JPS6366175A - ピロン−３−カルボキサミド誘導体の製法 - Google Patents
ピロン−３−カルボキサミド誘導体の製法Info
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- JPS6366175A JPS6366175A JP20965686A JP20965686A JPS6366175A JP S6366175 A JPS6366175 A JP S6366175A JP 20965686 A JP20965686 A JP 20965686A JP 20965686 A JP20965686 A JP 20965686A JP S6366175 A JPS6366175 A JP S6366175A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は４−オキソ−４１−１−ピラン−３−カルボ
キサミド化合物の新規な製造法に閉覆るものである。こ
の発明によって得られる化合物は医薬、農薬あるいはそ
れらの合成中間体としてイエ川である。
キサミド化合物の新規な製造法に閉覆るものである。こ
の発明によって得られる化合物は医薬、農薬あるいはそ
れらの合成中間体としてイエ川である。
（従来技術）
４−オキソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボキサミド化合物
を製造する方法としては、従来いくつかの方法が報告さ
れている。
を製造する方法としては、従来いくつかの方法が報告さ
れている。
そのうち、ジケテンをイソシアナート類あるいは第１級
アミンまたはそのアセ１〜アセプル体または、β−アミ
ノクロトン酸アミド誘導体と反応させて、４−オキソ−
４日−ピラン−３−カルボキサミド化合物を得ている報
告例として、特公昭４５−３１６６３号；薬学雑誌、釘
、 １２１２ （１９６７） ：ケミカル・ファーマ
ス−ティカル・ビュレチン（Ｃｈｅｍ。
アミンまたはそのアセ１〜アセプル体または、β−アミ
ノクロトン酸アミド誘導体と反応させて、４−オキソ−
４日−ピラン−３−カルボキサミド化合物を得ている報
告例として、特公昭４５−３１６６３号；薬学雑誌、釘
、 １２１２ （１９６７） ：ケミカル・ファーマ
ス−ティカル・ビュレチン（Ｃｈｅｍ。
Ｐｈａｒｍ、 Ｂｕｌｌ、 ＞ １９．１４７７（１９
７１）；同誌２０，１３３ （１９７２）；同誌並、２
１２９（１９８０） ；薬学雑誌、ｕ月４０（１９８１
）等がある。しかしながら、これらの方法は、得られる
４−オキソ−４日−ピラン−３−カルボキサミド化合物
が、ピラン環の２位および６位が共にメチル基であり、
かつ５位が水素原子である化合物に限定されるため、こ
の発明の化合物を製造することはてきない。
７１）；同誌２０，１３３ （１９７２）；同誌並、２
１２９（１９８０） ；薬学雑誌、ｕ月４０（１９８１
）等がある。しかしながら、これらの方法は、得られる
４−オキソ−４日−ピラン−３−カルボキサミド化合物
が、ピラン環の２位および６位が共にメチル基であり、
かつ５位が水素原子である化合物に限定されるため、こ
の発明の化合物を製造することはてきない。
また、β−ケトアミド誘導体の２量化によって、４−オ
キソ−４日−ピラン−３−カルボキサミド化合物を得る
方法も知られているがジャナル・オーカニツク・ケミス
トリー（Ｊ、Ｏｒ（］、Ｃｈｅｍ、、２９．３５４８ｒ
１５よび３５５５（１９６／ｌ）ケミカルアブストラク
ツ嬰、２２５６５５（ｌ及び同誌９４．１９１１７７１
ｔｌ）これらの方法で得られる化合物は、ピラン環の２
位および６位の置換基がともに等しいものに限られ、か
つ５位が水素原子である化合物に限定されるため、この
発明の化合物を製造することはできない。
キソ−４日−ピラン−３−カルボキサミド化合物を得る
方法も知られているがジャナル・オーカニツク・ケミス
トリー（Ｊ、Ｏｒ（］、Ｃｈｅｍ、、２９．３５４８ｒ
１５よび３５５５（１９６／ｌ）ケミカルアブストラク
ツ嬰、２２５６５５（ｌ及び同誌９４．１９１１７７１
ｔｌ）これらの方法で得られる化合物は、ピラン環の２
位および６位の置換基がともに等しいものに限られ、か
つ５位が水素原子である化合物に限定されるため、この
発明の化合物を製造することはできない。
以上のように、従来、この発明に含まれる４−オキソ−
４日−ピラン−３−カルボキリミド化合物の一般的な製
造法は知られていない。
４日−ピラン−３−カルボキリミド化合物の一般的な製
造法は知られていない。
（発明の構成）
この発明は一般式（Ｉ）：
ＮＲ３Ｒ３’
Ｒ２−Ｃ＝ＣＨＣＯＮＨＲｔ （Ｉ＞〔式中Ｒ
１は置換基を有していてもよいアリール基または異項環
基であり、Ｒ２は０１〜Ｃ１ｌのアルキル基、低級アル
ケニル基、低級）アルキニル基、シクロアルキル基、低
級アルコキシアルキル基、置換されてもよいアリール基
、置換されてもよいアラルキル基、ハロゲン化アルキル
基、または５もしくは６Ｈの異項環基であり、Ｒ３，Ｒ
３’は水素原子、アルキル基、アラルキル基、ツク［ｌ
アルキル基、アリール基または異項環基を表わす〕の化
合物と、一般式（■）： 〇 〔式中Ｒ４、Ｒ５は水素原子、アルキル基あるいはアリ
ール基またはＲ４およびＲ５が共にアルキル基のときシ
クロアルキル基を形成してもよい。
１は置換基を有していてもよいアリール基または異項環
基であり、Ｒ２は０１〜Ｃ１ｌのアルキル基、低級アル
ケニル基、低級）アルキニル基、シクロアルキル基、低
級アルコキシアルキル基、置換されてもよいアリール基
、置換されてもよいアラルキル基、ハロゲン化アルキル
基、または５もしくは６Ｈの異項環基であり、Ｒ３，Ｒ
３’は水素原子、アルキル基、アラルキル基、ツク［ｌ
アルキル基、アリール基または異項環基を表わす〕の化
合物と、一般式（■）： 〇 〔式中Ｒ４、Ｒ５は水素原子、アルキル基あるいはアリ
ール基またはＲ４およびＲ５が共にアルキル基のときシ
クロアルキル基を形成してもよい。
Ｒ６はＣ１〜Ｃ１１のアルキル基、低級アルケニル基、
低級アルキニル基、シクロアルキル基、低級アルコキシ
アルキル基、置換されていてもよいアリール基、置換さ
れていてもよいアラルキル基、ハロゲン化アルキル基ま
たは５もしくは６員の異項環基、Ｒ７は水素原子、Ｃ１
〜Ｃ１１のアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキ
ニル基、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキル基
、置換されていてもよいアリール基、置換されていても
よいアラルキル基またはハロゲン化アルキル基を表わす
か；あるいはＲ６およびＲ７は一緒に（ＣＨ２）ｍ
（ｍは３または４である） を表わす〕で表される化合
物とを反応させて、一般式〔式中Ｒ１，Ｒ２、Ｒ６，Ｒ
７は上記と同じ〕の化合物を得ることを特徴とｊる４−
オキソ−’Ｉ １−１−ピラン−３−カルボキサミド化
合物の製造法を要旨とする。
低級アルキニル基、シクロアルキル基、低級アルコキシ
アルキル基、置換されていてもよいアリール基、置換さ
れていてもよいアラルキル基、ハロゲン化アルキル基ま
たは５もしくは６員の異項環基、Ｒ７は水素原子、Ｃ１
〜Ｃ１１のアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキ
ニル基、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキル基
、置換されていてもよいアリール基、置換されていても
よいアラルキル基またはハロゲン化アルキル基を表わす
か；あるいはＲ６およびＲ７は一緒に（ＣＨ２）ｍ
（ｍは３または４である） を表わす〕で表される化合
物とを反応させて、一般式〔式中Ｒ１，Ｒ２、Ｒ６，Ｒ
７は上記と同じ〕の化合物を得ることを特徴とｊる４−
オキソ−’Ｉ １−１−ピラン−３−カルボキサミド化
合物の製造法を要旨とする。
一般式（Ｉ＞によって表わされる化合物は、次式（ＩＶ
）で表わされるβ−ヶ１〜アミド誘導体と、Ｒ２−ＣＯ
ＣＩ−１２０ＯＮＩ−ＩＲｌ（ＩＶ）〔式中Ｒ１，Ｒ２
は式（Ｉ＞の中の定義に同じ〕式（Ｖ）で表わされるア
ミンとの脱水縮合反応Ｒ３Ｒ３’ＮＩｌ （Ｖ
） 〔式中Ｒ３，Ｒ３’は式（Ｉ＞中の定義に同じ〕によっ
て得られる。
）で表わされるβ−ヶ１〜アミド誘導体と、Ｒ２−ＣＯ
ＣＩ−１２０ＯＮＩ−ＩＲｌ（ＩＶ）〔式中Ｒ１，Ｒ２
は式（Ｉ＞の中の定義に同じ〕式（Ｖ）で表わされるア
ミンとの脱水縮合反応Ｒ３Ｒ３’ＮＩｌ （Ｖ
） 〔式中Ｒ３，Ｒ３’は式（Ｉ＞中の定義に同じ〕によっ
て得られる。
一般式（Ｉ）および（ＩＩＩ）中のＲ１は、置換基を有
していてもよいアリール基または異項環基を表わす。ア
リール基としてはフェニル基またはナフチル基が含まれ
る。異項環基としては、窒素原子、硫黄原子、Ｍ素原子
から選ばれた１〜３個の異原子を含有する５員環または
６員環の異項環基が含まれ、ことにフリル、テトラヒド
ロフリル、チェニル、デアゾリル、イソチアゾリル、オ
キサシリル、イソオキサシリル、ピラゾリルのような５
員環の基、ピリジル、ピリミジニル、ピラジニル、ピリ
ダジニルのような６員環の基が挙げられる。
していてもよいアリール基または異項環基を表わす。ア
リール基としてはフェニル基またはナフチル基が含まれ
る。異項環基としては、窒素原子、硫黄原子、Ｍ素原子
から選ばれた１〜３個の異原子を含有する５員環または
６員環の異項環基が含まれ、ことにフリル、テトラヒド
ロフリル、チェニル、デアゾリル、イソチアゾリル、オ
キサシリル、イソオキサシリル、ピラゾリルのような５
員環の基、ピリジル、ピリミジニル、ピラジニル、ピリ
ダジニルのような６員環の基が挙げられる。
置換基は、この発明の反応に不活性な基であれば特に限
定されない。置換基の具体例としては、塩素原子、臭素
原子、フッ素原子のようなハロゲン原子；メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチルのようなアルキル
基；メトキシ、エトキシ、プロポキシのようなアルコキ
シ基：メトキシカルボニル、■トキシカルボニルのよう
なアルコキシカルボニル基ニジアノ基、ニトロ基、トリ
フルオロメチル基などが挙げられる。
定されない。置換基の具体例としては、塩素原子、臭素
原子、フッ素原子のようなハロゲン原子；メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチルのようなアルキル
基；メトキシ、エトキシ、プロポキシのようなアルコキ
シ基：メトキシカルボニル、■トキシカルボニルのよう
なアルコキシカルボニル基ニジアノ基、ニトロ基、トリ
フルオロメチル基などが挙げられる。
この発明は、前述のように反応自体に特徴を有するもの
であるか、Ｒ１は最終目的物（たとえば植物の成長抑制
作用を示す農薬、または抗炎症作用を示す医薬）として
有用な観点から選択するのが望ましい。
であるか、Ｒ１は最終目的物（たとえば植物の成長抑制
作用を示す農薬、または抗炎症作用を示す医薬）として
有用な観点から選択するのが望ましい。
式（Ｉ）および（ｎｕ）中のＲ２は０１〜Ｃ１ｌのアル
キル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、シクロ
アルキル基、低級アルコキシアルキル基、置換されても
よいアリール基、置換されてもよいアラルキル基、ハロ
ゲン化アルキル基、５もしくは６員の異項環基を表わす
。
キル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、シクロ
アルキル基、低級アルコキシアルキル基、置換されても
よいアリール基、置換されてもよいアラルキル基、ハロ
ゲン化アルキル基、５もしくは６員の異項環基を表わす
。
低級アルケニル基及び低級アルキニル基には、ビニル、
アリル、イソプロペニル、２−ブテニル１．３−ブタジ
ェニル、２−ペンテニル、１．／１−ペンタジェニル、
１，６−へブタジェニル、１−へキセニル、エチニル、
２−ブ［１ビニルなどが含まれる。
アリル、イソプロペニル、２−ブテニル１．３−ブタジ
ェニル、２−ペンテニル、１．／１−ペンタジェニル、
１，６−へブタジェニル、１−へキセニル、エチニル、
２−ブ［１ビニルなどが含まれる。
シクロアルキル基には、シフロブ［１ピル、シクロペン
チルまたはシクロヘキシル基などが含まれる。
チルまたはシクロヘキシル基などが含まれる。
ハロゲン化アルキル基には、トリフルオロメチル、クロ
ルメチル基などが含まれる。
ルメチル基などが含まれる。
低級アルコキシアルキル基には、メｌ〜キシメヂル、工
１〜キシメチル、プロポキシメチル、ブトキシメチル基
などが含まれる。
１〜キシメチル、プロポキシメチル、ブトキシメチル基
などが含まれる。
アラルキル基には、ベンジル、３−フェニルプロピル、
４−フェニルブチル基などが含まれる。
４−フェニルブチル基などが含まれる。
５もしくは６員の異項環基には、窒素原子、酸素原子、
硫黄原子から選択されたヘテロ原子を１〜３個含有する
５もしくは６員の異項環基が含まれる。たとえば、フリ
ル、テトラヒドロフリル、チェニル、チアゾリル、イソ
チアゾリル、オキサシリル、イソオキサシリル、ピラゾ
リルなどの５員環の基；ピリジル、ピリミジニル、ピラ
ジニル、ピリダジニルなどの６員環の基が挙げられる。
硫黄原子から選択されたヘテロ原子を１〜３個含有する
５もしくは６員の異項環基が含まれる。たとえば、フリ
ル、テトラヒドロフリル、チェニル、チアゾリル、イソ
チアゾリル、オキサシリル、イソオキサシリル、ピラゾ
リルなどの５員環の基；ピリジル、ピリミジニル、ピラ
ジニル、ピリダジニルなどの６員環の基が挙げられる。
これらの基は、メチルまたはエチルのようなアルキル基
、ハ［１グン原子または、フェニル基で置換されてもよ
い。フェニル基で置換された場合、環内の２つの炭素原
子と結合して縮合環を形成してもよい。縮合環を形成し
た場合の例としては、ベンゾチアゾリル、ベンゾフリル
、キナゾリニル、キノキサリニル基などが挙げられる。
、ハ［１グン原子または、フェニル基で置換されてもよ
い。フェニル基で置換された場合、環内の２つの炭素原
子と結合して縮合環を形成してもよい。縮合環を形成し
た場合の例としては、ベンゾチアゾリル、ベンゾフリル
、キナゾリニル、キノキサリニル基などが挙げられる。
置換されていてもよいアリールもしくはアラルキル基と
は、フェニル基、ナフチル基、ベンジル、３−フェニル
プロピルなどの非置換のアリールもしくはアラルキル基
、並びにこれらの基の核がハロゲン原子、低級アルキル
基、低級アルコキシ基およびシアノ基などこの反応に不
活性イ【基の１〜３個で置換されたものが含まれる。
は、フェニル基、ナフチル基、ベンジル、３−フェニル
プロピルなどの非置換のアリールもしくはアラルキル基
、並びにこれらの基の核がハロゲン原子、低級アルキル
基、低級アルコキシ基およびシアノ基などこの反応に不
活性イ【基の１〜３個で置換されたものが含まれる。
一般式（Ｉ＞におけるＲ３又は１又３′の）フルキル基
としては、炭素数１〜１１のアルキル基、アラルキル基
としてはベンジル基、２−フェニルエチル基など、シク
ロアルキル基としては炭素数３〜７のシクロアルキル基
が含まれ、またアリール基または異項環基はＲ１におけ
る例示と同じものが含まれる。またＲ３およびＲ３’が
共に）ノルキル基の場合は、それらが結合するアミノ基
の窒素原子及び場合により他の異原子と共に、異項環基
を形成してもよい。この様な異項環基の具体例とし−Ｃ
は、ピロリジン環、ピペリジン環、ピペラジン環、モル
ホリン環などが挙げられる。
としては、炭素数１〜１１のアルキル基、アラルキル基
としてはベンジル基、２−フェニルエチル基など、シク
ロアルキル基としては炭素数３〜７のシクロアルキル基
が含まれ、またアリール基または異項環基はＲ１におけ
る例示と同じものが含まれる。またＲ３およびＲ３’が
共に）ノルキル基の場合は、それらが結合するアミノ基
の窒素原子及び場合により他の異原子と共に、異項環基
を形成してもよい。この様な異項環基の具体例とし−Ｃ
は、ピロリジン環、ピペリジン環、ピペラジン環、モル
ホリン環などが挙げられる。
一般式（ｎ）で表わされる１、３−ジオキシン−４−オ
ン化合物は、従来既知の方法で製造することができる。
ン化合物は、従来既知の方法で製造することができる。
〔ケミカル・ファーマス−ティカル・ビュレチン（Ｃｈ
ｅｍ、 Ｐｈａｒｍ、 ３ｕ１１． ） ３１．１８９
６ （１９８３）参照〕。
ｅｍ、 Ｐｈａｒｍ、 ３ｕ１１． ） ３１．１８９
６ （１９８３）参照〕。
一般式（ＩＩ）におけるＲ４とＲ５は水素原子、アルキ
ル基あるいはアリール基を意味し、またはＲ４とＲ５が
共にアルキル基のとき両者が結合してシクロアルキル基
を形成していてもよい。これらのＲ４と［＜５は、目的
物に導入されない基であり、入手容易で安価なものを選
択利用するのが望ましい。Ｒ４、Ｒ５として、メチル基
またはエチル基が好ましい。
ル基あるいはアリール基を意味し、またはＲ４とＲ５が
共にアルキル基のとき両者が結合してシクロアルキル基
を形成していてもよい。これらのＲ４と［＜５は、目的
物に導入されない基であり、入手容易で安価なものを選
択利用するのが望ましい。Ｒ４、Ｒ５として、メチル基
またはエチル基が好ましい。
一般式（ｎ）におけるＲ６は、水素原子又はＣ１〜Ｃ１
１のアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基
、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキル基、置換
されていてもよいアリール基、置換されていてもよいア
ラルキル基、またはハロゲン化アルキル基を表わし、低
級アルケニル基、低級アルキニル基、シクロアルキル基
、低級アルコキシアルキル基、ハロゲン化アルキル基、
置換されていてもよいアリール基または置換されでいて
もよいアラルキル基はＲ２にＪ３【プる例示と同じもの
が含まれる。
１のアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基
、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキル基、置換
されていてもよいアリール基、置換されていてもよいア
ラルキル基、またはハロゲン化アルキル基を表わし、低
級アルケニル基、低級アルキニル基、シクロアルキル基
、低級アルコキシアルキル基、ハロゲン化アルキル基、
置換されていてもよいアリール基または置換されでいて
もよいアラルキル基はＲ２にＪ３【プる例示と同じもの
が含まれる。
一般式（ｎ）におけるＲ７は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ１１
のアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、
シクロアルキル基、低級アルコキシアルキル基、置換さ
れていてもよいアリール基、置換されていてもよいアラ
ルキル基またはハ［Ｉゲン化アルキル基を表わすか。あ
るいはＲ６及びＲ７は一緒に−（ＣＨ２）ｍ−（ｍは３
または４である）を表わす。低級アルケニル基、低級ア
ルキニル基、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキ
ル基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、置換され
ていてもよいアリール基または置換されていてもよいア
ラルキル基はＲ２にお【プる例示と同じものが含まれる
。
のアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、
シクロアルキル基、低級アルコキシアルキル基、置換さ
れていてもよいアリール基、置換されていてもよいアラ
ルキル基またはハ［Ｉゲン化アルキル基を表わすか。あ
るいはＲ６及びＲ７は一緒に−（ＣＨ２）ｍ−（ｍは３
または４である）を表わす。低級アルケニル基、低級ア
ルキニル基、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキ
ル基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、置換され
ていてもよいアリール基または置換されていてもよいア
ラルキル基はＲ２にお【プる例示と同じものが含まれる
。
一般式（Ｉ）で表わされる化合物と一般式（ＩＩ）で表
わされる化合物との反応は、無溶媒下または不活性溶剤
中で行うことができる。好ましい不活性溶剤の例として
、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラ
リン、デカリン、シフ■二ルエーテルなどが挙げられる
。反応温度としては、一般式（ｎ）で表わされる化合物
の熱分解温度を目安として、約１００°Ｃから２００’
Ｃ程度の温度が用いられる。
わされる化合物との反応は、無溶媒下または不活性溶剤
中で行うことができる。好ましい不活性溶剤の例として
、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラ
リン、デカリン、シフ■二ルエーテルなどが挙げられる
。反応温度としては、一般式（ｎ）で表わされる化合物
の熱分解温度を目安として、約１００°Ｃから２００’
Ｃ程度の温度が用いられる。
また一般式（ＩＩ）で表わされる化合物の使用量は、一
般式（Ｉ）で表わされる化合物に対して１当量以上用い
ることは当然であるが、好ましくは１．２〜３．０当量
の範囲で好結果が得られる。
般式（Ｉ）で表わされる化合物に対して１当量以上用い
ることは当然であるが、好ましくは１．２〜３．０当量
の範囲で好結果が得られる。
この発明において、熱分解生成物として式（Ｖｌ）で表
わされるカルボニル化合物が反応系中に発生ずる。この
化合物の沸点が反応設定温度より低い場合には、 反応中、必要ならば使用溶媒の一部と共に系外に留去し
ながら反応を行なうことが有利である。
わされるカルボニル化合物が反応系中に発生ずる。この
化合物の沸点が反応設定温度より低い場合には、 反応中、必要ならば使用溶媒の一部と共に系外に留去し
ながら反応を行なうことが有利である。
以下実施例によって、この発明をさらに具体的に説明す
る。
る。
実施例１
Ｎ−（４−ブロモ−２，６−ジメチルフェニル）−２，
５，６−ドリメチルー４−オキソ−４１１−ピラン−３
−カルボキサミド Ｎ−（４−ブロモ−２，６−ジ］ニヂルフ１ニル）−３
−オキソ酪酸アミド３，１２ｇ （１０ｍｍｏｌ）
、ブチルアミン０．７３０ （１０ｍｍｏｌ ）おＪ：
びトルエン２０ｍｅの混合物に酢酸１滴を加え、９０°
Ｃで１時間加熱撹拌した後、１時間遠流下に保ち、その
間に生成した水をトルエン約１２Ｉｎｆ！と共に留去し
、さらに減圧下口−タリーエバポレーターを用いて乾固
Ｊ：で溶媒を除去した。得られた残渣に２．２，５．６
−チトラメヂルー４Ｈ−１，３−ジオキシン−４−オン
３．４４（］ （２２ｍｍｏｌ ＞およびメシチレン１
０ｍＱを加え、生成するアセトンを系外に除去しながら
１．５時間穏やかに加熱還流させた。反応混合物から溶
媒を減圧下に留去し、得られた残渣をシリカゲルを用い
たカラムクロマトグラフィーによって処Ｊ里し、さらに
酢酸エチルから晶析させることによって題記化合物２．
２２ｇ（収率５７％）を得た。
５，６−ドリメチルー４−オキソ−４１１−ピラン−３
−カルボキサミド Ｎ−（４−ブロモ−２，６−ジ］ニヂルフ１ニル）−３
−オキソ酪酸アミド３，１２ｇ （１０ｍｍｏｌ）
、ブチルアミン０．７３０ （１０ｍｍｏｌ ）おＪ：
びトルエン２０ｍｅの混合物に酢酸１滴を加え、９０°
Ｃで１時間加熱撹拌した後、１時間遠流下に保ち、その
間に生成した水をトルエン約１２Ｉｎｆ！と共に留去し
、さらに減圧下口−タリーエバポレーターを用いて乾固
Ｊ：で溶媒を除去した。得られた残渣に２．２，５．６
−チトラメヂルー４Ｈ−１，３−ジオキシン−４−オン
３．４４（］ （２２ｍｍｏｌ ＞およびメシチレン１
０ｍＱを加え、生成するアセトンを系外に除去しながら
１．５時間穏やかに加熱還流させた。反応混合物から溶
媒を減圧下に留去し、得られた残渣をシリカゲルを用い
たカラムクロマトグラフィーによって処Ｊ里し、さらに
酢酸エチルから晶析させることによって題記化合物２．
２２ｇ（収率５７％）を得た。
融点： １３７−１３９．５°Ｃ
ＩＲ（ＫＢｒディスク）： １６５７，１６８０ｃｍ−
ＩＮＭＲ（ＣＤＣｌ２）δ値； １．１６ （ｔ、６Ｈ＞、１．９９ （ｓ、３Ｈ）。
ＩＮＭＲ（ＣＤＣｌ２）δ値； １．１６ （ｔ、６Ｈ＞、１．９９ （ｓ、３Ｈ）。
２．３３ （ｓ、３Ｈ）、２．５７ （（ｑ、４．８）
。
。
２．７８ （ｓ、３ｆ−（＞、７．１８ （ｓ、２８＞
。
。
１１．２５ （ｂｒ、ＩＨ）
実施例２
５−エチル＝Ｎ−（２，６−ジニチルフエニル）−６−
メチル−４−オキソ−２−プロピル−４日−ピラン−３
−カルボキサミド 出発原料としてＮ−（２，６−ジニチルフエニル）−３
−オキソ−ヘキサン酸アミドを、１，３−ジオキシン−
４−オン化合物として、５−エチル−２，２，６−ドリ
メチルー４Ｈ−１，３−ジオキシン−４−オンを用いた
以外は、実施例と同様に反応を行った後、シリカゲルを
用いたカラムクロマ１〜グラフイーによって精製するこ
とにより題記化合物を収率６５％で得た。
メチル−４−オキソ−２−プロピル−４日−ピラン−３
−カルボキサミド 出発原料としてＮ−（２，６−ジニチルフエニル）−３
−オキソ−ヘキサン酸アミドを、１，３−ジオキシン−
４−オン化合物として、５−エチル−２，２，６−ドリ
メチルー４Ｈ−１，３−ジオキシン−４−オンを用いた
以外は、実施例と同様に反応を行った後、シリカゲルを
用いたカラムクロマ１〜グラフイーによって精製するこ
とにより題記化合物を収率６５％で得た。
Ｉ Ｒ（ｎ ｅ ａ ｔ ） ： １６５０． １６８
０ ｃｍ−’ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２）δ値： ０．９６ （ｔ、３Ｈ＞、１．０９ （ｔ、３Ｈ＞。
０ ｃｍ−’ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２）δ値： ０．９６ （ｔ、３Ｈ＞、１．０９ （ｔ、３Ｈ＞。
１．１６（ｔ、６Ｈ＞、１．７３（ｓｉｘ、２１−１＞
２．３１ （ｓ、３Ｈ）、２．４９ （０，２ｌ−１
）。
２．３１ （ｓ、３Ｈ）、２．４９ （０，２ｌ−１
）。
２．６１ （ｑ、４Ｈ）、３．１７ （ｔ、２ｔ（）。
７．０４ （ｓ、３Ｈ）、１１．１４ （ｂｒ、１１−
１＞実施例３ ２−ブチル−５，６−ジメヂルーＮ−（２，３−ジメチ
ルフェニル）−４−オキソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボ
キサミド Ｎ−（２，３−ジメチルフェニル）−３−７Ｊキソーへ
ブタン酸アミド２．４７ｇ （１０ｍｍｏｆ ） 、ベ
ンジルアミン１．０７ｑ （１０ｍｍｏｌ ）およびト
ルエン２０ｄの混合物を１時間遠流下に保ち、その間に
生成した水をトルエン約１２ｍと共に留去し、さらに減
圧下口−タリーエバポレーターを用いて乾固まで溶媒を
除去した。得られた残渣に２．２．５．６−ブトラメチ
ル−４Ｈ−１，３−ジオキシン−４−オン３．４４ｏ
（２２ｍｍｏｌ ＞およびメシチレン１０７を加え、生
成するアセトンを系外に除去しながら１．５時間穏やか
に加熱還流させた。反応混合物から溶媒を減圧下に留去
して得られた残漬をシリカゲルを用いたカラムクロマト
グラフィーによって処理し得られた結晶性残渣をエーテ
ルとヘキサンとの混合物から再結晶して題記化合物２．
０９ｇ（収率６４％）を得た。
１＞実施例３ ２−ブチル−５，６−ジメヂルーＮ−（２，３−ジメチ
ルフェニル）−４−オキソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボ
キサミド Ｎ−（２，３−ジメチルフェニル）−３−７Ｊキソーへ
ブタン酸アミド２．４７ｇ （１０ｍｍｏｆ ） 、ベ
ンジルアミン１．０７ｑ （１０ｍｍｏｌ ）およびト
ルエン２０ｄの混合物を１時間遠流下に保ち、その間に
生成した水をトルエン約１２ｍと共に留去し、さらに減
圧下口−タリーエバポレーターを用いて乾固まで溶媒を
除去した。得られた残渣に２．２．５．６−ブトラメチ
ル−４Ｈ−１，３−ジオキシン−４−オン３．４４ｏ
（２２ｍｍｏｌ ＞およびメシチレン１０７を加え、生
成するアセトンを系外に除去しながら１．５時間穏やか
に加熱還流させた。反応混合物から溶媒を減圧下に留去
して得られた残漬をシリカゲルを用いたカラムクロマト
グラフィーによって処理し得られた結晶性残渣をエーテ
ルとヘキサンとの混合物から再結晶して題記化合物２．
０９ｇ（収率６４％）を得た。
融点：９８−９９．５℃
ＩＲ（ＫＢｒディスク） ： １６０５．１６４５．１
６９３ｃｍ−’ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２＞δ値： ０．６５〜２．００ （ｍ、７ｌ−１）、１．９８ （
８゜３１−（＞、 ２．２６ （ｓ、９Ｈ）、３．
２７ （ｔ。
６９３ｃｍ−’ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２＞δ値： ０．６５〜２．００ （ｍ、７ｌ−１）、１．９８ （
８゜３１−（＞、 ２．２６ （ｓ、９Ｈ）、３．
２７ （ｔ。
２Ｈ）、６．７０〜７．８０ （ｍ、３Ｈ）、１１゜８
０ （ｂｒ、１Ｈ） 実施例４ ２−（３−クロロフェニル）−５，６−シメチルー４−
オキソ−Ｎ−フェニル−４日−ピラン−３−カルボキサ
ミド 出発原わ１として３−（３−クロロフェニル）−３−オ
キソ−Ｎ−フェニルプロピオン酸アミドを用いた以外は
、実施例３と同様に反応及びカラムクロマト処理を行い
、得られた結晶性残漬を耐酸エチルから再結晶して題記
化合物を収率５３％で得た。
０ （ｂｒ、１Ｈ） 実施例４ ２−（３−クロロフェニル）−５，６−シメチルー４−
オキソ−Ｎ−フェニル−４日−ピラン−３−カルボキサ
ミド 出発原わ１として３−（３−クロロフェニル）−３−オ
キソ−Ｎ−フェニルプロピオン酸アミドを用いた以外は
、実施例３と同様に反応及びカラムクロマト処理を行い
、得られた結晶性残漬を耐酸エチルから再結晶して題記
化合物を収率５３％で得た。
融点：１７３．５−１７５℃
ＩＲ（ＫＢｒディスク） ： １６４５．１６９５ｃｍ
−’ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２＞δ値： ２．０６ （ｓ、３Ｈ＞、２．３９ （ｓ、３１−１＞
。
−’ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２＞δ値： ２．０６ （ｓ、３Ｈ＞、２．３９ （ｓ、３１−１＞
。
７．００〜７．１０ （ｍ、９ｌ−１）、１１．４０（
ｂｒ、ＩＨ＞ 実施例５ Ｎ−（２，６−ジニチルフエニル）−５，６゜７．８−
テトラヒドロ−２−メチル−４−オキソ−４Ｈ−クロメ
ン−３−カルホキ１ノミドＮ−（２，６−ジエチルフエ
ニル）−３−Ｊギソー酪酸アミド２．３３ａ （１０ｍ
ｍｏｌ） 、４０％メチルアミン水溶液１．５６ｇ （
２０ｍｍｏｌ ）およびトルエン２０７！の混合物に酢
酸を１滴加え、室温で８１１ｈ間撹拌した後、反応混合
物を加熱して、未反応のメチル）アミンおよび水をトル
エン約１２ｍ！！と共に留去し、さらに減圧下口−タリ
ーエバポレーターを用いて乾固まで溶媒を除去した。得
らたれ残渣に、２，２−ジメチル−５，６，７，８−テ
トラヒドロ−４１−１−１，３−ベンゾジオキシン−４
−オン４．ｏｉｇ（２２ｍｍｏｌ）およびメシチレン２
０ｍを加え、生成するアセトンを系外に除去しながら、
１．５時間穏やかに加熱還流させた。反応混合物から、
溶媒を減圧下に留去し、得られた残渣をシリカゲルを用
いたカラムクロマトグラフィーによって処理し、ざらに
ヘキサンから晶析させることによって題記化合物２．０
７（］ （収率６１％）を得た。
ｂｒ、ＩＨ＞ 実施例５ Ｎ−（２，６−ジニチルフエニル）−５，６゜７．８−
テトラヒドロ−２−メチル−４−オキソ−４Ｈ−クロメ
ン−３−カルホキ１ノミドＮ−（２，６−ジエチルフエ
ニル）−３−Ｊギソー酪酸アミド２．３３ａ （１０ｍ
ｍｏｌ） 、４０％メチルアミン水溶液１．５６ｇ （
２０ｍｍｏｌ ）およびトルエン２０７！の混合物に酢
酸を１滴加え、室温で８１１ｈ間撹拌した後、反応混合
物を加熱して、未反応のメチル）アミンおよび水をトル
エン約１２ｍ！！と共に留去し、さらに減圧下口−タリ
ーエバポレーターを用いて乾固まで溶媒を除去した。得
らたれ残渣に、２，２−ジメチル−５，６，７，８−テ
トラヒドロ−４１−１−１，３−ベンゾジオキシン−４
−オン４．ｏｉｇ（２２ｍｍｏｌ）およびメシチレン２
０ｍを加え、生成するアセトンを系外に除去しながら、
１．５時間穏やかに加熱還流させた。反応混合物から、
溶媒を減圧下に留去し、得られた残渣をシリカゲルを用
いたカラムクロマトグラフィーによって処理し、ざらに
ヘキサンから晶析させることによって題記化合物２．０
７（］ （収率６１％）を得た。
融点： １１５−１１７°Ｃ
ＩＲ（ＫＢｒディスク） ： １Ｂ５５．１６７７Ｃｉ
＋＋−’ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２＞δ値： １．１６ （ｔ、６Ｈ＞、１．４０〜２．８５ （ｍ。
＋＋−’ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２＞δ値： １．１６ （ｔ、６Ｈ＞、１．４０〜２．８５ （ｍ。
８Ｈ＞、２．５９ （（１，４Ｈ＞、２．７６ （ｓ。
３Ｈ＞、７．０１ （Ｓ、３Ｈ）、１１．２３ （ｂｒ
、１Ｈ） 実施例６ Ｎ−（２，６−ジニチルフエニル）−２，６＝ジメチル
−４−オキソ−５−フェニルメチル−４Ｈ−ピラン−３
−カルボキサミド Ｎ−（２，６−ジニチルフエニル）−３−オキソ−酪酸
アミド２．３３ｇ （１０ｍｍｏｌ ＞ 、ブチルアミ
ン０．７３ｇ （１０ｍｍｏｌ ＞およびトルエン２０
ｍ１ｌの混合物に酢酸１滴を加え、８０℃で１時間加熱
撹拌した後、１時間還流下に保ち、その間に生成した水
をトルエン約１２ｄと共に留去し、さらに減圧下、ロー
タリーエバポレーターを用いて乾固まで溶媒を除去した
。得られた残渣に２．２．６−ドリメチルー５−フェニ
ルメチル−４Ｈ−１，３−ジオキシン−４−オン５．１
１ｏ （２２ｍｍｏｌ ） 、おにびメシチレン２ｈｅ
を加え、生成するアセトンを系外に除去しながら、１．
５時間穏やかに加熱還流させた。反応混合物から溶媒を
減圧下に留去し、得られた残渣をシリカゲルを用いたカ
ラムクロマトグラフィーによって処理し、ざらにヘキサ
ンから晶析させることによって、題記化合物２．３４ｇ
（収率６０％）を得た。
、１Ｈ） 実施例６ Ｎ−（２，６−ジニチルフエニル）−２，６＝ジメチル
−４−オキソ−５−フェニルメチル−４Ｈ−ピラン−３
−カルボキサミド Ｎ−（２，６−ジニチルフエニル）−３−オキソ−酪酸
アミド２．３３ｇ （１０ｍｍｏｌ ＞ 、ブチルアミ
ン０．７３ｇ （１０ｍｍｏｌ ＞およびトルエン２０
ｍ１ｌの混合物に酢酸１滴を加え、８０℃で１時間加熱
撹拌した後、１時間還流下に保ち、その間に生成した水
をトルエン約１２ｄと共に留去し、さらに減圧下、ロー
タリーエバポレーターを用いて乾固まで溶媒を除去した
。得られた残渣に２．２．６−ドリメチルー５−フェニ
ルメチル−４Ｈ−１，３−ジオキシン−４−オン５．１
１ｏ （２２ｍｍｏｌ ） 、おにびメシチレン２ｈｅ
を加え、生成するアセトンを系外に除去しながら、１．
５時間穏やかに加熱還流させた。反応混合物から溶媒を
減圧下に留去し、得られた残渣をシリカゲルを用いたカ
ラムクロマトグラフィーによって処理し、ざらにヘキサ
ンから晶析させることによって、題記化合物２．３４ｇ
（収率６０％）を得た。
融点９５−９６℃
ＩＲ（ＫＢｒディスク） ： １６４０． Ｒ１７ｃｍ
−’ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２）δ値： １．１３ （ｔ、６Ｈ）、２．２５ （ｓ、３ｌ−１）
。
−’ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２）δ値： １．１３ （ｔ、６Ｈ）、２．２５ （ｓ、３ｌ−１）
。
２．６０ （ｑ、４１−１＞、２．７３ （ｓ、３Ｈ＞
。
。
３．８１ （ｓ、２Ｈ）、７．０５ （ｓ、３Ｈ＞。
７．１５ （ｓ、５Ｈ＞、１１．２５ （ｂｒ、１Ｈ＞
実施例７ Ｎ−（２，６−ジニチルフエニル）−２，６−シメチル
ー４−オキソ−５−フェニルメチル−４日−ピラン−３
−カルボキサミド ブチルアミンのかわりにピロリジンを用いた以外は実施
例６と同様に反応、精製を行うことにより題記化合物を
収率５５％で得た。
実施例７ Ｎ−（２，６−ジニチルフエニル）−２，６−シメチル
ー４−オキソ−５−フェニルメチル−４日−ピラン−３
−カルボキサミド ブチルアミンのかわりにピロリジンを用いた以外は実施
例６と同様に反応、精製を行うことにより題記化合物を
収率５５％で得た。
融点９５−９６℃
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一般式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中Ｒ＿１は置換基を有していてもよいアリール基ま
たは異項環基であり、Ｒ＿２は、Ｃ＿１〜Ｃ＿１＿１の
アルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、シ
クロアルキル基、低級アルコキシアルキル基、置換され
てもよいアリール基、置換されてもよいアラルキル基、
ハロゲン化アルキル基、または５もしくは６員の異項環
基であり、Ｒ＿３、Ｒ３′は水素原子、アルキル基、ア
ラルキル基、シクロアルキル基、アリール基または異項
環基を表わす〕の化合物と、一般式（II）： ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔式中Ｒ＿４、Ｒ＿５は水素原子、アルキル基あるいは
アリール基またはＲ＿４およびＲ＿５が共にアルキル基
のときシクロアルキル基を形成してもよい。 Ｒ＿６はＣ１＿〜Ｃ＿１＿１のアルキル基、低級アルケ
ニル基、低級アルキニル基、シクロアルキル基、低級ア
ルコキシアルキル基、置換されていてもよいアリール基
、置換されていてもよいアラルキル基、ハロゲン化アル
キル基または５もしくは６員の異項環基、Ｒ＿７は水素
原子、Ｃ＿１〜Ｃ＿１＿１のアルキル基、低級アルケニ
ル基、低級アルキニル基、シクロアルキル基、低級アル
コキシアルキル基、置換されていてもよいアリール基、
置換されていてもよいアラルキル基またはハロゲン化ア
ルキル基を表わすか；あるいはＲ＿６およびＲ＿７は一
緒に−（ＣＨ＿２）ｍ−（ｍは３または４である）を表
わす〕で表わされる化合物とを反応させて、一般式（I
II）： ▲数式、化学式、表等があります▼（III） 〔式中Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿６、Ｒ＿７は上記と同じ〕
の化合物を得ることを特徴とする４−オキソ−４Ｈ−ピ
ラン−３−カルボキサミド化合物の製造法。 ２、式（II）のＲ＿４、Ｒ＿５がメチル基まはたエチル
基である特許請求の範囲第１項に記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61209656A JPH08818B2 (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | ピロン−３−カルボキサミド誘導体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61209656A JPH08818B2 (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | ピロン−３−カルボキサミド誘導体の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6366175A true JPS6366175A (ja) | 1988-03-24 |
| JPH08818B2 JPH08818B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=16576418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61209656A Expired - Lifetime JPH08818B2 (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | ピロン−３−カルボキサミド誘導体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08818B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62212383A (ja) * | 1986-03-11 | 1987-09-18 | Daicel Chem Ind Ltd | ピロン−３−カルボキサミド誘導体の製造法 |
-
1986
- 1986-09-08 JP JP61209656A patent/JPH08818B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62212383A (ja) * | 1986-03-11 | 1987-09-18 | Daicel Chem Ind Ltd | ピロン−３−カルボキサミド誘導体の製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08818B2 (ja) | 1996-01-10 |
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