JPS635745B2 - - Google Patents
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- JPS635745B2 JPS635745B2 JP24793483A JP24793483A JPS635745B2 JP S635745 B2 JPS635745 B2 JP S635745B2 JP 24793483 A JP24793483 A JP 24793483A JP 24793483 A JP24793483 A JP 24793483A JP S635745 B2 JPS635745 B2 JP S635745B2
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- JP
- Japan
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- mask
- image
- nozzle
- contour line
- density
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/46—Colour picture communication systems
- H04N1/56—Processing of colour picture signals
- H04N1/60—Colour correction or control
- H04N1/62—Retouching, i.e. modification of isolated colours only or in isolated picture areas only
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/10—Segmentation; Edge detection
- G06T7/12—Edge-based segmentation
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/10—Segmentation; Edge detection
- G06T7/194—Segmentation; Edge detection involving foreground-background segmentation
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/387—Composing, repositioning or otherwise geometrically modifying originals
- H04N1/3872—Repositioning or masking
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/10—Image acquisition modality
- G06T2207/10024—Color image
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Image Analysis (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Editing Of Facsimile Originals (AREA)
- Facsimile Image Signal Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は例えば写真フイルム等における画像の
所要の輪郭線、もしくは漫画、線画パターン等の
線像を追跡してデジタル画像処理することによ
り、該輪郭線もしくは線像と同一形状の画像を記
録する方法に関し、とくに写真製版作業における
「抜きマスク」の作製方法に関する。
所要の輪郭線、もしくは漫画、線画パターン等の
線像を追跡してデジタル画像処理することによ
り、該輪郭線もしくは線像と同一形状の画像を記
録する方法に関し、とくに写真製版作業における
「抜きマスク」の作製方法に関する。
例えば商品カタログを印刷する場合、印刷原画
として使用される商品写真は通常必要な商品画像
部の周囲に背景が撮影されているが印刷物として
はこれらの背景部を消去して商品のみを表示する
ことが多い。
として使用される商品写真は通常必要な商品画像
部の周囲に背景が撮影されているが印刷物として
はこれらの背景部を消去して商品のみを表示する
ことが多い。
抜きマスクは、かかる目的に適用されるもの
で、必要な画像部のみを透明とし、それ以外の部
分を不透明としたフイルムを用い、これを原画又
は複製画像に重畳して写真的に複製することによ
り、不要な背景部を消去した複製画像を得るもの
である。
で、必要な画像部のみを透明とし、それ以外の部
分を不透明としたフイルムを用い、これを原画又
は複製画像に重畳して写真的に複製することによ
り、不要な背景部を消去した複製画像を得るもの
である。
また、ポジ画像からネガ画像を作る場合や、前
記背景部として別の写真画像を使う場合等には、
透明部と不透明部を前記とは逆の関係にした抜き
マスクも使用される。
記背景部として別の写真画像を使う場合等には、
透明部と不透明部を前記とは逆の関係にした抜き
マスクも使用される。
かかる抜きマスクの作製は従来ほとんど手作業
に依存していた。すなわち製図におけるトレース
作業と同様な手法で透明シート上に所要画像部の
輪郭線をたどつて描画し、該輪郭線の外側もしく
は内側を不透明インキで塗りつぶすものであり、
その作業には熟練と長時間を要し、写真製版作業
における大きな障害になつている。
に依存していた。すなわち製図におけるトレース
作業と同様な手法で透明シート上に所要画像部の
輪郭線をたどつて描画し、該輪郭線の外側もしく
は内側を不透明インキで塗りつぶすものであり、
その作業には熟練と長時間を要し、写真製版作業
における大きな障害になつている。
これを改善するために例えば原画を複製した写
真フイルムの遮光必要部を直接不透明インキで塗
りつぶす方法やあるいは、いわゆるピールオフフ
イルムを使用して塗りつぶしの手間を省く方法が
行なわれているが依然として輪郭線描画の手数を
省くことはできない。
真フイルムの遮光必要部を直接不透明インキで塗
りつぶす方法やあるいは、いわゆるピールオフフ
イルムを使用して塗りつぶしの手間を省く方法が
行なわれているが依然として輪郭線描画の手数を
省くことはできない。
また原画撮影の際、背景部を特定の色調に設定
してカラー撮影し、製版用カラースキヤナで該カ
ラー画像を複製する際に背景部の特定色のみを抽
出または消去して所要の抜きマスクを得る方法も
あり、これについては特開昭47−17501号公報に
開示されている。しかしながら、この方法は色相
分割を行うため一般的な撮影を行つた原画からマ
スクを取るには適していない。
してカラー撮影し、製版用カラースキヤナで該カ
ラー画像を複製する際に背景部の特定色のみを抽
出または消去して所要の抜きマスクを得る方法も
あり、これについては特開昭47−17501号公報に
開示されている。しかしながら、この方法は色相
分割を行うため一般的な撮影を行つた原画からマ
スクを取るには適していない。
このような従来方法の不都合を解決するため本
願出願人は特願昭53−131195号（特開昭55−
75846号）をもつて光電変換素子群等の検出素子
による画像輪郭線の自動追跡記録と手作業トレー
スによる描画とを併用する方法をまた特願昭56−
52106号（特開昭57−165836号）をもつてデジタ
イザ等の座標指示装置によつてあらかじめ得られ
た追跡データとイメージセンサー等の撮像装置か
ら得られる画像信号に基づいて抜きマスクを作製
する方法について特許出願している。
願出願人は特願昭53−131195号（特開昭55−
75846号）をもつて光電変換素子群等の検出素子
による画像輪郭線の自動追跡記録と手作業トレー
スによる描画とを併用する方法をまた特願昭56−
52106号（特開昭57−165836号）をもつてデジタ
イザ等の座標指示装置によつてあらかじめ得られ
た追跡データとイメージセンサー等の撮像装置か
ら得られる画像信号に基づいて抜きマスクを作製
する方法について特許出願している。
更に本願出願人は特開昭58−176638に以下の如
くの半自動的な抜マスク作成方法を開示してい
る。すなわちまず抽出されるべき特定画像の近似
的な輪郭線を設定しておき、次に該近似的輪郭線
に沿つて該輪郭線を含む部分画像区画（以下、ノ
ズルという）を設定し、各ノズルの平均濃度レベ
ルをスレシホールドレベルとし該スレシホールド
レベルより高い濃度領域と低い領域の境界を上記
特定画像の輪郭線として、抜きマスク版を作製す
るものである。
くの半自動的な抜マスク作成方法を開示してい
る。すなわちまず抽出されるべき特定画像の近似
的な輪郭線を設定しておき、次に該近似的輪郭線
に沿つて該輪郭線を含む部分画像区画（以下、ノ
ズルという）を設定し、各ノズルの平均濃度レベ
ルをスレシホールドレベルとし該スレシホールド
レベルより高い濃度領域と低い領域の境界を上記
特定画像の輪郭線として、抜きマスク版を作製す
るものである。
しかしながらこの方法はスレシホールドレベル
としてノズルの画像データの平均値を用いている
ので例えば第１図ａの如く輪郭線ａ，ｂ，ｃを境
にして濃度Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ（Ａ＞Ｂ＞Ｃ＞Ｄ）の
領域が接している場合であつて平均濃度をＰと
し、ノズルN′が輪郭線ａ，ｂ，ｃを含んでいる
場合 (1) Ａ＞Ｐ≧Ｂのときはａ (2) Ｂ＞Ｐ≧Ｃのときはｂ (3) Ｃ＞Ｐ≧Ｄのときはｃ という様に輪郭線が一義的に定まつてしまい、例
えばａ、ｂの輪郭線を同時に検出（濃度Ｂの領域
に帯状マスクをかける）することはできない。
としてノズルの画像データの平均値を用いている
ので例えば第１図ａの如く輪郭線ａ，ｂ，ｃを境
にして濃度Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ（Ａ＞Ｂ＞Ｃ＞Ｄ）の
領域が接している場合であつて平均濃度をＰと
し、ノズルN′が輪郭線ａ，ｂ，ｃを含んでいる
場合 (1) Ａ＞Ｐ≧Ｂのときはａ (2) Ｂ＞Ｐ≧Ｃのときはｂ (3) Ｃ＞Ｐ≧Ｄのときはｃ という様に輪郭線が一義的に定まつてしまい、例
えばａ、ｂの輪郭線を同時に検出（濃度Ｂの領域
に帯状マスクをかける）することはできない。
またこの方法は近似的輪郭線に沿つてノズル
N′が設定されるため、実際の輪郭線と該各ノズ
ルの相対位置は第１図ｂに示す如く必ずしも一定
ではない。従つて各ノズルN′−１、N′−２、
N′−３相互の平均濃度レベル（スレシホールド
レベル）が異なると、得られる輪郭線が不連続に
なる場合が生じる。すなわち第１図ｂに於てノズ
ルN′−１では輪郭線ｂを検出し、ノズルN′−２
では輪郭線ａを検出し、ノズルN′−３では輪郭
線ｃを検出する如くになる。
N′が設定されるため、実際の輪郭線と該各ノズ
ルの相対位置は第１図ｂに示す如く必ずしも一定
ではない。従つて各ノズルN′−１、N′−２、
N′−３相互の平均濃度レベル（スレシホールド
レベル）が異なると、得られる輪郭線が不連続に
なる場合が生じる。すなわち第１図ｂに於てノズ
ルN′−１では輪郭線ｂを検出し、ノズルN′−２
では輪郭線ａを検出し、ノズルN′−３では輪郭
線ｃを検出する如くになる。
もちろんこの様に輪郭線が不連続である場合に
は、つなぎ処理を行うわけであるがこのつなぎ処
理は誤差を生ずる虞れがある。
は、つなぎ処理を行うわけであるがこのつなぎ処
理は誤差を生ずる虞れがある。
この発明は上記従来の事情に鑑みて提案された
ものであつて輪郭線をとぎれない様に検出できか
つ帯状画像に対するマスクをも作製することがで
き、更に複雑な輪郭線をも検出できる抜きマスク
版を半自動的に作製する方法を得ることを目的と
するものである。
ものであつて輪郭線をとぎれない様に検出できか
つ帯状画像に対するマスクをも作製することがで
き、更に複雑な輪郭線をも検出できる抜きマスク
版を半自動的に作製する方法を得ることを目的と
するものである。
その要点とするところは表示装置に表示された
抽出されるべき特定画像の輪郭線に沿つて該輪郭
線を含む多数のノズルを設定し、 任意に設定したスレシホールドレベルと各ノズ
ル内の各画素の濃度レベルを比較し、該スレシホ
ールドレベルより高い領域と低い領域の境界を輪
郭線として検出する点にある。
抽出されるべき特定画像の輪郭線に沿つて該輪郭
線を含む多数のノズルを設定し、 任意に設定したスレシホールドレベルと各ノズ
ル内の各画素の濃度レベルを比較し、該スレシホ
ールドレベルより高い領域と低い領域の境界を輪
郭線として検出する点にある。
そしてこの場合、２つのスレシホールドレベル
を設定することによつて２つの異なる濃度領域に
挾まれた、例えば帯状画像の輪郭線をも検出する
ことができる。
を設定することによつて２つの異なる濃度領域に
挾まれた、例えば帯状画像の輪郭線をも検出する
ことができる。
この様にして検出された輪郭線に対する特定の
領域（スレシホールドレベルより濃度が高い、又
は低い領域）を指定することによつて上記特定の
画像の輪郭線の内側又は外側のいずれか一方を塗
り込んだ、又は特定画像の周辺を塗り込んだマス
クデータを得ることができる。
領域（スレシホールドレベルより濃度が高い、又
は低い領域）を指定することによつて上記特定の
画像の輪郭線の内側又は外側のいずれか一方を塗
り込んだ、又は特定画像の周辺を塗り込んだマス
クデータを得ることができる。
まずきわめて単純な場合を例にとつて第２図に
示す如くの濃度Ｅの領域に囲まれた濃度Ｆなる特
定画像I1の輪郭線l1を検出する場合の例について
この発明の原理を説明する。上記濃度Ｅ＜Ｆであ
るとして、まずＥ＜Ｓ＜Ｆなる条件に合う基準濃
度（スレシホールドレベル）Ｓを決定しておく。
そして該スレシホールドレベルＳと全画面の各部
の濃度とを比較し、Ｅ＜Ｓの領域とＳ＜Ｆの領域
の境界を検出することによつて該境界を特定画像
I1の輪郭線l1とすることができる。
示す如くの濃度Ｅの領域に囲まれた濃度Ｆなる特
定画像I1の輪郭線l1を検出する場合の例について
この発明の原理を説明する。上記濃度Ｅ＜Ｆであ
るとして、まずＥ＜Ｓ＜Ｆなる条件に合う基準濃
度（スレシホールドレベル）Ｓを決定しておく。
そして該スレシホールドレベルＳと全画面の各部
の濃度とを比較し、Ｅ＜Ｓの領域とＳ＜Ｆの領域
の境界を検出することによつて該境界を特定画像
I1の輪郭線l1とすることができる。
現実には上記操作は表示装置（例えばCRT表
示装置）上に表示された特定画像I1に対して行わ
れる。この場合前記比較作業は境界線近辺の両領
域の画素に対して行うと時間の短縮を図ることが
できる。そこでこの発明では表示装置上に輪郭線
l1を含むノズル（部分画像区画）Ｎ−ｎを輪郭線
l1に沿つて設定し、該ノズルＮ−ｎの中の各画素
と前記スレシホールドレベルＳとを比較し、各ノ
ズルごとに輪郭線l1を決定する様にしている（部
分濃度差マスク）。マスクデータは上記輪郭線l1
の内側、又は外側のいずれかを塗込んだ状態を表
わすのであるから、この発明に於ては前記Ｅ＜Ｓ
の領域か、Ｓ＜Ｆの領域のいずれかを塗込む様に
予め指示しておくことによつてマスクデータを作
製する様にしている。
示装置）上に表示された特定画像I1に対して行わ
れる。この場合前記比較作業は境界線近辺の両領
域の画素に対して行うと時間の短縮を図ることが
できる。そこでこの発明では表示装置上に輪郭線
l1を含むノズル（部分画像区画）Ｎ−ｎを輪郭線
l1に沿つて設定し、該ノズルＮ−ｎの中の各画素
と前記スレシホールドレベルＳとを比較し、各ノ
ズルごとに輪郭線l1を決定する様にしている（部
分濃度差マスク）。マスクデータは上記輪郭線l1
の内側、又は外側のいずれかを塗込んだ状態を表
わすのであるから、この発明に於ては前記Ｅ＜Ｓ
の領域か、Ｓ＜Ｆの領域のいずれかを塗込む様に
予め指示しておくことによつてマスクデータを作
製する様にしている。
第３図はこの原理を用いて濃度Ｇの領域と濃度
Ｈの領域に挾まれた濃度Ｊ（Ｇ＜Ｊ＜Ｈ）なる画
像I2の輪郭線l2，l3を検出する場合を示すもので
ある。この場合、スレシホールドレベルとしてＧ
＜S(2)＜Ｊなる値と、Ｊ＜S(3)＜Ｈなる値との２つ
を用いて比較を行い、S(2)≦Ｊ≦S(3)なる領域を検
出すればよいことになる。
Ｈの領域に挾まれた濃度Ｊ（Ｇ＜Ｊ＜Ｈ）なる画
像I2の輪郭線l2，l3を検出する場合を示すもので
ある。この場合、スレシホールドレベルとしてＧ
＜S(2)＜Ｊなる値と、Ｊ＜S(3)＜Ｈなる値との２つ
を用いて比較を行い、S(2)≦Ｊ≦S(3)なる領域を検
出すればよいことになる。
以上の原則的な事項に加え、この発明に於ては
多数濃度A′……D′の領域が複雑に入り組んでい
る第４図ａの様な場合にも例えば濃度D′の領域
が正確に抽出できる様にノズルサイズの変更がで
きる様になつている。
多数濃度A′……D′の領域が複雑に入り組んでい
る第４図ａの様な場合にも例えば濃度D′の領域
が正確に抽出できる様にノズルサイズの変更がで
きる様になつている。
すなわち最初に設定したサイズのノズルNaを
そのまま前記３種の濃度の領域が入り組んだ領域
に設定したノズルを用いて輪郭線を検出すると誤
動作を生じる虞れがある。そこで前記ノズルのサ
イズを小さくすると図示の如く正確な輪郭線の検
出を行うことができる。
そのまま前記３種の濃度の領域が入り組んだ領域
に設定したノズルを用いて輪郭線を検出すると誤
動作を生じる虞れがある。そこで前記ノズルのサ
イズを小さくすると図示の如く正確な輪郭線の検
出を行うことができる。
更に抽出画像あるいはその周辺画像の濃度変化
に対応できる様にスレシホールドレベルの変更が
可能な様になつている。
に対応できる様にスレシホールドレベルの変更が
可能な様になつている。
画像によつては、分色イメージ（Ｙ、Ｍ、Ｃ、
Ｋ）の濃度境界線が、輪郭線と一致せず、輪郭線
付近での濃度が一様のものがある。この様な場合
には、他の分色イメージを見て、濃度境界線と輪
郭線が一致している（分色イメージで、該当部分
の輪郭を識別できるもの）分色イメージを捜し、
この分色イメージで、該当部分の切抜き操作を行
なう。
Ｋ）の濃度境界線が、輪郭線と一致せず、輪郭線
付近での濃度が一様のものがある。この様な場合
には、他の分色イメージを見て、濃度境界線と輪
郭線が一致している（分色イメージで、該当部分
の輪郭を識別できるもの）分色イメージを捜し、
この分色イメージで、該当部分の切抜き操作を行
なう。
一例として、第１５図ａ，ｂを用いて説明す
る。
る。
領域１での輪郭線検出は、Ｍ版イメージで行な
う（ａ図参照）。Ｍ版イメージの領域２の部分で
は、背景濃度と画像濃度が同じであるため、輪郭
線の検出ができない。この時に、切抜き対象色版
をＣ版イメージに変更し、マスクの演算モードを
ORにする。続いて、領域２（又は、３）で、輪
郭線を検出する（ｂ図参照）。処理結果をｃ図に
示す。
う（ａ図参照）。Ｍ版イメージの領域２の部分で
は、背景濃度と画像濃度が同じであるため、輪郭
線の検出ができない。この時に、切抜き対象色版
をＣ版イメージに変更し、マスクの演算モードを
ORにする。続いて、領域２（又は、３）で、輪
郭線を検出する（ｂ図参照）。処理結果をｃ図に
示す。
４版共に輪郭が認められない場合は、従来通り
の方法を用いる。例えばスタイラスペンによつて
手入力（描画）する。
の方法を用いる。例えばスタイラスペンによつて
手入力（描画）する。
更にこの発明では上記の如くにして得られるマ
スクデータと既にデイスクメモリに収納されてい
る別のマスクデータ（下地マスクデータ）とを組
合わせて別のマスクデータを作製することができ
る。ここで例えば第５図ａに示す如く、マスクデ
ータMaに下地マスクMbを組合わせる場合を考
えると、MaとMbのマスクデータの論理ORをと
る場合（同図ｂ）、輪理ANDをとる場合（同図
ｃ）、論理XORをとる場合（同図ｄ）を考えるこ
とができる。
スクデータと既にデイスクメモリに収納されてい
る別のマスクデータ（下地マスクデータ）とを組
合わせて別のマスクデータを作製することができ
る。ここで例えば第５図ａに示す如く、マスクデ
ータMaに下地マスクMbを組合わせる場合を考
えると、MaとMbのマスクデータの論理ORをと
る場合（同図ｂ）、輪理ANDをとる場合（同図
ｃ）、論理XORをとる場合（同図ｄ）を考えるこ
とができる。
第６図はこの発明を実施するシステムの概略を
示すものである。
示すものである。
デイスクメモリ４に収納されている画像データ
の中、マスキング処理をする必要のある特定画像
のＹ（イエロー）、Ｍ（マゼンタ）、Ｃ（シアン）、Ｋ
（ブラツク）の各色の画像データをイメージメモ
リ９に収納しさらに下地マスクを用いて作業する
場合には、デイスク４から下地マスクのデータを
マスクメモリ１０（処理用マスクメモリ）に収納
し、該イメージメモリ９および、マスクメモリ１
０に収納されたデータをYMCK信号からRGB信
号への変換機能を備えたＤ／Ａ変換器１１を介し
て表示装置１２に表示する。該表示された画像に
対してデジタイザ１とスタイラスペンを用いて前
述した如く輪郭線ｌに沿つてノズルを設定し、更
にマスク作製手段７を用いて塗込操作をすること
によつてマスクデータを作製し、該マスクデータ
をマスクメモリ１０に収納する様になつている。
このシステム全体はCPU等の中央演算装置５に
よつて管理されており、また中央演算装置５を作
動させるに必要なデータは前述デジタイザ１、キ
ーボード２、シヤフト３、等より与えられる。
の中、マスキング処理をする必要のある特定画像
のＹ（イエロー）、Ｍ（マゼンタ）、Ｃ（シアン）、Ｋ
（ブラツク）の各色の画像データをイメージメモ
リ９に収納しさらに下地マスクを用いて作業する
場合には、デイスク４から下地マスクのデータを
マスクメモリ１０（処理用マスクメモリ）に収納
し、該イメージメモリ９および、マスクメモリ１
０に収納されたデータをYMCK信号からRGB信
号への変換機能を備えたＤ／Ａ変換器１１を介し
て表示装置１２に表示する。該表示された画像に
対してデジタイザ１とスタイラスペンを用いて前
述した如く輪郭線ｌに沿つてノズルを設定し、更
にマスク作製手段７を用いて塗込操作をすること
によつてマスクデータを作製し、該マスクデータ
をマスクメモリ１０に収納する様になつている。
このシステム全体はCPU等の中央演算装置５に
よつて管理されており、また中央演算装置５を作
動させるに必要なデータは前述デジタイザ１、キ
ーボード２、シヤフト３、等より与えられる。
第７図〜第１１図はこのシステムの動作をフロ
ーチヤートで示したものである。
ーチヤートで示したものである。
第７図に於て、まずキーボード２から入力され
る以下のマスク作製条件をマスク作製手段７に設
定する（S1）。
る以下のマスク作製条件をマスク作製手段７に設
定する（S1）。
(1) 対象となる画像（白黒画像及び、カラー画像
を含む）のNO及び特定アドレス、下地マスク
NO及び特定アドレス更にカラー画像の場合
は、切抜き対象色版（Ｙ、Ｍ、Ｃ、Ｋ）を選
ぶ。
を含む）のNO及び特定アドレス、下地マスク
NO及び特定アドレス更にカラー画像の場合
は、切抜き対象色版（Ｙ、Ｍ、Ｃ、Ｋ）を選
ぶ。
(2) 下地マスクとの演算モード
前述の如くORかANDかXORかのいずれか
(3) スレシホールドレベル
標準的なスレシホールドレベルＳを仮設定す
る。
る。
(4) 部分濃度差マスク作製モード（下記の
いずれかを選択） スレシホールドレベルＳがノズル内の画素
濃度より低い場合にその画素に対応するマス
クデータを“０”とし高い場合に“１”とす
るモード スレシホールドレベルＳがノズル内の画素
濃度より高い場合にその画素に対応するマス
クデータを“０”とし低い場合に“１”とす
るモード ノズル内の画素濃度が２つのスレシホール
ドレベルSaとSbの中間である場合に“１”
（又は“０”）とし、該２つのスレシホールド
レベル以上、又は以下であるときには“０”
（又は“１”）とするモード (5) ノズルサイズ 基準となるノズルサイズを入力する 以上の入力を終えたときにオペレータが入力完
了をキーボード２より入力する（S2）と、該中
央演算装置５は第８図に示す様な手順でマスク作
製対象とななる画像データを表示装置１２上に表
示する（S3）。このとき下地マスクが必要であれ
ば該下地マスクと前記対象となる画像データが後
述第１４図の如く共に表示される。すなわち第８
図に示す如くまずデイスクメモリ４に収納されて
いる画像データの中、対象となるYMCK各色版
用の画像データをイメージメモリ９に転送
（S31）し、次に下地マスクが必要である場合
（S32、YES）には前記デイスクメモリ４に収納
されている下地マスクもマスクメモリ１０に転送
し（S33）、下地マスクが必要でない場合
（S32NO）、マスクメモリ１０をクリアして
（S34）、前記イメージメモリ９及びマスクメモリ
１０内のデータを表示装置１２に表示する
（S35）。
いずれかを選択） スレシホールドレベルＳがノズル内の画素
濃度より低い場合にその画素に対応するマス
クデータを“０”とし高い場合に“１”とす
るモード スレシホールドレベルＳがノズル内の画素
濃度より高い場合にその画素に対応するマス
クデータを“０”とし低い場合に“１”とす
るモード ノズル内の画素濃度が２つのスレシホール
ドレベルSaとSbの中間である場合に“１”
（又は“０”）とし、該２つのスレシホールド
レベル以上、又は以下であるときには“０”
（又は“１”）とするモード (5) ノズルサイズ 基準となるノズルサイズを入力する 以上の入力を終えたときにオペレータが入力完
了をキーボード２より入力する（S2）と、該中
央演算装置５は第８図に示す様な手順でマスク作
製対象とななる画像データを表示装置１２上に表
示する（S3）。このとき下地マスクが必要であれ
ば該下地マスクと前記対象となる画像データが後
述第１４図の如く共に表示される。すなわち第８
図に示す如くまずデイスクメモリ４に収納されて
いる画像データの中、対象となるYMCK各色版
用の画像データをイメージメモリ９に転送
（S31）し、次に下地マスクが必要である場合
（S32、YES）には前記デイスクメモリ４に収納
されている下地マスクもマスクメモリ１０に転送
し（S33）、下地マスクが必要でない場合
（S32NO）、マスクメモリ１０をクリアして
（S34）、前記イメージメモリ９及びマスクメモリ
１０内のデータを表示装置１２に表示する
（S35）。
次にイメージメモリ９に収納されている
YMCKの各色版の画像データの中、上記マスク
作成条件(1)で指定された色版の画像データをイン
ターフエース８を介してマスク作製手段７に読出
し得る状態（チヤンネルをオープンにする）を形
成しておく（S4）。
YMCKの各色版の画像データの中、上記マスク
作成条件(1)で指定された色版の画像データをイン
ターフエース８を介してマスク作製手段７に読出
し得る状態（チヤンネルをオープンにする）を形
成しておく（S4）。
次に前記の如くにして表示装置１２の画面に表
示された画像の輪郭線に沿つてデジタイザ１とス
タイラスペンを用いてターゲツトＴを移動させ
（S5）、完了指示は未だ出ていないので（S6無）
該スタイラスペンを押すことによつて
（S7YES）、上記入力ステツプS1で入力された大
きさのノズル（条件(5)）を前述、第２図の如くに
表示装置１２上に表示する。
示された画像の輪郭線に沿つてデジタイザ１とス
タイラスペンを用いてターゲツトＴを移動させ
（S5）、完了指示は未だ出ていないので（S6無）
該スタイラスペンを押すことによつて
（S7YES）、上記入力ステツプS1で入力された大
きさのノズル（条件(5)）を前述、第２図の如くに
表示装置１２上に表示する。
この様子を第１２図に従つて更に詳しく説明す
ると、デジタイザ１上の点（Ｘ・Ｙ）をスタイラ
スペンで押すと、まず該Ｘ、Ｙの値はイメージメ
モリ上の座標値（Xi Yi）変換されS8、該座標値
（Xi Yi）と先に入力されているノズルサイズ
（一辺の巾Ｗ）とに基づいてノズル内の画素走査
開始座標XiO YiOをXiO＝Xi−Ｗ／２ YiO＝Yi− Ｗ／２なる計算で、またノズル内の画素走査終了座 標XiE、YiEをXiE＝Xi＋Ｗ／２ YiE＝Yi＋Ｗ／２で求 め、図示の如くのイメージノズルNiを設定する。
ると、デジタイザ１上の点（Ｘ・Ｙ）をスタイラ
スペンで押すと、まず該Ｘ、Ｙの値はイメージメ
モリ上の座標値（Xi Yi）変換されS8、該座標値
（Xi Yi）と先に入力されているノズルサイズ
（一辺の巾Ｗ）とに基づいてノズル内の画素走査
開始座標XiO YiOをXiO＝Xi−Ｗ／２ YiO＝Yi− Ｗ／２なる計算で、またノズル内の画素走査終了座 標XiE、YiEをXiE＝Xi＋Ｗ／２ YiE＝Yi＋Ｗ／２で求 め、図示の如くのイメージノズルNiを設定する。
以上の処理はマスクメモリに対してもイメージ
メモリと同じアドレスを用いる。即ちマスクノズ
ル、イメージノズルは同じ位置アドレスとなる 以上の如くに設定されたイメージノズルNi又
はマスクノズルNmが表示装置１２の画面上にノ
ズルとして現われる。
メモリと同じアドレスを用いる。即ちマスクノズ
ル、イメージノズルは同じ位置アドレスとなる 以上の如くに設定されたイメージノズルNi又
はマスクノズルNmが表示装置１２の画面上にノ
ズルとして現われる。
以上の如くにして輪郭線に沿つて順次設定され
たイメージノズルＮ内で後述する第９図の如くの
手順で部分濃度差マスクが作製される（S9）。該
部分濃度差マスクの作製が終ると、次に最初に入
力されたマスク作製条件の変更があつた場合には
後述第１０図の如くの手段で該変更された条件に
設定し直す（S10）。上記判断ステツプS7でスタ
イラスペンを押していない場合には上記ステツプ
S8とS9を介さないで直接条件変更を行う。
たイメージノズルＮ内で後述する第９図の如くの
手順で部分濃度差マスクが作製される（S9）。該
部分濃度差マスクの作製が終ると、次に最初に入
力されたマスク作製条件の変更があつた場合には
後述第１０図の如くの手段で該変更された条件に
設定し直す（S10）。上記判断ステツプS7でスタ
イラスペンを押していない場合には上記ステツプ
S8とS9を介さないで直接条件変更を行う。
以上ステツプS5からステツプS10を繰返しなが
ら、特定画像の輪郭線に沿つた部分濃度差マスク
を作製し該作製作業が完了するとオペレータはキ
ーボード２から“完了”指示を入力する。該完了
指示があると（S6：有り）、マスク作成モードに
従つて指定された領域の塗込みを行い（S11）、
この様にして作製したマスクメモリ１０のデータ
をデイスクメモリ４に転送する（S12）。
ら、特定画像の輪郭線に沿つた部分濃度差マスク
を作製し該作製作業が完了するとオペレータはキ
ーボード２から“完了”指示を入力する。該完了
指示があると（S6：有り）、マスク作成モードに
従つて指定された領域の塗込みを行い（S11）、
この様にして作製したマスクメモリ１０のデータ
をデイスクメモリ４に転送する（S12）。
第９図は前記部分濃度差マスク作製ステツプ
S9を更に詳しく現わしたフローチヤートである。
S9を更に詳しく現わしたフローチヤートである。
まず前述の如くステツプS8で得られたイメー
ジノズルの画素走査開始座標XiO、YiO及びマス
クノズルNmの画素走査開始座標XiO、YiOを初期
設定しておく（S91a）、（S91b）。次に最初に設定
した条件(4)の部分濃度差マスク作製モードが前記
のいずれであるかを判定しS92、それぞれ
にモードに従つて各画素ごとのマスクデータを作
製するS93。
ジノズルの画素走査開始座標XiO、YiO及びマス
クノズルNmの画素走査開始座標XiO、YiOを初期
設定しておく（S91a）、（S91b）。次に最初に設定
した条件(4)の部分濃度差マスク作製モードが前記
のいずれであるかを判定しS92、それぞれ
にモードに従つて各画素ごとのマスクデータを作
製するS93。
ここで作製された各画素のマスクデータとは塗
込み部分が論理値“１”であり空白部分が論理値
“０”となるデータであつて該マスクデータは一
旦マスクフラグMKに収納されるS93。
込み部分が論理値“１”であり空白部分が論理値
“０”となるデータであつて該マスクデータは一
旦マスクフラグMKに収納されるS93。
次に下地マスクとの演算モードが入力されてい
るかを判断し（S94）、該モードが入力されてい
ないときは、上記マスクフラグMKの内容をその
ままマスクメモリに収納する（S96）。
るかを判断し（S94）、該モードが入力されてい
ないときは、上記マスクフラグMKの内容をその
ままマスクメモリに収納する（S96）。
いずれかの演算モードが入力されているとき
は、該モードに従つて上記ステツプS93a′、
S93b′、S93c′で得られたマスクフラグMKのデー
タとマスクメモリの各画素データに基づいて第５
図で説明した如く算しS95、その結果をマスクメ
モリ１０の所定アドレスに収納する（S96）。
は、該モードに従つて上記ステツプS93a′、
S93b′、S93c′で得られたマスクフラグMKのデー
タとマスクメモリの各画素データに基づいて第５
図で説明した如く算しS95、その結果をマスクメ
モリ１０の所定アドレスに収納する（S96）。
ステツプS95内の＊マークは演算AND、OR、
XORのいずれか１つを示す。
XORのいずれか１つを示す。
以上のステツプを終了するとイメージメモリ９
とマスクメモリ１０のＸ方向アドレスXi、Xmを
１つずつ進め（S97）、該値がイメージノズルNi
のＸ方向走査終了座標XiEより大きいか否かを判
断し（S98）、Xi≦XiEであるときは上記S92〜
S97のステツプを繰返し、Xi＞XiEなるときはイ
メージメモリのＸ方向アドレスXiと、マスクメ
モリのＸ方向アドレスXmをともにＸ方向走査開
始座標XiOに更新し、更に両メモリのＹ方向アド
レスYi、Ymを１つ進めて（S99）、次に上記Yi
＞YiEであるか否かを判定する（S100）。こここ
でYi≦YiEであれば再びS92のステツプにも戻り、
Yi＞YiEであれば前記S10のステツプ移行する。
とマスクメモリ１０のＸ方向アドレスXi、Xmを
１つずつ進め（S97）、該値がイメージノズルNi
のＸ方向走査終了座標XiEより大きいか否かを判
断し（S98）、Xi≦XiEであるときは上記S92〜
S97のステツプを繰返し、Xi＞XiEなるときはイ
メージメモリのＸ方向アドレスXiと、マスクメ
モリのＸ方向アドレスXmをともにＸ方向走査開
始座標XiOに更新し、更に両メモリのＹ方向アド
レスYi、Ymを１つ進めて（S99）、次に上記Yi
＞YiEであるか否かを判定する（S100）。こここ
でYi≦YiEであれば再びS92のステツプにも戻り、
Yi＞YiEであれば前記S10のステツプ移行する。
第１３図は第１４図ａに示す如く表示装置１２
上に表示された特定画像I3と下地マスクM3から
新しいマスクデータを作製する場合の前記S93か
らステツプS95迄のステツプを１つのノズル内の
全画素について実施した場合の例を更に判りやす
く表わしたものである。
上に表示された特定画像I3と下地マスクM3から
新しいマスクデータを作製する場合の前記S93か
らステツプS95迄のステツプを１つのノズル内の
全画素について実施した場合の例を更に判りやす
く表わしたものである。
いま表示装置１２の画面の特定位置ノズルNin
が設定された場合について考察する。第１３図
ａ，ｂに示す如く、このノズルNinのイメージメ
モリ９のイメージノズルNinに、またマスクメモ
リ１０のマスクノズルNmnに対応するものとす
る。
が設定された場合について考察する。第１３図
ａ，ｂに示す如く、このノズルNinのイメージメ
モリ９のイメージノズルNinに、またマスクメモ
リ１０のマスクノズルNmnに対応するものとす
る。
いま、Ｆ＞Ｓ＞Ｅ（Ｆはノメージ濃度、Ｓはス
レシホールドレベル、Ｅは背景濃度）とするとイ
メージノズルNin内の各画素データの濃度の高低
関係「Ｈ」「Ｌ」は同図ｂのごとくになる。ここ
で部分濃度差マスク作製モードが選択されてい
るものとすると、同図ｃの如くイメージノズル
Ninの画像I3の内部の各画素が塗り込まれた状態
（論理“１”）となり、外部は白抜きの状態（論理
“０”）とつた部分濃度差マスクを得る。
レシホールドレベル、Ｅは背景濃度）とするとイ
メージノズルNin内の各画素データの濃度の高低
関係「Ｈ」「Ｌ」は同図ｂのごとくになる。ここ
で部分濃度差マスク作製モードが選択されてい
るものとすると、同図ｃの如くイメージノズル
Ninの画像I3の内部の各画素が塗り込まれた状態
（論理“１”）となり、外部は白抜きの状態（論理
“０”）とつた部分濃度差マスクを得る。
上記の如くにして得られた新しいマスクデータ
（前述S93′のステツプではフラグMKにに収納さ
れている）は同図ｅの如くのマスクノズルMmn
内のデータと指定の演算モードで演算され、第１
３図ｆの如くの新しいマスクデータが得られこれ
を更にマスクメモリ１０に収納する様になつてい
る。
（前述S93′のステツプではフラグMKにに収納さ
れている）は同図ｅの如くのマスクノズルMmn
内のデータと指定の演算モードで演算され、第１
３図ｆの如くの新しいマスクデータが得られこれ
を更にマスクメモリ１０に収納する様になつてい
る。
ただし上記第１３図、第１４図ではノズル単位
の画像データを、ひとまとめに扱つているが実際
には第９図で説明した如く、１ノズル内の１画素
ずつ処理する様になつている。
の画像データを、ひとまとめに扱つているが実際
には第９図で説明した如く、１ノズル内の１画素
ずつ処理する様になつている。
第１４図ａは更に以上の手順が特定画像I3全体
に対して繰返された状態を示し、同図ｂは第７図
塗込み処理（ステツプS11）まで終つた状態を示
している。
に対して繰返された状態を示し、同図ｂは第７図
塗込み処理（ステツプS11）まで終つた状態を示
している。
第１０図は第７図に於て説明した条件変更検出
のステツプS10を更に詳しく示したものである。
まずキーボードから変更指示される条件をステツ
プS101〜S103で処理する。すなわち切抜き色版
の変更であつた場合には新たに選択された色版の
イメージメモリ９とマスク作製手段７とのチヤン
ネルをオープンにする（ステツプ１０１ａ，１０
１ｂ）。演算モードの変更があつたとき新たに選
択された演算モードをマスク作製手段７に設定す
る（ステツプ１０２ａ，１０２ｂ）。マスク作製
モードの変更指示があつたときには新たに選択さ
れたマスク作製モードをマスク作製手段７に設定
する（ステツプ103a、103b）。
のステツプS10を更に詳しく示したものである。
まずキーボードから変更指示される条件をステツ
プS101〜S103で処理する。すなわち切抜き色版
の変更であつた場合には新たに選択された色版の
イメージメモリ９とマスク作製手段７とのチヤン
ネルをオープンにする（ステツプ１０１ａ，１０
１ｂ）。演算モードの変更があつたとき新たに選
択された演算モードをマスク作製手段７に設定す
る（ステツプ１０２ａ，１０２ｂ）。マスク作製
モードの変更指示があつたときには新たに選択さ
れたマスク作製モードをマスク作製手段７に設定
する（ステツプ103a、103b）。
次にターゲツト点のイメージ濃度スレシホール
ドレベルＳをモニター１２に表示し（ステツプ
104）スレシホールドレベルＳの変更がシヤフト
３からあつたときは新たに選択されたレベルをマ
スク作製手段７に設定する。この場合スレシホー
ルドレベルが１つである場にはシヤフト３ａのみ
を用い第３図に示す如くの帯域切抜きを行う場合
にスレシホールドレベルの上下限を変更する必要
がある場合には、シヤフト３−ａと３−ｂを用い
る（ステツプ105、106）。更にシヤフト３ｃを用
いてノズルサイズの変更があつたときには新たな
ノズルサイズをマスク作製手段７に設定する
（S107）。
ドレベルＳをモニター１２に表示し（ステツプ
104）スレシホールドレベルＳの変更がシヤフト
３からあつたときは新たに選択されたレベルをマ
スク作製手段７に設定する。この場合スレシホー
ルドレベルが１つである場にはシヤフト３ａのみ
を用い第３図に示す如くの帯域切抜きを行う場合
にスレシホールドレベルの上下限を変更する必要
がある場合には、シヤフト３−ａと３−ｂを用い
る（ステツプ105、106）。更にシヤフト３ｃを用
いてノズルサイズの変更があつたときには新たな
ノズルサイズをマスク作製手段７に設定する
（S107）。
第１１図は前記ステツプ105〜107に於ける変化
分検出処理１０５ａ，１０６ａ，１０７ａの詳細
を示したものである。
分検出処理１０５ａ，１０６ａ，１０７ａの詳細
を示したものである。
まず最初にシヤフト３のポジシヨン値Ｐ（例え
ば出力電圧に換算した値）を読み（S111）、前回
のポジシヨン値P′との差（変化分）ΔPを求める
（S112）。該変化分ΔPを単位量（単位ポジシヨン
値に対応するスレシホールドレベル又はノズルサ
イズ）Ｓで除してスレシホールドレベル又はノズ
ルサイズの変化分ΔQを算出する（S113）。次に
該変化分ΔQと前回のスレシホールドレベル又は
ノズルサイズQ′とを加算して新たなスレシホー
ルドレベル又はノズルサイズの値を得る
（S114）。
ば出力電圧に換算した値）を読み（S111）、前回
のポジシヨン値P′との差（変化分）ΔPを求める
（S112）。該変化分ΔPを単位量（単位ポジシヨン
値に対応するスレシホールドレベル又はノズルサ
イズ）Ｓで除してスレシホールドレベル又はノズ
ルサイズの変化分ΔQを算出する（S113）。次に
該変化分ΔQと前回のスレシホールドレベル又は
ノズルサイズQ′とを加算して新たなスレシホー
ルドレベル又はノズルサイズの値を得る
（S114）。
次にこの様にして得られた新たなスレシホール
ドレベル又はノズルサイズＱの上下限を判断し、
上限値以上又は下限値以下であれば該上限値又は
下限値を新たなスレシホールドレベルＳ、又はノ
ズルサイズＷとする（S116）。スレシホールドレ
ベル（Ｓ）についてはモニター１２の表示を更新
する（S117）。
ドレベル又はノズルサイズＱの上下限を判断し、
上限値以上又は下限値以下であれば該上限値又は
下限値を新たなスレシホールドレベルＳ、又はノ
ズルサイズＷとする（S116）。スレシホールドレ
ベル（Ｓ）についてはモニター１２の表示を更新
する（S117）。
下地マスクがあつてスレシホールドレベルの設
定が適切でなかつたのでノズル内の画像輪郭形状
を変更したいとき、スレシホールドレベルを変更
して輪郭形状を変更すると、下地マスクの１部が
消える。このときは下地マスクを再度読み出せば
よい。
定が適切でなかつたのでノズル内の画像輪郭形状
を変更したいとき、スレシホールドレベルを変更
して輪郭形状を変更すると、下地マスクの１部が
消える。このときは下地マスクを再度読み出せば
よい。
マスクメモリを例えば３枚もち下地マスク用、
部分濃度差用マスクメモリと合成マスクメモリを
もつてもよい。
部分濃度差用マスクメモリと合成マスクメモリを
もつてもよい。
又マスクメモリ２枚のときは、部分濃度差用マ
スクメモリを確認しながら下地マスクメモリに転
送してもよい。
スクメモリを確認しながら下地マスクメモリに転
送してもよい。
上記実施例は正方形であつたが円でもよい。例
えば前もつて円のノズルを別に作つておき、正方
形のノズルとANDをとればよい。
えば前もつて円のノズルを別に作つておき、正方
形のノズルとANDをとればよい。
以上説明した如く、この発明は任意に設定した
スレシホールドレベルと特定画像の輪郭線の両側
の濃度とを比較することによつて該輪郭線を作成
する様になつているので特定画像及び周辺画像の
濃度変化に応じて上記スレシホールドレベルを変
化させて所望の特定画像の輪郭線を検出すること
ができ、さらに２種のスレシホールドを用いるこ
とによつて２種の濃度領域に挾まれた例えば帯状
画像の輪郭線をも抽出することができる効果を有
している。
スレシホールドレベルと特定画像の輪郭線の両側
の濃度とを比較することによつて該輪郭線を作成
する様になつているので特定画像及び周辺画像の
濃度変化に応じて上記スレシホールドレベルを変
化させて所望の特定画像の輪郭線を検出すること
ができ、さらに２種のスレシホールドを用いるこ
とによつて２種の濃度領域に挾まれた例えば帯状
画像の輪郭線をも抽出することができる効果を有
している。
さらに切抜対象が木や森、欄間等画像の中に抜
けがある場合、ターゲツトを画像内部に移動し、
ノズルサイズを適当に決めて、この発明を実行す
ることにより簡単に作成できる。塗り込みは、抜
け内部には入つていかないようになつているのは
いうまでもない。
けがある場合、ターゲツトを画像内部に移動し、
ノズルサイズを適当に決めて、この発明を実行す
ることにより簡単に作成できる。塗り込みは、抜
け内部には入つていかないようになつているのは
いうまでもない。
細い抜けが画像内部に多数ある場合は全面にタ
ーゲツトを移動してもよい。
ーゲツトを移動してもよい。
更に原画の輪郭部濃度は、実施例に示した様に
濃度差のはつきりしたものでは大きいノズルを選
ぶことができ能率はより向上する。原画の輪郭濃
度が徐々に変化する場合はスレシホールドレベル
をこまかく変化させることにより、必要とする輪
郭を得ることができる。この作業は複雑にみえる
が、従来方法ではこまかくスタイラスペンでなぞ
つていたものをノズルという広い範囲で輪郭決定
できるので、作業能率は著しく向上する。
濃度差のはつきりしたものでは大きいノズルを選
ぶことができ能率はより向上する。原画の輪郭濃
度が徐々に変化する場合はスレシホールドレベル
をこまかく変化させることにより、必要とする輪
郭を得ることができる。この作業は複雑にみえる
が、従来方法ではこまかくスタイラスペンでなぞ
つていたものをノズルという広い範囲で輪郭決定
できるので、作業能率は著しく向上する。
第１図は従来の抜マスク作製方法を示す図、第
２図はこの発明を実施して抜マスクを作製する過
程を示した図、第３図はこの発明を実施して帯状
の抜マスクを作製する様子を示した図、第４図は
ノズルサイズを変更してマスクを作製する過程を
示す図、第５図は現在作製されているマスクと下
地マスクとの関係を示す図、第６図はこの発明を
実施するシステム図、第７図は第６図に示したシ
ステムの動作を示すフローチヤート、第８図は第
７図の初期設定を更に詳しく示すフローチヤー
ト、第９図は第７図の部分濃度差マスク作製のス
テツプを更に詳しく示すフローチヤート、第１０
図は第９図の条件変更ステツプを更に詳しく示し
たフローチヤート、第１１図は第１０図に示した
変化分検出ステツプを更に詳しく示したフローチ
ヤート、第１２図はイメージメモリ及びマスクメ
モリ内にノズルが設定される様子を示す図、第１
３図は部分濃度差マスクデータが作製される過程
を示す図、第１４図はマスクデータが作製される
図、第１５図は色版選択変更によりマスクデータ
を得ることを説明する図である。
２図はこの発明を実施して抜マスクを作製する過
程を示した図、第３図はこの発明を実施して帯状
の抜マスクを作製する様子を示した図、第４図は
ノズルサイズを変更してマスクを作製する過程を
示す図、第５図は現在作製されているマスクと下
地マスクとの関係を示す図、第６図はこの発明を
実施するシステム図、第７図は第６図に示したシ
ステムの動作を示すフローチヤート、第８図は第
７図の初期設定を更に詳しく示すフローチヤー
ト、第９図は第７図の部分濃度差マスク作製のス
テツプを更に詳しく示すフローチヤート、第１０
図は第９図の条件変更ステツプを更に詳しく示し
たフローチヤート、第１１図は第１０図に示した
変化分検出ステツプを更に詳しく示したフローチ
ヤート、第１２図はイメージメモリ及びマスクメ
モリ内にノズルが設定される様子を示す図、第１
３図は部分濃度差マスクデータが作製される過程
を示す図、第１４図はマスクデータが作製される
図、第１５図は色版選択変更によりマスクデータ
を得ることを説明する図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 原稿を光電走査して得た画像データを一旦イ
メージメモリに収納し、次に該イメージメモリか
ら読出して画像表示装置に表示し、上記画像表示
装置に現われた抽出されるべき特定画像の輪郭線
を含む部分領域を設定し、該部分領域内の各画素
濃度と任意に設定しうるようにした基準濃度とを
比較することによつて上記特定画像の輪郭線を検
出し、該輪郭線に沿つた抜きマスクを作製する抜
きマスク版の作製方法。 ２ 各ノズルに応じて基準濃度（スレシホール
ド・レベル）を任意に変更しながら、抜きマスク
を作製する特許請求の範囲第１項に記載の抜きマ
スク版の作製方法。 ３ ノズルを輪郭線に沿つて連続的に設定すると
きノズルの大きさを任意に変えることによつて、
部分領域を形成する特許請求の範囲第１項に記載
の抜きマスク版の作製方法。 ４ 部分領域内の各画素濃度と設定しうる様にし
たスレシホールドレベルとの比較方法を必要に応
じて選択して、輪郭線に沿つた抜きマスクを作製
する特許請求の範囲第１項に記載の抜きマスク版
の作製方法。 ５ 切抜き対象色版を必要に応じて選択しなが
ら、抜きマスクを作製する特許請求の範囲第１項
に記載の抜きマスク版の作製方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58247934A JPS60143341A (ja) | 1983-12-30 | 1983-12-30 | 抜きマスク版の作製方法 |
| GB848430656A GB8430656D0 (en) | 1983-12-30 | 1984-12-05 | Image extraction mask |
| DE19843446898 DE3446898A1 (de) | 1983-12-30 | 1984-12-21 | Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer bildauszugsmaske im zuge einer elektronischen bildreproduktion |
| GB08432727A GB2153181B (en) | 1983-12-30 | 1984-12-28 | Image extraction mask production |
| US07/136,482 US4868884A (en) | 1983-12-30 | 1987-12-21 | Image extraction mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58247934A JPS60143341A (ja) | 1983-12-30 | 1983-12-30 | 抜きマスク版の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60143341A JPS60143341A (ja) | 1985-07-29 |
| JPS635745B2 true JPS635745B2 (ja) | 1988-02-04 |
Family
ID=17170726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58247934A Granted JPS60143341A (ja) | 1983-12-30 | 1983-12-30 | 抜きマスク版の作製方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4868884A (ja) |
| JP (1) | JPS60143341A (ja) |
| DE (1) | DE3446898A1 (ja) |
| GB (2) | GB8430656D0 (ja) |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8601652D0 (en) * | 1986-01-23 | 1986-02-26 | Crosfield Electronics Ltd | Digital image processing |
| WO1988009098A1 (fr) * | 1987-05-12 | 1988-11-17 | Konica Corporation | Procede et dispositif de traitement d'images |
| US5259041A (en) * | 1987-05-12 | 1993-11-02 | Konica Corporation | Image processing method and apparatus |
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