JPS6383128A - ポリカ−ボネ−ト重合体 - Google Patents
ポリカ−ボネ−ト重合体Info
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- JPS6383128A JPS6383128A JP61230896A JP23089686A JPS6383128A JP S6383128 A JPS6383128 A JP S6383128A JP 61230896 A JP61230896 A JP 61230896A JP 23089686 A JP23089686 A JP 23089686A JP S6383128 A JPS6383128 A JP S6383128A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G64/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbonic ester link in the main chain of the macromolecule
- C08G64/04—Aromatic polycarbonates
- C08G64/06—Aromatic polycarbonates not containing aliphatic unsaturation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
- G11B7/2534—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polycarbonates [PC]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はレーザー光線により信号を記録し、或いはレ
ーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読み
出しを行う光学式情報記録用ディスクに用いられるポリ
カーボネート重合体に関する。
ーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読み
出しを行う光学式情報記録用ディスクに用いられるポリ
カーボネート重合体に関する。
レーザー光線のスポットビームをディスクにあて、ディ
スクに微細なビットで信号を記録し、或いはこのような
ビットによって記録された信号をレーザー光線の反射又
は透過光量を検出することによって読み出すDRAW、
Erasable−DRAW型光学型光軸式情報記録
方式は著しく記録回度を上げることができ、特にEra
sable−DRA−型では記録の消去・書き込みも可
能であり、且つそれらから再生される画像や音質が優れ
た特性を有することから、画像や音声の記録又は記録再
生、多量の情報記録再生等に広く実用されることが期待
されている。この記録再生方式に利用されるディスクに
はディスク本体をレーザー光線が透過するために透明で
あることは勿論のこと、読み取り誤差を少なくするため
に光学的均質性が強く求められる。ディスク本体成形時
の樹脂の冷却及び流動過程において生じた熱応力、分子
配向、ガラス転移点付近の容積変化等による残留応力が
主な原因となり、レーザー光線がディスク本体を通過す
る際に複屈折が生ずる。
スクに微細なビットで信号を記録し、或いはこのような
ビットによって記録された信号をレーザー光線の反射又
は透過光量を検出することによって読み出すDRAW、
Erasable−DRAW型光学型光軸式情報記録
方式は著しく記録回度を上げることができ、特にEra
sable−DRA−型では記録の消去・書き込みも可
能であり、且つそれらから再生される画像や音質が優れ
た特性を有することから、画像や音声の記録又は記録再
生、多量の情報記録再生等に広く実用されることが期待
されている。この記録再生方式に利用されるディスクに
はディスク本体をレーザー光線が透過するために透明で
あることは勿論のこと、読み取り誤差を少なくするため
に光学的均質性が強く求められる。ディスク本体成形時
の樹脂の冷却及び流動過程において生じた熱応力、分子
配向、ガラス転移点付近の容積変化等による残留応力が
主な原因となり、レーザー光線がディスク本体を通過す
る際に複屈折が生ずる。
この複屈折に起因する光学的不均一性が大きいことは光
学式ディスクとしては致命的欠陥である。
学式ディスクとしては致命的欠陥である。
このようにディスク成形時の樹脂の冷却及び流動過程に
おいて生じた熱応力・分子配向・残留応力が主原因で生
ずる複屈折は成形条件を選ぶことによって、得られるデ
ィスクの複屈折はかなり小さくすることができるが、成
形樹脂自身のもつ固有の複屈折、即ち光弾性定数に大き
く依存している。
おいて生じた熱応力・分子配向・残留応力が主原因で生
ずる複屈折は成形条件を選ぶことによって、得られるデ
ィスクの複屈折はかなり小さくすることができるが、成
形樹脂自身のもつ固有の複屈折、即ち光弾性定数に大き
く依存している。
複屈折は光弾性定数と残留応力の積として下記式(1)
で表すことができる。
で表すことができる。
n、−n2=c(σ+ ax) (1)式(1)
の光弾性定数を小さくすれば成形条件が同じでも得られ
るディスクの複屈折が小さくなることは明らかである。
の光弾性定数を小さくすれば成形条件が同じでも得られ
るディスクの複屈折が小さくなることは明らかである。
そこで発明者らは2.2−ビス−(4−ヒドロキシ−3
−イソプロビルフェニル)プロパンをカーボネート結合
によって重合させることによって、芳香族ポリカーボネ
ートの機械的特性を損ねることなく光弾性定数の小さな
樹脂が得られる事実を見出し、本発明に至ったものであ
る。
−イソプロビルフェニル)プロパンをカーボネート結合
によって重合させることによって、芳香族ポリカーボネ
ートの機械的特性を損ねることなく光弾性定数の小さな
樹脂が得られる事実を見出し、本発明に至ったものであ
る。
即ち本発明は、2.2−ビス−(4−ヒドロキシ−3−
イソプロビルフェニル)プロパンをカーボネート結合し
て得られる芳香族ポリカーボネート重合体に関するもの
である。
イソプロビルフェニル)プロパンをカーボネート結合し
て得られる芳香族ポリカーボネート重合体に関するもの
である。
かくしてこの発明によれば、下記の式(I)で示される
ビスフェノール がカーボネート結合により重合してなる下記の式(If
)に示す芳香族ポリカーボネート重合体が得られる。
ビスフェノール がカーボネート結合により重合してなる下記の式(If
)に示す芳香族ポリカーボネート重合体が得られる。
本発明の重合体の粘度平均分子量は1 、000〜10
0.000が好ましく 、13.000〜50.000
が更に好ましい。1.000未満では成形品が脆くなり
、また100.000を越えると流動性が低下し成形性
に劣り、何れも光デイスク用樹脂として不向きである。
0.000が好ましく 、13.000〜50.000
が更に好ましい。1.000未満では成形品が脆くなり
、また100.000を越えると流動性が低下し成形性
に劣り、何れも光デイスク用樹脂として不向きである。
また、本発明のカーボネート重合体は第2成分として他
のカーボネート成分を共重合したものでもよい。かかる
カーボネート成分としては、カーボネート結合をするも
のであれば何れでも良い。その共重合割合は物性を損な
わない範囲で配合すれば良い。
のカーボネート成分を共重合したものでもよい。かかる
カーボネート成分としては、カーボネート結合をするも
のであれば何れでも良い。その共重合割合は物性を損な
わない範囲で配合すれば良い。
本発明のポリカーボネート重合体の製造法としては次の
二つの方法がある。
二つの方法がある。
■ エステル交換法
2.2−ビス−(4−ヒドロキシ−3−イソプロビルフ
ェニル)プロパン、これに対し化学量論的に当量よりや
や過剰のジフェニルカーボネートに、通常のカーボネー
ト化触媒の存在下、約160〜180℃の温度で常圧下
、不活性ガスを導入した条件で約30分反応させ、2時
間かけて徐々に減圧しながら約180〜220℃の温度
下で最終的に10Torr、 220“Cで前縮合を
終了する。その後、10Torr、 270℃で30
分、5Torr+ 270℃で20分反応し、次いで0
.5Torr以下、好ましくは0.3Torr 〜0.
ITorrの減圧下で270℃で1.5時間〜2.0時
間後縮合を進める。
ェニル)プロパン、これに対し化学量論的に当量よりや
や過剰のジフェニルカーボネートに、通常のカーボネー
ト化触媒の存在下、約160〜180℃の温度で常圧下
、不活性ガスを導入した条件で約30分反応させ、2時
間かけて徐々に減圧しながら約180〜220℃の温度
下で最終的に10Torr、 220“Cで前縮合を
終了する。その後、10Torr、 270℃で30
分、5Torr+ 270℃で20分反応し、次いで0
.5Torr以下、好ましくは0.3Torr 〜0.
ITorrの減圧下で270℃で1.5時間〜2.0時
間後縮合を進める。
尚、カーボネート結合のためのカーボネート化触媒とし
ては、リチウム系触媒、カリウム系触媒、ナトリウム系
触媒、カルシウム系触媒、錫系触媒等のアルカリ金属、
アルカリ土類金属触媒が適しており、例えば、水酸化リ
チウム・炭酸リチウム、水素化ホウ素カリウム・リン酸
水素カリウム、水酸化ナトリウム・水素化ホウ素ナトリ
ウム、水素化カルシウム、ジブチル錫オキシド・酸化第
1錫が挙げられる。これらのうち、カリウム系触媒を用
いることが好ましい。
ては、リチウム系触媒、カリウム系触媒、ナトリウム系
触媒、カルシウム系触媒、錫系触媒等のアルカリ金属、
アルカリ土類金属触媒が適しており、例えば、水酸化リ
チウム・炭酸リチウム、水素化ホウ素カリウム・リン酸
水素カリウム、水酸化ナトリウム・水素化ホウ素ナトリ
ウム、水素化カルシウム、ジブチル錫オキシド・酸化第
1錫が挙げられる。これらのうち、カリウム系触媒を用
いることが好ましい。
■ ホスゲン法
三つロフラスコに攪拌機、温度計、ガス導入管、排気管
を付ける。2.2−ビス−(4−ヒドロキシ−3−イソ
プロビルフェニル)プロパンをピリジンに溶かし、これ
を激しく攪拌しながらホスゲンガスを導入するのである
が、ホスゲンは猛毒であるから強力なドラフト中で操作
する。また排気末端には水酸化ナトリウム10%水溶液
で余剰ホスゲンを分解無毒化するユニットを付ける。ホ
スゲンはボンベから空の洗気びん、パラフィンを入れた
洗気びん(池数を数える)、空の洗気びんを通してフラ
スコに導入する。ガス導入管は撹拌機の上に差し込むよ
うにし、析出するピリジン塩によって詰まらないように
するため先端を漏斗状に広げておく。
を付ける。2.2−ビス−(4−ヒドロキシ−3−イソ
プロビルフェニル)プロパンをピリジンに溶かし、これ
を激しく攪拌しながらホスゲンガスを導入するのである
が、ホスゲンは猛毒であるから強力なドラフト中で操作
する。また排気末端には水酸化ナトリウム10%水溶液
で余剰ホスゲンを分解無毒化するユニットを付ける。ホ
スゲンはボンベから空の洗気びん、パラフィンを入れた
洗気びん(池数を数える)、空の洗気びんを通してフラ
スコに導入する。ガス導入管は撹拌機の上に差し込むよ
うにし、析出するピリジン塩によって詰まらないように
するため先端を漏斗状に広げておく。
ガス導入に伴いピリジンの塩酸塩が析出して内容は濁っ
てくる0反応温度は30℃以下になるように水冷する。
てくる0反応温度は30℃以下になるように水冷する。
縮合の進行と共に粘稠になってくる。ホスゲン−塩化水
素錯体の黄色が消えなくなるまでホスゲンを通じる。反
応終了後、メタノールを加えて重合体を沈殿せしめ、濾
別乾燥する。生成するポリカーボネートは塩化メチレン
、ピリジン、クロロホルム、テトラヒドロフランなどに
?容ける力1ら、これらの溶液からメタノールで再沈殿
して精製する。
素錯体の黄色が消えなくなるまでホスゲンを通じる。反
応終了後、メタノールを加えて重合体を沈殿せしめ、濾
別乾燥する。生成するポリカーボネートは塩化メチレン
、ピリジン、クロロホルム、テトラヒドロフランなどに
?容ける力1ら、これらの溶液からメタノールで再沈殿
して精製する。
このようにして得られるポリカーボネート重合体は、レ
ーザー光線により信号を記録し、或いはレーザー光線の
反射又は透過により記録された信号の読み出しを行うD
RAW、 E−DRAW型光学型光軸式情報記録用ディ
スクである。
ーザー光線により信号を記録し、或いはレーザー光線の
反射又は透過により記録された信号の読み出しを行うD
RAW、 E−DRAW型光学型光軸式情報記録用ディ
スクである。
以下に本発明を実施例について説明するが、本発明はこ
れらの実施例によって限定されるものではない。
れらの実施例によって限定されるものではない。
実施例1
2.2−ビス−(4−ヒドロキシ−3−イソプロビルフ
ェニル)プロパン30.72g(0,12mol)とジ
フェニルカーボネート26.35g(0,123mol
)を300m1三つロフラスコに入れ、脱気、窒素パー
ジを5回繰り返した後、シリコンバス160℃で窒素を
導入しながら溶融する。溶融したら、カーボネート化触
媒である水素化ホウ素カリウムを予めフェノールに溶か
した溶液0.5m1(仕込んだビスフェノールに対して
10−’molχ)を加え、160℃、N2下30分攪
拌する。次に同温度下15分かけて100Torrまで
減圧し、さらに15分、 100Torrに保った。次
に同温度下で50Torrまで減圧し30分反応させた
後、徐々に温度を220℃まで上げ30分反応させた。
ェニル)プロパン30.72g(0,12mol)とジ
フェニルカーボネート26.35g(0,123mol
)を300m1三つロフラスコに入れ、脱気、窒素パー
ジを5回繰り返した後、シリコンバス160℃で窒素を
導入しながら溶融する。溶融したら、カーボネート化触
媒である水素化ホウ素カリウムを予めフェノールに溶か
した溶液0.5m1(仕込んだビスフェノールに対して
10−’molχ)を加え、160℃、N2下30分攪
拌する。次に同温度下15分かけて100Torrまで
減圧し、さらに15分、 100Torrに保った。次
に同温度下で50Torrまで減圧し30分反応させた
後、徐々に温度を220℃まで上げ30分反応させた。
しかる後、同温度下で10Torrに減圧し30分反応
させ、温度を徐々に270℃に上げ30分間反応させ、
さらに同温度で5 Torrまで減圧し30分間反応さ
せた。次に同温度下で0.1〜0.3Torrで1.5
時間後縮合させた。窒素下にて生成物のポリマーを取り
出し冷却した後、塩化メチレンを溶媒に用い20℃で測
定した溶液粘度から計算した粘度平均分子量Wvは23
,000であった。 rRスペクトルを測定すると17
60〜1800cm−’にカーボネート結合の特性吸収
が見られたく図1)。また’II−NMRを測定すると
1.22ppmにイソプロピル基のメチル基水素のダブ
レットの吸収、1.75ppmにプロパンのメチル基水
素の吸収、3.3ppraにイソプロピル基のメチン水
素の七重線の吸収、7.3ppmにフェニル基に由来す
る吸収が観測された(図2)。またDSC(ディファレ
ンシャル・スキャニング・カロリメーター)からガラス
転移点Tg −87℃であることがわかった。
させ、温度を徐々に270℃に上げ30分間反応させ、
さらに同温度で5 Torrまで減圧し30分間反応さ
せた。次に同温度下で0.1〜0.3Torrで1.5
時間後縮合させた。窒素下にて生成物のポリマーを取り
出し冷却した後、塩化メチレンを溶媒に用い20℃で測
定した溶液粘度から計算した粘度平均分子量Wvは23
,000であった。 rRスペクトルを測定すると17
60〜1800cm−’にカーボネート結合の特性吸収
が見られたく図1)。また’II−NMRを測定すると
1.22ppmにイソプロピル基のメチル基水素のダブ
レットの吸収、1.75ppmにプロパンのメチル基水
素の吸収、3.3ppraにイソプロピル基のメチン水
素の七重線の吸収、7.3ppmにフェニル基に由来す
る吸収が観測された(図2)。またDSC(ディファレ
ンシャル・スキャニング・カロリメーター)からガラス
転移点Tg −87℃であることがわかった。
更に光弾性定数を測定したところC=398rewst
ers(10−’ ”m”/N)であることがわかった
。
ers(10−’ ”m”/N)であることがわかった
。
測定に使用した機器はIRスペクトルメーター;日本分
光製IR−810、’H−NMR、日本電子製JNM−
MH−100、DSC、ディファレンシャル・スキャニ
ング・カロリメーターPerkin−E1mer 2C
型、光弾性定数は自作のものを用いて測定した。
光製IR−810、’H−NMR、日本電子製JNM−
MH−100、DSC、ディファレンシャル・スキャニ
ング・カロリメーターPerkin−E1mer 2C
型、光弾性定数は自作のものを用いて測定した。
因にこれを用いて測定した2、2−ビス=(4−ヒドロ
キシフェニル)プロパンのポリカーボネートの光弾性定
数は82 Brewstersであった。光弾性定数の
算出方法は、試験片(50m+n X 10mm xl
mm)に異なる大きさの引張応力を長さ方向に印加し、
発生する複屈折を測定し、弐(1)に各々の値を代入し
、その傾きから光弾性定数を求めた。
キシフェニル)プロパンのポリカーボネートの光弾性定
数は82 Brewstersであった。光弾性定数の
算出方法は、試験片(50m+n X 10mm xl
mm)に異なる大きさの引張応力を長さ方向に印加し、
発生する複屈折を測定し、弐(1)に各々の値を代入し
、その傾きから光弾性定数を求めた。
実施例2
500m l三つロフラスコに攪拌機、温度計、ガス導
入管、排気管を付ける。ピリジン200m lに2.2
−ビス−(4−ヒドロキシ−3−イソプロビルフェニル
)プロパン20gを溶かし、これを激しく攪拌しながら
ホスゲンガスを導入するのであるが、ホスゲンは猛毒で
あるから強力なドラフト中で操作する。
入管、排気管を付ける。ピリジン200m lに2.2
−ビス−(4−ヒドロキシ−3−イソプロビルフェニル
)プロパン20gを溶かし、これを激しく攪拌しながら
ホスゲンガスを導入するのであるが、ホスゲンは猛毒で
あるから強力なドラフト中で操作する。
ホスゲンはボンベから空の洗気びん、パラフィンを入れ
た洗気びん(池数を数える)、空の洗気びんを通してフ
ラスコに導入する。ガス導入管は撹拌機の上に差し込む
ようにし、析出するピリジン塩によって詰まらないよう
にするため先端を漏斗状に広げておく。
た洗気びん(池数を数える)、空の洗気びんを通してフ
ラスコに導入する。ガス導入管は撹拌機の上に差し込む
ようにし、析出するピリジン塩によって詰まらないよう
にするため先端を漏斗状に広げておく。
ガス導入に伴いピリジンの塩酸塩が析出して内容は濁っ
てくる。反応温度は30℃以下になるように水冷する。
てくる。反応温度は30℃以下になるように水冷する。
縮合の進行と共に粘稠になってくる。ホスゲン−塩化水
素錯体の黄色が消えなくなるまでホスゲンを通じる。反
応終了後、メタノール300m lを加えて重合体を沈
殿せしめ、濾別乾燥する。生成するポリカーボネートは
塩化メチレンの溶液からメタノールで再沈殿して精製す
る。
素錯体の黄色が消えなくなるまでホスゲンを通じる。反
応終了後、メタノール300m lを加えて重合体を沈
殿せしめ、濾別乾燥する。生成するポリカーボネートは
塩化メチレンの溶液からメタノールで再沈殿して精製す
る。
精製後よく水洗したのち、乾燥し塩化メチレンを溶媒に
用い20℃で測定した。溶液粘度から計算した粘度平均
分子IIWνは28,000であった。
用い20℃で測定した。溶液粘度から計算した粘度平均
分子IIWνは28,000であった。
また、実施例1と同様に機器分析を行ったところ、実施
例1と同じ結果が得られたことから、生成したポリマー
は2.2−ビス−(4−ヒドロキシ−3−イソプロビル
フェニル)プロパンのポリカーボネートであると確認で
きる。
例1と同じ結果が得られたことから、生成したポリマー
は2.2−ビス−(4−ヒドロキシ−3−イソプロビル
フェニル)プロパンのポリカーボネートであると確認で
きる。
本発明のポリカーボネート重合体は光弾性係数が小さい
ためレーザー光線により信号を記録し、或いはレーザー
光線の反射又は透過により記録された信号の読み出しを
行う光学式情報記録用ディスクにを用である。
ためレーザー光線により信号を記録し、或いはレーザー
光線の反射又は透過により記録された信号の読み出しを
行う光学式情報記録用ディスクにを用である。
図1、図2はそれぞれ実施例1で得られた重合体のIR
スペクトル、NMRスペクトルである。
スペクトル、NMRスペクトルである。
Claims (1)
- 2、2−ビス−(4−ヒドロキシ−3−イソプロビルフ
ェニル)プロパンをカーボネート結合して得られる芳香
族ポリカーボネート重合体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61230896A JPS6383128A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | ポリカ−ボネ−ト重合体 |
| DE87113835T DE3779385D1 (ja) | 1986-09-29 | 1987-09-22 | |
| EP87113835A EP0262557B1 (en) | 1986-09-29 | 1987-09-22 | Polycarbonate and optical disk therefrom |
| US07/782,741 US5173347A (en) | 1986-09-29 | 1991-10-16 | Polycarbonate and optical disk therefrom |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61230896A JPS6383128A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | ポリカ−ボネ−ト重合体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6383128A true JPS6383128A (ja) | 1988-04-13 |
Family
ID=16914994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61230896A Pending JPS6383128A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | ポリカ−ボネ−ト重合体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6383128A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6469625A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 | Daicel Chem | Polycarbonate polymer having excellent surface hardness |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55102626A (en) * | 1978-12-15 | 1980-08-06 | Gen Electric | Manufacture of polycarbonate |
| JPS61255929A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-13 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 光ディスク用素材 |
| JPS6239624A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-20 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポリカ−ボネ−トよりなる光デイスク基板 |
| JPS6343925A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポリカ−ボネ−ト樹脂の製造方法 |
-
1986
- 1986-09-29 JP JP61230896A patent/JPS6383128A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55102626A (en) * | 1978-12-15 | 1980-08-06 | Gen Electric | Manufacture of polycarbonate |
| JPS61255929A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-13 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 光ディスク用素材 |
| JPS6239624A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-20 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポリカ−ボネ−トよりなる光デイスク基板 |
| JPS6343925A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポリカ−ボネ−ト樹脂の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6469625A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 | Daicel Chem | Polycarbonate polymer having excellent surface hardness |
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