JPS637020B2 - - Google Patents
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- JPS637020B2 JPS637020B2 JP55028333A JP2833380A JPS637020B2 JP S637020 B2 JPS637020 B2 JP S637020B2 JP 55028333 A JP55028333 A JP 55028333A JP 2833380 A JP2833380 A JP 2833380A JP S637020 B2 JPS637020 B2 JP S637020B2
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- thin film
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/517—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using a combination of discharges covered by two or more of groups C23C16/503 - C23C16/515
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
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- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜の製造方法に関し、主としてアモ
ルフアス半導体に関するものである。
ルフアス半導体に関するものである。
例えばアモルフアスシリコン（以下はａ−siと
する）をグロー放電法でモノシラン（SiH4）を
分解して成長させる場合、またはスパツタリング
によつてａ−siを水素（Ｈ）雰囲気中で成長させ
る場合、通常Ｈが10％程度含まれている。この場
合ａ−si中のダングリングボンドはＨによつて補
償され不活性なものになると考えられている。し
かしＨとSiとの結合形態が不適当な場合、または
Ｈがａ−si中に多量に混入された場合にはａ−si
の電気特性は著るしく悪くなる。
する）をグロー放電法でモノシラン（SiH4）を
分解して成長させる場合、またはスパツタリング
によつてａ−siを水素（Ｈ）雰囲気中で成長させ
る場合、通常Ｈが10％程度含まれている。この場
合ａ−si中のダングリングボンドはＨによつて補
償され不活性なものになると考えられている。し
かしＨとSiとの結合形態が不適当な場合、または
Ｈがａ−si中に多量に混入された場合にはａ−si
の電気特性は著るしく悪くなる。
本発明の目的は例えばａ−siの電気的特性にと
つて重要なＨのとり込まれ方をＨとsiの結合固有
振動数を利用し、その振動数と同一の光を照射す
ることによつて、悪影響を与えると考えられるsi
とＨの特定の結合の発生を抑え、かつ制御し、ａ
−siの特性を改善することである。
つて重要なＨのとり込まれ方をＨとsiの結合固有
振動数を利用し、その振動数と同一の光を照射す
ることによつて、悪影響を与えると考えられるsi
とＨの特定の結合の発生を抑え、かつ制御し、ａ
−siの特性を改善することである。
従来例えばａ−siはスパツタリング、グロー放
電法等いくつかの方法で製造されている。ａ−si
中にとり込まれる水素量やＨとsiの結合形態を制
御するため基板温度、成長時の圧力、siH4を分
解するパワー等を変化させてきた。
電法等いくつかの方法で製造されている。ａ−si
中にとり込まれる水素量やＨとsiの結合形態を制
御するため基板温度、成長時の圧力、siH4を分
解するパワー等を変化させてきた。
J.C.KnightsらがPhilosophical Mag.1978年第
37巻467ページで述べているように室温付近でａ
−siを成長させた場合、その膜は（si）ｘ
（Si2H4）1-xの形に表現できるとしている。すなわ
ちこの場合はM.H.BrodskyらがAppl.Phys.
Lett.1977年第30巻563ページで述べているように
ａ−si中に過剰にＨがとり込まれることとなる。
また上記J.C.Knightsらは250℃以上の基板温度で
はsiには１つのＨしか結合していない、すなわち
si−Ｈの形に現わせるものがsiとＨの結合形とし
ては主な要素であると述べている。しかし基板温
度を250℃以上にしただけでは（si）ｘ（si2H4）1-x
の形はなくならない。
37巻467ページで述べているように室温付近でａ
−siを成長させた場合、その膜は（si）ｘ
（Si2H4）1-xの形に表現できるとしている。すなわ
ちこの場合はM.H.BrodskyらがAppl.Phys.
Lett.1977年第30巻563ページで述べているように
ａ−si中に過剰にＨがとり込まれることとなる。
また上記J.C.Knightsらは250℃以上の基板温度で
はsiには１つのＨしか結合していない、すなわち
si−Ｈの形に現わせるものがsiとＨの結合形とし
ては主な要素であると述べている。しかし基板温
度を250℃以上にしただけでは（si）ｘ（si2H4）1-x
の形はなくならない。
基板温度を400℃以上にした場合にはD.E.
CarlsonらがJ.Electrochem.Soc.1979年第126巻第
４号690ページで述べているようにａ−si中にと
り込まれたＨが抜け出し、そのあとがダングリン
グボンドとなつて再結合中心となりａ−siの特性
を著るしく劣化させる。これらのことから従来の
方法ではａ−siを作成する基板温度としては250
〜400℃が適当であるし、これ以外の基板温度で
は良質のａ−siが得られないということになる。
また250℃より低温になるにつれてsi−Ｈの結合
形よりsi−H2の結合形が増加し、室温付近では
過剰なＨがａ−si中に存在すると言える。
CarlsonらがJ.Electrochem.Soc.1979年第126巻第
４号690ページで述べているようにａ−si中にと
り込まれたＨが抜け出し、そのあとがダングリン
グボンドとなつて再結合中心となりａ−siの特性
を著るしく劣化させる。これらのことから従来の
方法ではａ−siを作成する基板温度としては250
〜400℃が適当であるし、これ以外の基板温度で
は良質のａ−siが得られないということになる。
また250℃より低温になるにつれてsi−Ｈの結合
形よりsi−H2の結合形が増加し、室温付近では
過剰なＨがａ−si中に存在すると言える。
基板温度を下げるとａ−siの電気的特性が劣化
する例として第１図に基板温度を変化させた光導
電特性を示す。蒸着条件は次のとおりである。
する例として第１図に基板温度を変化させた光導
電特性を示す。蒸着条件は次のとおりである。
ロータリーポンプで排気した後、0.2Torrの真
空度になるまでHeで希釈したSiH4をベルジヤに
導入させ、石英ガラス上にITO膜（InSnO膜）よ
りなる透明導電膜を蒸着した基板上に、約1μｍ
ａ−siを成長させた。その後、ａ−si表面の電極
をAu蒸着膜で形成した。基板温度は170〜350℃
まで変化させた。第１図においてΓは2.651x照射
時、●印は暗時の電流−電圧特性を示す。第１図
のように基板温度が200℃以下になると光導電特
性が悪くなるだけでなく暗時の比抵抗も下がる傾
向にある。ａ−si中に含まれる水素量は170〜350
℃までの温度範囲では12〜13％程度とほぼ一定で
あつたが、赤外線吸収特性をみるとsi−Ｈの吸収
である2000cm-1のピークは基板温度を下げると減
る傾向にあり、si−H2の吸収である2100cm-1のピ
ークは増加の傾向にあることがわかつた。
空度になるまでHeで希釈したSiH4をベルジヤに
導入させ、石英ガラス上にITO膜（InSnO膜）よ
りなる透明導電膜を蒸着した基板上に、約1μｍ
ａ−siを成長させた。その後、ａ−si表面の電極
をAu蒸着膜で形成した。基板温度は170〜350℃
まで変化させた。第１図においてΓは2.651x照射
時、●印は暗時の電流−電圧特性を示す。第１図
のように基板温度が200℃以下になると光導電特
性が悪くなるだけでなく暗時の比抵抗も下がる傾
向にある。ａ−si中に含まれる水素量は170〜350
℃までの温度範囲では12〜13％程度とほぼ一定で
あつたが、赤外線吸収特性をみるとsi−Ｈの吸収
である2000cm-1のピークは基板温度を下げると減
る傾向にあり、si−H2の吸収である2100cm-1のピ
ークは増加の傾向にあることがわかつた。
基板温度以外の成長パラメータとして成長時の
siH4分解パワー、成長時の真空度等を考慮し最
適条件を求めているが、ａ−si中にとり込まれる
水素量siとＨの結合形態の割合が多少変化するに
せよ、悪影響を与えるsiとＨの特定の結合形をほ
ぼ完全に取り除くことはできていない。これは間
接的にしかsiとＨの結合形を変えられないためで
ある。
siH4分解パワー、成長時の真空度等を考慮し最
適条件を求めているが、ａ−si中にとり込まれる
水素量siとＨの結合形態の割合が多少変化するに
せよ、悪影響を与えるsiとＨの特定の結合形をほ
ぼ完全に取り除くことはできていない。これは間
接的にしかsiとＨの結合形を変えられないためで
ある。
次に光を照射することによつて特性が変化する
従来の例を述べる。ａ−si膜に光を照射すること
によつて電子スピン共鳴（ESR）の信号が敏感
に変化することがJ.C.Knightsによつて1977年．
Proc.of.Intern.Conf.on Amorphous and Liquid
Semicon.Edinburgh433ページに明らかにされて
いる。またD.L.StoeblerらはAppl.Phys.
Lett.1977年第31巻292ページでａ−siに光を長時
間照射すると光導電特性は４桁近くも悪化し暗抵
抗も４桁減少すると述べている。彼らは禁止帯中
の準位密度が変化するモデルを提案している。こ
のようにａ−siを基板に成長した後でも光照射に
よつてａ−siの特性を変化させ得ることがわか
る。
従来の例を述べる。ａ−si膜に光を照射すること
によつて電子スピン共鳴（ESR）の信号が敏感
に変化することがJ.C.Knightsによつて1977年．
Proc.of.Intern.Conf.on Amorphous and Liquid
Semicon.Edinburgh433ページに明らかにされて
いる。またD.L.StoeblerらはAppl.Phys.
Lett.1977年第31巻292ページでａ−siに光を長時
間照射すると光導電特性は４桁近くも悪化し暗抵
抗も４桁減少すると述べている。彼らは禁止帯中
の準位密度が変化するモデルを提案している。こ
のようにａ−siを基板に成長した後でも光照射に
よつてａ−siの特性を変化させ得ることがわか
る。
本発明は例えばsiとＨのある特定の結合形の吸
収を利用し、これを直接的な手段を用いてａ−si
の電気特性に悪影響を与えない結合形にすること
ができ、飛躍的にａ−siの特性を向上させること
ができる製造法を提供するものである。
収を利用し、これを直接的な手段を用いてａ−si
の電気特性に悪影響を与えない結合形にすること
ができ、飛躍的にａ−siの特性を向上させること
ができる製造法を提供するものである。
本発明の一実施例を図面を使つて詳しく説明す
る。
る。
第２図中の導入体１から原料となる気体例えば
ArやHeで希釈されたsiH4を真空装置２の中へ導
入する。１は原料気体導入口だけでなく、グロー
放電を発生させる電極をも兼ね備えている。３は
ａ−siを成長させる基板であり、４は基板を加熱
するヒータ、５は基板およびヒータ等を支持する
棒である。電極１によつて高周波を与え、真空装
置中で放電させ上記導入された気体を分解する。
８は排気口である。以上は従来の高周波グロー放
電容量結合形ａ−si成長装置である。１０が本発
明に用いるところの、ある範囲をもつた波長の光
を発生させる光源であり、例えばハロゲンランプ
等に適当なフイルタを設けたものであつてもよ
く、レーザであつても良い。光源１０は基板３か
またはその周辺に光を照射している。光源１０か
ら発生させる光の成長の選び方について述べる。
ａ−si中のsiとＨの結合で吸収のピークが知られ
ているものはC.C.TsaiらがSolar Energy
Mat.1979年．第１巻29ページで述べているよう
に、2100cm-1にsi−H2 stretching modeの吸収
があり、2000cm-1にsi−Ｈ stretching mode、
900と850cm-1にsi−H2 stretching mode、640cm
-1にsi−Ｈ Wagging modeの各吸収ピークがあ
る。
ArやHeで希釈されたsiH4を真空装置２の中へ導
入する。１は原料気体導入口だけでなく、グロー
放電を発生させる電極をも兼ね備えている。３は
ａ−siを成長させる基板であり、４は基板を加熱
するヒータ、５は基板およびヒータ等を支持する
棒である。電極１によつて高周波を与え、真空装
置中で放電させ上記導入された気体を分解する。
８は排気口である。以上は従来の高周波グロー放
電容量結合形ａ−si成長装置である。１０が本発
明に用いるところの、ある範囲をもつた波長の光
を発生させる光源であり、例えばハロゲンランプ
等に適当なフイルタを設けたものであつてもよ
く、レーザであつても良い。光源１０は基板３か
またはその周辺に光を照射している。光源１０か
ら発生させる光の成長の選び方について述べる。
ａ−si中のsiとＨの結合で吸収のピークが知られ
ているものはC.C.TsaiらがSolar Energy
Mat.1979年．第１巻29ページで述べているよう
に、2100cm-1にsi−H2 stretching modeの吸収
があり、2000cm-1にsi−Ｈ stretching mode、
900と850cm-1にsi−H2 stretching mode、640cm
-1にsi−Ｈ Wagging modeの各吸収ピークがあ
る。
よつてsi−H2の結合形をなくしたければ2100
cm-1、900cm-1、850cm1の波数の光を用いれば良
く、si−Ｈの結合形をなくしたければ2000cm-1、
640cm-1の波数の光を用いればよい。厳密に上記
波数の光を用いなくとも他の結合形に影響を与え
ない波数範囲であれば良いことは言うまでもな
い。
cm-1、900cm-1、850cm1の波数の光を用いれば良
く、si−Ｈの結合形をなくしたければ2000cm-1、
640cm-1の波数の光を用いればよい。厳密に上記
波数の光を用いなくとも他の結合形に影響を与え
ない波数範囲であれば良いことは言うまでもな
い。
次に加熱温度について述べる。基板加熱は特定
の光を基板面に照射しただけで良質のａ−siが得
られる光エネルギ密度であれば加熱用ヒータを用
いる必要はなく、高過ぎれば冷却しなければなら
ない。基板温度範囲は製造条件の違いによつて変
化するが、上記従来例に示した温度範囲が適当で
ある。以上は、グロー放電法の構成例について述
べたが、スパツタリング法においても、従来の装
置に前記光源１０を取り付ければ良い。
の光を基板面に照射しただけで良質のａ−siが得
られる光エネルギ密度であれば加熱用ヒータを用
いる必要はなく、高過ぎれば冷却しなければなら
ない。基板温度範囲は製造条件の違いによつて変
化するが、上記従来例に示した温度範囲が適当で
ある。以上は、グロー放電法の構成例について述
べたが、スパツタリング法においても、従来の装
置に前記光源１０を取り付ければ良い。
次に光源１０の位置について述べる。第２図で
は光源１０は真空装置２の外に位置しているが、
ベルジヤの材質によつて光が照射できない場合、
ベルジヤ内壁にａ−siが付着して効力を発揮でき
ない場合には装置２内に入れる必要がある。この
場合、原料ガスの流れの方向およびプラズマの発
生する領域等を考慮に入れ、光源１０がａ−siの
付着によつて影響を受けない位置を装置２内に設
けなければならない。
は光源１０は真空装置２の外に位置しているが、
ベルジヤの材質によつて光が照射できない場合、
ベルジヤ内壁にａ−siが付着して効力を発揮でき
ない場合には装置２内に入れる必要がある。この
場合、原料ガスの流れの方向およびプラズマの発
生する領域等を考慮に入れ、光源１０がａ−siの
付着によつて影響を受けない位置を装置２内に設
けなければならない。
第３図ａは光源１０を真空装置２内に入れた構
成例であり、２０は真空装置の光源１０用に設け
た枝である。第３図ｂは枝２０の外側に光源１０
を設けた構成例であり、枝２０の末端は、石英ガ
ラス等の光源１０から発生する光を透過しやすい
材質でできている。
成例であり、２０は真空装置の光源１０用に設け
た枝である。第３図ｂは枝２０の外側に光源１０
を設けた構成例であり、枝２０の末端は、石英ガ
ラス等の光源１０から発生する光を透過しやすい
材質でできている。
以上siとＨの結合の共振振動による吸収を利用
したＨの解離方法を述べたが、次にsiとＨの結合
から直接Ｈを取り除くのに必要なエネルギを持つ
光を照射する方法について述べる。
したＨの解離方法を述べたが、次にsiとＨの結合
から直接Ｈを取り除くのに必要なエネルギを持つ
光を照射する方法について述べる。
si−H2からＨを１個取るに必要なエネルギを
持つ光を照射すればsi−H2はsi−Ｈになり、si−
Ｈの結合からＨを取るに必要なエネルギを持つ光
を照射すればsiとＨの結合をはずすことができ
る。
持つ光を照射すればsi−H2はsi−Ｈになり、si−
Ｈの結合からＨを取るに必要なエネルギを持つ光
を照射すればsiとＨの結合をはずすことができ
る。
例えば、原料ガスがSiH4である場合、SiH4の
光化学分解エネルギは約6.7eVであり、SiH4をSi
と２つのH2に分解するには4.4eV、SiHとH2とＨ
に分解するには5.9eV、SiH2とH2に分解するに
は2.1eV、SiH3とＨに分解するには4.1eVである。
光化学分解エネルギは約6.7eVであり、SiH4をSi
と２つのH2に分解するには4.4eV、SiHとH2とＨ
に分解するには5.9eV、SiH2とH2に分解するに
は2.1eV、SiH3とＨに分解するには4.1eVである。
しかし、siとＨの結合エネルギは約3.5eVであ
り、この光を基板に成長したａ−si表面に照射す
るとａ−si中で吸収され、照射条件により膜が発
熱して必要なＨまでが解離する。このため、ａ−
siの禁止帯幅より大きなエネルギを持つ光を照射
する場合は、基板に直接光が当たらないようにす
るか、または、パルス光を照射する等ａ−siがＨ
を解離させるほどの温度にならないような工夫を
行なつた。また照射部と基板との距離は平均自由
行程程度以内にすることが望ましい。
り、この光を基板に成長したａ−si表面に照射す
るとａ−si中で吸収され、照射条件により膜が発
熱して必要なＨまでが解離する。このため、ａ−
siの禁止帯幅より大きなエネルギを持つ光を照射
する場合は、基板に直接光が当たらないようにす
るか、または、パルス光を照射する等ａ−siがＨ
を解離させるほどの温度にならないような工夫を
行なつた。また照射部と基板との距離は平均自由
行程程度以内にすることが望ましい。
以上構成例はａ−si特にグロー放電法による製
作法に絞つて説明したが、本発明はａ−si製作に
限るものではなく、いくつもの元素を含む合金ま
たは半導体等にもその特性改善のため特定の原子
間結合を発生させない製造方法にも適用されるも
のである。
作法に絞つて説明したが、本発明はａ−si製作に
限るものではなく、いくつもの元素を含む合金ま
たは半導体等にもその特性改善のため特定の原子
間結合を発生させない製造方法にも適用されるも
のである。
本発明による照射する光は大きく分けて２種類
である。すなわち薄膜の禁止帯幅より大きなエネ
ルギを持つ光と小さなエネルギを持つ光である。
後者は基板の加熱をも含めて基板に直接照射する
ことができるが前者は薄膜を異常に発熱させるた
め、パルス光を与えるとか、直接基板に光が当た
らないようにする等、照射に工夫が必要である。
である。すなわち薄膜の禁止帯幅より大きなエネ
ルギを持つ光と小さなエネルギを持つ光である。
後者は基板の加熱をも含めて基板に直接照射する
ことができるが前者は薄膜を異常に発熱させるた
め、パルス光を与えるとか、直接基板に光が当た
らないようにする等、照射に工夫が必要である。
実施例としてａ−siを用い上記２種の光を照射
しＨのａ−si中への取り込まれ方を調べたが、ほ
ぼ完全に特定のsiとＨの結合を消滅させることが
でき、特にsi−H2の結合形をsi−Ｈの結合形に変
える光を照射した場合、従来のａ−si電気特性よ
り良い特性が観測された。
しＨのａ−si中への取り込まれ方を調べたが、ほ
ぼ完全に特定のsiとＨの結合を消滅させることが
でき、特にsi−H2の結合形をsi−Ｈの結合形に変
える光を照射した場合、従来のａ−si電気特性よ
り良い特性が観測された。
このように本発明は将来有望視されているアモ
ルフアス物質等の特性を飛躍的に改善する製造方
法を提供するばかりでなく、アモルフアス物質の
応用範囲を広げ、産業に大きく貢献するものであ
る。
ルフアス物質等の特性を飛躍的に改善する製造方
法を提供するばかりでなく、アモルフアス物質の
応用範囲を広げ、産業に大きく貢献するものであ
る。
第１図は基板温度を変化させた場合のａ−si膜
の光導電特性図、第２図は本発明のＨに用いる装
置の概略構成例を示す図、第３図ａ，ｂは本発明
に用いる薄膜形成装置の要部の他の構成例の概略
図である。 １……原料気体導入口兼電極、２……真空装
置、３……基板、４……ヒータ、１０……光源。
の光導電特性図、第２図は本発明のＨに用いる装
置の概略構成例を示す図、第３図ａ，ｂは本発明
に用いる薄膜形成装置の要部の他の構成例の概略
図である。 １……原料気体導入口兼電極、２……真空装
置、３……基板、４……ヒータ、１０……光源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 放電プラズマデイポジシヨン反応に加え、Si
とＨとの結合エネルギにみあつた2100cm-1、900
cm-1、850cm-1の波数を含む光または2000cm-1、
640cm-1の波数を含む光を同時にかつ基板に直接
当たらないように照射するか、またはパルス光に
して照射することを特徴とする薄膜の製造方法。 ２ 薄膜が水素を含むアモルフアスシリコン膜よ
りなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の薄膜の製造方法。 ３ スパツタリング反応に加え、SiとＨとの結合
エネルギにみあつた2100cm-1、900cm-1、850cm-1
の波長を含む光、または2000cm-1、640cm-1の波
数を含む光を同時にかつ基板に直接当たらないよ
うに照射するか、またはパルス光にして照射する
ことを特徴とする薄膜の製造方法。 ４ 薄膜が水素を含むアモルフアスシリコン膜よ
りなることを特徴とする特許請求の範囲第３項記
載の薄膜の製造方法。 ５ 放電プラズマデポジシヨン反応に加え、Siと
Ｈとを含む気体状化合物の結合エネルギにみあつ
た6.7eV、4.4eV、5.9eV、2.1eV、4.1eVを持つエ
ネルギを含む光を同時に、かつ基板に直接当たら
ないように照射するか、または、パルス光にして
照射し、水素を含むアモルフアスシリコンを形成
することを特徴とする薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2833380A JPS56124229A (en) | 1980-03-05 | 1980-03-05 | Manufacture of thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2833380A JPS56124229A (en) | 1980-03-05 | 1980-03-05 | Manufacture of thin film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56124229A JPS56124229A (en) | 1981-09-29 |
| JPS637020B2 true JPS637020B2 (ja) | 1988-02-15 |
Family
ID=12245675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2833380A Granted JPS56124229A (en) | 1980-03-05 | 1980-03-05 | Manufacture of thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56124229A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5823434A (ja) * | 1981-08-04 | 1983-02-12 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | アモルフアスシリコン系半導体 |
| JPS5973045A (ja) * | 1982-10-19 | 1984-04-25 | Inoue Japax Res Inc | 表面被覆方法 |
| JPS59127833A (ja) * | 1983-01-12 | 1984-07-23 | Agency Of Ind Science & Technol | 励起気相析出法による薄膜の製造装置 |
| JPS59177919A (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜の選択成長法 |
| FR2548218B1 (fr) * | 1983-06-29 | 1987-03-06 | Pauleau Yves | Procede de depot de couches minces par reaction chimique en phase gazeuse utilisant deux rayonnements differents |
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| JPS6027122A (ja) * | 1983-07-22 | 1985-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光プラズマ気相反応法 |
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| JPS6027767A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-12 | Suzuki Motor Co Ltd | 気化器の燃料調節装置 |
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| CN102496663A (zh) * | 2011-12-29 | 2012-06-13 | 普乐新能源（蚌埠）有限公司 | 降低非晶硅太阳能电池衰减率的方法 |
Family Cites Families (2)
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|---|---|---|---|---|
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-
1980
- 1980-03-05 JP JP2833380A patent/JPS56124229A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56124229A (en) | 1981-09-29 |
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