JPS6363728A - 高誘電体樹脂 - Google Patents
高誘電体樹脂Info
- Publication number
- JPS6363728A JPS6363728A JP61205907A JP20590786A JPS6363728A JP S6363728 A JPS6363728 A JP S6363728A JP 61205907 A JP61205907 A JP 61205907A JP 20590786 A JP20590786 A JP 20590786A JP S6363728 A JPS6363728 A JP S6363728A
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- Japan
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- resin
- titanate
- capacitor
- stannate
- high dielectric
- Prior art date
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- Granted
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明はセラミックスコンデンサやフィルタなどに好適
な高誘電体樹脂に関する。
な高誘電体樹脂に関する。
（従来の技術）
セラミックス誘電体部材は主にコンデンサやフィルタな
どに使用されるが、例えばチタン酸バリウム（ＢａＴｉ
Ｏｓ）の場合につき述べると、一般に第５図に示すよう
に、板状に形成したセラミックス誘電体部材からなるセ
ラミックス素子（１）の対向面（２）、 ｔ３）に金属
をメッキあるいは蒸着などにより被着して電極（４）、
（５）を設けてコンデンサを形成している。このような
コンデンサは第４図に示す二うに非常に多工程を経て製
品となる。略述すると、素原料である酸化チタン粉末と
炭酸バリウム粉末とを混合粉砕し、仮焼、微粉砕してチ
タン酸バリウムからなる仮焼原料を作り、これにバイン
ダ。
どに使用されるが、例えばチタン酸バリウム（ＢａＴｉ
Ｏｓ）の場合につき述べると、一般に第５図に示すよう
に、板状に形成したセラミックス誘電体部材からなるセ
ラミックス素子（１）の対向面（２）、 ｔ３）に金属
をメッキあるいは蒸着などにより被着して電極（４）、
（５）を設けてコンデンサを形成している。このような
コンデンサは第４図に示す二うに非常に多工程を経て製
品となる。略述すると、素原料である酸化チタン粉末と
炭酸バリウム粉末とを混合粉砕し、仮焼、微粉砕してチ
タン酸バリウムからなる仮焼原料を作り、これにバイン
ダ。
添加物を混合して粉砕し、所定の形に成形して焼成しセ
ラミックス素子（１）を作り、これに塗布、焼付けなど
により両面に電極（４）、 ＜５）を被着し、これに端
子（７）、 Ｃ８）をはんだ付けした後、樹脂塗装をし
てセラミックスコンデンサが完成する。このように非常
に多工程を経るので、コストが高く、これの簡素化が要
望されている。これに対して第６図に示すように、射出
成形により熱可塑性樹脂（９）で封入した形式のものは
、製造工程は非常に簡素化されるが、樹脂自体の誘電本
書が４程度であるため静電容量Ｃが小さい。この不都合
を解決するため、表面積を大きくするか、もしくは電極
間隙を小さくしなければならないが、表面積を大にする
と、スペース的に問題が生じる。また電極間隙を小さく
すると、樹脂（９）がその間に充填されにくくなり、ま
た高耐電圧において使用する場合、極間をせまくすると
、リークを流が発生しやすくなる０結局このような生産
性の高い方法を用いると、小形化とか性能の向上に対し
て制約があるという不都合がある。
ラミックス素子（１）を作り、これに塗布、焼付けなど
により両面に電極（４）、 ＜５）を被着し、これに端
子（７）、 Ｃ８）をはんだ付けした後、樹脂塗装をし
てセラミックスコンデンサが完成する。このように非常
に多工程を経るので、コストが高く、これの簡素化が要
望されている。これに対して第６図に示すように、射出
成形により熱可塑性樹脂（９）で封入した形式のものは
、製造工程は非常に簡素化されるが、樹脂自体の誘電本
書が４程度であるため静電容量Ｃが小さい。この不都合
を解決するため、表面積を大きくするか、もしくは電極
間隙を小さくしなければならないが、表面積を大にする
と、スペース的に問題が生じる。また電極間隙を小さく
すると、樹脂（９）がその間に充填されにくくなり、ま
た高耐電圧において使用する場合、極間をせまくすると
、リークを流が発生しやすくなる０結局このような生産
性の高い方法を用いると、小形化とか性能の向上に対し
て制約があるという不都合がある。
（発明が解決しようとする問題点）
上記したように、樹脂で封入したコンデンサは小形化、
性捕同上に制約があるという不都合があった。
性捕同上に制約があるという不都合があった。
本発明は上述の不都合を除去するためになされたもので
、射出成形により工程の簡素化を計るとともに、小形で
性能の向上したコンデンサが得られる高誘電体樹脂を提
供することを目的とする。
、射出成形により工程の簡素化を計るとともに、小形で
性能の向上したコンデンサが得られる高誘電体樹脂を提
供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、射出成形可能な樹脂に粉体状もしくは繊維状
のセラミックス誘電体部材を練込んだ高誘電体樹脂であ
る。
のセラミックス誘電体部材を練込んだ高誘電体樹脂であ
る。
（作用）
ベースとなる射出成形可能な樹脂に、セラミックス誘電
体部材を練込むことにより樹脂単体よりもその誘電率を
著しく大としたので、射出成形（こよし生産性を高める
とともに、誘電率が高いので、樹脂の充填可能な電極間
隙を保りても小形で高性能なコンデンサが得られる。
体部材を練込むことにより樹脂単体よりもその誘電率を
著しく大としたので、射出成形（こよし生産性を高める
とともに、誘電率が高いので、樹脂の充填可能な電極間
隙を保りても小形で高性能なコンデンサが得られる。
（実施例）
以下、本発明の詳細を、第１図、第２図、第３図を参照
しながら実施例により説明する。
しながら実施例により説明する。
射出成形可能な樹脂Ｉとして、ポリブチレンテレフタレ
ートとガラス繊維とを重量比で７０：３０としたＰＢＴ
ＧＦ３０％を用いた。これにセラミックス誘電体部材Ｃ
Ｌｚとしてチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ８）の粉体を
体積比でＰＢＴＧＦ３０％とチタン酸バリウムとが第１
の実施例として９０：１０． 第２の実施例として８０
：２０．第３の実施例として７０：３０の割合で混合し
、本発明の実施例として３種類の高誘電体樹脂Ｑ３を得
た。この高誘電体樹脂←Ｑを用いて第１図に示す封入形
のコンデンサ、すなわち高誘電体樹脂αｊに電極（至）
、αｅを封入し、これら電柵αｓ、ｑｅに導線αη、Ｃ
１υをそれぞれ取付けたコンデンサ田を得た。
ートとガラス繊維とを重量比で７０：３０としたＰＢＴ
ＧＦ３０％を用いた。これにセラミックス誘電体部材Ｃ
Ｌｚとしてチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ８）の粉体を
体積比でＰＢＴＧＦ３０％とチタン酸バリウムとが第１
の実施例として９０：１０． 第２の実施例として８０
：２０．第３の実施例として７０：３０の割合で混合し
、本発明の実施例として３種類の高誘電体樹脂Ｑ３を得
た。この高誘電体樹脂←Ｑを用いて第１図に示す封入形
のコンデンサ、すなわち高誘電体樹脂αｊに電極（至）
、αｅを封入し、これら電柵αｓ、ｑｅに導線αη、Ｃ
１υをそれぞれ取付けたコンデンサ田を得た。
このコンデンサ（至）の製造工程を第２図により略述す
る。第２図左側は従来例において述べたセラミックス誘
電体部材αりの粉末、すなわちチタン酸）Ｚ ＩＪウム
（ＢａＴｉ０３）の粉末（平均粒径１μ罵）を得る工程
で従来例と全く同様なので説明は省略する。次に第２図
右側に示すようにこのセラミックス誘電体部材（１３の
粉末を上述したＰＢＴＧＦ３０％のａｔ脂α９に練込む
。この際の練込む割合は各実施例毎に相違するが、これ
は前述したとおりである。
る。第２図左側は従来例において述べたセラミックス誘
電体部材αりの粉末、すなわちチタン酸）Ｚ ＩＪウム
（ＢａＴｉ０３）の粉末（平均粒径１μ罵）を得る工程
で従来例と全く同様なので説明は省略する。次に第２図
右側に示すようにこのセラミックス誘電体部材（１３の
粉末を上述したＰＢＴＧＦ３０％のａｔ脂α９に練込む
。この際の練込む割合は各実施例毎に相違するが、これ
は前述したとおりである。
この練込んだ高誘電体樹脂α３を用いて射出成形により
第１図に示すコンデンサ１ｊが得られる。
第１図に示すコンデンサ１ｊが得られる。
混合物の誘電率εは一般に下記のように計算される。
ｔｏｙ ｇ ＝ Ｘ１Ｌａｙ ｆ、 ４−Ｘ２Ｌａｙ
ｇ２・・−・・・・・・ （１）（１）式でａｌ、＠、
は成分物質の誘電率、Ｘｌ、為 は成分物質の体積分
率である。
ｇ２・・−・・・・・・ （１）（１）式でａｌ、＠、
は成分物質の誘電率、Ｘｌ、為 は成分物質の体積分
率である。
さてチタン酸バリウムは第４図に示すようにその誘電率
ε、は常温で２０００．１２０℃で１００００という高
い値を示し、またＰＢＴＧＦ３０チの樹脂の誘電率へは
常温で４である。第１図に示すコンデンサ（イ）の電極
面積５＝ｌＯｄ、電極間隙ｄ ＝ １ ｃｙＮとし各実
施例における常温における誘電率と静電容量とを計算す
ると、第１表のようになる。
ε、は常温で２０００．１２０℃で１００００という高
い値を示し、またＰＢＴＧＦ３０チの樹脂の誘電率へは
常温で４である。第１図に示すコンデンサ（イ）の電極
面積５＝ｌＯｄ、電極間隙ｄ ＝ １ ｃｙＮとし各実
施例における常温における誘電率と静電容量とを計算す
ると、第１表のようになる。
第 １ 表
この表に示すように本実施例の高誘電体樹脂（１３を用
いたものはポリブチレンテレフタレートガラス俄維３０
チからなる樹脂（Ｌｌ）単体のものに比べ静電容量が大
となる。
いたものはポリブチレンテレフタレートガラス俄維３０
チからなる樹脂（Ｌｌ）単体のものに比べ静電容量が大
となる。
なお、上述の実施例においては、セラミックス誘電体部
材鰺としてチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ，）を用いた
が、その他スズ酸バリウム（Ｂａ Ｓｎ Ｏ，） 。
材鰺としてチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ，）を用いた
が、その他スズ酸バリウム（Ｂａ Ｓｎ Ｏ，） 。
ジルコン戯バリウム（ＢａＺｒＯｌ） 、ジルコン酸カ
ルシウム（ＣａＺｒＯｓ） 、 ｘズ酸カルシウム（Ｃ
ａＳｎＯ３）、チタン酸ストロンチウム（Ｓ ｒ Ｔ
１０３ ） ＋チタン酸鉛（ｐｂ’ｒｉｏ、） ＊ チ
タ７ａ５７タ７ （Ｌａ、Ｏ，，２ＴｉＯ３）、酸化セ
シウム（ＣｅＯ２）、チタン酸カルシｆｙ ム（ＣａＴ
ｉ Ｏ３）、チタン酸マグネシウム（ＭｐＴｉＯ，）
、スズ酸ビスマス＜Ｂｉｔ （８ｎＯｉ）ｓ） ＋チタ
ン酸ビｘ マｘ （Ｂｉ、 （Ｔｉ ０３）３） 。
ルシウム（ＣａＺｒＯｓ） 、 ｘズ酸カルシウム（Ｃ
ａＳｎＯ３）、チタン酸ストロンチウム（Ｓ ｒ Ｔ
１０３ ） ＋チタン酸鉛（ｐｂ’ｒｉｏ、） ＊ チ
タ７ａ５７タ７ （Ｌａ、Ｏ，，２ＴｉＯ３）、酸化セ
シウム（ＣｅＯ２）、チタン酸カルシｆｙ ム（ＣａＴ
ｉ Ｏ３）、チタン酸マグネシウム（ＭｐＴｉＯ，）
、スズ酸ビスマス＜Ｂｉｔ （８ｎＯｉ）ｓ） ＋チタ
ン酸ビｘ マｘ （Ｂｉ、 （Ｔｉ ０３）３） 。
スス酸ニッケル（ＮｉＳｎＯ，）、 ジルコン酸マグネ
シウム（Ｍ７ＺｒＯ，） 、 スズ散マクネ’ｙ ラム
（ＭＰ Ｓｎ Ｏ３） すどを一種または複数種を選択
して練込んでもよい０またペースとなる樹脂αυも熱度
＝性、熱硬化性ｉど射出成形可能なものならよく、セラ
ミックス８電体部材は繊維状でもよい。さらにまた本実
施例はコンデンサにつき説明したが、フィルタに適用し
てもよりよいことはもちろんである。
シウム（Ｍ７ＺｒＯ，） 、 スズ散マクネ’ｙ ラム
（ＭＰ Ｓｎ Ｏ３） すどを一種または複数種を選択
して練込んでもよい０またペースとなる樹脂αυも熱度
＝性、熱硬化性ｉど射出成形可能なものならよく、セラ
ミックス８電体部材は繊維状でもよい。さらにまた本実
施例はコンデンサにつき説明したが、フィルタに適用し
てもよりよいことはもちろんである。
以上詳述したように、本発明の高誘電体樹脂は、射出成
形可能な樹脂にセラミックス誘電体部材を練込んで構成
したので、誘電率が窩り、射出成形も可能なので、製造
工程が簡単になり、原価低減、生産性向上に益するとこ
ろ極めて犬である。
形可能な樹脂にセラミックス誘電体部材を練込んで構成
したので、誘電率が窩り、射出成形も可能なので、製造
工程が簡単になり、原価低減、生産性向上に益するとこ
ろ極めて犬である。
また従来の樹脂に比べ誘電率が大なので、コンデンサの
１電榎面積、ｔ！極間隙ともに小さくできるので、小形
高性能なコンデンサを得ることができる。
１電榎面積、ｔ！極間隙ともに小さくできるので、小形
高性能なコンデンサを得ることができる。
また十分電極間隙を設定したものは耐電圧、容量ともに
大なものが得られる０
大なものが得られる０
第１図は本発明の各実施例を用いて製作したコンデンサ
の縦断面図、第２図は同じく各実施例を用いたコンデン
サの製造工程のチャート図、第３図は同じく各実施例に
用いたチタン酸バリウムの誘電率と温度との関係を示す
線図、第４図は従来のコンデンサの斜視図、第５図は同
じくコンデンサの製造工程のチャート図、第６図は同じ
くコンデンサの縦断面図である。 Ｉ・・・樹弓旨、（Ｌ３・・・セラミックス誘電体部材
。 αｊ・・・高誘電体樹脂。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第２図 ダ１１Ｌ（°Ｃン 第 ３ 図 ■ゴロ 第６図 圓】口 ４ 図 第５図
の縦断面図、第２図は同じく各実施例を用いたコンデン
サの製造工程のチャート図、第３図は同じく各実施例に
用いたチタン酸バリウムの誘電率と温度との関係を示す
線図、第４図は従来のコンデンサの斜視図、第５図は同
じくコンデンサの製造工程のチャート図、第６図は同じ
くコンデンサの縦断面図である。 Ｉ・・・樹弓旨、（Ｌ３・・・セラミックス誘電体部材
。 αｊ・・・高誘電体樹脂。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第２図 ダ１１Ｌ（°Ｃン 第 ３ 図 ■ゴロ 第６図 圓】口 ４ 図 第５図
Claims (2)
- （１）射出成形可能な樹脂に粉体状もしくは繊維状のセ
ラミックス誘電体部材を練込んだことを特徴とする高誘
電体樹脂。 - （２）セラミックス誘電体部材はチタン酸バリウム（Ｂ
ａＴｉＯ＿３）、スズ酸バリウム（ＢａＳｎＯ＿３）、
ジルコン酸バリウム（ＢａＺｒＯ＿３）、ジルコン酸カ
ルシウム（ＣａＺｒＯ＿３）、スズ酸カルシウム（Ｃａ
ＳｎＯ＿３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ＿
３）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ＿３）、チタン酸ランタ
ン（Ｌａ＿２Ｏ＿３・２ＴｉＯ＿２）、酸化セシウム（
ＣｅＯ＿２）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ＿３）
、チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉＯ＿３）、スズ酸ビ
スマス（Ｂｉ＿２（ＳｎＯ＿３）＿３）、チタン酸ビス
マス（Ｂｉ＿２（ＴｉＯ＿３）＿３）、スズ酸ニッケル
（ＮｉＳｎＯ＿３）、ジルコン酸マグネシウム（ＭｇＺ
ｒＯ＿３）、スズ酸マグネシウム（ＭｇＳｎＯ＿３）の
中の一種もしくは複数種からなることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の高誘電体樹脂。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61205907A JPH0770410B2 (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61205907A JPH0770410B2 (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6363728A true JPS6363728A (ja) | 1988-03-22 |
| JPH0770410B2 JPH0770410B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=16514728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61205907A Expired - Lifetime JPH0770410B2 (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770410B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5962122A (en) * | 1995-11-28 | 1999-10-05 | Hoechst Celanese Corporation | Liquid crystalline polymer composites having high dielectric constant |
| US5965273A (en) * | 1997-01-31 | 1999-10-12 | Hoechst Celanese Corporation | Polymeric compositions having a temperature-stable dielectric constant |
| GB2337756A (en) * | 1998-05-29 | 1999-12-01 | Nokia Mobile Phones Ltd | Composite injection mouldable material; antennae |
| US6476774B1 (en) | 1998-05-29 | 2002-11-05 | Nokia Mobile Phones Limited | Composite injection mouldable material |
| KR100447874B1 (ko) * | 2000-10-16 | 2004-09-08 | 삼화콘덴서공업주식회사 | 전력선통신에서의 통신신호를 커플링하는 유전체 세라믹캐패시터의 제조방법 |
| WO2009024920A3 (en) * | 2007-08-20 | 2009-05-22 | Sabic Innovative Plastics Ip | High dielectric constant thermoplastic composition, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
| CN102101775A (zh) * | 2010-12-08 | 2011-06-22 | 汕头高新区松田实业有限公司 | 一种低损耗高压陶瓷电容器介质 |
-
1986
- 1986-09-03 JP JP61205907A patent/JPH0770410B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5962122A (en) * | 1995-11-28 | 1999-10-05 | Hoechst Celanese Corporation | Liquid crystalline polymer composites having high dielectric constant |
| US5965273A (en) * | 1997-01-31 | 1999-10-12 | Hoechst Celanese Corporation | Polymeric compositions having a temperature-stable dielectric constant |
| GB2337756A (en) * | 1998-05-29 | 1999-12-01 | Nokia Mobile Phones Ltd | Composite injection mouldable material; antennae |
| GB2337756B (en) * | 1998-05-29 | 2002-08-28 | Nokia Mobile Phones Ltd | Composite injection mouldable material |
| US6476774B1 (en) | 1998-05-29 | 2002-11-05 | Nokia Mobile Phones Limited | Composite injection mouldable material |
| KR100447874B1 (ko) * | 2000-10-16 | 2004-09-08 | 삼화콘덴서공업주식회사 | 전력선통신에서의 통신신호를 커플링하는 유전체 세라믹캐패시터의 제조방법 |
| WO2009024920A3 (en) * | 2007-08-20 | 2009-05-22 | Sabic Innovative Plastics Ip | High dielectric constant thermoplastic composition, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
| CN102101775A (zh) * | 2010-12-08 | 2011-06-22 | 汕头高新区松田实业有限公司 | 一种低损耗高压陶瓷电容器介质 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0770410B2 (ja) | 1995-07-31 |
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