JPS641058B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS641058B2 JPS641058B2 JP55082531A JP8253180A JPS641058B2 JP S641058 B2 JPS641058 B2 JP S641058B2 JP 55082531 A JP55082531 A JP 55082531A JP 8253180 A JP8253180 A JP 8253180A JP S641058 B2 JPS641058 B2 JP S641058B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stem
- plating
- nickel plating
- lead
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/02—Manufacture or treatment of conductive package substrates serving as an interconnection, e.g. of metal plates
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は全面仕上げニツケル鍍金工程を要さな
い半導体装置用ステムの製造法に関するものであ
る。
い半導体装置用ステムの製造法に関するものであ
る。
従来から半導体装置用ステムはリード線をステ
ム本体上に、ガラス融着をした后は、最終的に必
ず仕上げのニツケル鍍金を全面にわたつて、施す
ことを必要としていた。
ム本体上に、ガラス融着をした后は、最終的に必
ず仕上げのニツケル鍍金を全面にわたつて、施す
ことを必要としていた。
もし、この全面にわたる仕上げニツケル鍍金を
施さない場合は、リード及びステム本体にFe.Ni
の地肌が露出し、そのために、これをそのまゝ使
用する時は、Al線、Au線をリードに接着する時
に、その接着性が悪く使用に耐えないものとして
信頼性に乏しく、不良品となつてしまう。それ
故、リード線をステム本体に、ガラス融着したの
ちに行うところの、最終仕上げニツケル鍍金とい
う工程は、どうしても省略できない重要工程とな
つていた。
施さない場合は、リード及びステム本体にFe.Ni
の地肌が露出し、そのために、これをそのまゝ使
用する時は、Al線、Au線をリードに接着する時
に、その接着性が悪く使用に耐えないものとして
信頼性に乏しく、不良品となつてしまう。それ
故、リード線をステム本体に、ガラス融着したの
ちに行うところの、最終仕上げニツケル鍍金とい
う工程は、どうしても省略できない重要工程とな
つていた。
本発明者等は、この半導体装置用ステムの製造
工程中不可欠とされているこの仕上げのニツケル
鍍金という工程を、全く省いてしまつても、その
方法で得られた製品が機能的にみて、従来から行
われている仕上げニツケル鍍金工程をほどこした
方法で得られた製品と比べて、何ら変りない半導
体装置用ステムを得ることのできる方法を開発し
た。
工程中不可欠とされているこの仕上げのニツケル
鍍金という工程を、全く省いてしまつても、その
方法で得られた製品が機能的にみて、従来から行
われている仕上げニツケル鍍金工程をほどこした
方法で得られた製品と比べて、何ら変りない半導
体装置用ステムを得ることのできる方法を開発し
た。
本発明の目的は、このような方法を提供しよう
とするものである。
とするものである。
本発明に係る方法の要旨とする構成は、特許請
求の範囲に示す如くステム本体、リード等のステ
ムを構成する部品の夫々について、ガラス焼結前
に、これらの下地に銅鍍金とニツケル鍍金とを施
して表面に予め鍍金層を形成しておき、次にこれ
らをそのままガラスと同時に焼結することを特徴
とするものである。
求の範囲に示す如くステム本体、リード等のステ
ムを構成する部品の夫々について、ガラス焼結前
に、これらの下地に銅鍍金とニツケル鍍金とを施
して表面に予め鍍金層を形成しておき、次にこれ
らをそのままガラスと同時に焼結することを特徴
とするものである。
この場合、ニツケル鍍金に先立ち銅鍍金を施す
ことにより、部品単体毎のニツケル鍍金の定着性
が向上する。また、銅鍍金を施すことはステムの
半田濡れ性が良好となり、さらにボンデイング性
の向上等の効果がある。
ことにより、部品単体毎のニツケル鍍金の定着性
が向上する。また、銅鍍金を施すことはステムの
半田濡れ性が良好となり、さらにボンデイング性
の向上等の効果がある。
次に本発明に係る方法の一実施例を、添付図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
第１図は、半導体装置用ステムの平面図であ
り、図中１はステム本体、２はガラス孔、３はガ
ラス、及び４は接着用リードを夫々示す。第２図
は、第１図のＡ−Ａ線断面図である。
り、図中１はステム本体、２はガラス孔、３はガ
ラス、及び４は接着用リードを夫々示す。第２図
は、第１図のＡ−Ａ線断面図である。
かかる半導体装置用ステムは、表面に鍍金層イ
が形成されているが、第３図及び第４図に示すよ
うに、ステム本体１、リード４というようにステ
ム構成部品単体毎に予め銅鍍金、及びニツケル鍍
金を施す。この場合は銅鍍金、ニツケル鍍金の順
序で鍍金をする。
が形成されているが、第３図及び第４図に示すよ
うに、ステム本体１、リード４というようにステ
ム構成部品単体毎に予め銅鍍金、及びニツケル鍍
金を施す。この場合は銅鍍金、ニツケル鍍金の順
序で鍍金をする。
その後、これらを組立ててガラス焼結を行ない
上記の半導体装置用ステムを得る。
上記の半導体装置用ステムを得る。
次に本発明に係る方法を用いることにより得ら
れる利点を述べると (1) ステムの仕上げの鍍金という工程を全面的に
省略できるために、その製造工程において時間
の短縮、人手の軽減、材料特に薬品の節約等、
経済面において顕著な効果が期待できる。
れる利点を述べると (1) ステムの仕上げの鍍金という工程を全面的に
省略できるために、その製造工程において時間
の短縮、人手の軽減、材料特に薬品の節約等、
経済面において顕著な効果が期待できる。
(2) 仕上げニツケル鍍金工程の全面廃止をした場
合は、リード線の曲りを惹起するというような
ことが一切無くなり、歩留り、作業性の点で大
巾な能率向上を期することができる。
合は、リード線の曲りを惹起するというような
ことが一切無くなり、歩留り、作業性の点で大
巾な能率向上を期することができる。
第１図は本発明に係る方法で得たステム本体１
の平面図で第２図は第１図のＡ−Ａ線による切断
面図である。第３図は部品単体としてのステム本
体の全表面に鍍金層を形成せしめた状態を示す説
明図で第４図は部品単体としての接着用リードの
全表面に鍍金層を形成せしめた状態を示す同じく
説明図である。 １……ステム本体、２……ガラス孔、３……ガ
ラス、４……接着用リード、イ……鍍金層。
の平面図で第２図は第１図のＡ−Ａ線による切断
面図である。第３図は部品単体としてのステム本
体の全表面に鍍金層を形成せしめた状態を示す説
明図で第４図は部品単体としての接着用リードの
全表面に鍍金層を形成せしめた状態を示す同じく
説明図である。 １……ステム本体、２……ガラス孔、３……ガ
ラス、４……接着用リード、イ……鍍金層。
Claims (1)
- １ ステム本体１、リード４等のステムを構成す
る部品の夫々について、ガラス焼結前に、これら
の下地に銅鍍金とニツケル鍍金とを施して表面に
予め鍍金層イを形成しておき、次にこれらをその
ままガラス３と同時に焼結することを特徴とする
半導体装置用ステムの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8253180A JPS577951A (en) | 1980-06-18 | 1980-06-18 | Manufacture of stem for semiconductor device needing no whole surface finishing nickel plating process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8253180A JPS577951A (en) | 1980-06-18 | 1980-06-18 | Manufacture of stem for semiconductor device needing no whole surface finishing nickel plating process |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS577951A JPS577951A (en) | 1982-01-16 |
| JPS641058B2 true JPS641058B2 (ja) | 1989-01-10 |
Family
ID=13777082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8253180A Granted JPS577951A (en) | 1980-06-18 | 1980-06-18 | Manufacture of stem for semiconductor device needing no whole surface finishing nickel plating process |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS577951A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0293183U (ja) * | 1989-01-12 | 1990-07-24 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4734350A (en) * | 1986-12-29 | 1988-03-29 | Xerox Corporation | Positively charged developer compositions with modified charge enhancing additives containing amino alcohols |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6041860B2 (ja) * | 1980-03-14 | 1985-09-19 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 気密端子の製造方法 |
-
1980
- 1980-06-18 JP JP8253180A patent/JPS577951A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0293183U (ja) * | 1989-01-12 | 1990-07-24 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS577951A (en) | 1982-01-16 |
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