JPS6366838B2 - - Google Patents
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- JPS6366838B2 JPS6366838B2 JP59267133A JP26713384A JPS6366838B2 JP S6366838 B2 JPS6366838 B2 JP S6366838B2 JP 59267133 A JP59267133 A JP 59267133A JP 26713384 A JP26713384 A JP 26713384A JP S6366838 B2 JPS6366838 B2 JP S6366838B2
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
[発明の技術分野]
本発明は室温付近の近い温度範囲で液晶相を示
す新規なチオフエン化合物、その製造方法ならび
に該化合物を含む液晶組成物に関する。 [発明の技術的背景] 液晶は、電場の影響をうけて光散乱、複屈折な
どの光学的性質を顕著に変える特徴を有し、広く
電気光学表示装置に利用される。そのような表示
装置に用いられる液晶に要求される性質は、液晶
温度範囲が広く、かつ低粘性であること、湿気、
熱、光などに対して安定なことである。さらに、
可視光領域で固有の吸収を示さず、着色していな
いことも要求される。このうち液晶温度範囲につ
いては、これが広い場合には、より少ない種類の
液晶物質を混合することで実用に供することが可
能な点で有利であり、また低粘性の場合には液晶
素子の応答時間が短かくなる点で有利である。 [発明の目的] 本発明は広い液晶温度範囲を有する新規なチオ
フエン系化合物であるネマチツク液晶性化合物、
ならびにこの化合物を含む液晶組成物を提供する
ことを目的とする。 [発明の構成] すなわち本発明の5−n−アルキル−2−チエ
ニルアクリル酸p−n−アルコキシフエニルは、
一般式 (式中、R1は炭素原子数2〜16の直鎖アルキル
基を示し、R2は炭素原子数2〜12の直鎖アルキ
ル基を示す) で表わされることを特徴し、またその製法は 一般式 (式中、R1は炭素原子数2〜16の直鎖アルキ
ル基を示す) で表わされる5−n−アルキル−2−チエニル
アクリル酸を塩素化剤と反応させて 一般式 (式中、R1は前記と同じ意味) で表わされる5−n−アルキル−2−チエニル
アクリル酸クロライドとし、次いでこの酸塩化
物と、一般式 (式中、R2は炭素原子数2〜12の直鎖アルキ
ル基を示す) で表わされるp−n−アルコキシフエノールを
不活性溶媒中で反応させて 一般式 (式中、R1およびR2は前記と同じ意味) で表わされる化合物を得ること、および 一般式 (式中、R1は炭素原子数2〜16の直鎖アルキ
ル基を示す) で表わされる化合物と、 一般式 (式中、R2は炭素原子数2〜12の直鎖アルキ
ル基を示す) で表わされる化合物とをN,N′−ジシクロヘ
キシルカルボジイミドの存在下で脱水反応さ
せ、 一般式 (式中、R1およびR2は前記と同じ意味) で表わされる化合物を得ることを特徴とする。 また本発明の液晶組成物は前記一般式()で
表わされる化合物を1種以上含むことを特徴とす
る。 式()〜()のR1は炭素原子数2〜16の
直鎖アルキル基を示し、このうち特に炭素原子数
2〜12の直鎖アルキル基が好ましい。また式
()および()のR2としては炭素原子数2〜
12の直鎖アルキル基があげられ、このうち特に炭
素原子数5〜8の直鎖アルキル基が好ましい。
R1およびR2は同一分子中で同一でもよく、ある
いは相異なつていてもよい。 次に本発明の製造方法について述べる。 製造方法において塩素化剤としては塩化チオ
ニル、三塩化リン、五塩化リンなどが挙げられる
が、特に反応処理の容易さから塩化チオニルが好
ましい。塩化チオニルを用いた場合、式()の
5−n−アルキル−2−チエニルアクリル酸との
反応は過剰の塩化チオニルを用いて還流させ、反
応後はこの過剰の塩化チオニルを減圧で留去すれ
ばよい。 式()の5−n−アルキル−2−チエニルア
クリル酸クロライドと式()のp−n−アルコ
キシフエノールとの反応はエチルエーテル、ベン
ゼンなどの不活性溶媒中で行ない、このうち特に
エチルエーテルが好ましい。また反応中に生じる
ハロゲン化水素を系外に除くために、ピリジン、
トリエチルアミンなどの塩基性物質を加えること
が好ましい。反応後、生成物は有機溶媒抽出、水
洗、結晶化等の処理をすることにより目的とする
5−n−アルキル−2−チエニルアクリル酸p−
n−アルコキシフエニルを得ることができる。 また製造方法において、N,N′−ジシクロ
ヘキシルカルボジイミドは式()の化合物に対
して通常等モル用い、ピリジンの存在下でジクロ
ロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素等の溶媒
中で脱水反応させる。 本発明に用いる式()の5−n−アルキル−
2−チエニルアクリル酸はたとえば次に示す方法
で得られる。 第1段階はチオフエン()に塩化第二錫を触
媒として、酸塩化物(R3COCl、R3は目的とする
化合物()のR1より炭素原子数が1小さな直
鎖アルキル基を示す。)を反応させて式()の
化合物を製造することが出来る[J.R.Johnson
and G.E.May、Org.Syn.Col.Vol.、8
(1943)]。 第2段階は式()の化合物をエチレングリコ
ール系溶剤の存在下でヒドラジン水化物との還流
により還元する。水との共沸混合物を分離し、稀
塩酸で洗浄後、水洗、乾燥、蒸溜等の一連の精製
処理を施して式()の化合物を製造することが
出来る、[J.Org.Chem.、14638(1949)]。 第3段階は式()の化合物をエチルエーテル
を溶剤としてフエニルリチウム、N,N−ジメチ
ルホルムアミドと室温で反応させたのち、水を加
え、有機層を分離後、水洗、乾燥、蒸溜等の一連
の精製処理を施して式()の化合物を製造す
る。 第4段階は式()の化合物をナトリウムの存
在下で酢酸メチルと還流して式()の化合物を
製造する。反応によつて生成した混合物から式
()の化合物を単離する必要はなく、酢酸で中
和し、重曹溶液で洗滌後、過剰の酢酸メチルを除
去するだけでよい。 第5段階は第4段階で製造された粗製の式
()の化合物を加水分解し、反応生成物を含水
エタノールから再結晶させて式()の化合物を
製造する。 本発明の5−n−アルキル−2−チエニルアク
リル酸p−n−アルコキシフエニルは室温付近の
広い温度範囲でネマチツク液晶を形成する液晶性
化合物であり、チオフエン環を含む液晶性化合物
としては初めてのものである。この化合物は液晶
組成物の配合成分として通常複数の液晶性化合物
と共に用いられる。更に本発明の液晶性化合物中
にはそれ自体では液晶相を示さずとも液晶組成物
の配合成分として有用な物質も含まれる。 次に本発明の主な液晶性化合物の物理特性を第
1表に示す。
す新規なチオフエン化合物、その製造方法ならび
に該化合物を含む液晶組成物に関する。 [発明の技術的背景] 液晶は、電場の影響をうけて光散乱、複屈折な
どの光学的性質を顕著に変える特徴を有し、広く
電気光学表示装置に利用される。そのような表示
装置に用いられる液晶に要求される性質は、液晶
温度範囲が広く、かつ低粘性であること、湿気、
熱、光などに対して安定なことである。さらに、
可視光領域で固有の吸収を示さず、着色していな
いことも要求される。このうち液晶温度範囲につ
いては、これが広い場合には、より少ない種類の
液晶物質を混合することで実用に供することが可
能な点で有利であり、また低粘性の場合には液晶
素子の応答時間が短かくなる点で有利である。 [発明の目的] 本発明は広い液晶温度範囲を有する新規なチオ
フエン系化合物であるネマチツク液晶性化合物、
ならびにこの化合物を含む液晶組成物を提供する
ことを目的とする。 [発明の構成] すなわち本発明の5−n−アルキル−2−チエ
ニルアクリル酸p−n−アルコキシフエニルは、
一般式 (式中、R1は炭素原子数2〜16の直鎖アルキル
基を示し、R2は炭素原子数2〜12の直鎖アルキ
ル基を示す) で表わされることを特徴し、またその製法は 一般式 (式中、R1は炭素原子数2〜16の直鎖アルキ
ル基を示す) で表わされる5−n−アルキル−2−チエニル
アクリル酸を塩素化剤と反応させて 一般式 (式中、R1は前記と同じ意味) で表わされる5−n−アルキル−2−チエニル
アクリル酸クロライドとし、次いでこの酸塩化
物と、一般式 (式中、R2は炭素原子数2〜12の直鎖アルキ
ル基を示す) で表わされるp−n−アルコキシフエノールを
不活性溶媒中で反応させて 一般式 (式中、R1およびR2は前記と同じ意味) で表わされる化合物を得ること、および 一般式 (式中、R1は炭素原子数2〜16の直鎖アルキ
ル基を示す) で表わされる化合物と、 一般式 (式中、R2は炭素原子数2〜12の直鎖アルキ
ル基を示す) で表わされる化合物とをN,N′−ジシクロヘ
キシルカルボジイミドの存在下で脱水反応さ
せ、 一般式 (式中、R1およびR2は前記と同じ意味) で表わされる化合物を得ることを特徴とする。 また本発明の液晶組成物は前記一般式()で
表わされる化合物を1種以上含むことを特徴とす
る。 式()〜()のR1は炭素原子数2〜16の
直鎖アルキル基を示し、このうち特に炭素原子数
2〜12の直鎖アルキル基が好ましい。また式
()および()のR2としては炭素原子数2〜
12の直鎖アルキル基があげられ、このうち特に炭
素原子数5〜8の直鎖アルキル基が好ましい。
R1およびR2は同一分子中で同一でもよく、ある
いは相異なつていてもよい。 次に本発明の製造方法について述べる。 製造方法において塩素化剤としては塩化チオ
ニル、三塩化リン、五塩化リンなどが挙げられる
が、特に反応処理の容易さから塩化チオニルが好
ましい。塩化チオニルを用いた場合、式()の
5−n−アルキル−2−チエニルアクリル酸との
反応は過剰の塩化チオニルを用いて還流させ、反
応後はこの過剰の塩化チオニルを減圧で留去すれ
ばよい。 式()の5−n−アルキル−2−チエニルア
クリル酸クロライドと式()のp−n−アルコ
キシフエノールとの反応はエチルエーテル、ベン
ゼンなどの不活性溶媒中で行ない、このうち特に
エチルエーテルが好ましい。また反応中に生じる
ハロゲン化水素を系外に除くために、ピリジン、
トリエチルアミンなどの塩基性物質を加えること
が好ましい。反応後、生成物は有機溶媒抽出、水
洗、結晶化等の処理をすることにより目的とする
5−n−アルキル−2−チエニルアクリル酸p−
n−アルコキシフエニルを得ることができる。 また製造方法において、N,N′−ジシクロ
ヘキシルカルボジイミドは式()の化合物に対
して通常等モル用い、ピリジンの存在下でジクロ
ロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素等の溶媒
中で脱水反応させる。 本発明に用いる式()の5−n−アルキル−
2−チエニルアクリル酸はたとえば次に示す方法
で得られる。 第1段階はチオフエン()に塩化第二錫を触
媒として、酸塩化物(R3COCl、R3は目的とする
化合物()のR1より炭素原子数が1小さな直
鎖アルキル基を示す。)を反応させて式()の
化合物を製造することが出来る[J.R.Johnson
and G.E.May、Org.Syn.Col.Vol.、8
(1943)]。 第2段階は式()の化合物をエチレングリコ
ール系溶剤の存在下でヒドラジン水化物との還流
により還元する。水との共沸混合物を分離し、稀
塩酸で洗浄後、水洗、乾燥、蒸溜等の一連の精製
処理を施して式()の化合物を製造することが
出来る、[J.Org.Chem.、14638(1949)]。 第3段階は式()の化合物をエチルエーテル
を溶剤としてフエニルリチウム、N,N−ジメチ
ルホルムアミドと室温で反応させたのち、水を加
え、有機層を分離後、水洗、乾燥、蒸溜等の一連
の精製処理を施して式()の化合物を製造す
る。 第4段階は式()の化合物をナトリウムの存
在下で酢酸メチルと還流して式()の化合物を
製造する。反応によつて生成した混合物から式
()の化合物を単離する必要はなく、酢酸で中
和し、重曹溶液で洗滌後、過剰の酢酸メチルを除
去するだけでよい。 第5段階は第4段階で製造された粗製の式
()の化合物を加水分解し、反応生成物を含水
エタノールから再結晶させて式()の化合物を
製造する。 本発明の5−n−アルキル−2−チエニルアク
リル酸p−n−アルコキシフエニルは室温付近の
広い温度範囲でネマチツク液晶を形成する液晶性
化合物であり、チオフエン環を含む液晶性化合物
としては初めてのものである。この化合物は液晶
組成物の配合成分として通常複数の液晶性化合物
と共に用いられる。更に本発明の液晶性化合物中
にはそれ自体では液晶相を示さずとも液晶組成物
の配合成分として有用な物質も含まれる。 次に本発明の主な液晶性化合物の物理特性を第
1表に示す。
【表】
←
【表】
←
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (式中、R1は炭素原子数2〜16の直鎖アルキル
基を示し、R2は炭素原子数2〜12の直鎖アルキ
ル基を示す) で表わされることを特徴とする5−n−アルキル
−2−チエニルアクリル酸p−n−アルコキシフ
エニル。 2 R1が炭素原子数2〜12の直鎖アルキル基で
あり、R2が炭素原子数5〜8の直鎖アルキル基
である特許請求の範囲第1項記載の5−n−アル
キル−2−チエニルアクリル酸p−n−アルコキ
シフエニル。 3 一般式 (式中、R1は炭素原子数2〜16の直鎖アルキル
基を示す) で表わされる5−n−アルキル−2−チエニルア
クリル酸を塩素化剤と反応させて 一般式 (式中、R1は前記と同じ意味) で表わされる5−n−アルキル−2−チエニルア
クリル酸クロライドとし、次いでこの酸塩化物
と、一般式 (式中、R2は炭素原子数2〜12の直鎖アルキル
基を示す) で表わされるp−n−アルコキシフエノールを不
活性溶媒中で反応させて 一般式 (式中、R1および2は前記と同じ意味) で表わされる化合物を得ることを特徴とする5−
n−アルキル−2−チエニルアクリル酸p−n−
アルコキシフエニルの製造方法。 4 R1が炭素原子数2〜12の直鎖アルキル基で
あり、R2が炭素原子数5〜8の直鎖アルキル基
である特許請求の範囲第3項記載の方法。 5 一般式 (式中、R1は炭素原子数2〜16の直鎖アルキル
基を示す) で表わされる化合物と、 一般式 (式中、R2は炭素原子数2〜12の直鎖アルキル
基を示す) で表わされる化合物とをN,N′−ジシクロヘキ
シルカルボジイミドの存在下で脱水反応させ、 一般式 (式中、R1およびR2は前記と同じ意味) で表わされる化合物を得ることを特徴とする5−
n−アルキル−2−チエニルアクリル酸p−n−
アルコキシフエニルの製造方法。 6 R1が炭素原子数2〜12の直鎖アルキル基で
あり、R2が炭素原子数5〜8の直鎖アルキル基
である特許請求の範囲第5項記載の方法。 7 一般式 (式中、R1は炭素原子数2〜12の直鎖アルキル
基を示し、R2は炭素原子数5〜8の直鎖アルキ
ル基を示す) で表わされる化合物を1種以上含むことを特徴と
する液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59267133A JPS61143375A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 5−n−アルキル−2−チエニルアクリル酸p−n−アルコキシフエニルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59267133A JPS61143375A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 5−n−アルキル−2−チエニルアクリル酸p−n−アルコキシフエニルおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61143375A JPS61143375A (ja) | 1986-07-01 |
| JPS6366838B2 true JPS6366838B2 (ja) | 1988-12-22 |
Family
ID=17440532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59267133A Granted JPS61143375A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 5−n−アルキル−2−チエニルアクリル酸p−n−アルコキシフエニルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61143375A (ja) |
-
1984
- 1984-12-17 JP JP59267133A patent/JPS61143375A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61143375A (ja) | 1986-07-01 |
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