JPS6366450A - ガス検出器の製造方法 - Google Patents
ガス検出器の製造方法Info
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- JPS6366450A JPS6366450A JP21207786A JP21207786A JPS6366450A JP S6366450 A JPS6366450 A JP S6366450A JP 21207786 A JP21207786 A JP 21207786A JP 21207786 A JP21207786 A JP 21207786A JP S6366450 A JPS6366450 A JP S6366450A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、特定のガス成分の濃度に応じて抵抗値の変化
する感ガス性の金属酸化物を用いて、周囲のガスを検出
するガス検出器およびその製造方法に関するものである
。
する感ガス性の金属酸化物を用いて、周囲のガスを検出
するガス検出器およびその製造方法に関するものである
。
［従来の技術］
従来、この種のガス検出器として、例えば、第１０図に
断面で示すような酸素センサがある。
断面で示すような酸素センサがある。
すなわち、酸素センナ５０は、セラミック基板５２上に
１対の電極５４ ａ ！ ５４ ｂを形成し、上記基
板５２上に、窓部５８を有するセラミック禎層板６０を
積層し、さらに、＠ｆｆｆｉ５４ａ、 ５４ｂを歿い
、かつ、窓部５８を塞ぐようにＴ ｉ Ｏ２を主成分と
する感ガス層６２を積層したものであり、周囲のＭ案分
圧に応じて変化する感ガス層の電気抵抗を電極間で検出
するものである。
１対の電極５４ ａ ！ ５４ ｂを形成し、上記基
板５２上に、窓部５８を有するセラミック禎層板６０を
積層し、さらに、＠ｆｆｆｉ５４ａ、 ５４ｂを歿い
、かつ、窓部５８を塞ぐようにＴ ｉ Ｏ２を主成分と
する感ガス層６２を積層したものであり、周囲のＭ案分
圧に応じて変化する感ガス層の電気抵抗を電極間で検出
するものである。
さらに、上記従来のｖｉ累センサでは、感ガス層の検出
レベルが、同一ガス濃度であっても温度によって変動す
ることから、これを補償する手段として、セラミック基
板にヒータを設けている。
レベルが、同一ガス濃度であっても温度によって変動す
ることから、これを補償する手段として、セラミック基
板にヒータを設けている。
そして、酸素センサに別体のサーミスタによる検出温度
により該センサを所定温度になるようにヒータの通電量
を制御するものが知られている。
により該センサを所定温度になるようにヒータの通電量
を制御するものが知られている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかし、上記従来の技術においては、酸素センサと別体
に組み込まれたサーミスタを用いているために、部品点
数が増加し、構成も複雑になり、製造面倒であるという
問題点があった。
に組み込まれたサーミスタを用いているために、部品点
数が増加し、構成も複雑になり、製造面倒であるという
問題点があった。
本発明は、上記従来の技術の問題点を解決するためにな
されたもので、部品点数が少なく、簡単な構成で、かつ
、製造の容易なガス検出器およびその製造方法を提供す
ることを目的とする。
されたもので、部品点数が少なく、簡単な構成で、かつ
、製造の容易なガス検出器およびその製造方法を提供す
ることを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
上記問題点を解決するためになされた第１の本発明は、
複数のＴｔｊ、極と、
これらの電極を覆い、怒ガス性金属酸化物を含み、ガス
成分および／またはガス濃度に応じて電気抵抗が変化す
る多孔質の怒ガス層と、を備え、 上記感ガス層の一部を焼結して温度検出素子を設けたこ
とを特徴とするガス検出器を要旨とする。
成分および／またはガス濃度に応じて電気抵抗が変化す
る多孔質の怒ガス層と、を備え、 上記感ガス層の一部を焼結して温度検出素子を設けたこ
とを特徴とするガス検出器を要旨とする。
また、上記ガス検出器を製造する第２の本発明は、
少なくとも３つの電極を設け、
これらの電極のうち２つの電極にまたがって該両電極を
感ガス性金属酸化物で覆い、加熱焼成することで温度検
出素子を形成し、 上記電極の一部および／または他の電極にまたがって該
両電極を上記感ガス性金属酸化物と同一材料で覆って、
上記温度検出素子の加熱焼成より焼結を少なくする条件
にて加熱焼成することで怒ガス層を形成することを特徴
とするガス検出器の製造方法を要旨とする。
感ガス性金属酸化物で覆い、加熱焼成することで温度検
出素子を形成し、 上記電極の一部および／または他の電極にまたがって該
両電極を上記感ガス性金属酸化物と同一材料で覆って、
上記温度検出素子の加熱焼成より焼結を少なくする条件
にて加熱焼成することで怒ガス層を形成することを特徴
とするガス検出器の製造方法を要旨とする。
さらに、他の製造方法としての第３の本発明は、複数の
電極を設け、 感ガス性金属酸化物を含み、ガス成分および／またはガ
ス温度に応じて電気抵抗が変化する多孔質の感ガス層に
よって上記複数の電極を覆い、感ガス層の一部を温度検
出素子に変えるように・上記電極間に通電することを特
徴とするガス検出器の製造方法を要旨とする。
電極を設け、 感ガス性金属酸化物を含み、ガス成分および／またはガ
ス温度に応じて電気抵抗が変化する多孔質の感ガス層に
よって上記複数の電極を覆い、感ガス層の一部を温度検
出素子に変えるように・上記電極間に通電することを特
徴とするガス検出器の製造方法を要旨とする。
ここで、上記電極としては、焼成する際に、十分耐え得
る導電体であればよいが、通常、銀、金または白金族と
主成分としたものが用いられる。
る導電体であればよいが、通常、銀、金または白金族と
主成分としたものが用いられる。
感ガス層に用いられる遷移金属酸化物としては、検出す
るガス成分に応じてその物質が変化されるのであるが、
通常用いられるものとしてＴｉ０３ＳｎＯｚ、Ｃｏｏ、
ＺｎＯ，Ｎｂ２Ｏ５，Ｃｒ２０ｔが挙げられ、本発明に
おいてもこれらのうちのいずれか１つまたは２つ以上の
組合せの物質を用いることが好ましい。
るガス成分に応じてその物質が変化されるのであるが、
通常用いられるものとしてＴｉ０３ＳｎＯｚ、Ｃｏｏ、
ＺｎＯ，Ｎｂ２Ｏ５，Ｃｒ２０ｔが挙げられ、本発明に
おいてもこれらのうちのいずれか１つまたは２つ以上の
組合せの物質を用いることが好ましい。
また、感ガス層を保護することを目的として、感ガス層
あるいは上層に重ねて、コート層を設けてもよい、この
コート層は、感ガス性金属酸化物に対する鉛等の有毒物
質を吸着捕獲し、有毒′？Ａ貫が感ガス層に達すること
を防ぐ。コート層の材質としては、熱的に安定な材質で
あれば特に限定はなく、例えば、アルミナ、マグネシア
スピネル、ジルコニア等を用いることができる。
あるいは上層に重ねて、コート層を設けてもよい、この
コート層は、感ガス性金属酸化物に対する鉛等の有毒物
質を吸着捕獲し、有毒′？Ａ貫が感ガス層に達すること
を防ぐ。コート層の材質としては、熱的に安定な材質で
あれば特に限定はなく、例えば、アルミナ、マグネシア
スピネル、ジルコニア等を用いることができる。
上記の惑ガス層の一部を形成する手段の１つとして、第
２の発明では、感ガス層と同じ感ガス性の金属酸化物の
加熱焼成条件を変えることで温度検出素子を形成し、ま
た、第３発明では、感ガス層内の電極間に通電すること
で感ガス層の一部を焼成して、温度検出素子を形成する
。
２の発明では、感ガス層と同じ感ガス性の金属酸化物の
加熱焼成条件を変えることで温度検出素子を形成し、ま
た、第３発明では、感ガス層内の電極間に通電すること
で感ガス層の一部を焼成して、温度検出素子を形成する
。
［作用］
本発明のガス検出器において、惑ガス層中にガスが接触
すると、このガス濃度に応じて怒ガス層の電気的抵抗が
変化し、この抵抗変化を電極間で検出し、ガス濃度の変
化を計測する。
すると、このガス濃度に応じて怒ガス層の電気的抵抗が
変化し、この抵抗変化を電極間で検出し、ガス濃度の変
化を計測する。
さらに、本発明のガス検出器の怒ガス層の一部が温度検
出素子に形成されているので、この温度検出素子からの
検出温度に基づいて、例えば、ガス検出器に一体化して
形成したヒータへの通Ｔｔｉｔ。
出素子に形成されているので、この温度検出素子からの
検出温度に基づいて、例えば、ガス検出器に一体化して
形成したヒータへの通Ｔｔｉｔ。
を制御してガス検出器の温度を所定温度に設定する温度
補償を行える。
補償を行える。
そして、感ガス層の一部を温度検出素子に形成する手法
として、感ガス性金属酸化物を加熱焼成することに着目
して、まず、第２の発明では、感ガス性の金属酸化物の
焼成温度、および時間を変えて怒ガス層と温度検出素子
を形成し、また、第３の発明では通電による加熱により
感ガス層の一部を焼結させて温度検出素子を形成してい
る。
として、感ガス性金属酸化物を加熱焼成することに着目
して、まず、第２の発明では、感ガス性の金属酸化物の
焼成温度、および時間を変えて怒ガス層と温度検出素子
を形成し、また、第３の発明では通電による加熱により
感ガス層の一部を焼結させて温度検出素子を形成してい
る。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、感ガス層の一部
に温度検出素子を形成しているので、部品点数が少なく
、かつ、簡単な構成でガス検出器の温度補償機能を付加
することができる。
に温度検出素子を形成しているので、部品点数が少なく
、かつ、簡単な構成でガス検出器の温度補償機能を付加
することができる。
しかも、ガス検出素子の製造方法において、一部の怒ガ
ス層を、惑ガス層の加熱焼成条件を変えて加熱焼成する
ことにより温度検出素子を形成し、また、通電により加
熱焼成することで温度検出素子を形成しているので製造
も容易である。
ス層を、惑ガス層の加熱焼成条件を変えて加熱焼成する
ことにより温度検出素子を形成し、また、通電により加
熱焼成することで温度検出素子を形成しているので製造
も容易である。
［実施例］
本発明の実施例を図面を用いて説明する。なお、説明上
各図の縮尺は異なる。
各図の縮尺は異なる。
まず、本発明の一実施例を第１図によって説明する。
本実施例は、感ガス層としてＴ ｉ Ｏ２を使用した酸
素ガス検出器１０である。
素ガス検出器１０である。
第１図の部分破断した斜視図に示すように、セラミック
基板１２上には、端子１３ａ、１３ｂ。
基板１２上には、端子１３ａ、１３ｂ。
１３ｃ、’１３ｅで白金リード１！１４ａ、１４ｂ。
１４ ｃ、 １４ ｅに接続された電極パターン１６
ａ。
ａ。
１６ｂ、１６Ｃ１および熱抵抗電極パターン１６ｅ等の
電極パターン１６が形成され、さらに上記セラミック基
板１２上および電極パターン１６上にセラミック基板１
２と一体化されたセラミツク８！層板１８が積層されて
いる。
電極パターン１６が形成され、さらに上記セラミック基
板１２上および電極パターン１６上にセラミック基板１
２と一体化されたセラミツク８！層板１８が積層されて
いる。
このセラミック積層板１８には、窓部２０が形成されて
おり、この窓部２０内には、Ｔ ｉ Ｏ２を主成分とす
る感ガスＮｉ２５および温度検出素子層２４が形成され
ている（第２図）、この感ガス層２５および温度検出素
子Ｎ２４と、上記セラミック基板１２との間に両者の剣
術を防ぐ球形造粒粒子２２が介在している。
おり、この窓部２０内には、Ｔ ｉ Ｏ２を主成分とす
る感ガスＮｉ２５および温度検出素子層２４が形成され
ている（第２図）、この感ガス層２５および温度検出素
子Ｎ２４と、上記セラミック基板１２との間に両者の剣
術を防ぐ球形造粒粒子２２が介在している。
また、上記怒ガスｌＩ２５および温度検出素子層２４上
には、Ａｇ２Ｏ３からなるコート層２６が形成されてい
る。
には、Ａｇ２Ｏ３からなるコート層２６が形成されてい
る。
次に、上記酸素ガス検出器１０の製造工程を第３図ない
し第７図にしたがって説明する。
し第７図にしたがって説明する。
■ アルミナ９２ｖｔ％、マグネシア３ｖｔ％、および
焼結助剤（シリカ、カルシア等）５ｗｔ％をボットミル
にて２０時間混合する。そのｆＬ 該混合物に有機バイ
ンダーとしてポリビニールブチラール１２ｗｔ％、フタ
ル酸ジブチル４ｖｔ％を添加し、溶剤としてメチルエチ
ルケトン、トルエン等を加えた。さらにボットミルで１
５時間混合してスラリーとし、ドクターブレード法によ
り基板用およびＩＩ用ダグリーンシート１２Ａ１８Ａを
形成する。
焼結助剤（シリカ、カルシア等）５ｗｔ％をボットミル
にて２０時間混合する。そのｆＬ 該混合物に有機バイ
ンダーとしてポリビニールブチラール１２ｗｔ％、フタ
ル酸ジブチル４ｖｔ％を添加し、溶剤としてメチルエチ
ルケトン、トルエン等を加えた。さらにボットミルで１
５時間混合してスラリーとし、ドクターブレード法によ
り基板用およびＩＩ用ダグリーンシート１２Ａ１８Ａを
形成する。
上記グリーンシートの形状は、基板用グリーンシート１
２Ａで４７．８ｍｍＸ４．０ｍｍＸ０゜８ｍｍ’、積層
用グリーンシート１８Ａで４７．８ｍｍＸ４．０ｍｍＸ
０． ２６ｍｍ’である。そして、上記ＩＩ層用グリー
ンシート１８Ａに３． ０５ｍｒｎＸ２．０ｍｍの窓部
２０を形成する。
２Ａで４７．８ｍｍＸ４．０ｍｍＸ０゜８ｍｍ’、積層
用グリーンシート１８Ａで４７．８ｍｍＸ４．０ｍｍＸ
０． ２６ｍｍ’である。そして、上記ＩＩ層用グリー
ンシート１８Ａに３． ０５ｍｒｎＸ２．０ｍｍの窓部
２０を形成する。
■ 次に、白金黒とスポンジ状白金とを、２：１の比率
に調合し、他に上記■で用いたグリーンシートの材料混
合物を１０ｖｔ％添加し、ブチルカルピトール、エトセ
ル等の溶剤を加えて、電極用ペーストとする。
に調合し、他に上記■で用いたグリーンシートの材料混
合物を１０ｖｔ％添加し、ブチルカルピトール、エトセ
ル等の溶剤を加えて、電極用ペーストとする。
■ 次に、■で調整した電極用ペーストを用い厚膜印刷
により、基板用グリーンシート１２Ａ上に電極パターン
１６を形成する。電極パターン１６として、上述したよ
うに、電極パターン１６ａ。
により、基板用グリーンシート１２Ａ上に電極パターン
１６を形成する。電極パターン１６として、上述したよ
うに、電極パターン１６ａ。
１６ｂ、１６ｃ、および感ガス１！２５および温度検出
素子／！２４を加熱するためのヒータとなる熱抵抗電極
パターン１６ｅと、上記パターン１６の各端子となる端
子パターン１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｅを形成する
（第２図（イ）（ロ））。
素子／！２４を加熱するためのヒータとなる熱抵抗電極
パターン１６ｅと、上記パターン１６の各端子となる端
子パターン１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｅを形成する
（第２図（イ）（ロ））。
■ その後、上記端子パターン１３ａ、１３ｂ。
１３ ｃ、 １３ ｅに、直径０．２ｍｍの白金リー
ド１１１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｅをそれぞれ接続
する（第４図（イ） （ロ））。
ド１１１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｅをそれぞれ接続
する（第４図（イ） （ロ））。
■ 次に、上記基板用グリーンシート１２Ａ上にｆＩＮ
用グリグリーンシート１８Ａ層熱圧着して積層体を形成
する。このとき、該ｆ１Ｍ用グリーンシート１８Ａの窓
部２０には、電極パターン１６ａ、１６ｂ、１６ｃの先
端が露出している。そして、窓部２０中に■で調整した
グリーンシートと同一の材料からなる８０〜１５０メツ
シユの球形造粒粒子（２次粒子）２２を分散付着させて
から、上記積層体を１５００℃で大気とほぼ同一雰囲気
中にて２時間焼成することで一体となったセラミック基
板１２およびセラミック積層板１８を形成する（第５図
（イ）（ロ））。
用グリグリーンシート１８Ａ層熱圧着して積層体を形成
する。このとき、該ｆ１Ｍ用グリーンシート１８Ａの窓
部２０には、電極パターン１６ａ、１６ｂ、１６ｃの先
端が露出している。そして、窓部２０中に■で調整した
グリーンシートと同一の材料からなる８０〜１５０メツ
シユの球形造粒粒子（２次粒子）２２を分散付着させて
から、上記積層体を１５００℃で大気とほぼ同一雰囲気
中にて２時間焼成することで一体となったセラミック基
板１２およびセラミック積層板１８を形成する（第５図
（イ）（ロ））。
上述のように球形造粒粒子２２を分散付着させて焼成す
ると、各粒子２２が、セラミック基板１２上に分散して
凹凸面を形成する。
ると、各粒子２２が、セラミック基板１２上に分散して
凹凸面を形成する。
■ 次に、セラミック積層板１８の窓部２０内に、Ｔ
ｉ Ｏ２を主成分とする怒ガス性の金属酸化物を充填お
よび焼成して温度検出素子層２４および感ガスＪｉ２５
形成するのであるが、まず、ＴｉＯ２ペーストを調整す
る。
ｉ Ｏ２を主成分とする怒ガス性の金属酸化物を充填お
よび焼成して温度検出素子層２４および感ガスＪｉ２５
形成するのであるが、まず、ＴｉＯ２ペーストを調整す
る。
すなわち、大気中１２００°Ｃで１時間仮焼した平均粒
径１．２μｍのＴ ｉ Ｏ２粉末９０重量部に対して、
触媒として白金黒１０重量部を加え、さらに、バインダ
ーとして、３重量％のエチルセルロースを２重量部だけ
添加し、これらをプチ力ルビトニル（２−（２−ブトキ
シエトキシ）エタノールの商品名）中で混合し、３００
ボイズの粘度にしてＴ ｉ Ｏ２ペーストを調整する。
径１．２μｍのＴ ｉ Ｏ２粉末９０重量部に対して、
触媒として白金黒１０重量部を加え、さらに、バインダ
ーとして、３重量％のエチルセルロースを２重量部だけ
添加し、これらをプチ力ルビトニル（２−（２−ブトキ
シエトキシ）エタノールの商品名）中で混合し、３００
ボイズの粘度にしてＴ ｉ Ｏ２ペーストを調整する。
そして、このＴｉＯ２ペーストを、第２図に示すように
、窓部２０内の電極パターン１６ｃの図示右側半分から
陰極側の電極パターン１６ａ上の全面にわたって５０〜
５００μｍ厚脱塗布する。
、窓部２０内の電極パターン１６ｃの図示右側半分から
陰極側の電極パターン１６ａ上の全面にわたって５０〜
５００μｍ厚脱塗布する。
続いて、これご大気中で１４５０℃で２時間焼成して温
度検出素子１１２４を形成する。
度検出素子１１２４を形成する。
次に、上記Ｔ ｉ Ｏ２ペーストと同一のものを、電極
パターン１６ｃの半分から図示左側の電極パターン１６
ｂ上の全面にわたって５０〜５００Ａ１ｍ厚膜塗布し、
大気中にて１２００℃で１時間焼成することで感ガス層
２５を形成する（第６図（イ）（ロ））、このときの焼
成時間は１時間で上記温度検出素子層２４の焼成より死
時間である。
パターン１６ｃの半分から図示左側の電極パターン１６
ｂ上の全面にわたって５０〜５００Ａ１ｍ厚膜塗布し、
大気中にて１２００℃で１時間焼成することで感ガス層
２５を形成する（第６図（イ）（ロ））、このときの焼
成時間は１時間で上記温度検出素子層２４の焼成より死
時間である。
■ 次に、上記感ガスｆｆ１２０上に、コート／ｇ２６
用のＡＱ２０３からなるペーストを塗布した後に、上記
工程を終えた積層体を１２００℃の大気中に１時間放置
して焼成する（第７図（イ） （ロ））。
用のＡＱ２０３からなるペーストを塗布した後に、上記
工程を終えた積層体を１２００℃の大気中に１時間放置
して焼成する（第７図（イ） （ロ））。
次に、上記■の代わりに、以下の工程を行なうことによ
り温度検出素子層２４を形成することができる。なお、
他の工程は上記実施例とほぼ同様である。
り温度検出素子層２４を形成することができる。なお、
他の工程は上記実施例とほぼ同様である。
すなわち、まず、■と同一のＴ ｉ Ｏ２ペーストを、
３つの電極パターン１６ ａ、 １６ ｂ＋ １６
ｃ上に５０〜５００μｍ厚ＷＡ塗布する。そして、大
気中において１２００℃で１時間焼成する。
３つの電極パターン１６ ａ、 １６ ｂ＋ １６
ｃ上に５０〜５００μｍ厚ＷＡ塗布する。そして、大
気中において１２００℃で１時間焼成する。
次に、プロパンバーナの管内に該積層体を挿入し、該バ
ーナをλ；０．９の空燃比、ガス温度８００℃の雰囲気
に調整し、電極パターン１６ａ。
ーナをλ；０．９の空燃比、ガス温度８００℃の雰囲気
に調整し、電極パターン１６ａ。
１６ｃ間に交流２０Ｖを３０秒間印加する。これにより
、電極パターン間の自己通電発熱により感ガス層を焼結
して一部を温度検出素子層に形成する。
、電極パターン間の自己通電発熱により感ガス層を焼結
して一部を温度検出素子層に形成する。
次に、上記製造方法にて形成した酸素センナについて、
その怒ガス機能および温度検出機能を以下の試験により
実証した。
その怒ガス機能および温度検出機能を以下の試験により
実証した。
上記試料を酸素センサに組み立てた後に、プロパンガス
バーナの排ガス中に５該試料をさらす。
バーナの排ガス中に５該試料をさらす。
このプロパンガスバーナは、排気温が３５０℃で、かつ
１秒毎に空気燃料比が燃料過剰（以下リッチという、空
気燃料比λ＝０．９）と燃料不足（以下リーンという、
λ＝１．１）との間で変化するよう制御するとともに、
排気温度を３５０℃から９００℃まで変化させる。そし
て、第８図の回路図に示すように、上記白金リード！１
３ａ、１３ｂｖ １３ ｃから各電極パターン１６
ａ、 １６ ｂ。
１秒毎に空気燃料比が燃料過剰（以下リッチという、空
気燃料比λ＝０．９）と燃料不足（以下リーンという、
λ＝１．１）との間で変化するよう制御するとともに、
排気温度を３５０℃から９００℃まで変化させる。そし
て、第８図の回路図に示すように、上記白金リード！１
３ａ、１３ｂｖ １３ ｃから各電極パターン１６
ａ、 １６ ｂ。
１６ｃの電圧をモニターする。この各電極間の抵接値を
第９図に示す、第９図において、曲線ＡおよびＢは電極
パターン１６ｂ、１６ａ間におけるλ＝１．１およびλ
＝０．９での抵抗値であり、これは恣ガスＪｉ２５の抵
抗値を示し、曲線ＣおよびＤは電極間パターン１６ａ、
１６ａ間におけるλ＝１．１およびλ＝０．９での抵抗
値であり、これは温度検出素子層２４の抵抗値を示す。
第９図に示す、第９図において、曲線ＡおよびＢは電極
パターン１６ｂ、１６ａ間におけるλ＝１．１およびλ
＝０．９での抵抗値であり、これは恣ガスＪｉ２５の抵
抗値を示し、曲線ＣおよびＤは電極間パターン１６ａ、
１６ａ間におけるλ＝１．１およびλ＝０．９での抵抗
値であり、これは温度検出素子層２４の抵抗値を示す。
同図から明らかなように、温度検出素子！２４の抵抗値
（曲線Ｃ９曲！ＩＤ）は、怒ガス層２５の抵抗値（曲線
Ａ１曲ｔｉＢ）とほぼ同一の温度依存性を有して変化し
、しかも、λ＝１．１とλ＝０゜９でさほど変わらない
ので、温度検出機能を有する。
（曲線Ｃ９曲！ＩＤ）は、怒ガス層２５の抵抗値（曲線
Ａ１曲ｔｉＢ）とほぼ同一の温度依存性を有して変化し
、しかも、λ＝１．１とλ＝０゜９でさほど変わらない
ので、温度検出機能を有する。
なお、上記実施例において、第１の製造方法によれば、
温度検出素子７ｍ２４を焼結する条件（時間、温度）な
変えることにより、一方、第２の製造方法によれば、通
電時間および電圧を変えることにより、温度検出素子を
所望の抵抗値に変えることができる。
温度検出素子７ｍ２４を焼結する条件（時間、温度）な
変えることにより、一方、第２の製造方法によれば、通
電時間および電圧を変えることにより、温度検出素子を
所望の抵抗値に変えることができる。
第１図は発明の一実施例の部分的に破断して示す斜視図
、第２図は同実施例の要部を示す断面図、第３図ないし
第７図は実施例の製造の説明図、第８図は同実施例にお
ける回路図、第９Ｃ？Ｉは酸素センサを特性を示すグラ
フ、第１０図は従来の酸素センサを示す断面図である。 １０・・・酸素センサ（ガス検出器）、１２・・・セラ
ミック基板、 １６ａ、１６ｂ、１６ｃｍ ・・検出用電極パターン、 １６ｅ・・・熱抵抗電極パターン、 １８・・・セラミック積層板。 ２０・・ ・窓部、 ２４・・・温度検出素子層 ２５・・・感ガス層、
、第２図は同実施例の要部を示す断面図、第３図ないし
第７図は実施例の製造の説明図、第８図は同実施例にお
ける回路図、第９Ｃ？Ｉは酸素センサを特性を示すグラ
フ、第１０図は従来の酸素センサを示す断面図である。 １０・・・酸素センサ（ガス検出器）、１２・・・セラ
ミック基板、 １６ａ、１６ｂ、１６ｃｍ ・・検出用電極パターン、 １６ｅ・・・熱抵抗電極パターン、 １８・・・セラミック積層板。 ２０・・ ・窓部、 ２４・・・温度検出素子層 ２５・・・感ガス層、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数の電極と、 これらの電極を覆い、感ガス性金属酸化物を含み、ガス
成分および／またはガス濃度に応じて電気抵抗が変化す
る多孔質の感ガス層と、 を備え、 上記感ガス層の一部を焼結して温度検出素子を設けたこ
とを特徴とするガス検出器。 ２ 少なくとも３つの電極を設け、 これらの電極のうち２つの電極にまたがって該両電極を
感ガス性金属酸化物で覆い、加熱焼成することで温度検
出素子を形成し、 上記電極の一部および／または他の電極にまたがって該
両電極を上記感ガス性金属酸化物と同一材料で覆って、
上記温度検出素子の加熱焼成より焼結を少なくする条件
にて加熱焼成することで感ガス層を形成することを特徴
とするガス検出器の製造方法。 ３ 複数の電極を設け、 感ガス性金属酸化物を含み、ガス成分および／またはガ
ス濃度に応じて電気抵抗が変化する多孔質の感ガス層に
よって上記複数の電極を覆い、感ガス層の一部を温度検
出素子に変えるように上記電極間に通電することを特徴
とするガス検出器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61212077A JPH07107523B2 (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | ガス検出器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61212077A JPH07107523B2 (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | ガス検出器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6366450A true JPS6366450A (ja) | 1988-03-25 |
| JPH07107523B2 JPH07107523B2 (ja) | 1995-11-15 |
Family
ID=16616480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61212077A Expired - Fee Related JPH07107523B2 (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | ガス検出器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07107523B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007064908A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Ritsumeikan | 半導体式薄膜ガスセンサ |
| JP2007315979A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 出力の温度依存性の無い抵抗型酸素センサ素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55162046A (en) * | 1979-06-05 | 1980-12-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Temperature compensating element for oxygen concentration detector |
| JPS5739341A (en) * | 1980-08-22 | 1982-03-04 | Toyota Motor Corp | Oxygen sensor |
-
1986
- 1986-09-09 JP JP61212077A patent/JPH07107523B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55162046A (en) * | 1979-06-05 | 1980-12-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Temperature compensating element for oxygen concentration detector |
| JPS5739341A (en) * | 1980-08-22 | 1982-03-04 | Toyota Motor Corp | Oxygen sensor |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2007064908A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Ritsumeikan | 半導体式薄膜ガスセンサ |
| JP2007315979A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 出力の温度依存性の無い抵抗型酸素センサ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07107523B2 (ja) | 1995-11-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |