JPS6366429B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6366429B2 JPS6366429B2 JP56073182A JP7318281A JPS6366429B2 JP S6366429 B2 JPS6366429 B2 JP S6366429B2 JP 56073182 A JP56073182 A JP 56073182A JP 7318281 A JP7318281 A JP 7318281A JP S6366429 B2 JPS6366429 B2 JP S6366429B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- emitter
- emitter region
- shaped
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/34—Bipolar devices
- H10D48/345—Bipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は同一半導体片内にベース、エミツタ間
挿入抵抗およびフローテイングエミツタを備えた
トランジスタに関する。
挿入抵抗およびフローテイングエミツタを備えた
トランジスタに関する。
トランジスタの安定化のために第１図に示すよ
うにベース、エミツタ間に接続される抵抗Ｒをト
ランジスタと同一半導体片内に拡散抵抗として形
成することがある。一方、トランジスタのASO
（安全動作領域）特性向上のためにエミツタを囲
んでエミツタと同一導電形を示す環状領域、いわ
ゆるフローテイングエミツタを形成することがあ
る。第２図はこの両者を備えたトランジスタを示
し、Ｎ形のシリコン板１に拡散法によつて先ずＰ
形ベース領域２が形成され、さらにその中にＮ形
エミツタ領域３が形成されている。エミツタ領域
３のほぼ全周を囲んでそれより幅の狭いＮ形のほ
ぼ環状の帯状領域４がフローテイングエミツタと
して、さらに一端がエミツタ領域３につながりや
はりそれより幅の狭いＮ形帯状領域５が例えばエ
ミツタ領域の形成を同一の拡散工程によつて形成
されている。帯状領域５の他端６はベース領域２
を覆う図示しない電極に接続されるので、帯状領
域５は第１図のＲに相当するエミツタ、ベース間
に挿入された抵抗となる。しかしこの場合フロー
テイングエミツタは完全な環状を形成せず、また
帯状領域５もエミツタとして作用するためフロー
テイングエミツタの効果の存在しないエミツタ領
域３と帯状領域５の結合部付近から二次降伏を起
こしやすい欠点があつた。この欠点を解消するた
め第３図に示すように抵抗となるＮ形帯状領域５
をエミツタ領域３と離して形成し、エミツタ領域
３をフローテイングエミツタ４で完全に囲み、さ
らに帯状領域５を完全に囲んだＮ形環状領域９を
設けたものが提案されている。この帯状領域５は
ベース領域２およびエミツタ領域３と環状領域９
または４を絶縁膜を介して越える金属電極７およ
び８によつて接続されている。しかしこのような
構造にしてもエミツタ領域３あるいは帯状領域５
の接続電極８との結合部付近で二次降伏が起りや
すく、その結果良好な破壊耐量を有するものが得
られなかつた。
うにベース、エミツタ間に接続される抵抗Ｒをト
ランジスタと同一半導体片内に拡散抵抗として形
成することがある。一方、トランジスタのASO
（安全動作領域）特性向上のためにエミツタを囲
んでエミツタと同一導電形を示す環状領域、いわ
ゆるフローテイングエミツタを形成することがあ
る。第２図はこの両者を備えたトランジスタを示
し、Ｎ形のシリコン板１に拡散法によつて先ずＰ
形ベース領域２が形成され、さらにその中にＮ形
エミツタ領域３が形成されている。エミツタ領域
３のほぼ全周を囲んでそれより幅の狭いＮ形のほ
ぼ環状の帯状領域４がフローテイングエミツタと
して、さらに一端がエミツタ領域３につながりや
はりそれより幅の狭いＮ形帯状領域５が例えばエ
ミツタ領域の形成を同一の拡散工程によつて形成
されている。帯状領域５の他端６はベース領域２
を覆う図示しない電極に接続されるので、帯状領
域５は第１図のＲに相当するエミツタ、ベース間
に挿入された抵抗となる。しかしこの場合フロー
テイングエミツタは完全な環状を形成せず、また
帯状領域５もエミツタとして作用するためフロー
テイングエミツタの効果の存在しないエミツタ領
域３と帯状領域５の結合部付近から二次降伏を起
こしやすい欠点があつた。この欠点を解消するた
め第３図に示すように抵抗となるＮ形帯状領域５
をエミツタ領域３と離して形成し、エミツタ領域
３をフローテイングエミツタ４で完全に囲み、さ
らに帯状領域５を完全に囲んだＮ形環状領域９を
設けたものが提案されている。この帯状領域５は
ベース領域２およびエミツタ領域３と環状領域９
または４を絶縁膜を介して越える金属電極７およ
び８によつて接続されている。しかしこのような
構造にしてもエミツタ領域３あるいは帯状領域５
の接続電極８との結合部付近で二次降伏が起りや
すく、その結果良好な破壊耐量を有するものが得
られなかつた。
本発明は同一半導体片内にベース、エミツタ間
挿入抵抗を有し、かつ良好な破壊耐量を示すトラ
ンジスタを提供することを目的とする。
挿入抵抗を有し、かつ良好な破壊耐量を示すトラ
ンジスタを提供することを目的とする。
この目的はベース領域内にエミツタ領域と、一
端がエミツタ領域に連結され他端がベース領域と
接続されるエミツタ領域と同一導電形であるがそ
れより小さい横断面を持つ第一の帯状領域と、同
様にエミツタ領域と同一導電形でエミツタ領域の
外周および少なくともエミツタ領域との連結端に
近い第一の帯状領域の外周を間隔を介して取り囲
む第二の帯状領域とを設けることによつて達成さ
れる。
端がエミツタ領域に連結され他端がベース領域と
接続されるエミツタ領域と同一導電形であるがそ
れより小さい横断面を持つ第一の帯状領域と、同
様にエミツタ領域と同一導電形でエミツタ領域の
外周および少なくともエミツタ領域との連結端に
近い第一の帯状領域の外周を間隔を介して取り囲
む第二の帯状領域とを設けることによつて達成さ
れる。
以下図を引用して本発明の実施例について説明
する。第４図において、第２図におけると同様Ｎ
形シリコン板１にＰ形ベース領域２が形成され、
さらにその中にＮ形エミツタ領域３が形成されて
いる。また一端がエミツタ領域３につながりそれ
より幅の狭いＮ形帯状領域５が形成されている。
第２図と異なる点はエミツタ領域３を取り囲むほ
ぼ環状の帯状領域４が、エミツタ領域３の外周だ
けでなく他端６においてベース領域２と接続され
てベース、エミツタ間挿入抵抗として役立つ帯状
領域５の外周に沿つて延びている。このフローテ
イングエミツタとして働く帯状領域４は抵抗領域
５の外周を完全に包囲してもよいが、図示のよう
にそのエミツタ領域３との連結場所に近い部分に
設けられるだけでトランジスタの破壊耐量が著し
く改善される。
する。第４図において、第２図におけると同様Ｎ
形シリコン板１にＰ形ベース領域２が形成され、
さらにその中にＮ形エミツタ領域３が形成されて
いる。また一端がエミツタ領域３につながりそれ
より幅の狭いＮ形帯状領域５が形成されている。
第２図と異なる点はエミツタ領域３を取り囲むほ
ぼ環状の帯状領域４が、エミツタ領域３の外周だ
けでなく他端６においてベース領域２と接続され
てベース、エミツタ間挿入抵抗として役立つ帯状
領域５の外周に沿つて延びている。このフローテ
イングエミツタとして働く帯状領域４は抵抗領域
５の外周を完全に包囲してもよいが、図示のよう
にそのエミツタ領域３との連結場所に近い部分に
設けられるだけでトランジスタの破壊耐量が著し
く改善される。
以上述べたように本発明はトランジスタのベー
ス、エミツタ間挿入抵抗としてベース領域に形成
されるエミツタ領域と同一導電形の帯状領域の一
端をエミツタ領域と連結し、エミツタ領域および
帯状領域の少なくともエミツタ領域との連結端に
近い部分の外周を取り囲んでフローテイングエミ
ツタを設けるものである。本発明によるトランジ
スタにはエミツタ領域とほぼ同電位でフローテイ
ングエミツタに囲まれない帯状抵抗領域の端部あ
るいはエミツタ領域との接続電極が存在しないた
め二次降伏が起り難くなり、破壊耐量が向上す
る。またフローテイングエミツタは必ずしも抵抗
領域の全周を囲む必要がないため、抵抗領域の周
りにフローテイングエミツタを設けない場合に比
しての面積の増加を僅かにすることも可能であ
る。
ス、エミツタ間挿入抵抗としてベース領域に形成
されるエミツタ領域と同一導電形の帯状領域の一
端をエミツタ領域と連結し、エミツタ領域および
帯状領域の少なくともエミツタ領域との連結端に
近い部分の外周を取り囲んでフローテイングエミ
ツタを設けるものである。本発明によるトランジ
スタにはエミツタ領域とほぼ同電位でフローテイ
ングエミツタに囲まれない帯状抵抗領域の端部あ
るいはエミツタ領域との接続電極が存在しないた
め二次降伏が起り難くなり、破壊耐量が向上す
る。またフローテイングエミツタは必ずしも抵抗
領域の全周を囲む必要がないため、抵抗領域の周
りにフローテイングエミツタを設けない場合に比
しての面積の増加を僅かにすることも可能であ
る。
第１図は本発明の対象であるトランジスタの回
路図、第２図、第３図は従来のトランジスタの二
つの例をそれぞれ示す平面図、第４図は本発明の
実施例を示す平面図である。 ２…ベース領域、３…エミツタ領域、４…（フ
ローテイングエミツタ）帯状領域、５…（抵抗）
帯状領域。
路図、第２図、第３図は従来のトランジスタの二
つの例をそれぞれ示す平面図、第４図は本発明の
実施例を示す平面図である。 ２…ベース領域、３…エミツタ領域、４…（フ
ローテイングエミツタ）帯状領域、５…（抵抗）
帯状領域。
Claims (1)
- １ ベース領域内にエミツタ領域と、一端がエミ
ツタ領域に連結され他端がベース領域に接続され
たエミツタ領域と同一導電形であるがそれより小
さい横断面を持つ第一の帯状領域と、同様にエミ
ツタ領域と同一導電形でエミツタ領域の外周およ
び少なくともエミツタ領域との連結端に近い第一
の帯状領域の外周を間隔を介して取り囲む第二の
帯状領域とを設けたことを特徴とするトランジス
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56073182A JPS57188869A (en) | 1981-05-15 | 1981-05-15 | Transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56073182A JPS57188869A (en) | 1981-05-15 | 1981-05-15 | Transistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57188869A JPS57188869A (en) | 1982-11-19 |
| JPS6366429B2 true JPS6366429B2 (ja) | 1988-12-20 |
Family
ID=13510735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56073182A Granted JPS57188869A (en) | 1981-05-15 | 1981-05-15 | Transistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57188869A (ja) |
-
1981
- 1981-05-15 JP JP56073182A patent/JPS57188869A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57188869A (en) | 1982-11-19 |
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