JPS6376110A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 工　発明の背景 技術分野 本発明は、磁気記録媒体、特に金属薄膜型の磁気記録媒
体に関する。

先行技術とその問題点 ビデオ用、オーディオ用等の磁気記録媒体として、テー
プ化して巻回したときのコンパクト性から、金属薄膜型
の磁性層を有するものの開発が活発に行われている。

このような金属薄膜型の媒体の磁性層としては、特性上
、基体法線に対し所定の傾斜角にて蒸着を行う、いわゆ
る斜め蒸着法によって形成したＣｏ糸、Ｃｏ−Ｎｉ系等
からなる蒸着膜が好適である。

しかし、このような磁性層は、走行摩徨が大きく、膜強
度が低く、ヘッドタッチも悪く、特に、走行耐久性が低
く、くりかえし走行によって出力が低下してしまう。

また、ビデオ用の媒体では、スチルと称される静止画像
モードでの耐久時間が小さい。

さらに、いわゆるドロップアウトも多い。

このような実状から、従来、斜め蒸着膜磁性層のトップ
コート膜が種々提案されている。

そして、トップコート膜の１例として、炭化水素系のプ
ラズマ重合１摸が知られている（特開昭５９−７２６５
３号、同５９−１５４６４１号、同５９−１６０８２８
号等）。

しかし、通常の方法で得られた炭化水素系のプラズマ重
合膜トップコートでは、耐食性の点で不十分であり、さ
らには走行耐久性に劣り再生出力が低下したり、あるい
は強度の点で不十分である等の不都合がある。

また、耐久性や電磁変換特性を向上させるために、強磁
性金属薄膜層を２層以上の多層構成とする旨の提案も種
々行われている（特開昭５４−１４１６０８号、特公昭
５６−２６８９２号、特開昭５７−１３０２２８号等）
。

しかし、現状では、走行性、耐久性、強磁性薄膜強度が
良好でかつ電磁変換特性の面でも不都合の生じない技術
は未だ実現していない。

■　発明の目的 本発明の目的は、このような不都合を解消し、耐食性、
耐久性が良好で、電磁変換特性の良好な金属薄膜型の磁
気記録媒体を提供することにある。

■　発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成される。

すなわち、本発明は、プラスチックフィルム基体上にＣ
ｏを主成分とする強磁性金属薄膜層を有し、この強磁性
金属薄膜層が２層以上の層からなる多層構造を有し、強
磁性金属薄膜層被着時の基体法線に対する被着物質の最
小入射角が基体側の最下層設層時は５０°以下、基体と
反対側の最上層設層時は２０°〜９０°であり、最下層
の基体側界面近傍の酸素濃度Ｃ２を最上層の基体と反対
側表面近傍の酸素濃度Ｃ１で除した値が０．３以下であ
り、上記強磁性金属薄膜層の最下層と基体との間、各層
の間あるいは最上層の基体と反対側表面上のいずれかに
プラズマ重合膜を有することを特徴とする磁気記録媒体
である。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。　
第１図および第２図には本発明の磁気記録媒体の一実施
例が示される。

本発明の磁気記録媒体１は、基体２上に下層結晶粒６を
有する強磁性金属薄膜下層部３、上層結晶粒７を有する
強磁性金属薄膜上層部４を有し、この強磁性金属薄膜の
下層部３と上層部４との間、下層部３と基体２の間ある
いは上層部４の基体２と反対側の表面のいずれかにプラ
ズマ重合膜を有する（図示の例では強磁性金属薄膜の下
層部３と上層部４との間にプラズマ重合膜５が設層され
ている）。

本発明における磁性層としての強磁性金属薄膜層は少な
くとも２層からなる多層構造を有するものである。　そ
して、本発明に用いる強磁性金属薄膜層は、Ｃｏを主成
分とし、これに０を含み、さらに必要に応じＮｉおよび
／またはＣｒが含有される組成を有する。

すなわち、好ましい態様においては、Ｃｏ単独からなっ
てもよく、ＣｏとＮｉからなフてもよい。　Ｎｉが含ま
れる場合、Ｃｏ　／　Ｎ　ｉの重量比は、１．５以上で
あることが好ましい。

さらに、強磁性金属薄膜層中には、Ｃｒが含有されてい
てもよい。

このような場合、Ｃｒ　／　ＣｏあるいはＣｒ／（Ｃｏ
＋Ｎｉ）の重量比は０．１以下、特に０．００１〜０．
１、より好ましくは、０．００５〜０．０５であること
が好ましい。

さらに、本発明の強磁性金属薄膜中には０が含有される
ものである。

強磁性金属薄膜中の層全体の平均酸素量は、原子比、特
にＯ／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎｉ）の原子比で、最上層に
おける平均酸素量Ｃピは０．１〜０．５程度、好ましく
は０．１〜０．４程度である。

平均酸素量Ｃ１１が、０．１未満では耐食性、走行性、
磁性層のクラック、ケズレ等の点で不充分であり、０．
５をこえると、表面酸化物層が増大し、ヘッドとのスペ
ーシングによる出力の低下等の問題を生じる。

そして、最下層のプラスチックフィルムとの界面近傍の
酸素濃度Ｃ２、特に０／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎ　ｉ　）
原子比を、最上層のプラスチックフィルムと反対側の表
面近傍での酸素濃度Ｃ１特にＯ／（Ｃｏまたはｃｏ＋Ｎ
ｉ）原子比で除した値Ｃ２／　ＣＩは０．３以下、より
好ましくは０．１５以下であることが好ましい。

この場合、これら酸素濃度は、強磁性金属薄膜をＡｒ等
がイオンミリングないしイオンエツチングしながら、オ
ージェ分光分析、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析）等を
行い、測定することができる。

すなわち、イオンエツチングを行ないながら０、Ｃｏ、
Ｎｉ等をカウントし、その膜厚方向のプロファイルを比
較する。

そして、プラスチックフィルムと反対側の強磁性金属薄
膜表面の０／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎｉ）を０１とする。

　また、最下層については、プラスチックフィルムまで
エツチングが行なわれ、Ｃがカウントされる直前の０／
（Ｃ。

またはＣｏ＋Ｎｉ）をＣ２とする。

イオンエツチングおよびオージェ分光分析ないしＳＩＭ
Ｓの測定法は、常法に従えばよい。

このように最上層表面の酸素濃度を相対的に高くするこ
とにより、保磁力Ｈｃが高くなり、また最下層の酸素濃
度を相対的に低くすることにより、最大残留磁束φ、お
よび角形比ＳＱが高くなり、電磁変換特性がきわめて良
好な磁性層となる。

また、本発明の磁性層としての強磁性金属薄膜層では、
最上層と隣接する層の最上層との界面近傍の酸素濃度Ｃ
３、特にＯ／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎｉ）原子比を最上層
のプラスチックフィルムと反対側の表面近傍での酸素濃
度ＣＩ、特にＯ／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎ　ｉ　）原子比
で除した値Ｃ３／　ＣＩはｏ、１〜３．ｏ、より好まし
くは０．２〜２．０であることが好ましい。

この場合、プラスチックフィルムと反対側の強磁性金属
薄膜表面のＯ／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎ１）Ｃ，は前述と
同様に測定することができる。　また、最上層に隣接す
る層の最上層との界面近傍での酸素濃度Ｃ３については
、最上層の＠厚に対応するエツチング時のカウントから
０／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎ　ｉ　）を算出し、これを０
３とすればよい。　ただ、各層においては、通常の成膜
条件下ではそのフィルム基体反対面で酸素濃度か最大と
なる。　このため、通常は、イオンエツチングを行ない
ながらＯをカウントしたとき、Ｓ内での極大値を０３と
すればよい。

このように最上層表面の酸素濃度Ｃ１を相対的に高くす
ることにより、保磁力Ｈｃが高くなり、また最上層の表
面より下の、最上層に隣接する層との近傍までの部分の
酸素濃度を上記ＣＩより相対的に低くすることにより、
最大残留磁束φｒおよび角形比ＳＱが高くなり、電磁変
換特性がきわめて良好な磁性層となる。　したがって、
中心周波ｅ！ｉ５　Ｍ　Ｈｚ程度の比較的磁界の浅い信
号は、最上層で有効に保持されるものとなる。

また、最上層に隣接する層の最上層との界面近傍での酸
素濃度Ｃ３を、上記Ｃ１との関係が前述のようにＣ３／
　Ｃ＋が０．１〜３．０となる範囲において相対的に高
くすることにより、この部分での保磁力Ｈｃが高くなり
、また、最上層に隣接する層の最上層との界面近傍から
下の部分の酸素濃度を上記Ｃ３より相対的に低くするこ
とにより、最大残留磁束φｒおよび角形比ＳＱが高くな
り、電磁変換特性がきわめて良好な磁性層となる。　し
たがって、中心周波数０．７ＭＨｚ程度の比較的磁界の
深い信号は、最上層に隣接する層以下で有効に保持され
るものとなる。

そして、上記ＣＩと０３との関係が前述のようにＣ３／
　Ｃ＋が０．１〜３．０となるときに、磁性層の電磁変
換特性、耐食性等が最もバランスの良い優れた磁性層と
なる。

なお、表面近傍のＯ／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎ１）Ｃ，は
、一般に０．２〜０．７、好ましくは０．３〜０．６で
ある。

したがって１、フィルム界面近傍のＯ／（Ｃｏまたはｃ
　ｏ　＋　Ｎ　ｉ　）　Ｃ２は０．０６〜０．２１、好
ましくは０．０９〜０．１８である。

また、最上層に隣接する層の最上層近傍のＯ／（Ｃｏま
たはＣｏ＋Ｎ１）Ｃ３は０．０７〜０．６、好ましくは
０．１〜０．５である。

さらに、最上層の層全体でのＯ／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎ
１）Ｃ，”は０．１〜０．５、より好ましくは０．１〜
０．４であることが好ましい。　また、最下層の層全体
でのＯ／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎ１）Ｃ２”は、０．５以
下、より好ましくは０．３以下であることが好ましい。

また、最上層に隣接する層全体でのＯ／（Ｃ。

またはＣｏ＋Ｎ　ｉ　）は０．５以下、より好ましくは
０．３以下であることが好ましい。

このとき、電磁変換特性、耐食性、走行耐久性、磁性膜
強度等はきわめて良好となる。

この場合、３層以上の多層構造の場合、それらの各層の
層全体でのＯ／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎｉ）は、一般に、
０．５以下、好ましくは０．３以下とする。

なお、この場合、強磁性金属薄膜層の各層の表面では、
酸素が強磁性金属（Ｃｏ、Ｎｉ）と酸化物を形成してい
る。

すなわち、各層の表面から１００人〜 ２０００人、より好ましくは５００〜１０００人の厚さ
の範囲には、オージェ分光分析により、酸化物を示すピ
ークが認められるものである。

本発明では、強磁性金属薄膜層表面とフィルム側界面と
の酸素濃度を規制するものであり、また、強磁性金属薄
膜層表面と、最上層に隣接する層の最上層近傍との酸素
濃度を規制するものであり、そのとき、本発明所定の効
果が実現するものである。

このため、強磁性金属薄膜の膜厚方向の酸素濃度プロフ
ァイルについては、通常、少なくとも最上層と最下層に
隣接する層との界面に酸素分布のピークが存在するもの
である。

なお、通常、強磁性金属薄膜は２層とすればよいが、必
要に応じ３層以上、特に３〜５層とすることもできる。

なお、このような強磁性金属薄膜中には、さらに他の微
量成分、特に遷移元素、例えばＦｅ、Ｍｎ、Ｖ、Ｚｒ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ。

Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ等が含まれていてもよい。

このような強磁性金属薄膜層は、好ましい態様において
、上記したＣｏを主成分とする柱状結晶粒の集合体から
なる。

この場合、強磁性金属薄膜層の厚さは、総計で０．０５
〜０．５μｍ、好ましくは、０．０７〜０．３μｍとさ
れる。

そして、このような強磁性金属薄膜層の各層の厚さの比
は特に制限はないが、例えば２層構成の場合、上層と下
層の厚さの比は好ましくは０．１〜ｌＯ程度、より好ま
しくは０，２〜０．９、さらに好ましくは０．４〜０．
９が好ましい。

そして、柱状の結晶粒は、各層の厚さ方向のほぼ全域に
亘る長さをもち、その長平方向は、基体の主面の法線に
対する最小角度が、最上層では２０〜９０°、より好ま
しくは２０〜５０°の範囲、最下層では５０°以下、よ
り好ましくは０〜４０°の範囲にて傾斜していることが
好ましい。

この場合、３層以上の構成における中間に位置する各層
では、柱状結晶粒の基体主面法線に対する傾斜角度は、
通常、最上層と最下層における傾斜角度域内にあればよ
く、特に制限はない。

そして、この場合、相隣接する各磁性層の結晶粒の基体
主面法線に対する傾斜の向きは、媒体の長さ方向で同方
向であってよいが、好ましくは相対向する向きであるこ
とが好ましい。

このような、結晶粒の傾斜の向きを第１図および第２図
を用い、模式的に説明する。

第１図および第２図において、磁気記録媒体１は、基体
ｚ上に強磁性金属薄膜下層部３および強磁性金属薄膜上
層部４とを有する。　そして、強磁性金属薄膜下層部３
内の下層結晶粒６の傾斜の向き、強磁性金属薄膜上層部
４内の上層結晶粒７の傾斜の向きは、第１図では媒体の
長さ方向ａで相対向する向きであり、第２図では媒体の
長さ方向ａで同方向である。

本発明では、第１図あるいは第２図のいずれの結晶粒傾
斜を有するものであってよいが、好ましくは、第１図に
示される結晶粒傾斜を有するものが好ましい。

なお、酸素は、表面部の柱状の結晶粒の表面に前記のと
おり化合物の形で存在するものである。

また、強磁性金属薄膜層の酸素の濃度勾配の如何には特
に制限はない。

また、結晶粒の短径は、５０〜５００λ程度の長さをも
つことが好ましい。

このように、強磁性金属薄膜層が多層構成をなすことに
より、柱状結晶粒の長さが小さいものとなるため強磁性
金属薄膜層の膜強度が向上する。

また、最上層の柱状結晶粒が基体主面法線に対し２０〜
９０°の傾きを有し、特に５０°以上の傾きを有するも
のがあるため、例えば、比較的浅い磁界を有する中心周
波数５ＭＨｚ程度の信号は最上層にて有効に保持され得
るものとなる。

また、最下層の柱状結晶粒が基体主面法線に対し５０°
以下の傾きを有し、基体に対し立っている状態を呈して
いるため、例えば比較的深１、＼ｍ　ＶＬ　ｆｙ　；ｆ
Ｔ　スフ−ｒｉｌ　、１’、Ｖ４　姑’４Ｊ　ｎ　　７
　Ｆ　ｋｌ　１４７　稈ｆｒＦの信号は最下層等の下層
域にて有効に保持され得るものとなる。

また、さらに、前述のように最上層の酸素濃度を高くす
ることにより、耐摩耗性に優れたＣｏ、Ｎｉ等の酸化物
が最上層に形成されるため、多層構造との相乗効果によ
り、強電性金属薄膜層の膜強度がより高いものとなる。

本発明の磁気記録媒体に用いられる基体の材質としては
、非磁性プラスチックであれば特に制限はないが、通常
は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン２．６
−ナフタレート等のポリエステル、ポリアミド、ポリイ
ミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリサルフォン、
全芳香族ポリエステル、ポリエーテルエーテルケトン、
ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルイミド等を用い
る。

基体の厚さは特に制限はないが、好ましくは８μｍ以下
、特に５〜７μｍ程度であることが好ましい。

この厚さが８μｍをこえると媒体の小型化、長時間記録
等の目的が達成されない。　また、この厚さがあまり薄
くなりすぎると、磁性層を上述のように多層構造として
膜強度を向上させた効果が相殺され、走行性、出力低下
、ヘッド摩耗等の問題が生じる。

そして、本発明の強磁性金属薄膜層の多層構造化による
電磁変換特性向上の効果は、基板の厚さを薄いものにし
た場合に、より顕著に現われるものである。

例えば、２層構造を例にとれば、基板の厚さ１０μｍに
おいて、強磁性金属薄膜層を従来の単層構造から本発明
の２層構造にすることによる電磁変換特性の向上中は、
０．７５ＭＨｚの低周波領域の信号で＋６（ｄＢ）程度
、５ＭＨｚの高周波領域の信号で＋６（ｄＢ）程度であ
るが、基板の厚さを７μｍとした場合の向上ｌ】は、０
．７５ＭＨｚの低周波領域の信号で＋６　（ｄＢ）程度
で基板厚１０μｍの場合と同等であるが、５ＭＨｚの高
周波領域の信号では＋’ｌ　　５　（ｄＢ）程度まで増
大する。

このように、１０μｍ厚の基板に比べ、７μｍ厚の基板
における電磁変換特性の向上が著しいのは、基板厚みを
１０μｍから７μｍにすることにより、基板剛度不足に
よるヘッドタッチが急激に悪化し、５ＭＨｚ等の高周波
領域において、この影習がより大きく、このような場合
に本発明の効果が発現されるものである。

本発明において、磁性層形成はいわゆる斜め蒸着法によ
って形成することが好ましい。

この場合、基体法線に対する蒸着物質の最小入射角は、
最下層設層時においては５０°以下、最上層設層時にお
いては２０°〜９０°、また、３層以上の構造の場合に
おける中間に位置する層の設層時においては２０°〜５
０°とすることが好ましい。

最小入射角がそれぞれ前記の入射角からはずれたものと
なると、電磁変換特性が低下する。

また、磁性層は一工程で２層以上を、連続して設層して
もよいが、通常は、各層毎に蒸着工程に流して設層する
ことが好ましい。

このように、磁性層の設層を各層毎に分けることにより
、前述のように基体法線に対する磁性柱状結晶粒の傾斜
の向きが相隣接する各層間で、媒体の長さ方向で相対向
する向きとなる。

このような磁性層構成とすることにより、電磁変換特性
は極めて良好となる。

なお、蒸着雰囲気は、通常、アルゴン、ヘリウム、真空
等の不活性雰囲気に、酸素ガスを含む雰囲気とし、１０
−５〜１０°Ｐａ程度の圧力とし、また、蒸着距離、基
体搬送方向、キャンやマスクの構造、配置等は公知の条
件と同様にすればよい。

そして、酸素雰囲気での蒸着により、表面に金属酸化物
の被膜が形成される。　なお、金属酸化物が形成される
酸素ガス分圧は、実験から容易に求めることができる。

なお、表面に金属酸化物の被膜を形成するには、各種酸
化処理が可能である。

適用できる酸化処理としては下記のようなものがある。

１）乾式処理 ａ、エネルギー粒子処理 特願昭５８−７６６４０号に記載したように、蒸着の後
期に、イオンガンや中性ガンにより酸素をエネルギー粒
子として磁性層にさしむけるもの。

ｂ、グロー処理 Ｏ□、Ｎ２０，０□＋）（２０等とＡｒ。

Ｎ２等の不活性ガスとを用い、これをグロー放電してプ
ラズマを生じさせ、このプラズマ中に磁性膜表面をさら
すもの。

Ｃ９酸化性ガス オゾン、加熱水蒸気等の酸化性ガスを吹き付けるもの。

ｄ、加熱処理 加熱によって酸化を行なうもの。　加熱温度は６０〜１
５０℃程度。

２）湿式処理 ａ、陽極酸化 す、アルカリ処理、 Ｃ０酸処理 クロム酸塩処理、過マンガン酸塩処理、リン酸塩処理等
を用いる。

ｄ、酸化剤処理 ８２０□等を用いる。

本発明において、強磁性金属ｆ＋を膜層の最下層と基体
との間、強磁性金属薄膜層の各層の間あるいは強磁性金
属薄膜層の最上層の基体と反対側表面のいずれに設層さ
れるプラズマ重合膜５（図示例では、２層構造を存する
強磁性金属薄膜層の下層部３と上層部４との間に設層さ
れている）は、炭素および水素を含む薄１１！２である
。

原料ガスとしては、通常、操作性の良いことから、常温
で気体のメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン
、エチレン、プロピレン、ブテン、ブタジェン、アセチ
レン、メチルアセチレン、その他の飽和ないし不飽和の
炭化水素の１種以上を用いるが、必要に応じて常温で液
体の炭化水素を原料としてプラズマ重合によって形成さ
せてもよい。

このような炭化水素の１種以上に、Ｈ２，０２，０３、
Ｎ２０、Ｎ２　、Ｎｏ、Ｎ２０、ＮＯ２などのＮＯｘ　
、ＮＨ３、Ｃｏ、Ｃｏ２等の１種以上を加えたものを原
料ガスとして用いても好適である。

さらに必要に応じて、原料にＳｉ、Ｂ、Ｐ、Ｓ等のソー
スを微量成分として添加することもできる。

このような原料を用いて形成されるプラズマ重合膜５の
膜厚はそれぞれ３〜８０人である。

この膜厚が８０人をこえるとスペーシングロスなどが大
きくなり好ましくない。

また、３人未満であると、本発明の実効がなくなる。

なお、膜厚の測定は、エリプソメーター等を用いればよ
い。

このような膜厚の制御は、プラズマ重合膜形成時の反応
時間、原料ガス流量等を制御すればよい。

プラズマ重合膜５は、前述の原料ガスの放電プラズマを
被処理体に接触させることにより重合膜を形成するもの
である。

プラズマ重合の原理について概説すると、気体を低圧に
保ち電場を作用させると、気体中に少量存在する自由電
子は、常圧に比べ分子間距離が非常に大きいため、電界
加速を受け、５〜１０ｅＶの運動エネルギー（電子温度
）を獲得する。

この加速電子が原子や分子に衝突′１−ると、原子軌道
や分子軌道を分断し、これらを電子、イオン、中性ラジ
カルなど、通常の状態では不安定の化学種に解離させる
ー 解離した電子は再び電界加速を受けて、別の原子や分子
を解離させるが、この連鎖作用で気体はたちまち高度の
電離状態となる。　そしてこれは、プラズマガスと呼ば
れている。

気体分子は電子との衝突の機会が少ないのでエネルギー
をあまり吸収せず、常温に近い温度に保たれている。

このように、電子の運動エネルギー（電子温度）と、分
子の熱運動（ガス温度）が分離した系は低温プラズマと
呼ばれ、ここでは化学種が比較的原型を保ったまま重合
等の化成的化学反応を進めつる状況を創出しており、本
発明はこの状況を利用して例えば強磁性金属薄膜下層部
３上に直接プラズマ重合ｊ摸５を形成しようとするもの
である。　なお低温プラズマを利用するため、被処理体
への熱影響は全くない。

被処理体表面にプラズマ重合膜を形成する装置例が第３
図に示しである。　第３図は、周波数可変型の電源を用
いたプラズマ重合装置である。

第３図において、反応容器Ｒには、処理ガス源２１また
は２２から処理ガスがそれぞれマスフローコントローラ
２３および２４を経て供給される。　ガス源２１または
２２からべつべつのガスを供給する場合は、混合器２５
において混合して供給する。

処理ガスは、各々１〜２５０ｍＩＬ／分の流量範囲をと
りつる。

反応容器Ｒ内においては、基体上に有機物をとりこんだ
磁性層を有する。　例えばフィルム上の被処理体がくり
出しロール３１からくり出され、巻き取りロール３０に
よって巻きとられる。　この間に磁性層中にとりこまれ
た有機物の重合が行われる。

さらに重合処理装置２０について詳細に説明すると、被
処理体を間に挟んで対向する電極２７．５７が設けられ
ており、一方の電極２７は周波数可変型の電源２６に接
続され、他方の電極５７は２８にて接地されている。

さらに、反応容器Ｒ内には、容器内を排気するだめの真
空系統が配備され、そしてこれは液体窒素トラップ１１
１、油回転ポンプ１１２および真空コントローラ１１３
を含む。　これら真空系統は反応容器内を０．０１〜１
０Ｔｏｒｒの真空度の範囲に維持する。

操作においては、反応容器Ｒ内がまず１Ｏ−３７ｏｒｒ
以下になるまで容器内を排気し、その後処理ガスが所定
の流量において容器内に混合状態で供給される。

このとき、反応容器内の真空は０．０１〜１０Ｔｏ　ｒ
　ｒの範囲に管理される。

原料ガスの流量が安定すると、電源がオンにされる。　
こうして、被処理体の表面上にプラズマ重合膜が形成さ
れる。

なお、キャリアガスとして、Ａｒ、Ｎ２、Ｈｅ、Ｎ２．
などを使用してもよい。

また、印加電流、処理時間等は通常の条件とすればよい
。

プラズマ発生源としては、高周波放電の他に、マイクロ
波放電、直流放電、交流放電等いずれでも利用できる。

ここで、プラズマ重合の条件は、Ｗ／（Ｆ・Ｍ）の値が
１０’　　（Ｊｏｕｌｅ／ｋｇ）より大きくなる条件で
行なうことが好適である。

たたし、Ｗ：プラズマ電力（Ｊｏｕｌｅ／５ｅｃ）、Ｆ
：原料ガス流量、Ｆ−Ｍの単位はｋｇ／ｓｅｃ、Ｍ：原
料ガス分子量である。

Ｗ／（Ｆ−Ｍ）が１０７未満になるとプラズマ重合膜の
緻密さが不十分となり、本発明の効果が充分発揮されな
い。

なお、Ｗ／（Ｆ−Ｍ）の上限値は一般に１０Ｉ５Ｊｏｕ
　１　ｅ／ｋｇ程度である。

このように形成されるプラズマ重合膜は、炭素含有量３
０〜１００ａｔ％ものであり、特に、３０〜８０ａｔ％
のものが好ましい。

炭素と水素の原子比（Ｃ／Ｈ比）は１〜６のものが好ま
しい。

このようなＣ／Ｈ比をもつプラズマ重合膜は耐食性、耐
久性の向上効果が顕著である。

これに対し、Ｃ／Ｎ比１未満では、耐食性、耐久性、強
度の点で実用に耐えず、また６をこえると、耐久走行後
の出力低下がきわめて大きくなり、実用に耐えない。

このような場合、プラズマ重合膜中には、２０ａｔ％以
下の範囲でＮ、０１Ｓｉ、Ｂ、ｐ、ｓ等が含有されてよ
い。

なお、Ｃ／Ｈ比は、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析）等
に従えばよい。　ＳＩＭＳを用いる場合、本発明のプラ
ズマ重合膜５は３〜８０人であるので、プラズマ重合膜
５表面にて、ＣおよびＨをカウントして算出すればよい
。

あるいは、Ａｒ等でイオンエツチングを行いながら、Ｃ
およびＨのプロファイルを測定して算出しもよい。

ＳＩＭＳの測定については、第３巻　表面科学基礎講座
（１９８４）表面分析の基礎と応用（Ｐ２Ｏ）　　ＳＩ
ＭＳおよびＬＡＭＭＡ″の記載に従えばよい。

さらに、本発明の磁気記録媒体１においては、このよう
なプラズマ重合膜を形成する前に基体２の磁性層形成面
側の表面、強磁性金属薄膜の下層部３あるいは上層部４
の表面をあらかじめプラズマ処理しておくことが好まし
い。

このような処理を施すことによりて処理面での接着強度
が増大し、ひいては媒体としての耐久性も向上する。

プラズマ処理法の原理、方法および形成条件等は前述し
たプラズマ重合法のそれと基本的にはほぼ同一である。

ただし、プラズマ処理は原則として、無機ガスを処理ガ
スとして用い、他方、前述したプラズマ重合法によるプ
ラズマ重合膜の形成には原則として、有機ガス（場合に
よっては無機ガスを混入させてもよい）を原料ガスとし
て用いる。

上記のプラズマ処理ガスとしては、特に制限はない。

すなわちＨ２、Ａ　ｒ、　Ｈｅ、　０２　、　Ｎ２　、
空気、ＮＨ３，０３、Ｈ２Ｏ，ＮＯ，Ｎ２０、ＮＯ□な
どのＮ０８の中から適宜選定し、これらの単独ないし混
合したもの、いずれであってもよい。

さらにプラズマ処理電源の周波数については、特に制限
はなく、直流、交流、マイクロ波等いずれであってもよ
い。

このようなプラズマ重合膜７１．７５を設けることによ
って、媒体の耐久性、耐摩耗性、耐候性、耐食性等は格
段と向上する。

このようなプラスチックフィルムの磁性層が設けられて
いない他方の面上には、裏地層を介して、あるいは直接
バックコート層が設層されることが好ましい。

裏地層はＡ２、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ等の単一金
属薄膜またはこれらの金属の合金、さらにはこれらの酸
化物等の薄膜であることが好ましい。

このような必要に応じ形成される裏地層の膜厚は０．０
５〜１．５μｍとされる。

さらにこのような必要に応じ設けられる裏地層の上には
、バックコート層が設層される。

バックコート層には顔料および放射線硬化型化合物のバ
インダーが含有される。

顔料としては、 １）導電性のあるカーボンブラック、グラファイト、ま
た、 ２）無機充填剤として５ｉ０２．ＴｉＯ２、Ａ１２０３
　、Ｃｒ２０３　、Ｓ　ｉ　Ｃ，ＣａＯ１ＣａＣｏ３，
酸化亜鉛、ゲーサイト、 αＦｅ２Ｏ３，タルク、カオリン、 ＣａＳＯ４、窒化ホウ素、フッ化黒鉛、二値酸モリブデ
ン、ＺｎＳ等があり、中でも ＣａＣｏ３，カオリン、ＺｎＯ、ゲーサイト、ＺｎＳや
カーボンが使用される。

このような無機顔料の使用量は、 １）に関してはバインダー１００重量部に対して２０〜
２００重量部、また ２）に関しては１０〜３００重量部が適当であり、無機
顔料があまり多くなると、塗１反かもろくなり、かえっ
てドロップアウトが多くなるとｂＸうケ占ｈ＜Ａる− なお顔料の平均粒径は、０．０１〜０．３μｍ程度より
好ましくは０．０２〜０．１μｍとされる。

上記のバックコート層で用いられる放射線硬化系樹脂の
バインダーは、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコ
ール共重合体（カルボン酸導入のものも含む）、または
アクリル変性塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコー
ル共ｍ　合体（カルボン酸導入のものも含む）およびウ
レタンアクリレート等からなるものが好ましい。

放射線硬化系樹脂については、前記の好ましい組み合わ
せのほかに、ラジカル重合性を有する不飽和二重結合を
示すアクリル酸、メタクリル酸あるいはそれらのエステ
ル化合物のようなアクリル系二重結合、 ジアリルフタレートのようなアリル系二重結合、 マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和結合等の、放
射線照射による架橋あるいは重合する基を熱可塑性樹脂
の分子中に含有または導入した樹脂等を用いることがで
きる。

その他、使用可能なバインダー成分としては、単量体と
してアクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド等があ
る。

二重結合のあるバインダーとしては、種々のポリエステ
ル、ポリオール、ポリウレタン等をアクリル二重結合を
有する化合物で変性することもできる。　さらに必要に
応じて、多価アルコールと多価カルボン酸を配合するこ
とによって、種々の分子量のものもできる。

放射線感応樹脂として上記のものはその一部であり、こ
れらは混合して用いることもできる。

さらに好ましいのは、 （Ａ）放射線により硬化性をもつ不飽和二重結合を２個
以上有する、分子量５０００〜１０００００のプラスチ
ック状化合物、（Ｂ）放射線により硬化性をもつ不飽和
二重結合を１個以上有するか、または放射線硬化性を有
しない、分子量３０００〜ｔｏｏｏｏｏのゴム状化合物
、および （Ｃ）放射線により硬化性をもつ不飽和二重結合を１個
以上有する、分子量２００〜３０００の化合物を、 （Ａ）２０〜７０重量％、 （Ｂ）２０〜８０重量％、 （Ｃ）１０〜４０重量％の割合で用いた組み合わせであ
る。

これにより、塗膜の破断強度が上り、塗膜の強化がなさ
れ、バックコート削れが少なく、バックコート層から磁
性層への無機充填剤粉末の移転がないためドロップアウ
トの少ない、かつロール状に巻き取った形での硬化の際
の巻きしまりのない、長さ方向で均一の特性を有する磁
気記録媒体が得られる。

本発明の磁気記録媒体の製造において、有機バインダー
が熱硬化型では、製造過程において、バックコート層の
潤滑剤が磁性薄膜に裏型転写し、前述のような不安定な
走行による出力ダウンが発生し、画像が出なくなるとか
、あるいは、冷凍レベルが未だ大きく不十分であり、裏
型転写により強磁性薄膜が取れたり、あるいは破壊され
るという現象が生じ、好ましくない。

そのため、例えば、磁性層上に設層されるトップコート
を最初に行うことが考えられるか、操作し、傷つきやす
く不都合なことが多い。

さらに、熱硬化型の場合、硬化時の巻きしまりによるバ
ックコート面の裏型転移のため、熱硬化中のジャンボロ
ールの内側、外側での電磁変換特性の差が問題となる。

これに対して、放射線硬化型樹脂の場合、製造上、連続
硬化が可能であり、硬化時間も短く、に記の裏型転写が
ないので、ドロップアウトが防止でき、その上放射線硬
化およびトップコート処理がオンライン上で処理できる
ので、省エネルキ一対策、製造時の人員の減少にも役立
ち、コストの低減にもつながる。

特性面では熱硬化時の巻きしまりによるドロップアウト
の外に、ロール状に巻かれたときの内外径の個所の圧力
のちがいにより、磁気テープの長さ方向の距離による出
力差が生じることもなくなる。

上記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の化合物における不飽和二
重結合は、１分子当り（Ａ）は２以上、好ましくは５以
上、（Ｂ）は１以上、好ましくは５以上、（Ｃ）は１以
上、好ましくは３以上である。

本発明で用いる（Ａ）のプラスチック状化合物は、放射
線によりラジカルを発生し、架橋構造を生じるような、
不飽和二重結合を分子鎖中に２個以上含むものなのであ
り、これはまた熱可塑性樹脂を放射線感応変性すること
によっても得ることができる。

放射線硬化性樹脂の具体例としては　ラジカル重合性を
有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メタクリル酸
、あるいはそれらのエステル化合物のようなアクリル系
二重結合、ジアクリルフタレートのようなアリル系二重
結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和結合等
の放射線照射による架橋あるいは重合乾燥する基を、熱
可塑性樹脂の分子中に含有または導入した樹脂であり、
その他放射線照射により架橋重合する不飽和二重結合を
有する化合物で、分子料が５０００〜ｔｏｏｏｏｏのも
の、好ましくはｉ　ｏｏｏｏ〜８００００のものであれ
ば用いることができる。

放射線照射による架橋あるいは重合乾燥する基を熱可塑
性樹脂の分子中に含有する樹脂としては、次のような不
飽和ポリエステル樹脂がある。

分子鎖中に放射線硬化性不飽和二重結合を含有するポリ
エステル化合物、例えば下記（２）の多塩基酸と多価ア
ルコールのエステル結合からなる飽和ポリエステル樹脂
で、多塩基酸の一部をマレイン酸とした放射線硬化性不
飽和二重結合を含有する不飽和ポリエステル樹脂を挙げ
ることができる。

放射線硬化性不飽和ポリエステル樹脂は、多塩基酸成分
１種以上と、多価アルコール成分１種以上に、マレイン
酸、フマル酸等を加え、常法すなわち触媒の存在下で、
１８０〜２００℃、窒素雰囲気下、脱水あるいは脱アル
コール反応の後、２４０〜２８０℃まで昇温し、０．５
〜１　ｍｍＨＨの減圧下、縮合反応により得ることがで
きる。

マレイン酸やフマル酸等の含有量は、製造時の架橋、放
射線硬化性等から酸成分中１〜４０モル％、好ましくは
１０〜３０モル％である。

放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、次のようなものを挙げることができる。

（１）塩化ビニール系共重合体 塩化ビニール−酢酸ビニール−ビニールアルコール共重
合体、塩化ビニール−ビニールアルコール共重合体、塩
化ビニール−ビニールアルコール−プロピオン酸ビニー
ル共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニール−マレイン酸
共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニール−末端ＯＨ側鎮
アルキル基共重合体、たとえばＵＣＣ社製ＶＲＯＨ，Ｖ
ＹＮＣ，ＶＹＢＧＸ、ＶＥＲＲ。

ＶＹＥＳ、ＶＭＣＡ、ＶＡＧＨ等が挙げられ、このもの
に後述の手法により、アクリル系二重結合、マレイン酸
系二重結合、アリル系二重結合を導入して、放射線感応
変性を行う。

（２）飽和ポリエステル樹脂 フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、コハク酸、ア
ジピン酸、セバシン酸、のような飽和多塩基酸と、エチ
レングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン、
トリメチロールプロパン、１．２プロピレングリコール
、１，３ブタンジオール、ジプロピレングリコール、１
．４ブタンジオール、１．６ヘキサンジオール、ペンタ
エリスリット、ソルビトール、グリセリン、ネオペンチ
ルグリコール、１．４シクロヘキサンジメタツールのよ
うな多価アルコールとのエステル結合により得られる飽
和ポリエステル樹脂、またはこれらのポリエステル樹脂
を５ｏ３Ｎａ等で変性した樹脂（例えばパイロン５３Ｓ
）が例として挙げられ、これらも同様にして放射線感応
変性を行う。

（３）ポリビニルアルコール系樹脂 ポリビニルアルコール、ブチラール樹脂、アセタール樹
脂、ホルマール樹脂およびこれらの成分の共重合体で、
これら樹脂中に含まれる水酸基に対し、後述の手法によ
り放射線感応変性を行う。

（４）エポキシ系樹脂、フェノキシ系樹脂ビスフェノー
ルＡとニブクロルヒドリン、メチルエピクロルヒドリン
の反応によるエポキシ樹脂、例えばシェル化学製（エピ
コート１５２゜１５４．８２８，１００１，１００４．
１００７）、ダウケミカル製（ＤＥＮ４３１．ＤＥＲ７
３２、ＤＥＲ５１１，ＤＥＲ３３１）、大日本インキ社
製（エピクロン４００，８００）、さらに上記エポキシ
の高重合度樹脂であるＵＣＣ社製フェノキシ樹脂（ＰＫ
ＨＡ。

ＰＫＨＣ，ＰＫＨＨ）、臭素化ビスフェノールＡとエピ
クロルヒドリンの共重合体、大日本インキ化学工業製（
エビクロン１４５，１５２゜１５３．１１２０）等があ
る。

これら樹脂中に含まれるエポキシ基を利用して、放射線
感応変性を行う。

（５）繊維素誘導体 各種のものが用いられるが、特に効果的なものは、硝化
綿、セルローズアセトブチレート、エチルセルローズ、
ブチルセルローズ、アセチルセルローズ等が好適である
。

樹脂中の水酸基を利用して後述の方法により放射線感応
変性を行う。

その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルボロリドン樹脂および誘導体（ｐｖｐ
オレフィン共爪合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステル、およびメタクリエステルを
重合成分として、少なくとも１種含むアクリル系樹脂等
も有効である。

本発明で用いる（Ｂ）の高分子化合物は、熱可塑性エラ
ストマーもしくはプレポリマー、またはこれらを放射線
感応変性したものであり、後者の場合は、より効果的で
ある。

以下にエラストマーもしくはプレポリマーの例を挙げる
。

（１）ポリウレタンエラストマーもしくはプレポリマー ウレタン化合物の例としては、イソシアネートとして、
２．４−トルエンジイソシアネート、２．６−トルエン
ジイソシアネート、１゜３−キシレンジイソシアネート
、１，４−キシレンジイソシアネート、１．５−ナフタ
レンジイソシアネート、ｍ−フェニレンジイソシアネー
ト、３．３−ジメチル−４，４−ジフェニルメタンジイ
ソシアネート、４．４−ジフェニルメタンジイソシアネ
ート、３．３−ジメチルビフェニレンジイソシアネート
、４．４−ビフェニレンジイソシアネート、ヘキサメチ
レンジイソシアネート、イソフオロンジイソシアネート
、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、デスモジ
ュールＬ、デスモジュールＮ等の各種多価イソシアネー
トと、 線状飽和ポリエステル（エチレングリコール、ジエチレ
ングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、
１．４−ブタンジオール、１．６−ヘキサンジオール、
ペンタエリスリット、ソルビトール、ネオペンチルグリ
コール、１．４−シクロヘキサンジメチノールのような
多価アルコールと、フタル酸、イソフタル酸、テレフタ
ル酸、コハク酸、アジピン酸、セバシン酸のような飽和
多塩基酸との縮重合によるもの）、 線状飽和ポリエーテル（ポリエチレングリコール、ポリ
プロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール
）やカプロラクタム、ヒドロキシル含有アクリル酸エス
テル、ヒドロキシ含有メタクリル酸エステル等の各種ポ
リエステル類の縮合物よりなるポリウレタンエラストマ
ー、プレポリマーか１「効である〜 これらのウレタンエラストマーの末端のイソシアネート
基または水酸基と、アクリル系二重結合またはアリル系
二重結合を有する単量体とを反応させることにより、放
射線感応性に変性することは非常に効果的である。

（２）アクリロニトリル−ブタジェン共重合エラストマ
ー シンクレアベトロケミカル社製ポリＢＤリタイッドレジ
ンとして市販されている末端水酸基のあるアクリロニト
リルブタジェし共重合体プレポリマー、あるいは日本ゼ
オン社製ハイカー１４３２Ｊ等のエラストマーは、特に
ブタジェン中の二重結合が放射線によりラジカルを生じ
、架橋および重合させるエラストマー成分として適する
。

（３）ポリブタジエンエラストマー シンクレアベトロケミカル社製ポリＢＤリタイッドレジ
ンＲ−１５等の低分子量末端水酸基を有するプレポリマ
ーが、特に熱可塑性との相溶性の点で好適である。

Ｒ−１５プレポリマーにおいては、分子末端が水酸基と
なフているため、分子末端にアクリル系不飽和二重結合
を付加することにより放射線感応を高めることが可能で
あり、バインダーとしてさらに有利となる。

また、ポリブタジェンの環化物、日本合成ゴム製ＣＢＲ
−Ｍ９０１も熱可塑性樹脂との組合わせにより、すぐれ
た性質を有している。

その他、熱可塑性エラストマーおよびそのプレポリマー
の系で好適なものとしては、スチレン−ブタジェンゴム
、塩化ゴム、アクリルゴム、インブレンゴム、およびそ
の環化物（日本合成ゴム製ＣｌＲ７０１）があり、エポ
キシ変性ゴム、内部可塑化飽和線状ポリエステル（東洋
紡バイロン＄３００）等のエラストマーも下記に述べる
放射線感応変性処理を施すことにより有効に利用できる
。

本発明で用いられる（Ｃ）放射線硬化性不飽和二重結合
を有する化合物としては、 スチレン、エチルアクリレート、エチレングリコールジ
アクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、
ジエチレングリコールアクリレート、ジエチレングクコ
ールジメタクリレート、１．６−ヘキサングリコールジ
アクリレート、１，６−ヘキサングリコールジアクリレ
ート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、多
官能オリゴエステルアクリレート（アロニックスＭ−７
１００、東亜合成）、ウレタンエラストマーにツボラン
４０４０）のアクリル変性体、あるいはこれらのものに
Ｃ０ＯＨ等の官能基が導入されたもの等が挙げられる。

高分子には、放射線照射により崩壊するものと分子間に
架橋を起こすものが知られている。

分子間に架橋を起すものとしては、ビリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリスチレン、ポリアクリル酸エステル、
ポリアクリルアミド、ポリ塩化ビニル、ポリエステル、
ポリビニルピロリドンゴム、ポリビニルアルコール、ポ
リスチレンがある。

このような架橋型ポリマーであれば、上記のような変性
を特に施さなくても、架橋反応が起こるので、前記変性
体の他に、これらの樹脂はそのまま放射線架橋用バック
コート樹脂として使用可能である。

さらにまた、この方法によれば溶剤を使用しない無溶剤
型の樹脂であっても、短時間で硬化することができるの
で、このような樹脂をバックコート用として用いること
ができる。

本発明に用いる放射線硬化性樹脂組成物の、特に好まし
い組合わせとしては、 （Ａ）の化合物が一部ケン化した塩化ビニール−酢酸ビ
ニール共重合体、カルボン酸が導入された塩化ビニール
−酢酸ビニール共重合体、フェノキシ樹脂にポリイソシ
アネート化合物を反応させて得られたイソシアネート基
を有する化合物に、イソシアネート基との反応性を有す
る官能基をもつアクリル化合物、あるいはメタクリル化
合物を反応させてなる化合物であり、（Ｂ）の化合物が
ポリオールにインシアネート化合物を反応させて得られ
た、インシアネート化合物またはポリオール（ポリウレ
タンエラストマー）に、反応性を有する官能基をもつア
クリル化合物あるいはメタクリル化合物を反応させてな
る化合物であり、 （Ｃ）が多官能（メタ）クリレートモノマー、オリゴエ
ステルアクリレート、または（Ｂ）の低分子量化合物と
いうものである。

このようなバックコート層の膜厚は０．２〜２．５μｍ
であり、より好ましくは０．３〜１．５μｍ程度とされ
る。　膜厚が０．２μｍ未満であると充分な走行安定性
が得られなくなリ、また２、５μｍをこえるとバックコ
ート層のケズレが発生するからである。

なお、バックコート層には、上述したような顔料、打機
バインダーの他に、必要に応じて潤滑剤等の種々の公知
の添加剤を含有させてもよい。

塗布溶剤としては、ＭＥに、シクロヘキサノン、ＭＩＢ
Ｋ等のケトン系、ＩＰＡ等のアルコール系、トルエン等
の芳香族系、ジクロロエタン等のハロゲン系などが用い
られる。

使用に際しては、これらの１種類を単独で用いたり、２
種類以上を混合して用いたり、いずれでもよい。

潤滑剤としては（分散剤をも含めて）、従来この種のバ
ックコート層に用いられる種類のものはいずれも用いる
ことができるが、 カプリル酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、
パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、
エライジン酸、リノール酸、リルン酸、ステアロール酸
等の炭素数１２以上の脂肪酸（ＲＣｏＯＨ，Ｒは炭素数
１１以上のアルキル基）； 前記の脂肪酸のアルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ。

Ｋ等）またはアルカリ土類金属（Ｍｇ、Ｃａ。

Ｂａ等）からなる金属石鹸； レシチン 等が使用される。

この他に、炭素数１２以上の高級アルコール、およびこ
れらの硫酸エステル、界面活性剤、チタンカップリング
剤、シランカップリング剤等も使用可能である。

これらの潤滑剤（分散剤）はバインダー１００重量部に
対して１〜２０重量部の範囲で添加される。

潤滑剤としては、上記の他にシリコンオイル、グラファ
イト、二硫化モリブデン、二硫化タングステン、炭素数
１２〜１６個の一塩基性脂肪酸と炭素数３〜１２個の一
価のアルコールからなる脂肪酸エステル類、炭素数１７
個以上の一塩基性脂肪酸とこの脂肪酸の炭素数と合計し
て、炭素数が２１〜２３個よりなる一価のアルコールと
からなる脂肪酸エステル等が使用される。

これらの潤滑剤はバインダー１００重量部に対して０．
２〜２０重量部の範囲で添加される。

また、その他の添加剤としては、この種のバックコート
に用いるものは何にでも用いることができるが、例えば
、帯電防止剤として、サポニンなどの天然界面活性剤； アルキレンオキサイド系、グリセリン系、グリシドール
系などのノニオン界面活性剤；高級アルキルアミン類、
第４級アンモニウム塩類、ピリジンその他の複素環類、
ホスホニウムまたはスルホニウム類などのカチオン界面
活性剤： カルボン酸、スルホン酸、リン酸、硫酸エステル基、リ
ン酸エステル基等の酸性基を含むアニオン界面活性剤； アミノ酸類、アミノスルホン酸類、アミノアルコールの
硫酸またはリン酸エステル類等の両性活性剤などが使用
される。

また、上記バックコート層あるいは後述するトップコー
ト層に含まれる潤滑剤、酸化防止剤等としては放射線硬
化型のものが好ましい。

このような場合、その架橋に使用する活性エネルギー線
としては、放射線加速器を線源とした電子線、Ｃ０６０
を線源としたγ−線、５ｒ９０を線源としたβ−線、Ｘ
線発生機を線源としたＸ線、あるいは紫外線が使用され
る。

特に照射線源としては、吸収線量の制御、製造工程ライ
ンへの導入、電離放射線の遮断等の見地から、放射線加
速器により放射線を使用する方法が有利である。

上記のバックコート層、および下記のトップコート層を
硬化する際に使用する放射線特性としては、透過力の面
から加速電圧１００〜７５０Ｋｖ、好ましくは１５０〜
３００ＫＶの放射線加速器を用い、吸収線量を０．５〜
２０メガラツドになるように照射するのが好都合である
。

上記の放射線硬化に際しては、米国エナージーサイエン
ス社にて製造されている低線量タイプの放射線加速器（
エレクトロカーテンシステム）等がテープコーティング
加エラインへの導入、加速器内部の２次Ｘ線の遮断等に
極めて有利である。

また、従来より放射線加速材として広く活用されている
ことろのファンデグラフ型加速器を使用してもよい。

また、放射線架橋に際しては、Ｎ２ガス、Ｈｅガス等の
不活性ガス気流中で放射線をバックコート層、トップコ
ート層に照射することが重要であり、空気中で放射線を
照射することは、バインダー成分の架橋に際し、放射線
照射による生じた０３等の影響でポリマー中に生じたラ
ジカルが有利に架橋反応に働くことを阻害するので、極
めて不利である。

したがって、活性エネルギー線を照射する部分の雰囲気
は、特に酸素濃度が最大で５％であるＮ２．Ｈｅ、Ｃｏ
、等の不活性ガス雰囲気に保つことが重要となる。

また、バックコート層が設けられる基体ないし裏地層の
表面には、接着強度を向上させる目的でプラズマ処理を
施すことが好ましい。　このようなプラズマ処理は通常
、無機ガスを処理ガスとして行われ、これらの処理ガス
の中では特にＯ，Ｎ、Ｈとを含む処理ガスを用いるのが
好ましい。

プラズマ処理の周波数については特に制限はない。

このようなプラズマ処理によフて裏地層とバックコート
層の接着強度は向上する。

本発明の磁気記録媒体の表面には、微細な突起が所定の
密度で設けられてもよい。

微細な突起は、３０〜３００人、より好ましくは５０〜
２５０人の高さを有するものである。

すなわち、突起は、光学顕微鏡で観察でき、かつ触針型
表面粗さ計で測定できるものではなく、走査型電子顕微
鏡にて観察できる程度のものである。

突起高さが３００人をこえ、光学顕微鏡にて観察できる
ものとなると、電磁変換特性の劣化と、走行安定性の低
下をもたらす。

また、５０人未満となると、物性の向上の実効がない。

そして、その密度は１　ｍｍ２あたり平均１０５個以上
、より好ましくは１０５〜１０９個、特に１０６〜１０
８個である。

突起密度が１０５個／　ｍ　ｍ　２未満となると、ノイ
ズが増大し、スチル特性が低下する等の物性の低下をき
たし、実用に耐えない。

また、１０９個／　ｍ　ｍ　２をこえると、物性上の効
果が少なくなってしまう。

なお、突起径は、一般に２００〜１０００人程度とする
。

このような突起を設けるには、通常、基板−ヒに微粒子
を配設すればよい。　微粒子径は、３０〜１０００人と
すればよく、これにより微粒子径に対応した微細突起が
形成される。

用いる微粒子としては、通常コロイド粒子として知られ
ているものであって、例えばＳｉＯ□　（コロイダルシ
リカ）、Ａ１２０３（アルミナゾル）　、ＭｇＯ，Ｔｉ
０ｚ、ＺｎＯ，Ｆｅ２０３、ジルコニア、ＣｄＯ。

Ｎ　ｉｏ、ＣａＷＯ，、ＣａＣ０，、 ＢａＣ０，、ＣｏＣｏ３，ＢａＴｉＯ３，Ｔｉ（チタン
ブラック）、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、各種ヒド
ロシルや樹脂粒子等が使用可能である。　この場合、特
に無機物質を用いるのが好ましい。

このような微粒子は、各種溶媒を用いて塗布液とし、こ
れを基板とに塗布、乾燥してもよく、あるいは塗布液中
に各種水性エマルジョン等の樹脂分を添加したものを塗
布、乾燥してもよい。

なお、場合によっては、これら塗布液を基板上に配設す
るのではなく、磁性薄膜層上にトップコート層として配
設することもできる。

また、樹脂分を用いる場合、これら微粒子にもとづく微
細突起に重畳してゆるやかな突起を設けることもできる
が、通常はこのようにする必要はない。

もし必要であるならば、強磁性金属薄膜層の最上層と最
下層との間に非磁性金属薄膜層を介在させてもよい。

また、磁性薄膜層上、磁性薄膜層上にプラズマ重合膜が
設層されている場合はプラズマ重合股上にトップコート
層を設層して、走行性をより一層向上することもできる
。

トップコート層としては、公知の種々のものが適用でき
、例えば、放射線硬化型化合物、すなわち放射線硬化型
ポリマー、モノマー、オリゴマーの１種以上と、酸化防
止剤と、さらに必要に応じ潤滑剤等とを含有させたもの
等がある。

また、基体と強磁性金属薄膜層との間には、必要に応じ
、公知の各種下地層を介在させることもできる。

■　発明の具体的作用効果 本発明によれば、磁性層が２層以上の層構成をなすこと
により、磁性柱状結晶粒の長さが小さいものとなるため
磁性層の膜強度が向上する。　このため、走行安定性が
きわめて高く、また、走行による磁性層のクラックや磁
性面のケズレの発生がきわめて少なく、ヘッド摩耗量、
ドロップアウトの発生もきわめて少ないものとなる。

また、最上層の柱状結晶粒が基体主面法線に対し、２０
°〜９０°の傾きを有し、特に５０°以上の傾きを有す
るものがあり、同時に最下層の酸素濃度Ｃ２と最上層の
酸素濃度Ｃ１との比Ｃ２／　ＣＩが０．３以下であり、
さらに最上層に隣接する層の最上層界面近傍の酸素濃度
Ｃ３と最上層の酸素濃度Ｃ，との比Ｃ３／Ｃ０が０．１
〜３．０であると、最上層では保磁力Ｈｃが相対的に高
くなり、比較的浅い磁界を有する中心周波数が５ＭＨｚ
程度の信号を有効に保持し、かつ分解能が良好なものと
なる。

さらに、最下層の柱状結晶粒が基体主面法線に対して５
０°以下の傾きを有し、基体に対し立っている状態を呈
すると、また、同時に、最下層では最大残留磁束φ１、
角形比が高く、さらに、最上層に隣接する層の最上層界
面近傍では、保磁力Ｈｅのピークが存在しているため、
比較的深い磁界を有する中心周波数０．７５ＭＨｚ程度
の信号を有効に保持するものである。

また、強磁性金属薄膜層の最下層と基体との間、各層の
間あるいは強磁性金属薄膜層の最上層の基体と反対側表
面上のいずれかにプラズマ重合膜を有するため得られた
媒体は耐久性、耐摩耗性、耐候性、耐食性等に優れ、ヘ
ッド吸着も少なく、実用に際してきわめて高い信頼性を
有する。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。

（実施例１） 下記表１に示す厚さのポリエステル（ＰＥＴ）フィルム
を円筒状、冷却キャンの周面に沿わせて移動させ、０２
＋Ａｒ（容積比１：１）を毎分８００ｃｃの速さで流し
真空度を１、　ｏｘ　１０−’Ｔｏｒｒとしたチャンバ
ー内で、Ｃｏ８０、Ｎｉ２０（重量比）の合金を溶融し
、入射角を表１に示す入射角として、斜め蒸着により第
１図に示されるＣｏ−Ｎｉ−０の２層薄膜を形成した。

また、比較として、入射角３０〜９０°の部分のみ斜め
蒸着し膜厚０．１５μｍのＣｏ−Ｎｉ−０の単層薄膜を
形成した。

酸素は下層と上層との界面およびベースと反対側の表面
に多く偏在していた。　また、ベースと反対側の表面は
ほぼ酸化物のみで覆われていた。

Ｈｃ＝１０００　０ｅ、　　膜中の平均酸素量はＣｏと
Ｎｉに対する原子比 で４０％であった。

表１にはＡｒにてイオンエツチングを行ないながら、オ
ージェ分光分析を行なフて得たＯ／（ＣｏまたはＣｏ＋
Ｎ１）ｉ子比のうち、Ｃ１（表面）、ｃ＋”（上層平均
）、Ｃ２（下層の基体との界面）、Ｃ２”（下層平均）
、Ｃ３（下層の上層との界面近傍）が併記される。

また、プラズマ重合膜を形成した。　このプラズマ重合
膜の形成位置は、基体と磁性層との間、磁性層の基体反
対側表面および、２層薄膜となっている磁性層間のいず
れか１ケ所とした。

プラズマ重合膜の形成は、被形成体を真空チャンバ中に
入れ、一旦１０−’Ｔｏｒｒの真空に引いた後、ガス状
炭化水素としてＣＨ，、キャリアガスとしてＡｒを、１
：１で導入し、ガス圧０、ＩＴｏｒｒに保ちながら５０
０Ｗの１３．５６ＭＨｚの高周波電圧をかけてプラズマ
を発生させ、プラズマ重合膜を形成した。

膜厚は表１に示す値であった。

また、Ｗ／Ｆ−Ｍは５ｘ１０８．Ｃ／Ｈ比は２であった
。

このフィルムの裏面をプラズマ処理した後、下記に示す
ようなバックコート層を設層した。

なおプラズマ処理条件は、処理ガスを０２ガスとし、ガ
ス流量１００ｍＩｌ／分、真空度０．５Ｔｏｒｒ、電源
５０にＨｚ、２００Ｗ、フィルム走行速度３０ｍ／分と
した。

またさらに、基体の磁性層形成面反対側に下記に示すよ
うなバックコート層を設層し、磁性層上に下記に示すよ
うなトップコート層を設層した。

（１）バックコート層の形成 バラフコ−層　　　　　　　　　　　重量部カーボンブ
ラック　　　　　　　　　　　　７Ｓｉｎ２　　　　　
　　　　　　　　　　２アクリル変性塩化ビニル−酢酸
ビニル−ビニルアルコール共重合体　　　　　３０アク
リル変性ポリウレタン エラストマー　　　　　　　　　　　　１０アクリルエ
ステルオリゴマー　　　　　　４分散助剤　　　　　　
　　　　　　　０．４上記混合物をボールミル中５時間
分散させ、プラズマ処理が施された裏地層上に塗イＩ５
　Ｌ／、エレクトロカーテンタイプ電子線加速装置を用
いて加速電圧１５０ＫｅＶ、電極電流１０ｍＡ、吸収線
量５Ｍｒａｄ、Ｎ２ガス中で電子線を照射し、厚み１．
５Ｐのバックコート層を形成した。

（２）トップコート層の形成 以下に示すような組成物を磁性層上に設層した。

トップコートＰｖ重量部　　　　　　　　　重量部ミリ
スチン酸ブチル （脂肪酸エステルｍ、ｐ、ｉ、ｏ℃）０．５（：、ＦＩ
７　（：２１１．−０−に−ＣＩｌ−Ｃ１１２（放射線
感応不飽和二重結合を 有する基）０．３ ＭＥＫ　　　　　　　　　　　　　　３０シクロヘキサ
ノン　　　　　　　　７０を常温で１時間攪拌混合し、
生成した混合物を上記の磁性層表面に均一な厚さになる
ようにグラビア塗布を行い、１００℃で１分間乾燥した
後に、Ｎ２ガス中１５０ＫｅＶ、６ｍＡ、３Ｍｒａｄの
条件で電子線照射し、層厚み２５人のトップコート層を
形成した。

このようにして作製したサンプルにつき下記の測定を行
った。　なお、媒体走行方向と下層の基体法線に対する
磁性結晶粒の傾きの方向を同一方向とした。

（１）スチル耐久性 温度０℃の条件下で出力が５ｄＢ低下するまでの時間を
求めた。

イ吏用デツキ：５ＯＮＹ　　Ａ−３００（スチル解除機
構をはずして使用した）ヘッドニスバッタ　センダスト （２）電磁変換特性 中心周波数０．７５ＭＨｚおよび５ＭＨｚの出力を測定
し、サンプルＮｏ、１８の出力をＯｄＢとした時の値を
求めた。

イ吏用デツキ：５ＯＮＹ　　Ａ−３００ヘッド：スパッ
タ　センダスト モード：ＳＰモード （３）耐食性 初期および６０℃、相対湿度９０％にて７日間保存後の
△φｍ／φｍ（％）を測定した。

（４）破断強度 ８ｍｍ巾のテープを引張力により破断する強度を測定し
た。　測定値はサンプルＮｏ、１８（ベース厚１０−１
磁性層構成二単層、プラズマ重合膜なし）の測定値に対
する相対値で示した。

結果を表２に示す。

表　　　　　　　　　　　２ サンプル　　スチル　　　電磁変換特性　　　　　　　
　　破断強度Ｎｏ、　　　Ｍ久性（分）　　　０．７５
　Ｍｌｌｚ　　５　Ｍｌｌｚ　　　Δφｍ／φｍ　　　
（１ｍｍ）（ｄＢン（ｄＢン １　　　　　　６０以上　　　＋４．１　　　＋４．５
　　　　４．０　　　　　　＋、５２　　　　　　６０
以上　　　＋４．０　　　＋４．６　　　　４．５　　
　　　１．５３（比較）　　　６０尉　　　＋４．０　
　　＋２．５　　　　３．８　　　　　１．６４　（比
すｇン　　　　　　６０尉　　　　　＋１．９　　　　
　＋３．５　　　　　　　　３．９　　　　　　　　　
　　＋、Ｓ５　　　　　　　３０　　　　　　＋３．５
　　　＋４．＋　　　　　４．２　　　　　１．５６（
比較）　　　　１０　　　　　　＋１．５　　　＋２．
０　　　　３．７　　　　　１．５７　　　　　　　５
５　　　　　　＋１．５　　　＋１．５　　　　５．１
　　　　　１．５８（比較）　　　　４０　　　　　　
＋２．０　　　＋２．５　　　　５．７　　　　　　１
．３９（比較）　　　　　１０　　　　　　＋０．１　
　　＋０．４　　　　　５．２　　　　　　１．３１０
　　　　　　６０以上　　　＋４．１　　　＋４．６　
　　　４．５　　　　　１．５１！　　　　　　　６０
以上　　　＋４．１　　　＋４．６　　　　３．８　　
　　　１．５１２　　　　　　６０以上　　　＋４．２
　　　＋４．６　　　　　　：１．５　　　　　　１．
６１３　　　　　　６０以上　　　＋４．２　　　＋４
．６　　　　４．０　　　　　　＋、５１４（比較）　
　　　６０以上　　　＋４．ｉ　　　　＋４．５　　　
　１６．７　　　　　　１．１＋５　　　　　　　　　
　　　６０ｉ！Ｊ：　　　　　＋４．Ｏ＋４．６　　　
　　　　　９．５　　　　　　　　　　１．１５１６（
比較）　　　　　　０＋０．Ｉ　　　　＋０．５　　　
　１８．５　　　　　　０．９１７（比較）　　　　　
２０　　　　　　０　　　　０　　　　　　４’、７　
　　　　　１．５１８（比較）　　　　１０　　　　　
　０　　　　０　　　　　１６．０　　　　　　＋、０
（実施例２） ベース厚みおよび磁性層の上層厚みと下層厚みの比を表
３に示すものとした他は、実施例１と同様の方法により
磁性層を形成し、実施例１と同様のバックコート層、ト
ップコート層を用いて表３に示されるサンプルを作成し
た（サンプルＮｏ、２１〜２７）。

このように形成した各サンプルについて、実施例１と同
様の測定を行なフだ。

なお、電磁変換特性は、サンプルＮ０１２７の出力をＯ
ｄＢとした時の値を求めた。

結果を表４に示す。

なお、サンプルＮｏ、２５（ベース厚７−１磁性層構成
：単層）の出力に対するサンプルＮｏ、２１〜２３（ベ
ース厚７−１磁性層構成：２層）の出力の向上中を表４
のく　）内に記載した。

表　　　　　　　　　　　４ サンプル　　スチル　　　電磁変換特性Ｎｏ、　　　耐
久性（分）　　　０．７５　ＭＨｚ　　　　５　ＭＨｚ
　　Δφｍ／φｍ（ｄＢ）　　　　　　（ｄＢ） ２１　　　　　６０以上　　＋５．０（６，３）　　＋
５．１（７，２）　　　４．０２２　　　　　６０以上
　　＋３．２（４，５）　　＋３．５（５，６）　　　
４．３２３（比較）　　　　　１０　　　　　−１．１
（０，２）　　−１，２（０，９）　　　５．３２４　
　　　　６０以上　　＋５．７　　　　＋５．７　　　
　４．５２５（比較）　　　　２０　　　　　−１．３
（０）　　−２，１（０）　　　４．３２６（比較）　
　　　　１０　　　　　−１．２　　　　−２．．１　
　　　１６．５２７（比較）　　　　　２０　　　　　
　０　　　　　　０　　　　　　４．７表１〜表４に示
される結果より、本発明の効果は明らかである。

すなわち、各測定項目のすべてにおいて良好な値が得ら
れるのは、本発明の磁性層構成およびプラズマ重合膜を
有するサンプル（ＮＯｏｌ、２．５．１０〜１３．１５
）であることが明らかである。

また、ベース厚８μｍ以下では、上層厚／下層厚が０．
２〜０．９であると、特に５ＭＨｚの出力および耐久性
のきわめて高い向りがみられ（サンプルＮｏ、２１）、
５ＭＨｚ出力の点で実用に耐えないベース厚のうすいも
のでも、充分実用可能な電磁変換特性、耐久性を示すこ
とがわかる。

実施例３ 基体の磁性層形成面側表面にコロイタルシリカを塗布し
、微小突起を有する基体を得た。

この場合、突起高さ＝２５０人、突起密度＝５Ｘ１０’
／ｍｍ２であった。

この基体を用いて、実施例１および実施例２と同様のテ
ストを行なった結果、高温走行時のヘッドへの付着物量
が３０〜４０％減少した。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の磁気記録媒体の１実施例の媒体方向
に平行な断面の模式図である。 第２図は本発明の磁気記録媒体の他の実施例の媒体方向
に平行な断面の模式図である。 第３図は、プラズマ重合装置の概略図である。 符号の説明 １・・・・磁気記録媒体、 ２・・・・基体、 ３・・・・強磁性金属薄膜下層部、 ４・・・・強磁性金属薄膜上層部、 ５・・・・プラズマ重合膜、 ６・・・・下層結晶粒、 ７・・・・上層結晶粒、 ？、ｎ＋＋＋＋ｆｆｉ　　を　ｍ　　Ｆｌ　　＊　　！
：Ｑ２１．２２・・・・処理ガス源、 ２３．２４・・・・マスホローコントローラ、２５・・
・・混合器、 ２６・・・・直流、交流および 周波数可変型電源、 ２７．５７・・・・電極、 ３０・・・・直巻取りロール、 ３１・・・・くり出しロール、 １１１・・・・液体窒素トラップ、 １１２・・・・油回転ポンプ、

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）プラスチックフィルム基体上にＣｏを主成分とす
   る強磁性金属薄膜層を有し、この強磁性金属薄膜層が２
   層以上の層からなる多層構造を有し、強磁性金属薄膜層
   被着時の基体法線に対する被着物質の最小入射角が基体
   側の最下層設層時は５０°以下、基体と反対側の最上層
   設層時は２０°〜９０°であり、最下層の基体側界面近
   傍の酸素濃度Ｃ＿２を最上層の基体と反対側表面近傍の
   酸素濃度Ｃ＿１で除した値が０．３以下であり、上記強
   磁性金属薄膜層の最下層と基体との間、各層の間あるい
   は最上層の基体と反対側表面上のいずれかにプラズマ重
   合膜を有することを特徴とする磁気記録媒体。
2. （２）最上層に隣接する層の最上層との界面近傍での酸
   素濃度Ｃ＿３を最上層の基体と反対側表面近傍での酸素
   濃度Ｃ＿１で除した値Ｃ＿３／Ｃ＿１が０．１〜３．０
   である特許請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。
3. （３）強磁性金属薄膜層が２層構造を有する特許請求の
   範囲第１項または第２項に記載の磁気記録媒体。
4. （４）プラズマ重合膜がＣ、またはＣとＨ、ＮおよびＯ
   のうちの少なくとも１種とを含む特許請求の範囲第１項
   ないし第３項のいずれかに記載の磁気記録媒体。
5. （５）プラズマ重合膜中のＣ含有量が３０〜１００ａｔ
   ％である特許請求の範囲第４項に記載の磁気記録媒体。
6. （６）プラズマ重合膜中のＣ／Ｈ原子比が１〜６である
   特許請求の範囲第５項に記載の磁気記録媒体。