酸化膜３上に形成されたゲート電極
４から成る複数のＰ１４０Ｓ型トランジスタの８Ｄ領域
に選択的に拡散層を形成する為に、まず、第２１凶に示
す様に半導体基板１上に形成されたフィールドｆｆ１２
化膜２を含むＭＯ８型トランジスタ上全面に導電性薄膜
として厚さ１００〜５００Ａの薄いアルミニウム膜２を
蒸着、もしくけスバヴタにより形成し、その後所望する
トランジスタにのみイオン注入する為の厚さ１．５〜２
．０μｍのレジスト３を選択的に形成し、全面に例えば
、エネルギー１０〜３００に−ｅｖのボロンをイオン注
入する。この場合レジスト６、フィールド酸化膜２゜及
びゲート電極４ば、十分な厚さを持つのでボロンイオン
は、レジスト６、フィールド酸化膜２゜ゲート電極４全
通して半導体基板１まで到達せずに、レジスト６、フィ
ールド酸化膜２及びゲート電極４中にトラップｇｆＬる
が、イオンの電荷の一部は、導電性薄膜であるアルミニ
ウム膜を通して半導体基板１を支えている、クランプに
逃げる。
更に、アルミニウム膜５は電界シールド効果を持つので
、たとえレジスト６中に電荷が蓄積しても半導体基板１
との間で放電が起きることはなく、ゲート酸化膜３が破
壊されるおそれは無い。
、たとえレジスト６中に電荷が蓄積しても半導体基板１
との間で放電が起きることはなく、ゲート酸化膜３が破
壊されるおそれは無い。
また、ゲート酸化膜３上のアルミニウム膜５は十分に薄
いので、ボロ／イオンはＭＯＳ）ランシストのＳＤ領領
域注入さ扛る。イオン注入により８Ｄ領域の拡散層形成
後、レジスト６を剥離し、アルミニウム膜５をリン酸で
エツチング除去することによって、第３図の様にＭＯ８
型トランジスタの８Ｄ領域に選択的に拡散層７を形成す
ることができる。
いので、ボロ／イオンはＭＯＳ）ランシストのＳＤ領領
域注入さ扛る。イオン注入により８Ｄ領域の拡散層形成
後、レジスト６を剥離し、アルミニウム膜５をリン酸で
エツチング除去することによって、第３図の様にＭＯ８
型トランジスタの８Ｄ領域に選択的に拡散層７を形成す
ることができる。
他の実施例はＭＯ８型トランジスタのＳＤ領領域選択的
に拡散層を形成する方法に適用したものである。本発明
全適用するＭＯ８型トランジスタの断面図は、実施例１
と同様第１図に示す。第４図は本発明の実施例２の断面
図である。第４図に示す様に半導体基板１上に形成され
たフィールド酸化膜２を含むＭＯ８型トランジスタ全面
に、リン？含むシリコン膜８をコーティング形成し、更
に実施例１と同様レジス）６ｆＣ選択的に形成後全面に
イオン注入することにより、所望するＳＤ領領域拡散層
を形成する。その後、レジスト６を剥離し、更に電気炉
で高温熱処理することにより、第５図に示す様にリンを
含むシリコン膜８は、半導体基板１上に形成されたフィ
ールド領域２．ゲート酸化膜３、及びゲート開極４をカ
バーする安定した絶縁膜９として残す。即ちこの実施例
２では、導電性薄膜であるリン？含むシリコン膜８をイ
オン注入後に熱処理して絶縁膜９と１−で使用するので
安定したゲート酸化膜３と絶縁膜８とを持つＭＯ８型ト
ランジスタのＳＤ領領域拡散層７を選択的に形成でき、
１だ、半導体装置の工程を大幅（（短縮することができ
る。
に拡散層を形成する方法に適用したものである。本発明
全適用するＭＯ８型トランジスタの断面図は、実施例１
と同様第１図に示す。第４図は本発明の実施例２の断面
図である。第４図に示す様に半導体基板１上に形成され
たフィールド酸化膜２を含むＭＯ８型トランジスタ全面
に、リン？含むシリコン膜８をコーティング形成し、更
に実施例１と同様レジス）６ｆＣ選択的に形成後全面に
イオン注入することにより、所望するＳＤ領領域拡散層
を形成する。その後、レジスト６を剥離し、更に電気炉
で高温熱処理することにより、第５図に示す様にリンを
含むシリコン膜８は、半導体基板１上に形成されたフィ
ールド領域２．ゲート酸化膜３、及びゲート開極４をカ
バーする安定した絶縁膜９として残す。即ちこの実施例
２では、導電性薄膜であるリン？含むシリコン膜８をイ
オン注入後に熱処理して絶縁膜９と１−で使用するので
安定したゲート酸化膜３と絶縁膜８とを持つＭＯ８型ト
ランジスタのＳＤ領領域拡散層７を選択的に形成でき、
１だ、半導体装置の工程を大幅（（短縮することができ
る。
以上説明したように、本発明は不純物をイオン注入する
際に、マスクパターンと半導体基板の間に形成された導
電性薄膜で゛電界をシールドすることができる。したが
って、半導体基板に導電性薄膜を形成せずにマスクパタ
ーン全形成する従来の方法と異なり、マスクパターンと
基板との間で放電が起り、薄い酸化膜等を破壊すること
無くイオン注入できる。
際に、マスクパターンと半導体基板の間に形成された導
電性薄膜で゛電界をシールドすることができる。したが
って、半導体基板に導電性薄膜を形成せずにマスクパタ
ーン全形成する従来の方法と異なり、マスクパターンと
基板との間で放電が起り、薄い酸化膜等を破壊すること
無くイオン注入できる。
第１図から第５図は本発明の実施例を工程順に示す断面
図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・フィールド
酸化膜、３・・・・・・ゲート酸化膜、４・・・・・・
ゲート電極、５・・・・・・アルミニウム膜、６・・・
・・・レジスト、７・・・・・・拡散層、８・・・・・
・シリコン膜、９・・・・・・絶縁膜。 ７一
図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・フィールド
酸化膜、３・・・・・・ゲート酸化膜、４・・・・・・
ゲート電極、５・・・・・・アルミニウム膜、６・・・
・・・レジスト、７・・・・・・拡散層、８・・・・・
・シリコン膜、９・・・・・・絶縁膜。 ７一
Claims (1)
- 半導体基板上全面に導電性薄膜を形成する工程と、前記
導電性薄膜上全面にイオン注入時のイオンをマスキング
するマスク材料を形成する工程と、前記マスク材料を必
要な部分を残して除去する工程と、所望する不純物を前
記半導体基板表面にイオン注入する工程を含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19454486A JPS6350015A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19454486A JPS6350015A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6350015A true JPS6350015A (ja) | 1988-03-02 |
Family
ID=16326295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19454486A Pending JPS6350015A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6350015A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02246323A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP19454486A patent/JPS6350015A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02246323A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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