JPH03269846A - 光ディスク複製用スタンパの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レーザーディスク、コンパクトディスク等の
光ディスク複製用スタンパの製造方法に関する。

［従来の技術］ 従来、光ディスク複製用スタンパの製造においては、マ
スターまたはマザーを剥離皮膜処理後、Ｎｉめっきして
マスターまたはマザーより剥離してマザーまたはサンを
得ていた。しかし、この方法では、めっき液中に含まれ
ている不純物が放電して析出するため、マザーまたはサ
ンの表面に欠陥が生じていた。この問題を解決する方法
として、特開昭６０−１９７９５９号公報に記載のマス
ターまたはマザーを剥離皮膜処理後、剥離皮膜処理面に
真空蒸着法やスパッタリングによるＮｉの接触転写層を
形成する方法が提案されている。

［課題を解決するための手段］ ところが、第３図に示すように剥離皮膜処理後のマスタ
ー７の最表面は活性状態のＮｉ水酸化物層であるため、
その上にスパッタリングして接触転写層９を形成し、通
常のＮｉめっき（浴温５０℃）を行うと、浴温が高いた
め活性状態のＮｉ水酸化物層のＯＨ基がガス化し、体積
膨張して接触転写層９が圧力を受けて孔１１が発生する
。その結果、マスター７から剥離して得たマザー１２の
表面には多数の凹み１３が生じてスタンパの品質が著し
く低下するという問題があった。

さらに、めっき応力によりマザー１２の外周の一部また
は全部が自然剥離するので、剥離している部分よりめっ
き液が浸入してマザー１２の情報転写面にじみができ、
また裏打ちによる加圧でビットの先端がつぶれ形状転写
性が低下する等、スタンパの品質が著しく低下するとい
う問題もあった。

そしてこれらのことはマザーからサンを得る場合にも当
てはまる。

本発明は上記の点を解決しようとするもので、その目的
は、めっき応力による自然剥離を防止し、かつ表面に凹
みのない高品質のスタンパを製造することにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、光ディスク複製用スタンパ製造工程のマスタ
ーからマザーを複製する際のめっき工程、またはマザー
からサンを複製する際のめっき工程において、マスター
またはマザーを剥離皮膜処理後、該剥離皮膜処理面にＮ
ｉスタッパ膜を形成し、その後、めっき浴の温度を変化
させてめっきし、該マスターまたはマザーから剥離して
マザーまたはサンを得ることを特徴とする光ディスク複
製用スタンパの製造方法に関する。

次に本発明を第１図（ａ）〜（ｆ）に基づいて詳しく説
明する。

まず、リソグラフィー法により微細な凹凸形状を形成し
たガラス基板に導電性皮膜を付与しＮｉめっきを施して
形成されたＮｉマスター１を得る（第１図（ａ））、次
に、第１図（ｂ）に示すようにこのＮｉマスター１の情
報転写面にＮｉ酸化膜の剥離皮膜２を形成する。この剥
離皮膜２は後に複製されるマザーをマスター１から剥離
しやすくするためのもので、このとき、Ｎｉマスター１
の剥離皮膜２の最表面は活性状態のＮｉ水酸化物層とな
る０次に、第１図（ｃ）に示すように剥離皮膜２上にス
パッタリングによってＮｉスパッタ膜３を形成する。こ
れは次のめつき工程の際、めっき液中に含まれる不純物
が放電して剥離皮膜２上に析出し、後に得られるマザー
の表面に凹みが生じるのを防止するためのものである０
次に、第１図（ｄ）に示すようにめっき浴の温度を低温
にしてＮｉめっきを行い初期めっき膜４を形成する。通
常のめっき浴の温度（５０℃）でめっきすると剥離皮膜
２の再表面のＮｉ水酸化物層のＯＨ基がガス化し体積膨
張してＮｉスパッタ膜３に孔が発生するため、低温のめ
っき浴でめっきすることにより孔の発生を防止し、その
後に得られるマザー表面の凹みを防止する。また、めっ
き速度が遅いためＮｉスパッタ膜３に密着性良くめっき
され、めっき応力による自然剥離が防止できる。めっき
浴の温度としては、常温（２０℃）前後が好ましい、常
温以下の場合には、めっき速度が遅く、めっきに時間が
かかりすぎて経済的に問題がある。

また、低温での初期めっき膜４の膜厚としては、５〜１
００μｍが好ましい、膜厚が５μｍ未満の場合には、活
性状態のＮｉ水酸化物層のＯ）１基の体積膨張による凹
みの発生防止には不充分であり、またＮｉスパッタ膜３
に密着性良くめっきするには薄いので初期めっき膜４と
その後のめっき膜５で剥離が発生する。膜厚が１００μ
■を越える場合には、めっきに時間がかかり経済的に問
題がある。

なお、低温でのめっき時には剥離皮膜２の最表面の活性
状態のＮｉ水酸化物層のＯＨ基は不活性化される。

次に、第１図（ｅ）に示すようにめっき浴の温度を上げ
てめっきし、めっき膜５を形成する。この時のめっき浴
の温度は通常の温度で良く、剥離皮膜２の最表面の活性
状態のＮｉ水酸化物層は不活性化されているので、温度
を上げてめっきしても孔の発生は起こらない。

このようにして２段階にわたるめっき後、第１図（ｆ）
に示すようにＮｉマスター１から剥離することによって
Ｎｉマザー６を得る。同様の方法でＮｉマザーからＮｉ
サンを得ることができる。

本発明のめっき工程においては、Ｎｉマザーの表面には
凹みなく、まためっき膜の密着性が良いため、めっき応
力によるＮｉマザーの外周部の自然剥離も起こらないの
で高品質の光ディスク複製用スタンパの製造を可能にす
る。

［実施例Ｊ 次に実施例および比較例を挙げて本発明を説明する。

実施例１ ガラス基板に形成したプリグループパターン上に導体化
膜を形成した後、該導体化膜を陰極としてＮｉめっきを
行い、裏打ちしてマスターを得た。

該マスターを剥離皮膜処理後、スパッタリングでＮｉス
パッタ膜を形成した０次にめっき浴の温度を常温（２０
℃）としてめっきし、膜厚５μ厘のＮＬめっき膜を形成
後、めっき浴の温度を５０℃としてめっきした。めっき
終了後、マスターから剥離してマザーを得た。さらにこ
のマザーから同様にしてサンを得た。

実施例２ 実施例１と同様にしてマスターを得、剥離皮膜処理後、
Ｎｉスパッタ膜を形成した１次に、めっき浴の温度を常
温としてめっきし、膜厚５０μ謳のＮｉめっき膜を形成
後、めっき浴の温度を５０℃としてめっきした。めっき
終了後、マスターから剥離してマザーを得た。さらにこ
のマザーから同様にしてサンを得た。

比較例 実施例１と同様にしてマスターを得、剥離皮膜処理後、
Ｎｉスパッタ膜を形成した。次に、めっき浴の温度を５
０℃としてめっきした。めっき終了後、マスターから剥
離してマザーを得た。さらにこのマザーから同様にして
サンを得た。

但し、めっき浴の組成は、スルファミン酸Ｎｉ４５０　
ｇ／ｎ　、ホウ酸３０ｇ／Ｉ２．界面活性剤０．１ｇ／
Ｉ２゜比重２８Ｂｅ’　、電流密度８　Ａ／ｄ＋ｏ”で
あった。

実施例１．２および比較例でそれぞれ得られたマスター
、マザーおよびサンの欠陥率を第２図に示す。

第２図より、実施例１．２で得られたマスター、マザー
およびサンの欠陥率は低く、複製による欠陥率の上昇は
全く見られなかったが、比較例で得られたマスター、マ
ザーおよびサンは複製によって明らかに欠陥率が上昇し
た。

［発明の効果］ 以上の説明で明らかなように本発明のめっき方法によれ
ば、めっき応力による自然剥離がなく、かつ表面に凹み
のない高品質の光ディスク複製用スタンパを製造するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の製造方法の工程を示す
断面図、第２図は実施例１，２および比較例でそれぞれ
得られたマスター、マザーおよびサンの欠陥率を示すグ
ラフ、第３図（ａ）〜（ｅ）は従来の製造方法の工程を
示す断面図である。 １・・・Ｎｉマスター　　２・・・剥離皮膜、３・・・
Ｎｉスパッタ膜、　４・・・初期めっき膜、５・・・め
っき膜、　　６・・・Ｎｉマザー７・・・Ｎｉマスター
　　８・・・剥離皮膜、９・・・接触転写層、　ｌＯ・
・・めっき層、１１・・・孔、　１２・・・Ｎｉマザー
　　１３・・・凹み第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　光ディスク複製用スタンパ製造工程のマスターからマ
   ザーを複製する際のめっき工程、またはマザーからサン
   を複製する際のめっき工程において、マスターまたはマ
   ザーを剥離皮膜処理後、該剥離皮膜処理面にＮｉスタッ
   パ膜を形成し、その後、めっき浴の温度を変化させてめ
   っきし、該マスターまたはマザーから剥離してマザーま
   たはサンを得ることを特徴とする光ディスク複製用スタ
   ンパの製造方法。