JPS636861A - 半導体素子用容器 - Google Patents
半導体素子用容器Info
- Publication number
- JPS636861A JPS636861A JP61150790A JP15079086A JPS636861A JP S636861 A JPS636861 A JP S636861A JP 61150790 A JP61150790 A JP 61150790A JP 15079086 A JP15079086 A JP 15079086A JP S636861 A JPS636861 A JP S636861A
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- JP
- Japan
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- planes
- container
- members
- wall
- protrusion
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- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子用容器に関する。
一般に半導体素子用容器は高周波化が進むにつれ容器を
構成する容器基体の小形化が進むが、同時に気密性ある
いは組立作業性についての問題が生じる。
構成する容器基体の小形化が進むが、同時に気密性ある
いは組立作業性についての問題が生じる。
従来の半導体素子用容器について第２図を参照して説明
する。第２図は特に気密性を重視した容器として例えば
、パワーＦＥＴの場合についての一例を示す縦断面図で
ある。第２図において、熱伝導のよい導電性の容器基体
９１上に固着された絶縁性の壁部材９２及び９３を積層
構造としこの壁部材９２の上面には入出力電極の外部導
出用金属化層９８をもち、入出力側それぞれで入出力線
材４により外部に電極が引き出される。容器基体９１は
凸形状をなし、中央部の突部上面に半導体素子１２を素
子固着用金属化層で固着する。半導体素子１２の電極は
電極配線用線９により近接する壁部材９２の上面にある
電極導出用金属化層９８に接続されて入出力線材４によ
り引き出される。
する。第２図は特に気密性を重視した容器として例えば
、パワーＦＥＴの場合についての一例を示す縦断面図で
ある。第２図において、熱伝導のよい導電性の容器基体
９１上に固着された絶縁性の壁部材９２及び９３を積層
構造としこの壁部材９２の上面には入出力電極の外部導
出用金属化層９８をもち、入出力側それぞれで入出力線
材４により外部に電極が引き出される。容器基体９１は
凸形状をなし、中央部の突部上面に半導体素子１２を素
子固着用金属化層で固着する。半導体素子１２の電極は
電極配線用線９により近接する壁部材９２の上面にある
電極導出用金属化層９８に接続されて入出力線材４によ
り引き出される。
またキャップ封止部６は壁部材９３の上面に設けた封止
用金属化層とキャップ９０の周辺部に設けな封止用金属
化層とで封止用金属１例えば金スズをはさんで熔着する
ことにより容器基体９１とキャップ９０との気密封止を
実現する。壁部材９２９３の形状の単純化、並びに電極
配線用線９の配線作業の容易性から壁部材９２の上面は
容器基体９１の突部上面とほぼ同一平面をなす。従って
、絶縁性の壁部材９３上の封止面は凸形で導電性の容器
基体の上面である素子搭載面より高い位置にある構造に
なっていた。
用金属化層とキャップ９０の周辺部に設けな封止用金属
化層とで封止用金属１例えば金スズをはさんで熔着する
ことにより容器基体９１とキャップ９０との気密封止を
実現する。壁部材９２９３の形状の単純化、並びに電極
配線用線９の配線作業の容易性から壁部材９２の上面は
容器基体９１の突部上面とほぼ同一平面をなす。従って
、絶縁性の壁部材９３上の封止面は凸形で導電性の容器
基体の上面である素子搭載面より高い位置にある構造に
なっていた。
上述した従来の半導体素子用容器は絶縁性の壁部材を積
層してキャップ封止部を容器基体および入出力線材から
離して配することにより、例えば金スズのような封止用
金属を使用して気密性に優れた容器が実現できるが、封
止面が半導体素子の搭載面より高いためキャップ封正直
前の、半導体素子配設時に使用するアームあるいはコレ
ットが、また電極配線用線の接続工程時のウェッジある
いはキャピラリーがこの壁部材に接触するため組立工程
の作業性を悪くし、自動化への大きな障害になるという
問題点があった。 本発明の目的は上記問題点を解決し
気密性においても又組立作業性においてもすぐれた構造
をもつ半導体素子用容器を提供することにある。
層してキャップ封止部を容器基体および入出力線材から
離して配することにより、例えば金スズのような封止用
金属を使用して気密性に優れた容器が実現できるが、封
止面が半導体素子の搭載面より高いためキャップ封正直
前の、半導体素子配設時に使用するアームあるいはコレ
ットが、また電極配線用線の接続工程時のウェッジある
いはキャピラリーがこの壁部材に接触するため組立工程
の作業性を悪くし、自動化への大きな障害になるという
問題点があった。 本発明の目的は上記問題点を解決し
気密性においても又組立作業性においてもすぐれた構造
をもつ半導体素子用容器を提供することにある。
本発明の半導体素子用容器は中央部に突部を有し該突部
上面に半導体素子を固着する導電性の容器基体と、Ｌ字
形をなしＬ字の左面にあたる外壁が前記突部の外壁面に
対峙し底面が前記容器基体に固着すると共に対峙する前
記り字形の最上面の高さが前記突部の最上面の高さにほ
ぼ等しい少くとも一つの絶縁性の第１の壁部材と、該第
１の壁部材のＬ字形の底辺部を前記容器基体と共に挟み
上面でキャップを封止すると共にキャップを封止する面
が前記突部最上面および前記第１の壁部材の最上面とほ
ぼ同一平面を形成する絶縁性の第２の壁部材とを有する
。
上面に半導体素子を固着する導電性の容器基体と、Ｌ字
形をなしＬ字の左面にあたる外壁が前記突部の外壁面に
対峙し底面が前記容器基体に固着すると共に対峙する前
記り字形の最上面の高さが前記突部の最上面の高さにほ
ぼ等しい少くとも一つの絶縁性の第１の壁部材と、該第
１の壁部材のＬ字形の底辺部を前記容器基体と共に挟み
上面でキャップを封止すると共にキャップを封止する面
が前記突部最上面および前記第１の壁部材の最上面とほ
ぼ同一平面を形成する絶縁性の第２の壁部材とを有する
。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図である。第１
図において、半導体素子用容器は容器基体１、壁部材２
・３、およびキャップ１０で構成される。容器基体１は
ほぼ中央部で上方向へ凸形をなす突部１３を有する導電
体で突部１３の上面には素子固着用金属層１１をもって
半導体素子１２のペレットを固着する。壁部材２はＬ字
形をなす絶縁性のもので、Ｌ字形の左の面になる外壁が
突部１３の外側壁面に対峙し、底面が容器基体１の上面
に接して固着する。壁部材２の最上面は容器内部の突起
１３の最上面とほぼ同一平面をなして半導体素子１２の
電極と接続する電極配線用線９を接着する電極導出用金
属化層８が布設される。
図において、半導体素子用容器は容器基体１、壁部材２
・３、およびキャップ１０で構成される。容器基体１は
ほぼ中央部で上方向へ凸形をなす突部１３を有する導電
体で突部１３の上面には素子固着用金属層１１をもって
半導体素子１２のペレットを固着する。壁部材２はＬ字
形をなす絶縁性のもので、Ｌ字形の左の面になる外壁が
突部１３の外側壁面に対峙し、底面が容器基体１の上面
に接して固着する。壁部材２の最上面は容器内部の突起
１３の最上面とほぼ同一平面をなして半導体素子１２の
電極と接続する電極配線用線９を接着する電極導出用金
属化層８が布設される。
電極導出用金属化層８は壁部材２の上面で容器の外方向
端辺まで布設され入出力線材４により容器外へ引出され
る。壁部材３は壁部材２の底面の上面に配設される絶縁
体で、上面は突部１３の最上面および壁部材２の最上面
とほぼ同一平面上にある。容器は容器基体１、壁部材２
・３により側面が密閉され、上面にほぼ同一平面をなし
て突部１３、壁部材２・３のそれぞれの最上面が見える
。
端辺まで布設され入出力線材４により容器外へ引出され
る。壁部材３は壁部材２の底面の上面に配設される絶縁
体で、上面は突部１３の最上面および壁部材２の最上面
とほぼ同一平面上にある。容器は容器基体１、壁部材２
・３により側面が密閉され、上面にほぼ同一平面をなし
て突部１３、壁部材２・３のそれぞれの最上面が見える
。
半導体素子１２はペレットとして中央の突部１３の最上
面に素子固着用金属化層１１で固着され、次いで電極配
線用線９により壁部材２の金属化層８へ電極が導出され
る。次いで容器は側面外壁をなす壁部材３の上面並びに
キャップ１０の壁部材３との接着面を封止用金属化層と
し、これらの金属化層間に例えば金スズを挟み熔着する
キャップ１０の金属封止により気密封止される。
面に素子固着用金属化層１１で固着され、次いで電極配
線用線９により壁部材２の金属化層８へ電極が導出され
る。次いで容器は側面外壁をなす壁部材３の上面並びに
キャップ１０の壁部材３との接着面を封止用金属化層と
し、これらの金属化層間に例えば金スズを挟み熔着する
キャップ１０の金属封止により気密封止される。
以上説明したように本発明は半導体素子の搭載面である
容器基体上面と封止面である壁部材上面とをほぼ同一の
高さに形成することにより、組立の作業性がよく、しか
もキャップの金属封止により気密性にもすぐれた高信頼
度で量産性のある容器が実現できる効果がある。
容器基体上面と封止面である壁部材上面とをほぼ同一の
高さに形成することにより、組立の作業性がよく、しか
もキャップの金属封止により気密性にもすぐれた高信頼
度で量産性のある容器が実現できる効果がある。
第１図は本発明による半導体素子用容器の一実施例を示
す縦断面図、第２図は従来の一例を示す縦断面図である
。 １．９１・・・容器基体、２，３，９２．９３・・・壁
部材、８，１１．９８・・・金属化層、１０．９０・・
・キャップ、１２・・・半導体素子、１３・・・突部。 第１図 第２図 ヲＩ 審社基イ本
す縦断面図、第２図は従来の一例を示す縦断面図である
。 １．９１・・・容器基体、２，３，９２．９３・・・壁
部材、８，１１．９８・・・金属化層、１０．９０・・
・キャップ、１２・・・半導体素子、１３・・・突部。 第１図 第２図 ヲＩ 審社基イ本
Claims (1)
- 中央部に突部を有し該突部上面に半導体素子を固着する
導電性の容器基体と、Ｌ字形をなしＬ字の左面にあたる
外壁が前記突部の外壁面に対峙し底面が前記容器基体に
固着すると共に対峙する前記Ｌ字形の最上面までの高さ
が前記突部の最上面の高さにほぼ等しい少くとも一つの
絶縁性の第１の壁部材と、該第１の壁部材のＬ字形の底
辺部を前記容器基体と共に挟み上面でキャップを封止す
ると共にキャップを封止する面が前記突部最上面および
前記第１の壁部材の最上面とほぼ同一平面を形成する絶
縁性の第２の壁部材とを有することを特徴とする半導体
素子用容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61150790A JPH0777242B2 (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 半導体素子用容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61150790A JPH0777242B2 (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 半導体素子用容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS636861A true JPS636861A (ja) | 1988-01-12 |
| JPH0777242B2 JPH0777242B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=15504488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61150790A Expired - Lifetime JPH0777242B2 (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 半導体素子用容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0777242B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0273653A (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-13 | Nec Corp | 半導体装置用パッケージ |
| US5223741A (en) * | 1989-09-01 | 1993-06-29 | Tactical Fabs, Inc. | Package for an integrated circuit structure |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59121841U (ja) * | 1983-02-03 | 1984-08-16 | 日本電気株式会社 | Ｉｃチツプ用パツケ−ジ |
-
1986
- 1986-06-26 JP JP61150790A patent/JPH0777242B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59121841U (ja) * | 1983-02-03 | 1984-08-16 | 日本電気株式会社 | Ｉｃチツプ用パツケ−ジ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0273653A (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-13 | Nec Corp | 半導体装置用パッケージ |
| US5223741A (en) * | 1989-09-01 | 1993-06-29 | Tactical Fabs, Inc. | Package for an integrated circuit structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0777242B2 (ja) | 1995-08-16 |
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