JPS6374049A - 放射線感応性レジスト材およびパタ−ン形成方法 - Google Patents
放射線感応性レジスト材およびパタ−ン形成方法Info
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- JPS6374049A JPS6374049A JP61217930A JP21793086A JPS6374049A JP S6374049 A JPS6374049 A JP S6374049A JP 61217930 A JP61217930 A JP 61217930A JP 21793086 A JP21793086 A JP 21793086A JP S6374049 A JPS6374049 A JP S6374049A
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- resist
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体集積回路などの製造に際して有用な放
射線感応性レジスト材およびそれを用いるパターン形成
方法に関するものである。
射線感応性レジスト材およびそれを用いるパターン形成
方法に関するものである。
［従来の技術］
半導体集積回路、磁気バブルメモリー素子などの製造に
おける蝕刻工程には、従来可視光線、紫外線に感応する
感光性樹脂（フォトレジスト）を利用してパターンを形
成する方法が広く実用化されている。近年、集積回路の
高性能化および信頼性向上を図るため、素子の高密度化
の要請が高まり、回路パターンの超微細化技術確立をめ
ざして蹟力的な研究が進められている。この中で、従来
の光線に代わって波長の短い遠紫外線、ｘｓｉ、電子線
などの高エネルギー放射線を用いて高精度の回路パター
ンを形成する方法が実用化されつつある。これに伴って
、これら放射線に感応する高性能レジスト材の開発が必
要となってきた。
おける蝕刻工程には、従来可視光線、紫外線に感応する
感光性樹脂（フォトレジスト）を利用してパターンを形
成する方法が広く実用化されている。近年、集積回路の
高性能化および信頼性向上を図るため、素子の高密度化
の要請が高まり、回路パターンの超微細化技術確立をめ
ざして蹟力的な研究が進められている。この中で、従来
の光線に代わって波長の短い遠紫外線、ｘｓｉ、電子線
などの高エネルギー放射線を用いて高精度の回路パター
ンを形成する方法が実用化されつつある。これに伴って
、これら放射線に感応する高性能レジスト材の開発が必
要となってきた。
集積回路製造に際しては、基板上にレジスト材を塗布し
７！ｇ膜を形成して、放射線を照射露光し現像すること
によってパターンを形成した後、そのパターンをエッチ
ングマスクとして、基板をエッチングする方法が採用さ
れている。かかる集積回路製造工程において、１ノジス
トに要求される性能として、高感度および高解像性が重
要である。感度については、例えば、電子線に対しては
１０−６０ ／ ｃｍ台またはＸ線に対しては１０ ｍ
ｊ ／ ｃｉ台の高感度が要求される。また、解像性
については、１ミクロンあるいはそれ以下のサブミクロ
ンの微細加工に対応できるレジストが強く要望されてい
る。さらに、エッチングエ稈においては、従来化学薬品
を用いるウェットエッチングの手法がとられているが、
サイドエッチング現象があり適当でなく、サブミクロン
の微細加工にはガスプラズマ。
７！ｇ膜を形成して、放射線を照射露光し現像すること
によってパターンを形成した後、そのパターンをエッチ
ングマスクとして、基板をエッチングする方法が採用さ
れている。かかる集積回路製造工程において、１ノジス
トに要求される性能として、高感度および高解像性が重
要である。感度については、例えば、電子線に対しては
１０−６０ ／ ｃｍ台またはＸ線に対しては１０ ｍ
ｊ ／ ｃｉ台の高感度が要求される。また、解像性
については、１ミクロンあるいはそれ以下のサブミクロ
ンの微細加工に対応できるレジストが強く要望されてい
る。さらに、エッチングエ稈においては、従来化学薬品
を用いるウェットエッチングの手法がとられているが、
サイドエッチング現象があり適当でなく、サブミクロン
の微細加工にはガスプラズマ。
反応性スパッタなどによるドライエッチングに移行して
いる。従って、レジストとしてドライエッチングに対し
て優れた耐性を有する材料が要求される。
いる。従って、レジストとしてドライエッチングに対し
て優れた耐性を有する材料が要求される。
現在までに、微細加工用の故ＯＡ線感応性レジストがい
くつか開発されているが、上記要求性能をすべて満足す
るものは極めて少ない。ネガ型レジストとし開発された
クロロメチル化ポリスチレン（ＣＭＳ）は解像度および
ドライエッチング耐性に優れたレジストであり、微細回
路パターン形成用として実用に供されているものの、感
度の点において未だ充分とは苦い難いというのは、電子
線に対しては１０’Ｃ／ＣＩｉ台と実用感度に到達して
いるのに比べて、Ｘ線に対しては１００ ｍ ｊ ／
ｃｉ前後であるため、実用性に乏しいからである。その
ため、ＣＭＳよりさらに高感度なレジストの開発が望ま
れていた。
くつか開発されているが、上記要求性能をすべて満足す
るものは極めて少ない。ネガ型レジストとし開発された
クロロメチル化ポリスチレン（ＣＭＳ）は解像度および
ドライエッチング耐性に優れたレジストであり、微細回
路パターン形成用として実用に供されているものの、感
度の点において未だ充分とは苦い難いというのは、電子
線に対しては１０’Ｃ／ＣＩｉ台と実用感度に到達して
いるのに比べて、Ｘ線に対しては１００ ｍ ｊ ／
ｃｉ前後であるため、実用性に乏しいからである。その
ため、ＣＭＳよりさらに高感度なレジストの開発が望ま
れていた。
［発明が解決しようとする問題点１
本発明の目的は、上記した、従来のレジストにみられる
問題点を解決して、高エネルギー放射線特に電子線、Ｘ
線に対して高い感度を有し、解像性の良好な、そしてド
ライエッチング耐性の優れたネガ型放射線感応性レジス
ト材およびそれを用いるパターン形成方法を提供するこ
とにある。
問題点を解決して、高エネルギー放射線特に電子線、Ｘ
線に対して高い感度を有し、解像性の良好な、そしてド
ライエッチング耐性の優れたネガ型放射線感応性レジス
ト材およびそれを用いるパターン形成方法を提供するこ
とにある。
［問題点を解決するための手段］
すなわち、本発明の放射線感応性レジスト材は、下記一
般式［■］： −ＣＨ，−（１！−・・・［ｌ〕 ＯＸ。
般式［■］： −ＣＨ，−（１！−・・・［ｌ〕 ＯＸ。
（式中、Ｒは水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基を
示し、Ｘ 、Ｘ およびＸ３は水素原子又はハロゲン原
子を示す。）で表わされる繰り；ヱし単位を含む重合体
であることを特徴とする。また、本発明のパターン形成
方法は、基板上に放ＣＪＪ線感応性材料の薄膜を形成し
た後、放ひ１線を照射し、現像およびエッチングを行な
うことからなるパターン形成方法において、該放射線感
応性材料として、上記一般式［Ｉ］で表わされる繰り返
し中位を含む重合体である放射線感応性レジスト材を用
いることを特徴とするものである。
示し、Ｘ 、Ｘ およびＸ３は水素原子又はハロゲン原
子を示す。）で表わされる繰り；ヱし単位を含む重合体
であることを特徴とする。また、本発明のパターン形成
方法は、基板上に放ＣＪＪ線感応性材料の薄膜を形成し
た後、放ひ１線を照射し、現像およびエッチングを行な
うことからなるパターン形成方法において、該放射線感
応性材料として、上記一般式［Ｉ］で表わされる繰り返
し中位を含む重合体である放射線感応性レジスト材を用
いることを特徴とするものである。
本発明の意図するところは、重合体の繰り返し単位構造
中にナフタレン環を含有させることによって良好なドラ
イエッチング耐性を付与すると同時に、放射線に対して
反応性の高いレジスト材を（ｑようとするものであり、
鋭意研究の結果、上記一般式［Ｉ］で示される構造、す
なわちナフタレン環にカルボニル化合物、好ましくはハ
ロゲンを含有するカルボニル化合物が置換された構造が
、放射線、特に電子線、Ｘ線に対して高い感応性を有す
ることを見出したものである。
中にナフタレン環を含有させることによって良好なドラ
イエッチング耐性を付与すると同時に、放射線に対して
反応性の高いレジスト材を（ｑようとするものであり、
鋭意研究の結果、上記一般式［Ｉ］で示される構造、す
なわちナフタレン環にカルボニル化合物、好ましくはハ
ロゲンを含有するカルボニル化合物が置換された構造が
、放射線、特に電子線、Ｘ線に対して高い感応性を有す
ることを見出したものである。
一般式［Ｉ］で表わされる化合物を具体的に例示すると
、アセチルビニルナフタレン、クロロアセチルビニルナ
フタレン、ブロモアセチルビニルナフタレン、ジクロロ
アセチルビニルナフタレン。
、アセチルビニルナフタレン、クロロアセチルビニルナ
フタレン、ブロモアセチルビニルナフタレン、ジクロロ
アセチルビニルナフタレン。
トリクロロアセチルビニルナフタレン、アセチルイソプ
ロペニルナフタレン、クロロアセチルイソプロペニルナ
フタレン、ブロモアセチルイソプロペニルナフタレン、
ジクロロアセチルイソプロペニルナフタレン、トリクロ
ロアセデルイソプロへ・ニルナフタレンなどの単独重合
体およびこれらを一成分繰り返し単位として合む共重合
体を挙げることができる。共重合体成分としては特に限
定されるものではないが、例えばビニルピリジンなどの
複素環化合物、スチレン、α−メチルスチレンビニルナ
フタレンなどの芳香族ビニル化合物、メタクリル酸グリ
シジル、メタクリル酸メチルなどのメタクリル酸エステ
ル、アクリル酸エチルなどのアクリル酸エステルなどを
挙げることができる。
ロペニルナフタレン、クロロアセチルイソプロペニルナ
フタレン、ブロモアセチルイソプロペニルナフタレン、
ジクロロアセチルイソプロペニルナフタレン、トリクロ
ロアセデルイソプロへ・ニルナフタレンなどの単独重合
体およびこれらを一成分繰り返し単位として合む共重合
体を挙げることができる。共重合体成分としては特に限
定されるものではないが、例えばビニルピリジンなどの
複素環化合物、スチレン、α−メチルスチレンビニルナ
フタレンなどの芳香族ビニル化合物、メタクリル酸グリ
シジル、メタクリル酸メチルなどのメタクリル酸エステ
ル、アクリル酸エチルなどのアクリル酸エステルなどを
挙げることができる。
これら共重合体中、一般式［Ｉ］で表わされる繰り返し
単位化合物の含有量は５％以上好ましくは１０％以上で
ある。これら、単独重合体あるいは共重合体は、通常の
ラジカル重合法で製造することができる。
単位化合物の含有量は５％以上好ましくは１０％以上で
ある。これら、単独重合体あるいは共重合体は、通常の
ラジカル重合法で製造することができる。
また、以下に述べる方法でも、本発明の重合体を容易に
製造することができる。即ち、一般式が■ （式中、Ｒは水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基を
示す）で表わされる繰り返し単位を含む重合体を得た後
に、化学反応にて芳香族環に置換基を導入することによ
って、一般式［Ｉ］で表わされる繰り返し単位を含む重
合体を（ｑることができる。この方法で得られる重合体
を例示すると、アセチルポリビニルナフタレン、クロロ
アセチルポリビニルナフタレン、ブロモアセチルポリビ
ニルナフタレン、ジクロロアセチルポリビニルナフタレ
ン、トリクロロアセチルポリビニルナフタレン。
製造することができる。即ち、一般式が■ （式中、Ｒは水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基を
示す）で表わされる繰り返し単位を含む重合体を得た後
に、化学反応にて芳香族環に置換基を導入することによ
って、一般式［Ｉ］で表わされる繰り返し単位を含む重
合体を（ｑることができる。この方法で得られる重合体
を例示すると、アセチルポリビニルナフタレン、クロロ
アセチルポリビニルナフタレン、ブロモアセチルポリビ
ニルナフタレン、ジクロロアセチルポリビニルナフタレ
ン、トリクロロアセチルポリビニルナフタレン。
アセチルポリイソプロペニルナフタレン、クロロアセチ
ルポリイソプロペニルナフタレン、ブロモアセチルポリ
イソプロペニルナフタレン、ジクロロアセデルポリイソ
プロベニルナフタレン、トリクロロアセチルポリイソプ
ロペニルナフタレンなどを挙げることができる。ナフタ
レン環に対する置換基の導入率は５％以上好ましくは１
０％以上であることが望ましい、 ［Ｉ［］式で示さ
れろ繰り返し単位を合む重合体はラジカル重合、カチオ
ン車合法、アニオン重合法のいずれの方法でもｌｌｌ造
可能であるが、レジストの解像性が分子団分布に依存す
ることを考慮すると、アニオン重合法で分子量分布の狭
い重合体を得るのが好ましい。
ルポリイソプロペニルナフタレン、ブロモアセチルポリ
イソプロペニルナフタレン、ジクロロアセデルポリイソ
プロベニルナフタレン、トリクロロアセチルポリイソプ
ロペニルナフタレンなどを挙げることができる。ナフタ
レン環に対する置換基の導入率は５％以上好ましくは１
０％以上であることが望ましい、 ［Ｉ［］式で示さ
れろ繰り返し単位を合む重合体はラジカル重合、カチオ
ン車合法、アニオン重合法のいずれの方法でもｌｌｌ造
可能であるが、レジストの解像性が分子団分布に依存す
ることを考慮すると、アニオン重合法で分子量分布の狭
い重合体を得るのが好ましい。
本発明の重合体の分子団に特に制限を加える必要はない
が、該重合体より成るレジストの感度が分子量に依存す
ることを考慮すると、その分子けは１００００以上好ま
しくは２００００以上が望ましい。Ｘ線露光に供する場
合は特に高感度であることが要求されるので、分子団は
５００００以上好ましくは１０００００以上であること
が望ましい。
が、該重合体より成るレジストの感度が分子量に依存す
ることを考慮すると、その分子けは１００００以上好ま
しくは２００００以上が望ましい。Ｘ線露光に供する場
合は特に高感度であることが要求されるので、分子団は
５００００以上好ましくは１０００００以上であること
が望ましい。
［作用］
本発明では、かくして得られた重合体を、例えばトルエ
ン、キシレン、クロルベンゼン、エチルセロソルブアセ
テートなどの溶媒に溶解した後、ミクロフィルターで濾
過してレジスト溶液を；Ｊ ’ＦＪし、パターン形成プ
ロセスに供する。即ち、該レジスト溶液を回転塗布法に
よって、基板上に塗布して、均一なレジスト薄膜を形成
し、電子線あるいはＸ線などの放射線露光した後、現像
してレジスト像を得る。しかる後に該レジスト像をマス
クとして基板をエッチング好ましくはドライエッチング
してパターン形成を施すことができる。ここでＸ線源と
して、パラジウム、シリコン、ロジウム、モリブデンな
どをターゲットとして電子線で励起するＸ線源が実用に
供されているが、本発明のパターン形成方法で使われる
線源を特に限定する必要はない。
ン、キシレン、クロルベンゼン、エチルセロソルブアセ
テートなどの溶媒に溶解した後、ミクロフィルターで濾
過してレジスト溶液を；Ｊ ’ＦＪし、パターン形成プ
ロセスに供する。即ち、該レジスト溶液を回転塗布法に
よって、基板上に塗布して、均一なレジスト薄膜を形成
し、電子線あるいはＸ線などの放射線露光した後、現像
してレジスト像を得る。しかる後に該レジスト像をマス
クとして基板をエッチング好ましくはドライエッチング
してパターン形成を施すことができる。ここでＸ線源と
して、パラジウム、シリコン、ロジウム、モリブデンな
どをターゲットとして電子線で励起するＸ線源が実用に
供されているが、本発明のパターン形成方法で使われる
線源を特に限定する必要はない。
［実施例］
以下に本発明のレジスト材およびその製造法ならびにこ
れを用いたパターン形成法について、その実施例によっ
て更に詳細に説明する。
れを用いたパターン形成法について、その実施例によっ
て更に詳細に説明する。
実施例１
溶媒にテトラヒドロフラン、重合開始剤にブチルリチウ
ムのヘキサン溶液をもちいて、２−ビニルナフタレンを
アニオン重合し収率１００％で分子ｆＭ１．５Ｘ１０”
の分子量分布の狭い重合体を１Ｏｌζ。この重合体２０
ｇを二硫化炭素１０００ｍに溶解し、塩化アルミニウム
３．５ｇおよびモノクロル酢酸クロリド６Ｃ１を加え、
温度Ｏ℃にて撹拌しながら２４時間反応させた。反応混
合物を酸化防止剤Ｂ’ＨＴを含むメタノール中に沈澱さ
せ応生成物であるクロロアセチルポリ２−ビニルナフタ
レンを回収した。生成物の」ｎ素分量からクロロアセチ
ル化率は６５％と計算された。また、ＧＰＣ測定の結果
から、生成物の分子ｍ分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）の値は１．
２以下であり、原料として用いたポリ２−ごニルナフタ
レンの値とほぼ同じであった。該反応生成物をキシレン
に溶解し濃度１０％の溶液とし、孔径０．２２μのミク
ロフィルターで濾過してレジスト溶液をよ調製した。
ムのヘキサン溶液をもちいて、２−ビニルナフタレンを
アニオン重合し収率１００％で分子ｆＭ１．５Ｘ１０”
の分子量分布の狭い重合体を１Ｏｌζ。この重合体２０
ｇを二硫化炭素１０００ｍに溶解し、塩化アルミニウム
３．５ｇおよびモノクロル酢酸クロリド６Ｃ１を加え、
温度Ｏ℃にて撹拌しながら２４時間反応させた。反応混
合物を酸化防止剤Ｂ’ＨＴを含むメタノール中に沈澱さ
せ応生成物であるクロロアセチルポリ２−ビニルナフタ
レンを回収した。生成物の」ｎ素分量からクロロアセチ
ル化率は６５％と計算された。また、ＧＰＣ測定の結果
から、生成物の分子ｍ分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）の値は１．
２以下であり、原料として用いたポリ２−ごニルナフタ
レンの値とほぼ同じであった。該反応生成物をキシレン
に溶解し濃度１０％の溶液とし、孔径０．２２μのミク
ロフィルターで濾過してレジスト溶液をよ調製した。
スピナーによってシリコンウェハに２００゜ｒｐｍで回
転塗布して厚さ０，６５μの均一なレジスト薄膜を形成
した。これを、人気中１００℃で２５分間熱処理した後
、電子線描画装置を用いて加速電圧２０ＫＶでパターン
描画を行なった。描画後酢酸イソアミルとエチルセロソ
ルブとの混合溶媒（容量比３対１）に１分間浸漬して現
像し、イソプロパツールでリンス後乾燥した。形成され
たパターンの膜厚測定から、感度すなわちゲル化点に対
応する照射量Ｄｇ は４ Ｘ １０−７Ｃ／ｃｉであっ
た。また、サイズの異なるライン／スペースパターンの
解像性を調べた結果０．７５μの解像度が得られた。
転塗布して厚さ０，６５μの均一なレジスト薄膜を形成
した。これを、人気中１００℃で２５分間熱処理した後
、電子線描画装置を用いて加速電圧２０ＫＶでパターン
描画を行なった。描画後酢酸イソアミルとエチルセロソ
ルブとの混合溶媒（容量比３対１）に１分間浸漬して現
像し、イソプロパツールでリンス後乾燥した。形成され
たパターンの膜厚測定から、感度すなわちゲル化点に対
応する照射量Ｄｇ は４ Ｘ １０−７Ｃ／ｃｉであっ
た。また、サイズの異なるライン／スペースパターンの
解像性を調べた結果０．７５μの解像度が得られた。
実施例２
実施例１のレジスト材のＸ線照射特性を調べた。
実施例１と同じ方法で得られた、シリコンウェハ塗イｉ
レジストに、ロジウムをターゲットとする電子線励起特
性Ｘ線（波長４．６△）を照射し、実施例１と同じ現象
方法でパターンを形成し感度をＬ・Ｙ価した。その結果
Ｄｇｉは２５ｍｊ／ｃｍであった。
レジストに、ロジウムをターゲットとする電子線励起特
性Ｘ線（波長４．６△）を照射し、実施例１と同じ現象
方法でパターンを形成し感度をＬ・Ｙ価した。その結果
Ｄｇｉは２５ｍｊ／ｃｍであった。
比較例１
分子ｆｆ１１１．３ｘ１０５、クロロメチル化率４５％
のクロロメチルポリスチレン（東洋曹達製ＣＭＳ−ＥＸ
（Ｓ））をシリコンウェハ上に厚さ０．６５μに塗布し
、１２０°Ｃ２２５分間熱処理した後、電子線描画およ
びＸ線照射に供した。電子線描画装置およびＸ線照射装
置はおのおの実施例１および２で用いたものと同じであ
る。電子線あるいはＸ線照射後、酢酸イソアミルとエチ
ルセロソルブとの混合溶媒（容量比３５対６５）１分間
浸漬して現像し、イソプロパツールでリンス後乾燥した
。膜厚測定の結果から感度Ｄ（Ｊ’は、電子線に対して
１ 、 ＯＸ １０”Ｃ／ｃｒＡおよびＸ線に対して９
０ ｍ ｊ ／ ｃｒＡであった。
のクロロメチルポリスチレン（東洋曹達製ＣＭＳ−ＥＸ
（Ｓ））をシリコンウェハ上に厚さ０．６５μに塗布し
、１２０°Ｃ２２５分間熱処理した後、電子線描画およ
びＸ線照射に供した。電子線描画装置およびＸ線照射装
置はおのおの実施例１および２で用いたものと同じであ
る。電子線あるいはＸ線照射後、酢酸イソアミルとエチ
ルセロソルブとの混合溶媒（容量比３５対６５）１分間
浸漬して現像し、イソプロパツールでリンス後乾燥した
。膜厚測定の結果から感度Ｄ（Ｊ’は、電子線に対して
１ 、 ＯＸ １０”Ｃ／ｃｒＡおよびＸ線に対して９
０ ｍ ｊ ／ ｃｒＡであった。
これらの結果は、本発明の実施例１で得たクロロアセチ
ルポリ２−ビニルナフタレンが、ＣＭＳと比較して高感
度であることを実証するものである。
ルポリ２−ビニルナフタレンが、ＣＭＳと比較して高感
度であることを実証するものである。
実施例３
モノ酢酸クロリドがトリ酢酸クロリドであること、およ
び反応温度が一１５℃である以外は、実施例１の合成方
法とほぼ同様の条件で反応を行ない、トリクロロアセチ
ルポリ２−ビニルナフタレンを得た。置換率は１７％で
あり、分散度ＭＷ／Ｍｎの値は１．３以下であった。実
施例１と同様１０％キシレン溶液として、実施例２の装
置を用いてＸ線照射における感度を評価した結果、１）
ｑ’は５０ｍｊ１０．、Ｉ＋であり、同程度の分子量お
よび置換率のＣＭＳ （東洋曹達製ＣＭＳ−ＤＩＪ）に
比較して約４倍高感度であった。
び反応温度が一１５℃である以外は、実施例１の合成方
法とほぼ同様の条件で反応を行ない、トリクロロアセチ
ルポリ２−ビニルナフタレンを得た。置換率は１７％で
あり、分散度ＭＷ／Ｍｎの値は１．３以下であった。実
施例１と同様１０％キシレン溶液として、実施例２の装
置を用いてＸ線照射における感度を評価した結果、１）
ｑ’は５０ｍｊ１０．、Ｉ＋であり、同程度の分子量お
よび置換率のＣＭＳ （東洋曹達製ＣＭＳ−ＤＩＪ）に
比較して約４倍高感度であった。
実施１３’！１４
重合モノマーがイソプロペニルナフタレンである以外は
実施例１と同様の方法で、重合およびクロロアセチル化
反応を行ない、分子［２，２Ｘ１０ 、クロロアセチル
化率５０％のクロロアセチルポリイソプロペニルナフタ
レンを得た。
実施例１と同様の方法で、重合およびクロロアセチル化
反応を行ない、分子［２，２Ｘ１０ 、クロロアセチル
化率５０％のクロロアセチルポリイソプロペニルナフタ
レンを得た。
該重合体の８％キシレン溶液を調製し、電子線ｌ１ｌｌ
ｉ画によるパターン形成に供した。実施例１と同様の方
法でパターン描画を行なった結果、Ｄｇｉは３Ｘ１０’
Ｃ／ＣＭと高感度であり、解像し得るライン／スペース
の寸法は０．７５μとサブミクロンパターンの形成が可
能であった。
ｉ画によるパターン形成に供した。実施例１と同様の方
法でパターン描画を行なった結果、Ｄｇｉは３Ｘ１０’
Ｃ／ＣＭと高感度であり、解像し得るライン／スペース
の寸法は０．７５μとサブミクロンパターンの形成が可
能であった。
実施例５
火陥例１のクロロアセチルポリ２−ビニルナフタレンに
ついて、平行平板型ドライエッチング装置を用いて、エ
ッチング耐性を調べた。高周波用ツノ３５０Ｗで四フッ
化炭素による反応性スパッタリングに対するエッチング
速度を測定した。酸化シリコンのエッチング速度が１４
．０ Ｏ△／ｍｉｎであるのに対して本レジスト材は５
５０Δ／ｍｉｎと１／２以下のエッチング速度であり、
極めて高いドライエッチング耐性を有することが明らか
である。
ついて、平行平板型ドライエッチング装置を用いて、エ
ッチング耐性を調べた。高周波用ツノ３５０Ｗで四フッ
化炭素による反応性スパッタリングに対するエッチング
速度を測定した。酸化シリコンのエッチング速度が１４
．０ Ｏ△／ｍｉｎであるのに対して本レジスト材は５
５０Δ／ｍｉｎと１／２以下のエッチング速度であり、
極めて高いドライエッチング耐性を有することが明らか
である。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明のレジスト材は、感度、解
像度、ドライエッチング耐性に優れ、特に電子線および
Ｘ線に対して従来のネガ型レジストより極めて高い感度
を有することから、これら放射線を線源とするリソグラ
フィー技術に基づいた集積回路などの製造に大きな効果
がみられるものである。即ち、１ミクロン以下の高解像
度レジストパターンを電子線、あるいはＸ線などの放射
線を用いて、短時間に形成でき、更にドライエッチング
による基板加工が可能である点顕著な効果が発揮される
。
像度、ドライエッチング耐性に優れ、特に電子線および
Ｘ線に対して従来のネガ型レジストより極めて高い感度
を有することから、これら放射線を線源とするリソグラ
フィー技術に基づいた集積回路などの製造に大きな効果
がみられるものである。即ち、１ミクロン以下の高解像
度レジストパターンを電子線、あるいはＸ線などの放射
線を用いて、短時間に形成でき、更にドライエッチング
による基板加工が可能である点顕著な効果が発揮される
。
Claims (3)
- （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒは水素原子又は炭素数１〜３の アルキル基を示し、Ｘ＿１、Ｘ＿２およびＸ＿３は水素
原子又はハロゲン原子を示す。）で 表わされる繰り返し単位を含む重合体から なる放射線感応性レジスト材。 - （２）基板上に放射線感応性材料の薄膜を形成した後、
放射線を照射し、現像およびエッ チング処理を行なうことからなるパターン 形成方法において、該放射線感応性材料と して、一般式、 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒは水素原子又は炭素数１〜３の アルキル基を示し、Ｘ＿１、Ｘ＿２およびＸ＿３は水素
原子又はハロゲン原子を示す。）で 表わされる繰り返し単位を含む重合体から なる放射線感応性レジスト材を用いること を特徴とするパターン形成方法。 - （３）前記放射線が電子線またはＸ線である特許請求の
範囲第２項のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61217930A JPS6374049A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 放射線感応性レジスト材およびパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61217930A JPS6374049A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 放射線感応性レジスト材およびパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6374049A true JPS6374049A (ja) | 1988-04-04 |
Family
ID=16711944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61217930A Pending JPS6374049A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 放射線感応性レジスト材およびパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6374049A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5928841A (en) * | 1993-01-14 | 1999-07-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of photoetching at 180 to 220 |
-
1986
- 1986-09-18 JP JP61217930A patent/JPS6374049A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5928841A (en) * | 1993-01-14 | 1999-07-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of photoetching at 180 to 220 |
| US6168897B1 (en) | 1993-01-14 | 2001-01-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming patterns |
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