JPS642193B2 - - Google Patents
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- JPS642193B2 JPS642193B2 JP57192055A JP19205582A JPS642193B2 JP S642193 B2 JPS642193 B2 JP S642193B2 JP 57192055 A JP57192055 A JP 57192055A JP 19205582 A JP19205582 A JP 19205582A JP S642193 B2 JPS642193 B2 JP S642193B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基板上に、Ｐ型またはＮ型を有する
第１の非単結晶半導体層と、Ｉ型を有する第２の
非単結晶半導体層と、Ｐ型またはＮ型を有する第
３の非単結晶半導体層とを、それらの順に形成す
るのに用いる非単結晶半導体層形成用装置に関す
る。
第１の非単結晶半導体層と、Ｉ型を有する第２の
非単結晶半導体層と、Ｐ型またはＮ型を有する第
３の非単結晶半導体層とを、それらの順に形成す
るのに用いる非単結晶半導体層形成用装置に関す
る。
従来の非単結晶半導体層形成用装置は、(1)基板
を反応炉内に配し、その反応炉内のガスを排出
し、そして、反応炉内に第１の半導体材料ガスと
第１の不純物ガスとを含む第１のガスを導入さ
せ、その第１のガスを第１のガスプラズマにイオ
ン化させ、よつて基板上に第１の非単結晶半導体
層を形成する第１の半導体材料を堆積させて第１
の非単結晶半導体層を形成し、(2)次に、反応炉内
を排気し、そして、同じ反応炉内に第２の半導体
材料ガスと第２の不純物ガスとを含む第２のガス
を導入させ、その第２のガスを第２のガスプラズ
マにイオン化させ、よつて、第１の非単結晶半導
体層上に第２の非単結晶半導体層を形成する第２
の半導体材料を堆積させて第２の非単結晶半導体
層を形成し、(3)次に、反応炉内を排気し、そし
て、同じ反応炉内に第３の半導体材料ガスと第３
の不純物ガスとを含む第３のガスを導入させ、そ
の第３のガスを第３のガスプラズマにイオン化さ
せ、よつて、第２の非単結晶半導体層上に第３の
非単結晶半導体層を形成する第３の半導体材料を
堆積させて第３の非単結晶半導体層を形成するよ
うになされた構成を有するのを普通としていた。
を反応炉内に配し、その反応炉内のガスを排出
し、そして、反応炉内に第１の半導体材料ガスと
第１の不純物ガスとを含む第１のガスを導入さ
せ、その第１のガスを第１のガスプラズマにイオ
ン化させ、よつて基板上に第１の非単結晶半導体
層を形成する第１の半導体材料を堆積させて第１
の非単結晶半導体層を形成し、(2)次に、反応炉内
を排気し、そして、同じ反応炉内に第２の半導体
材料ガスと第２の不純物ガスとを含む第２のガス
を導入させ、その第２のガスを第２のガスプラズ
マにイオン化させ、よつて、第１の非単結晶半導
体層上に第２の非単結晶半導体層を形成する第２
の半導体材料を堆積させて第２の非単結晶半導体
層を形成し、(3)次に、反応炉内を排気し、そし
て、同じ反応炉内に第３の半導体材料ガスと第３
の不純物ガスとを含む第３のガスを導入させ、そ
の第３のガスを第３のガスプラズマにイオン化さ
せ、よつて、第２の非単結晶半導体層上に第３の
非単結晶半導体層を形成する第３の半導体材料を
堆積させて第３の非単結晶半導体層を形成するよ
うになされた構成を有するのを普通としていた。
従つて、従来の非単結晶半導体層形成用装置
は、基板上に、第１、第２及び第３の非単結晶半
導体層を、それらに共通の反応炉を用いて、順次
形成するようになされた構成を有するのを普通と
していた。
は、基板上に、第１、第２及び第３の非単結晶半
導体層を、それらに共通の反応炉を用いて、順次
形成するようになされた構成を有するのを普通と
していた。
このため、従来の非単結晶半導体層形成用装置
によれば、第１、第２及び第３の非単結晶半導体
層をそれらの順に順次形成している多数の基板を
形成することを考えた場合、ある１つの基板上に
第２または第３の非単結晶半導体層を形成してい
るときに、それと同時的に、他の基板上に第１ま
たは第２の非単結晶半導体層を形成したりするこ
とができなかつた。
によれば、第１、第２及び第３の非単結晶半導体
層をそれらの順に順次形成している多数の基板を
形成することを考えた場合、ある１つの基板上に
第２または第３の非単結晶半導体層を形成してい
るときに、それと同時的に、他の基板上に第１ま
たは第２の非単結晶半導体層を形成したりするこ
とができなかつた。
従つて、従来の非単結晶半導体層形成用装置
は、第１、第２及び第３の非単結晶半導体層をそ
れらの順に順次形成している多数の基板を形成す
ることを考えた場合、それに、長い時間を必要と
し、従つて、第１、第２及び第３の非単結晶半導
体層をそれらの順に順次形成している多数の基板
を多量的産的に製造することができない、という
欠点を有していた。
は、第１、第２及び第３の非単結晶半導体層をそ
れらの順に順次形成している多数の基板を形成す
ることを考えた場合、それに、長い時間を必要と
し、従つて、第１、第２及び第３の非単結晶半導
体層をそれらの順に順次形成している多数の基板
を多量的産的に製造することができない、という
欠点を有していた。
よつて、本発明は、上述した欠点なしに、基板
上に、上述した第１、第２及び第３の非単結晶半
導体層をそれらの順に順次形成することができ
る、新規な非単結晶半導体層形成用装置を提案せ
んとするものである。
上に、上述した第１、第２及び第３の非単結晶半
導体層をそれらの順に順次形成することができ
る、新規な非単結晶半導体層形成用装置を提案せ
んとするものである。
本発明による非単結晶半導体層形成用装置によ
れば、基板上に、第１第２及び第３の非単結晶半
導体層を、それぞれ第１、第２及び第３の反応炉
を用いて形成するようになされた構成を有する。
れば、基板上に、第１第２及び第３の非単結晶半
導体層を、それぞれ第１、第２及び第３の反応炉
を用いて形成するようになされた構成を有する。
このため、本発明による非単結晶半導体層形成
用装置によれば、第１、第２及び第３の非単結晶
半導体層をそれらの順に順次形成している多数の
基板を連続的に形成することを考えた場合、第１
番目の基板上に第１の非単結晶半導体層を第１の
反応炉を用いて形成して後、その第１番目の基板
上に第２の非単結晶半導体層を第２の反応炉を用
いて形成するとき、それと同時的に、第２番目の
基板上に第１の非単結晶半導体層を第１の反応炉
を用いて形成することができ、また、このように
して、第１番目の基板上に第２の非単結晶半導体
層を第２の反応炉を用いて形成し且つこれと同時
的に第２番目の基板上に第１の非単結晶半導体層
を第１の反応炉を用いて形成して後、第１番目の
基板上に第３の非単結晶半導体層を第３の反応炉
を用いて形成するとき、それと同時的に、第２の
基板上に第２の非単結晶半導体層を第２の反応炉
を用いて形成することができるとともに、第３番
目の基板上に第１の非単結晶半導体層を第１の反
応炉を用いて形成することができる。
用装置によれば、第１、第２及び第３の非単結晶
半導体層をそれらの順に順次形成している多数の
基板を連続的に形成することを考えた場合、第１
番目の基板上に第１の非単結晶半導体層を第１の
反応炉を用いて形成して後、その第１番目の基板
上に第２の非単結晶半導体層を第２の反応炉を用
いて形成するとき、それと同時的に、第２番目の
基板上に第１の非単結晶半導体層を第１の反応炉
を用いて形成することができ、また、このように
して、第１番目の基板上に第２の非単結晶半導体
層を第２の反応炉を用いて形成し且つこれと同時
的に第２番目の基板上に第１の非単結晶半導体層
を第１の反応炉を用いて形成して後、第１番目の
基板上に第３の非単結晶半導体層を第３の反応炉
を用いて形成するとき、それと同時的に、第２の
基板上に第２の非単結晶半導体層を第２の反応炉
を用いて形成することができるとともに、第３番
目の基板上に第１の非単結晶半導体層を第１の反
応炉を用いて形成することができる。
従つて、本発明による非単結晶半導体層形成用
装置は、第１、第２及び第３の非単結晶半導体層
をそれらの順に順次形成している多数の基板を形
成することを考えた場合、それに、従来の非単結
晶半導体層形成用装置の場合に比し短い時間しか
必要とせず、従つて、第１、第２及び第３の非単
結晶半導体層をそれらの順に順次形成している多
数の基板を、多量産的に、容易に、製造すること
ができる。
装置は、第１、第２及び第３の非単結晶半導体層
をそれらの順に順次形成している多数の基板を形
成することを考えた場合、それに、従来の非単結
晶半導体層形成用装置の場合に比し短い時間しか
必要とせず、従つて、第１、第２及び第３の非単
結晶半導体層をそれらの順に順次形成している多
数の基板を、多量産的に、容易に、製造すること
ができる。
次に図面を伴つて、本発明による非単結晶半導
体層形成用装置の実施例を述べよう。
体層形成用装置の実施例を述べよう。
図は、本発明による非単結晶半導体層形成用装
置の実施例を示し、次に述べる構成を有する。
置の実施例を示し、次に述べる構成を有する。
すなわち、第１、第２、第３及び第４の系、
、及びを有する。
、及びを有する。
第１の系は、シヤツタ４４を介して入口３０
を連結し且つホモジナイザ３４を介して連結して
いる励起室３２を具備する反応炉４５を有し、こ
の反応炉４５内に、基板３１が、シヤツタ４４を
一時的に開いて、入口３０から配されるように構
成されている。
を連結し且つホモジナイザ３４を介して連結して
いる励起室３２を具備する反応炉４５を有し、こ
の反応炉４５内に、基板３１が、シヤツタ４４を
一時的に開いて、入口３０から配されるように構
成されている。
また、この反応炉４５に、励起室３２側におい
てガス供給制御手段としてのバルブ３８を介して
連結している複数のガス源４０，４１及び４２を
有し、そして、それらガス源４０，４１及び４２
中の所要のものから、基板３１上に、第１の非単
結晶半導体層を形成する第１の半導体材料ガスと
第１の非単結晶半導体層にＰ型またはＮ型を与え
る第１の不純物ガスとを含む第１のガスが、バル
ブ３８を介して、反応炉４５内に導入されるよう
になされている。
てガス供給制御手段としてのバルブ３８を介して
連結している複数のガス源４０，４１及び４２を
有し、そして、それらガス源４０，４１及び４２
中の所要のものから、基板３１上に、第１の非単
結晶半導体層を形成する第１の半導体材料ガスと
第１の非単結晶半導体層にＰ型またはＮ型を与え
る第１の不純物ガスとを含む第１のガスが、バル
ブ３８を介して、反応炉４５内に導入されるよう
になされている。
さらに、反応炉４５の周りに配された高周波加
熱源３５と反応炉４５の励起室３２の周りに配さ
れた高周波誘導エネルギ源３３とを有し、そし
て、その高周波エネルギ源３５及び高周波誘導エ
ネルギ源３３によつて、反応炉４５に導入された
第１のガスを第１のガスプラズマにイオン化させ
るように構成されている。
熱源３５と反応炉４５の励起室３２の周りに配さ
れた高周波誘導エネルギ源３３とを有し、そし
て、その高周波エネルギ源３５及び高周波誘導エ
ネルギ源３３によつて、反応炉４５に導入された
第１のガスを第１のガスプラズマにイオン化させ
るように構成されている。
また、反応炉４５に連結している、外部に延長
している排気管３７を有するガス排出手段として
の真空ポンプ３６を有し、そして、その真空ポン
プ３６によつて、基板３１上に第１の非単結晶半
導体層を形成する第１の半導体材料を堆積させる
ために、上述した第１のガスプラズマを流し、且
つ反応炉４５内を１気圧以下の圧力に維持させる
ように構成されている。
している排気管３７を有するガス排出手段として
の真空ポンプ３６を有し、そして、その真空ポン
プ３６によつて、基板３１上に第１の非単結晶半
導体層を形成する第１の半導体材料を堆積させる
ために、上述した第１のガスプラズマを流し、且
つ反応炉４５内を１気圧以下の圧力に維持させる
ように構成されている。
さらに、反応炉４５内において、その内に配さ
れた基板３１の温度が、上述した高周波エネルギ
源３５が制御されることによつて、第１の非単結
晶半導体層が単結晶化されるよりも低い、例えば
室温〜400℃の範囲の温度に維持させるように構
成されている。
れた基板３１の温度が、上述した高周波エネルギ
源３５が制御されることによつて、第１の非単結
晶半導体層が単結晶化されるよりも低い、例えば
室温〜400℃の範囲の温度に維持させるように構
成されている。
以上が、第１の系の構成である。
第２、第３及び第４の系は、第１の系との対応
部分にそれぞれ′、″、を付して示しているよう
に、詳細説明は省略するが、第１の系と同様の構
成を有する。
部分にそれぞれ′、″、を付して示しているよう
に、詳細説明は省略するが、第１の系と同様の構
成を有する。
ただし、第２、第３及び第４の系、、の
反応炉４５′，４５″及び４５は、それぞれシヤ
ツタを介して、反応炉４５，４５′及び４５″に連
結している。また、第４の系の反応炉４５″に
は、シヤツタ４４′を介して出口５９が連結され
ている。
反応炉４５′，４５″及び４５は、それぞれシヤ
ツタを介して、反応炉４５，４５′及び４５″に連
結している。また、第４の系の反応炉４５″に
は、シヤツタ４４′を介して出口５９が連結され
ている。
また、第２の系のガス源４０′，４１′及び４
５′中の所要のものから、基板３１上に形成され
た第１の非単結晶半導体層上に、第２の非単結晶
半導体層を形成する第２の半導体材料ガスを含む
第２のガスが、バルブ３８′を介して、反応炉４
５′内に導入されるようになされている。
５′中の所要のものから、基板３１上に形成され
た第１の非単結晶半導体層上に、第２の非単結晶
半導体層を形成する第２の半導体材料ガスを含む
第２のガスが、バルブ３８′を介して、反応炉４
５′内に導入されるようになされている。
さらに、第３の系のガス源４０″，４１″及び
４２″中の所要のものから、基板３１上に形成さ
れた第３の非単結晶半導体層を形成する第２の半
導体材料ガスと第３の非単結晶半導体層にＰ型ま
たはＮ型を与える第２の不純物ガスとを含む第２
のガスが、バルブ３８″を介して、反応炉４５″内
に導入されるようになされている。
４２″中の所要のものから、基板３１上に形成さ
れた第３の非単結晶半導体層を形成する第２の半
導体材料ガスと第３の非単結晶半導体層にＰ型ま
たはＮ型を与える第２の不純物ガスとを含む第２
のガスが、バルブ３８″を介して、反応炉４５″内
に導入されるようになされている。
また、第２の系の高周波加熱源３５′及び高
周波誘導エネルギ源３３′によつて、反応炉４
５′に導入された第２のガスを第２のガスプラズ
マにイオン化させるようになされている。
周波誘導エネルギ源３３′によつて、反応炉４
５′に導入された第２のガスを第２のガスプラズ
マにイオン化させるようになされている。
さらに、第３の系の高周波加熱源３５″及び
高周波誘導エネルギ３３″によつて、反応炉４
５″に導入された第３のガスを第３のガスプラズ
マにイオン化させるようになされている。
高周波誘導エネルギ３３″によつて、反応炉４
５″に導入された第３のガスを第３のガスプラズ
マにイオン化させるようになされている。
また、第２の系の真空ポンプ３６′によつて、
基板３１上の第１の非単結晶半導体層上に第２の
非単結晶半導体層を形成する第２の半導体材料を
堆積させるために、上述した第２のガスプラズマ
を流し、且つ反応炉４５′を１気圧以下の圧力に
維持させるようになされている。
基板３１上の第１の非単結晶半導体層上に第２の
非単結晶半導体層を形成する第２の半導体材料を
堆積させるために、上述した第２のガスプラズマ
を流し、且つ反応炉４５′を１気圧以下の圧力に
維持させるようになされている。
さらに、第３の系の真空ポンプ３６″によつ
て、基板３１上の第２の非単結晶半導体層上に第
３の非単結晶半導体層を形成する第３の半導体材
料を堆積させるために、上述した第３のガスプラ
ズマを流し、且つ反応炉４５″を１気圧以下の圧
力に維持させるようになされている。
て、基板３１上の第２の非単結晶半導体層上に第
３の非単結晶半導体層を形成する第３の半導体材
料を堆積させるために、上述した第３のガスプラ
ズマを流し、且つ反応炉４５″を１気圧以下の圧
力に維持させるようになされている。
また、第２及び第３の系及びの高周波エネ
ルギ源３５′及び３５″によつて、基板３１の温度
を、それぞれ第２及び第３の半導体材料がそれぞ
れ第１及び第２の非単結晶半導体層上で単結晶化
されるよりも低い、例えば室温〜400℃の範囲の
温度に維持されるようになされている。
ルギ源３５′及び３５″によつて、基板３１の温度
を、それぞれ第２及び第３の半導体材料がそれぞ
れ第１及び第２の非単結晶半導体層上で単結晶化
されるよりも低い、例えば室温〜400℃の範囲の
温度に維持されるようになされている。
なお、第４の系においては、ガス源４０′″、
４１及び４２中の所要のものから、反応炉４
５′″中に不活性ガスが導入され、基板３１上に形
成された第１、第２及び第３の非単結晶半導体層
がアニールされるようになされている。
４１及び４２中の所要のものから、反応炉４
５′″中に不活性ガスが導入され、基板３１上に形
成された第１、第２及び第３の非単結晶半導体層
がアニールされるようになされている。
以上が、本発明による非単結晶半導体層形成用
装置の実施例の構成である。
装置の実施例の構成である。
このような構成によれば、上述したところから
明らかであるので、詳細説明は省略するが、第
１、第２及び第３の非単結晶半導体層を、それぞ
れ第１、第２及び第３の反応炉４５，１５′及び
４５″を用いて形成するようになされた構成を有
するので、本発明による非単結晶半導体層形成用
装置によれば、基板上に、第１第２及び第３の非
単結晶半導体層を、それぞれ第１、第２及び第３
の反応炉を用いて形成するようになされた構成を
有する。
明らかであるので、詳細説明は省略するが、第
１、第２及び第３の非単結晶半導体層を、それぞ
れ第１、第２及び第３の反応炉４５，１５′及び
４５″を用いて形成するようになされた構成を有
するので、本発明による非単結晶半導体層形成用
装置によれば、基板上に、第１第２及び第３の非
単結晶半導体層を、それぞれ第１、第２及び第３
の反応炉を用いて形成するようになされた構成を
有する。
このため、本発明による非単結晶半導体層形成
用装置によれば、第１、第２及び第３の非単結晶
半導体層をそれらの順に順次形成している多数の
基板（それらを第１番目、第２番目、第３番目…
…の基板と称す）を連続的に形成することを考え
た場合、第１番目の基板上に第１の非単結晶半導
体層を第１の反応炉４５を用いて形成して後、そ
の第１番目の基板上に第２の非単結晶半導体層を
第２の反応炉４５′を用いて形成するとき、それ
と同時的に、第２番目の基板上に第１の非単結晶
半導体層を第１の反応炉４５を用いて形成するこ
とができ、また、このようにして、第１番目の基
板上に第２の非単結晶半導体層を第２の反応炉４
５′を用いて形成し且つこれと同時的に第２番目
の基板上に第１の非単結晶半導体層を第１の反応
炉４５を用いて形成して後、第１番目の基板上に
第３の非単結晶半導体層を第３の反応炉４５″を
用いて形成するとき、それと同時に、第２番目の
基板上に第２の非単結晶半導体層を第２の反応炉
４５′を用いて形成することができるとともに、
第３番目の基板上に第１の非単結晶半導体層を第
１の反応炉４５を用いて形成することができる。
用装置によれば、第１、第２及び第３の非単結晶
半導体層をそれらの順に順次形成している多数の
基板（それらを第１番目、第２番目、第３番目…
…の基板と称す）を連続的に形成することを考え
た場合、第１番目の基板上に第１の非単結晶半導
体層を第１の反応炉４５を用いて形成して後、そ
の第１番目の基板上に第２の非単結晶半導体層を
第２の反応炉４５′を用いて形成するとき、それ
と同時的に、第２番目の基板上に第１の非単結晶
半導体層を第１の反応炉４５を用いて形成するこ
とができ、また、このようにして、第１番目の基
板上に第２の非単結晶半導体層を第２の反応炉４
５′を用いて形成し且つこれと同時的に第２番目
の基板上に第１の非単結晶半導体層を第１の反応
炉４５を用いて形成して後、第１番目の基板上に
第３の非単結晶半導体層を第３の反応炉４５″を
用いて形成するとき、それと同時に、第２番目の
基板上に第２の非単結晶半導体層を第２の反応炉
４５′を用いて形成することができるとともに、
第３番目の基板上に第１の非単結晶半導体層を第
１の反応炉４５を用いて形成することができる。
従つて、本発明による非単結晶半導体層形成用
装置は、第１、第２及び第３の非単結晶半導体層
をそれらの順に順次形成している多数の基板を形
成することを考えた場合、それに、従来の非単結
晶半導体層形成用装置の場合に比し短い時間しか
必要とせず、従つて、第１、第２及び第３の非単
結晶半導体層をそれらの順に順次形成している多
数の基板を、多量産的に、容易に、製造すること
ができる。
装置は、第１、第２及び第３の非単結晶半導体層
をそれらの順に順次形成している多数の基板を形
成することを考えた場合、それに、従来の非単結
晶半導体層形成用装置の場合に比し短い時間しか
必要とせず、従つて、第１、第２及び第３の非単
結晶半導体層をそれらの順に順次形成している多
数の基板を、多量産的に、容易に、製造すること
ができる。
次に上述した本発明による非単結晶半導体層形
成用装置の実施例を、それによつて、100mm四方
の大きさを有し且つ絶縁基板上に透明導電膜が形
成されている構成を有する基板３１上に、第１、
第２及び第３の非単結晶半導体層を、それぞれＰ
型、Ｉ型及びＮ型を有し且つともにSiでなるもの
として形成する場合で、より具体的に述べれば、
次のとおりである。
成用装置の実施例を、それによつて、100mm四方
の大きさを有し且つ絶縁基板上に透明導電膜が形
成されている構成を有する基板３１上に、第１、
第２及び第３の非単結晶半導体層を、それぞれＰ
型、Ｉ型及びＮ型を有し且つともにSiでなるもの
として形成する場合で、より具体的に述べれば、
次のとおりである。
すなわち、第１、第２、第３及び第４の系、
、及びにおける反応炉４５，４５′、４
５″，４５を、ともに縦約350mm、横350mm、高
さ300mmの大きさを有するものとした。
、及びにおける反応炉４５，４５′、４
５″，４５を、ともに縦約350mm、横350mm、高
さ300mmの大きさを有するものとした。
また、第１、第２、第３及び第４の系、、
及びにおける励起室３２，３２′，３２″，３
２を、ともに直径約200mm、高さ約200mmを有し
且つ一端面を閉塞している筒体によつて形成され
ているものとした。
及びにおける励起室３２，３２′，３２″，３
２を、ともに直径約200mm、高さ約200mmを有し
且つ一端面を閉塞している筒体によつて形成され
ているものとした。
さらに、入口３０及び第１の系の反応炉４５
間、第１の系の反応炉４５及び第２の系の反
応炉４５′間、第２の系の反応炉４５′及び第３
の系の反応炉４５″間、第３の系の反応炉４
５″及び第４の系の反応炉４５″間、第４の系
の反応炉４５及び出口５９間の壁に、ともに上
述した基板３１及び３１′を容易に通し得る120mm
×130mmの大きさの開口を有するとして、上述し
た入口３０と第１の系の反応炉４５との間のシ
ヤツタ４４、第１の系の反応炉４５と第２の系
の反応炉４５′との間、第２の系の反応炉４
５′と第３の系反応炉４５″との間、第３の系
の反応炉４５″と第４の系の反応炉４５との
間のシヤツタ、第４の系の反応炉４５と出口
５９との間のシヤツタ４４′を、ともに上述した
５つの開口を開閉し得るものとした。
間、第１の系の反応炉４５及び第２の系の反
応炉４５′間、第２の系の反応炉４５′及び第３
の系の反応炉４５″間、第３の系の反応炉４
５″及び第４の系の反応炉４５″間、第４の系
の反応炉４５及び出口５９間の壁に、ともに上
述した基板３１及び３１′を容易に通し得る120mm
×130mmの大きさの開口を有するとして、上述し
た入口３０と第１の系の反応炉４５との間のシ
ヤツタ４４、第１の系の反応炉４５と第２の系
の反応炉４５′との間、第２の系の反応炉４
５′と第３の系反応炉４５″との間、第３の系
の反応炉４５″と第４の系の反応炉４５との
間のシヤツタ、第４の系の反応炉４５と出口
５９との間のシヤツタ４４′を、ともに上述した
５つの開口を開閉し得るものとした。
また、第１、第２、第３及び第４の系、、
及びのそれぞれにおける上述した反応炉と上
述した励起室との間のホモジナイザ（第１の系
では符号３４で示されている）を、多孔性の石英
板によるものとした。
及びのそれぞれにおける上述した反応炉と上
述した励起室との間のホモジナイザ（第１の系
では符号３４で示されている）を、多孔性の石英
板によるものとした。
また、第１、第２、第３及び第４の系、、
及びにおける高周波エネルギ源３５，３５′，
３５″及び３５を、ともに高周波を通電させる
ことによつて発熱するヒータでなるものとした。
及びにおける高周波エネルギ源３５，３５′，
３５″及び３５を、ともに高周波を通電させる
ことによつて発熱するヒータでなるものとした。
さらに、第１、第２、第３及び第４の系、
、及びにおける高周波誘導エネルギ源３
３，３３′，３３″及び３３を、13.56MHzの周
波数を有し且つ約200Wの電力を有する高周波が
得られるものとした。
、及びにおける高周波誘導エネルギ源３
３，３３′，３３″及び３３を、13.56MHzの周
波数を有し且つ約200Wの電力を有する高周波が
得られるものとした。
また、第１、第２、第３及び第４の系、、
及びにおける真空ポンプ３６，３６′，３
６″及び３６を、ロータリポンプとした。
及びにおける真空ポンプ３６，３６′，３
６″及び３６を、ロータリポンプとした。
さらに、第１の系において、ガス源４０を、
それからSiH4が半導体材料ガスとして得られる
ものとし、また、ガス源４１を、水素で希釈され
たB2H6がＰ型の不純物ガスとして得られるもの
とし、さらに、ガス源４２を、窒素ガスがキヤリ
アガスとして得られるものとした。
それからSiH4が半導体材料ガスとして得られる
ものとし、また、ガス源４１を、水素で希釈され
たB2H6がＰ型の不純物ガスとして得られるもの
とし、さらに、ガス源４２を、窒素ガスがキヤリ
アガスとして得られるものとした。
また、第２の系において、ガス源４０′を、
それからSiH4半導体原料ガスとして得られるも
のとし、また、ガス源４２″を、N2がキヤリアガ
スとして得られるものとした。なお、ガス源４
１′は用いないものとした。
それからSiH4半導体原料ガスとして得られるも
のとし、また、ガス源４２″を、N2がキヤリアガ
スとして得られるものとした。なお、ガス源４
１′は用いないものとした。
また、第３の系において、ガス源４０″を、
SiH4が半導体原料ガスとして得られるものとし、
また、ガス源４１″を、水素で希釈されたPH4が
不純物ガスとし得られるものとし、さらに、ガス
源４２″を、N2がキヤリアガスとして得られるも
のとした。
SiH4が半導体原料ガスとして得られるものとし、
また、ガス源４１″を、水素で希釈されたPH4が
不純物ガスとし得られるものとし、さらに、ガス
源４２″を、N2がキヤリアガスとして得られるも
のとした。
また、第４の系において、ガス源４０′を、
H2が得られるものとし、また、ガス源４２を、
N2が得られるものとした。なお、ガス源４１
は用いないものとした。
H2が得られるものとし、また、ガス源４２を、
N2が得られるものとした。なお、ガス源４１
は用いないものとした。
以上で、100mm四方の大きさを有し且つ絶縁基
板上に透明導電膜が形成されている構成を有する
基板３１上に、第１、第２及び第３の非単結晶半
導体層を、それぞれＰ型、Ｉ型及びＮ型を有し且
つともにSiでなるものとして形成する、上述した
本発明による非単結晶半導体層形成用装置の実施
例が具体的に明らかになつたが、次に、上述した
本発明による非単結晶半導体層形成用装置の実施
例の特徴の理解のために、上述した具体例を用い
て、上述したＰ型、Ｉ型及びＮ型をそれぞれ有し
且つSiでなる第１、第２及び第３の非単結晶半導
体層を上述した基板３１上に形成する方法につい
て、具体例に述べれば次のとおりである。
板上に透明導電膜が形成されている構成を有する
基板３１上に、第１、第２及び第３の非単結晶半
導体層を、それぞれＰ型、Ｉ型及びＮ型を有し且
つともにSiでなるものとして形成する、上述した
本発明による非単結晶半導体層形成用装置の実施
例が具体的に明らかになつたが、次に、上述した
本発明による非単結晶半導体層形成用装置の実施
例の特徴の理解のために、上述した具体例を用い
て、上述したＰ型、Ｉ型及びＮ型をそれぞれ有し
且つSiでなる第１、第２及び第３の非単結晶半導
体層を上述した基板３１上に形成する方法につい
て、具体例に述べれば次のとおりである。
すなわち、第１の系において、反応炉４５内
を真空ポンプ３６によつて予め排気した状態で、
反応炉４５内に、基板３１を予め排気されている
入口３０からシヤツタ４４を一時的に開いて配
し、次で基板３１を高周波エネルギ源３５として
のヒータによつて、約250℃の温度に加熱した状
態で、ガス源４０，４１及び４２からそれぞれ半
導体材料ガス、Ｐ型の不純物ガス及びキヤリアガ
スとしてのSiH4，B2H6及びN2を、第１のガスと
して、励起室３２内に、反応炉４５を真空ポンプ
３６によつて反応炉４５内が0.1Torrの圧力を維
持するように排気しながら、SiH4とB2H6との流
量比が約5ppmとなる値で、導入し、そして、そ
の第１のガスを、高周波エネルギ源３５からの熱
と高周波誘電エネルギ源３３からの高周波とによ
つて第１のガスプラズマにイオン化し、それによ
つて、基板３１上に、Ｐ型を有し且つSiでなる第
１の非単結晶半導体層を100Åの厚さに形成した。
を真空ポンプ３６によつて予め排気した状態で、
反応炉４５内に、基板３１を予め排気されている
入口３０からシヤツタ４４を一時的に開いて配
し、次で基板３１を高周波エネルギ源３５として
のヒータによつて、約250℃の温度に加熱した状
態で、ガス源４０，４１及び４２からそれぞれ半
導体材料ガス、Ｐ型の不純物ガス及びキヤリアガ
スとしてのSiH4，B2H6及びN2を、第１のガスと
して、励起室３２内に、反応炉４５を真空ポンプ
３６によつて反応炉４５内が0.1Torrの圧力を維
持するように排気しながら、SiH4とB2H6との流
量比が約5ppmとなる値で、導入し、そして、そ
の第１のガスを、高周波エネルギ源３５からの熱
と高周波誘電エネルギ源３３からの高周波とによ
つて第１のガスプラズマにイオン化し、それによ
つて、基板３１上に、Ｐ型を有し且つSiでなる第
１の非単結晶半導体層を100Åの厚さに形成した。
また、第２の系において、反応炉４５′内を
真空ポンプ３６′によつて予め排気した状態で、
反応炉４５′内に、第１の系の予め排気された
反応炉４５から、上述したＰ型の第１の非単結晶
半導体層を形成してなる基板３１をシヤツタを一
時的に開いて配し、次で基板３１を高周波エネル
ギ源３５としてのヒータによつて、約250℃の温
度に加熱した状態で、ガス源４０′及び４２′から
それぞれ半導体材料ガス及びキヤリアガスとして
のSiH4及びN2を、第２のガスとして、励起室３
２内に、反応炉４５′を真空ポンプ３６′によつて
反応炉４５′内が0.1Torrの圧力を維持するよう
に排気しながら導入し、そして、その第２のガス
を、高周波エネルギ源３５′からの熱と高周波誘
電エネルギ源３３′からの高周波とによつて第２
のガスプラズマにイオン化し、それによつて、基
板３１上の第１の非単結晶半導体層上に、Ｉ型を
有し且つSiでなる第２の非単結晶半導体層を7000
Åの厚さに形成した。
真空ポンプ３６′によつて予め排気した状態で、
反応炉４５′内に、第１の系の予め排気された
反応炉４５から、上述したＰ型の第１の非単結晶
半導体層を形成してなる基板３１をシヤツタを一
時的に開いて配し、次で基板３１を高周波エネル
ギ源３５としてのヒータによつて、約250℃の温
度に加熱した状態で、ガス源４０′及び４２′から
それぞれ半導体材料ガス及びキヤリアガスとして
のSiH4及びN2を、第２のガスとして、励起室３
２内に、反応炉４５′を真空ポンプ３６′によつて
反応炉４５′内が0.1Torrの圧力を維持するよう
に排気しながら導入し、そして、その第２のガス
を、高周波エネルギ源３５′からの熱と高周波誘
電エネルギ源３３′からの高周波とによつて第２
のガスプラズマにイオン化し、それによつて、基
板３１上の第１の非単結晶半導体層上に、Ｉ型を
有し且つSiでなる第２の非単結晶半導体層を7000
Åの厚さに形成した。
さらに、第３の系において、反応炉４５″内
を真空ポンプ３６″によつて排気した状態で、反
応炉４５″内に、第２の系の予め排気された反
応炉４５′から、上述したＰ型の第１の非単結晶
半導体層及び型の第２の非単結晶半導体層を順
次形成している基板３１をシヤツタ４４を一時的
に開いて配し、次で基板３１を高周波エネルギ源
３５としてのヒータによつて、約250℃の温度に
加熱した状態で、ガス源４０″，４１″及び４２″
からそれぞれ半導体材料ガス、Ｎ型の不純物ガス
及びキヤリアガスとしてのSiH4、PH4及びN2を、
第３のガスとして励起室３２″内に、反応炉４
５″を真空ポンプ３６″によつて反応炉４５内が
0.1Torrの圧力を維持するように排気しながら、
SiH4とPH4との流量比が約10ppmとなる値で、
導入し、そして、その第３のガスを、高周波エネ
ルギ源３５″からの熱と高周波誘電エネルギ源３
３″からの高周波とによつて第３のガスプラズマ
にイオン化し、それによつて、基板３１上の第２
の非単結晶半導体層上に、Ｎ型を有し且つSiでな
る第３の非単結晶半導体層を200Åの厚さに形成
した。
を真空ポンプ３６″によつて排気した状態で、反
応炉４５″内に、第２の系の予め排気された反
応炉４５′から、上述したＰ型の第１の非単結晶
半導体層及び型の第２の非単結晶半導体層を順
次形成している基板３１をシヤツタ４４を一時的
に開いて配し、次で基板３１を高周波エネルギ源
３５としてのヒータによつて、約250℃の温度に
加熱した状態で、ガス源４０″，４１″及び４２″
からそれぞれ半導体材料ガス、Ｎ型の不純物ガス
及びキヤリアガスとしてのSiH4、PH4及びN2を、
第３のガスとして励起室３２″内に、反応炉４
５″を真空ポンプ３６″によつて反応炉４５内が
0.1Torrの圧力を維持するように排気しながら、
SiH4とPH4との流量比が約10ppmとなる値で、
導入し、そして、その第３のガスを、高周波エネ
ルギ源３５″からの熱と高周波誘電エネルギ源３
３″からの高周波とによつて第３のガスプラズマ
にイオン化し、それによつて、基板３１上の第２
の非単結晶半導体層上に、Ｎ型を有し且つSiでな
る第３の非単結晶半導体層を200Åの厚さに形成
した。
また、第４の系において、反応炉４５内を
真空ポンプ３６によつて排気した状態で、反応
炉４５内に、第３の系の予め排気された反応
炉４５″から、上述したＰ型の第１の非単結晶半
導体層、型の第２の非単結晶半導体層及びＮ型
の第３の非単結晶半導体層を順次形成している基
板３１をシヤツタを一時的に開いて配し、次でガ
ス源４０及び４２からそれぞれH2及びN2
を、不活性ガスとして、励起室３２内に、反応
炉４５を真空ポンプ３６によつて反応炉４５
内が1Torrの圧力を維持するように排気しなが
ら導入し、そして、その不活性ガスを、高周波エ
ネルギ源３５からの熱と高周波誘電エネルギ源
３３からの高周波とによつてガスプラズマにイ
オン化し、それによつて、基板３１上の第１、第
２及び第３の非単結晶半導体層をアニールした。
真空ポンプ３６によつて排気した状態で、反応
炉４５内に、第３の系の予め排気された反応
炉４５″から、上述したＰ型の第１の非単結晶半
導体層、型の第２の非単結晶半導体層及びＮ型
の第３の非単結晶半導体層を順次形成している基
板３１をシヤツタを一時的に開いて配し、次でガ
ス源４０及び４２からそれぞれH2及びN2
を、不活性ガスとして、励起室３２内に、反応
炉４５を真空ポンプ３６によつて反応炉４５
内が1Torrの圧力を維持するように排気しなが
ら導入し、そして、その不活性ガスを、高周波エ
ネルギ源３５からの熱と高周波誘電エネルギ源
３３からの高周波とによつてガスプラズマにイ
オン化し、それによつて、基板３１上の第１、第
２及び第３の非単結晶半導体層をアニールした。
さらに、第４の系の予め排気された反応炉４
５から、上述した第１、第２及び第３の非単結
晶半導体層を順次形成している上述した基板３１
を、シヤツタ４４′を一時的に開いてあらかじめ
排気された出口５９に取出し、次でその出口５９
から、それを外気圧にして、外部に取出した。
５から、上述した第１、第２及び第３の非単結
晶半導体層を順次形成している上述した基板３１
を、シヤツタ４４′を一時的に開いてあらかじめ
排気された出口５９に取出し、次でその出口５９
から、それを外気圧にして、外部に取出した。
図は、本発明による非単結晶半導体層形成用装
置の実施例を示す略線図である。
置の実施例を示す略線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板が、その上にＰ型またはＮ型を有する第
１の非単結晶半導体層を形成させるために配され
る第１の反応炉と、 上記第１の反応炉と第１のシヤツタ手段を介し
て連通し且つ上記第１の非単結晶半導体層を形成
している上記基板が上記第１の非単結晶半導体層
上にＩ型を有する第２の非単結晶半導体層を形成
するために配される第２の反応炉と、 上記第２の反応炉と第２のシヤツタ手段を介し
て連通し且つ上記第１及び第２の非単結晶半導体
層を形成している上記基板が上記第２の非単結晶
半導体層上にＰ型またはＮ型を有する第３の非単
結晶半導体層を形成するために配される第３の反
応炉と、 上記第１の反応炉内に、上記第１の非単結晶半
導体層を形成する第１の半導体材料ガスと上記第
１の非単結晶半導体層にＰ型またはＮ型を与える
第１の不純物ガスとを含む第１のガスを導入させ
るための、上記第１の反応炉に、第１のガス供給
制御手段を介して連結している第１のガス源と、 上記第２の反応炉内に、上記第２の非単結晶半
導体層を形成する第２の半導体材料ガスを含む第
２のガスを導入させるための、上記第２の反応炉
に、第２のガス供給制御手段を介して連結してい
る第２のガス源と、 上記第３の反応炉内に、上記第３の非単結晶半
導体層を形成する第３の半導体材料ガスと上記第
３の非単結晶半導体層にＰ型またはＮ型を与える
第３の不純物ガスとを含む第３のガスを導入させ
るための、上記第３の反応炉に、第３のガス供給
制御手段を介して連結している第３のガス源と、 上記第１の反応炉内に導入された上記第１のガ
スを第１のガスプラズマにイオン化させるための
第１のガスイオン化手段と、 上記第２の反応炉内に導入された上記第２のガ
スを第２のガスプラズマにイオン化させるための
第２のガスイオン化手段と、 上記第３の反応炉内に導入された上記第３のガ
スを第３のガスプラズマにイオン化させるための
第３のガスイオン化手段と、 上記第１の反応炉内に、上記基板上に上記第１
の非単結晶半導体層を形成する第１の半導体材料
を堆積させるために、上記第１のガスプラズマを
流し、且つ上記第１の反応炉内を、１気圧以下の
圧力に維持させるための、上記第１の反応炉に連
結している第１のガス排出手段と、 上記第２の反応炉内に、上記第１の非単結晶半
導体層上に上記第２の非単結晶半導体層を形成す
る第２の半導体材料を堆積させるために、上記第
２のガスプラズマを流し、且つ上記第２の反応炉
内を、１気圧以下の圧力に維持させるための、上
記第２の反応炉に連結している第２のガス排出手
段と、 上記第３の反応炉内に、上記第２の非単結晶半
導体層上に上記第３の非単結晶半導体層を形成す
る第３の半導体材料を堆積させるために、上記第
３のガスプラズマを流し、且つ上記第３の反応炉
内を、１気圧以下の圧力に維持させるための、上
記第３の反応炉に連結している第３のガス排出手
段と、 上記第１、第２及び第３の反応炉内において、
上記基板の温度を、上記第１、第２及び第３の半
導体材料が、上記基板、上記第１の非単結晶半導
体層及び上記第２の非単結晶半導体層上で単結晶
化されるよりも低い温度に維持させる手段とを有
することを特徴とする非単結晶半導体層形成用装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57192055A JPS5895550A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 非単結晶半導体層形成用装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57192055A JPS5895550A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 非単結晶半導体層形成用装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54104452A Division JPS6029295B2 (ja) | 1979-08-16 | 1979-08-16 | 非単結晶被膜形成法 |
Related Child Applications (6)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP22932887A Division JPS63171881A (ja) | 1987-09-12 | 1987-09-12 | 被膜形成方法 |
| JP22932987A Division JPS63171882A (ja) | 1987-09-12 | 1987-09-12 | 被膜形成方法 |
| JP62229327A Division JPS63177417A (ja) | 1987-09-12 | 1987-09-12 | 被膜形成用装置 |
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Publications (2)
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| JPS642193B2 true JPS642193B2 (ja) | 1989-01-13 |
Family
ID=16284862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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| JPS6029295B2 (ja) * | 1979-08-16 | 1985-07-10 | 舜平 山崎 | 非単結晶被膜形成法 |
-
1982
- 1982-11-01 JP JP57192055A patent/JPS5895550A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5895550A (ja) | 1983-06-07 |
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