JPS643948B2 - - Google Patents
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- JPS643948B2 JPS643948B2 JP60041019A JP4101985A JPS643948B2 JP S643948 B2 JPS643948 B2 JP S643948B2 JP 60041019 A JP60041019 A JP 60041019A JP 4101985 A JP4101985 A JP 4101985A JP S643948 B2 JPS643948 B2 JP S643948B2
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
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- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/342—Boron nitride
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- C04B35/5831—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on boron nitride based on cubic boron nitrides or Wurtzitic boron nitrides, including crystal structure transformation of powder
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B35/002—Crucibles or containers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は気相析出法によつて菱面体晶系窒化ホ
ウ素の塊状体並びに薄膜を製造する方法に関し、
高圧相立方晶系窒化ホウ素の前駆体としての用途
に適し、また、半導体溶解用ルツボ、各種高温治
具、高周波電気絶縁物、マイクロ波透過窓、半導
体用ホウ素拡散源などの用途に適した材料を製造
するものである。
ウ素の塊状体並びに薄膜を製造する方法に関し、
高圧相立方晶系窒化ホウ素の前駆体としての用途
に適し、また、半導体溶解用ルツボ、各種高温治
具、高周波電気絶縁物、マイクロ波透過窓、半導
体用ホウ素拡散源などの用途に適した材料を製造
するものである。
従来の技術
従来、化学気相析出法によつて製造される窒化
ホウ素は、気相析出窒化ホウ素または熱分解窒化
ホウ素と称せられ、工業的に製造されており、ま
た多くの研究例が報告されている。例えば、米国
特許第3152006号には、ハロゲン化ホウ素とアン
モニアガスを150〜200℃において混合反応させ、
生成する反応ガスを反応室に導入し、反応室内に
設置した高温に保持された基体表面上に、乱層構
造窒化ホウ素および／又は六方晶系窒化ホウ素を
生成させる方法が開示されており、また、特開昭
55−47379号公報には、基体として鉄を用いるこ
とにより、低温で高結晶性の六方晶系窒化ホウ素
が生成することが示されている。さらに、気相析
出窒化ホウ素の製造に関する報告は、バツシユと
シツフのマテリアル デザイン エンジニアリン
グ、1964、２月号、78頁、メールとサラノウバツ
トのプロシーデイングス オブ セブンス イン
ターナシヨナル コンフアレンス オン ケミカ
ル ベーパー デポジシヨン1979、 391頁、高稿らの窯業協会誌、89巻、1981、63
頁、平山と庄野のジヤーナル オブ エレクトロ
ケミカル ソサエテイ、122巻、1975年、1671頁
等の刊行物にも記載されている。しかしながら、
前記すべての刊行物に記載の方法によつて製造さ
れる気相析出窒化ホウ素は、すべて乱層構造を含
めた非晶質窒化ホウ素および／または六方晶系窒
化ホウ素であることが明記されている。
ホウ素は、気相析出窒化ホウ素または熱分解窒化
ホウ素と称せられ、工業的に製造されており、ま
た多くの研究例が報告されている。例えば、米国
特許第3152006号には、ハロゲン化ホウ素とアン
モニアガスを150〜200℃において混合反応させ、
生成する反応ガスを反応室に導入し、反応室内に
設置した高温に保持された基体表面上に、乱層構
造窒化ホウ素および／又は六方晶系窒化ホウ素を
生成させる方法が開示されており、また、特開昭
55−47379号公報には、基体として鉄を用いるこ
とにより、低温で高結晶性の六方晶系窒化ホウ素
が生成することが示されている。さらに、気相析
出窒化ホウ素の製造に関する報告は、バツシユと
シツフのマテリアル デザイン エンジニアリン
グ、1964、２月号、78頁、メールとサラノウバツ
トのプロシーデイングス オブ セブンス イン
ターナシヨナル コンフアレンス オン ケミカ
ル ベーパー デポジシヨン1979、 391頁、高稿らの窯業協会誌、89巻、1981、63
頁、平山と庄野のジヤーナル オブ エレクトロ
ケミカル ソサエテイ、122巻、1975年、1671頁
等の刊行物にも記載されている。しかしながら、
前記すべての刊行物に記載の方法によつて製造さ
れる気相析出窒化ホウ素は、すべて乱層構造を含
めた非晶質窒化ホウ素および／または六方晶系窒
化ホウ素であることが明記されている。
窒化ホウ素は、ホウ素と窒素が原子比で１：１
の化合物であり、前記２種の原子の配置により、
常圧相として乱層構造を含めた非晶質構造、六方
晶系結晶質構造、菱面体晶系（三方晶系ともい
う）結晶質構造が知られている。
の化合物であり、前記２種の原子の配置により、
常圧相として乱層構造を含めた非晶質構造、六方
晶系結晶質構造、菱面体晶系（三方晶系ともい
う）結晶質構造が知られている。
ところで、菱面体晶系窒化ホウ素は、六方晶系
窒化ホウ素および非晶質窒化ホウ素とは、ホウ素
と窒素が交互に結合して形成される六角網目層の
積み重なり方が異なつている。すなわち、六方晶
系構造はABABAB…の二層周期の積み重なりで
あり、菱面体晶系構造はABCABCABC…の三層
周期の積み重なりであり、非晶質窒化ホウ素は層
の積み重なりに規則性、周期性がない。
窒化ホウ素および非晶質窒化ホウ素とは、ホウ素
と窒素が交互に結合して形成される六角網目層の
積み重なり方が異なつている。すなわち、六方晶
系構造はABABAB…の二層周期の積み重なりで
あり、菱面体晶系構造はABCABCABC…の三層
周期の積み重なりであり、非晶質窒化ホウ素は層
の積み重なりに規則性、周期性がない。
一方、高圧相窒化ホウ素には、ウルツ鉱型と呼
ばれる窒化ホウ素と立方晶系（または硫化亜鉛型
ともいう）窒化ホウ素が知られており、これらの
中で特に立方晶系窒化ホウ素は、超高硬度を示
し、高熱伝導材料であるため、工業的に重要な材
料である。ウルツ鉱型窒化ホウ素と立方晶系窒化
ホウ素の構造は、常圧相窒化ホウ素の六角網目を
構成する原子が交互に六角網目平面からはずれて
ひだ状になり、その層がウルツ鉱型では
ABABAB…と二層周期で積み重なり、立方晶系
構造ではABCABCABC…の三層周期で積み重な
つていると表現できる。常圧相窒化ホウ素と高圧
相窒化ホウ素の積層周期の比較から、常圧相六方
晶系窒化ホウ素は立方晶系窒化ホウ素に転移し易
いことが推定される。事実JACS、65巻No.10、P.
c162（1982）に記載の論文によれば、衝撃圧縮法
により、上記の推論の正当性が実験的に証明され
た。このように、菱面体晶系窒化ホウ素は、立方
晶系窒化ホウ素製造用原料として好適であり、工
業的にきわめて重要なものとなりつつある。
ばれる窒化ホウ素と立方晶系（または硫化亜鉛型
ともいう）窒化ホウ素が知られており、これらの
中で特に立方晶系窒化ホウ素は、超高硬度を示
し、高熱伝導材料であるため、工業的に重要な材
料である。ウルツ鉱型窒化ホウ素と立方晶系窒化
ホウ素の構造は、常圧相窒化ホウ素の六角網目を
構成する原子が交互に六角網目平面からはずれて
ひだ状になり、その層がウルツ鉱型では
ABABAB…と二層周期で積み重なり、立方晶系
構造ではABCABCABC…の三層周期で積み重な
つていると表現できる。常圧相窒化ホウ素と高圧
相窒化ホウ素の積層周期の比較から、常圧相六方
晶系窒化ホウ素は立方晶系窒化ホウ素に転移し易
いことが推定される。事実JACS、65巻No.10、P.
c162（1982）に記載の論文によれば、衝撃圧縮法
により、上記の推論の正当性が実験的に証明され
た。このように、菱面体晶系窒化ホウ素は、立方
晶系窒化ホウ素製造用原料として好適であり、工
業的にきわめて重要なものとなりつつある。
かかる菱面体晶系窒化ホウ素は、コンプトレン
ド、246巻、1866頁（1958）に記載の論文によれ
ば、ホウ砂または酸化ホウ素とシアン化カリウム
を反応させることにより、六方晶系窒化ホウ素粉
末と同時に粉末形状で構造できる。
ド、246巻、1866頁（1958）に記載の論文によれ
ば、ホウ砂または酸化ホウ素とシアン化カリウム
を反応させることにより、六方晶系窒化ホウ素粉
末と同時に粉末形状で構造できる。
特開昭58−74511号公報に記載された方法は、
かかる方法を発展させたもので、酸素を含むホウ
素化合物とシアンガスとの反応により、菱面体晶
系窒化ホウ素の白色綿状物を製造している。
かかる方法を発展させたもので、酸素を含むホウ
素化合物とシアンガスとの反応により、菱面体晶
系窒化ホウ素の白色綿状物を製造している。
発明が解決しようとする問題点
上記従来の方法においては、いずれも酸素を含
むホウ素化合物をホウ素源として用い、シアンを
含む化合物と反応させることを特徴としている
が、第１に極めて毒性の強いシアン化合物を使用
すること、第２に粉末または綿状の形状でしか菱
面体晶系窒化ホウ素を製造できないという問題が
あつた。粉末または綿状でしか菱面体晶系窒化ホ
ウ素を製造できないという問題は、窒化ホウ素が
難焼結性物質であり、塊状体とするためには、焼
結助剤の添加が不可欠で、そのため高純度物品と
はならないという点で工業的に極めて大きな難点
であつた。
むホウ素化合物をホウ素源として用い、シアンを
含む化合物と反応させることを特徴としている
が、第１に極めて毒性の強いシアン化合物を使用
すること、第２に粉末または綿状の形状でしか菱
面体晶系窒化ホウ素を製造できないという問題が
あつた。粉末または綿状でしか菱面体晶系窒化ホ
ウ素を製造できないという問題は、窒化ホウ素が
難焼結性物質であり、塊状体とするためには、焼
結助剤の添加が不可欠で、そのため高純度物品と
はならないという点で工業的に極めて大きな難点
であつた。
本発明はかかる従来技術の状況から気相析出法
によつて高純度の菱面体晶系窒化ホウ素の塊状体
または薄膜を製造せんとするものである。
によつて高純度の菱面体晶系窒化ホウ素の塊状体
または薄膜を製造せんとするものである。
問題点を解決するための手段
本発明は、ホウ素源ガスと窒素源ガスあるいは
さらに希釈搬送ガスを加熱基体を保持した反応容
器内に導入、600〜1700℃の温度に加熱した基体
の周囲に、窒素源ガスおよび／又は希釈搬送ガス
の拡散層を設けて、加熱基体上に窒化ホウ素を沈
積させることを特徴とする菱面体晶系窒化ホウ素
の製造方法である。
さらに希釈搬送ガスを加熱基体を保持した反応容
器内に導入、600〜1700℃の温度に加熱した基体
の周囲に、窒素源ガスおよび／又は希釈搬送ガス
の拡散層を設けて、加熱基体上に窒化ホウ素を沈
積させることを特徴とする菱面体晶系窒化ホウ素
の製造方法である。
上記ホウ素源ガスとしてはBCl3、
BF3、BBr3などのハロゲン化物、
B2H6、B10H14などの水素化物や、
B3N3H3（ボラジン）、
B3N3H3Cl3（三塩化ボラゾール）などの含窒素ホ
ウ素化物、Ｂ（C2H5）3やＢ（CH3）3どのアルキル
ホウ素化合物のうちから選ばれるいずれか１種ま
たは２種以上を用いることができる。中でも室温
で気体であるB2H6、BCl3、B3N3H3を用いるの
が好適である。
ウ素化物、Ｂ（C2H5）3やＢ（CH3）3どのアルキル
ホウ素化合物のうちから選ばれるいずれか１種ま
たは２種以上を用いることができる。中でも室温
で気体であるB2H6、BCl3、B3N3H3を用いるの
が好適である。
窒素源ガスとしては、HN3、NH3、N2H2など
の窒素の水素化物、NH4Cl、NH4Br、NH4F、
NH4HF2、NH4Iなどのアンモニウムのハロゲン
化物および窒素のうちから選ばれるいずれか１種
または２種以上を用いることができ、中でも
NH3が安価であるため好適である。
の窒素の水素化物、NH4Cl、NH4Br、NH4F、
NH4HF2、NH4Iなどのアンモニウムのハロゲン
化物および窒素のうちから選ばれるいずれか１種
または２種以上を用いることができ、中でも
NH3が安価であるため好適である。
希釈搬送ガスとしては、ホウ素元素を含まずか
つ製造される窒化ホウ素に悪影響を及ぼさないガ
スであるAr、He、H2が好適に用いられる。
つ製造される窒化ホウ素に悪影響を及ぼさないガ
スであるAr、He、H2が好適に用いられる。
基体の材質、耐熱性、耐食性、加工性のよい黒
鉛、六方晶系窒化ホウ素結体、TiB2−BN複合焼
結体等が好適であるが、所定の製造温度に耐える
ものであれば特に限定されない。
鉛、六方晶系窒化ホウ素結体、TiB2−BN複合焼
結体等が好適であるが、所定の製造温度に耐える
ものであれば特に限定されない。
基体の形状は所望の製品形状によつて変えるこ
とができる。例えば板状の製品を製造するには、
必要とする大きさの平面を有する基体を用いれば
よく、ルツボを製造するには、ルツボの内型に相
当する形状の基体を用いればよい。さらに粉末を
基体として用いれば、粒子状または粉末の菱面体
晶系窒化ホウ素を製造することができる。本発明
のように気相析出法においては、菱面体晶系窒化
ホウ素は、基体上に順次堆積していくことにより
製造されるため、堆積した菱面体晶系窒化ホウ素
自体が基体となつていく。
とができる。例えば板状の製品を製造するには、
必要とする大きさの平面を有する基体を用いれば
よく、ルツボを製造するには、ルツボの内型に相
当する形状の基体を用いればよい。さらに粉末を
基体として用いれば、粒子状または粉末の菱面体
晶系窒化ホウ素を製造することができる。本発明
のように気相析出法においては、菱面体晶系窒化
ホウ素は、基体上に順次堆積していくことにより
製造されるため、堆積した菱面体晶系窒化ホウ素
自体が基体となつていく。
加熱基体の温度は、気相中で生成しまたは相気
中に存在する原子、分子、高分子中間体等が吸着
する固相表面の温度であり、したがつて製造初期
においては、前記した黒鉛や、耐熱金属等の如き
基体の表面温度であるが、菱面体晶系窒化ホウ素
が堆積した後は菱面体晶系窒化ホウ素の堆積層が
基体となるため、前記堆積層の表面温度が、本発
明でいう加熱基体の表面温度となる。
中に存在する原子、分子、高分子中間体等が吸着
する固相表面の温度であり、したがつて製造初期
においては、前記した黒鉛や、耐熱金属等の如き
基体の表面温度であるが、菱面体晶系窒化ホウ素
が堆積した後は菱面体晶系窒化ホウ素の堆積層が
基体となるため、前記堆積層の表面温度が、本発
明でいう加熱基体の表面温度となる。
加熱基体の表面温度が1700℃を越えると菱面体
晶系窒化ホウ素を製造することはできない。なぜ
ならば1700℃を越えると、六方晶系窒化ホウ素ま
たは六方晶系窒化ホウ素と乱層構造窒化ホウ素の
混合物またはは乱層構造窒化ホウ素となるためで
ある。したがつて加熱基体の温度は1700℃以下で
ある必要がある。
晶系窒化ホウ素を製造することはできない。なぜ
ならば1700℃を越えると、六方晶系窒化ホウ素ま
たは六方晶系窒化ホウ素と乱層構造窒化ホウ素の
混合物またはは乱層構造窒化ホウ素となるためで
ある。したがつて加熱基体の温度は1700℃以下で
ある必要がある。
補助手段として例えばマイクロ波エネルギー、
レーザーエネルギー等をホウ素源ガスに付与する
ことによつて、600℃以上での製造も可能となる。
レーザーエネルギー等をホウ素源ガスに付与する
ことによつて、600℃以上での製造も可能となる。
したがつて加熱基体温度の範囲は600〜1700℃、
より好ましくは1200〜1700℃、さらに好適には
1500〜1650℃が良い。
より好ましくは1200〜1700℃、さらに好適には
1500〜1650℃が良い。
反応容器は耐真空の密閉容器であればよい。
製造時の反応容器内の全ガス圧力は、大気圧で
もよいが、20Torrより高真空であることが好ま
しく、好適には１〜5Torrの反応容器内全ガス圧
力が用いられる。
もよいが、20Torrより高真空であることが好ま
しく、好適には１〜5Torrの反応容器内全ガス圧
力が用いられる。
本発明においては、加熱基体の周囲に窒素源ガ
スおよび／又は希釈搬送ガスの拡散層を設けてお
く必要がある。このための具体的な方法の一例
は、窒素源ガスおよび／又は希釈搬送ガスのガス
導入管の開口端を基体近傍に設けることである。
そして、ガスを基体表面に吹き付けたり、基体表
面上を流したりする。要は基体が窒素源ガスおよ
び／又は希釈搬送ガスのガス流束で包まれている
ようにすることである。
スおよび／又は希釈搬送ガスの拡散層を設けてお
く必要がある。このための具体的な方法の一例
は、窒素源ガスおよび／又は希釈搬送ガスのガス
導入管の開口端を基体近傍に設けることである。
そして、ガスを基体表面に吹き付けたり、基体表
面上を流したりする。要は基体が窒素源ガスおよ
び／又は希釈搬送ガスのガス流束で包まれている
ようにすることである。
ホウ素源ガスは単に反応容器内に導入されれば
よく、その導入口は反応容器のどこにあつてもよ
いが、ホウ素源ガスが窒素源ガスと反応し易い場
合、例えばハロゲン化ホウ素ガスとアンモニアガ
スの如き場合には、同軸二軸管あるいは多重管を
使つて、前記拡散層形成ガスの流束を包むよう
に、ホウ素源ガスを導入すると、窒化ホウ素の収
率を上げるために好ましい。この際、基体周囲に
窒素源ガスおよび／又は希釈搬送ガスの拡散層が
形成されるように窒素源ガスおよび／又は希釈搬
送ガスを吹き付ける二重管あるいは多重管の開口
端断面積と形状について、基体が窒素源ガスおよ
び／又は希釈搬送ガスのガス流束内に入るように
考慮されなければならない。
よく、その導入口は反応容器のどこにあつてもよ
いが、ホウ素源ガスが窒素源ガスと反応し易い場
合、例えばハロゲン化ホウ素ガスとアンモニアガ
スの如き場合には、同軸二軸管あるいは多重管を
使つて、前記拡散層形成ガスの流束を包むよう
に、ホウ素源ガスを導入すると、窒化ホウ素の収
率を上げるために好ましい。この際、基体周囲に
窒素源ガスおよび／又は希釈搬送ガスの拡散層が
形成されるように窒素源ガスおよび／又は希釈搬
送ガスを吹き付ける二重管あるいは多重管の開口
端断面積と形状について、基体が窒素源ガスおよ
び／又は希釈搬送ガスのガス流束内に入るように
考慮されなければならない。
本発明の気相析出法において、窒素源ガスおよ
び／又は希釈搬送ガスの拡散層を設けて気相析出
合成を行なうことによつて、菱面体晶系窒化ホウ
素が製造できる理由は、次のように考えられる。
び／又は希釈搬送ガスの拡散層を設けて気相析出
合成を行なうことによつて、菱面体晶系窒化ホウ
素が製造できる理由は、次のように考えられる。
気相析出法により固相が生成するプロセスは、
一般に原料ガスが気相中でお互いに反応すること
によつて中間体を形成し、その中間体が基体表面
に吸着し、中間体の分解、再配列、核形成、核生
長により固相が形成されていくと考えられてい
る。
一般に原料ガスが気相中でお互いに反応すること
によつて中間体を形成し、その中間体が基体表面
に吸着し、中間体の分解、再配列、核形成、核生
長により固相が形成されていくと考えられてい
る。
本発明者等は、気相析出法による窒化ホウ素の
製造について詳細な研究を行ない、上記固相の生
成プロセスが製造条件によつて変化し、いわゆる
乱層構造窒化ホウ素と結晶性窒化ホウ素（三次元
配列し、Ｘ線回折によつて（hkl）回折線が認め
られるもの）の生成プロセスは異なつていること
を見出した。すなわち、前者は気相中でスス程度
の比較的大きな高分子中間体もしくは中間体の集
合物が形成され、これが基体上に堆積して形成さ
れ、一方後者は低分子量の中間体または原料ガス
分子そのものが基体上に吸着し、核形成、核成長
して形成されることがわかつた。したがつて、結
晶性窒化ホウ素を製造するためには基体表面に吸
着されるガス種を低分子量の中間体または原料ガ
ス分子そのものとすることが必要であると考えら
れる。
製造について詳細な研究を行ない、上記固相の生
成プロセスが製造条件によつて変化し、いわゆる
乱層構造窒化ホウ素と結晶性窒化ホウ素（三次元
配列し、Ｘ線回折によつて（hkl）回折線が認め
られるもの）の生成プロセスは異なつていること
を見出した。すなわち、前者は気相中でスス程度
の比較的大きな高分子中間体もしくは中間体の集
合物が形成され、これが基体上に堆積して形成さ
れ、一方後者は低分子量の中間体または原料ガス
分子そのものが基体上に吸着し、核形成、核成長
して形成されることがわかつた。したがつて、結
晶性窒化ホウ素を製造するためには基体表面に吸
着されるガス種を低分子量の中間体または原料ガ
ス分子そのものとすることが必要であると考えら
れる。
ところで、気相析出の間、加熱基体の周囲には
拡散層といわれるガス層が存在し、気相中に存在
する各種の中間体はこの拡散層を通過して基体表
面に到達すると考えられている。
拡散層といわれるガス層が存在し、気相中に存在
する各種の中間体はこの拡散層を通過して基体表
面に到達すると考えられている。
本発明においては基体周囲に窒素源ガスおよ
び／又は希釈搬送ガスの拡散層を形成するので、
窒化ホウ素の前駆体となる中間体は主として拡散
層の外側で形成され、形成された中間体の中で低
分子量の中間体は、高分子量の中間体に比べ拡散
係数が大きいため、選択的に低分子量の中間体が
拡散層を通り、基体表面に吸着し、結晶性窒化ホ
ウ素が生成するものと考えられる。そして基体表
面温度が600〜1700℃のとき、菱面体晶系窒化ホ
ウ素結晶を含む気相析出窒化ホウ素が生成すると
考えられる。
び／又は希釈搬送ガスの拡散層を形成するので、
窒化ホウ素の前駆体となる中間体は主として拡散
層の外側で形成され、形成された中間体の中で低
分子量の中間体は、高分子量の中間体に比べ拡散
係数が大きいため、選択的に低分子量の中間体が
拡散層を通り、基体表面に吸着し、結晶性窒化ホ
ウ素が生成するものと考えられる。そして基体表
面温度が600〜1700℃のとき、菱面体晶系窒化ホ
ウ素結晶を含む気相析出窒化ホウ素が生成すると
考えられる。
次に本発明によつて製造される菱面体晶系窒化
ホウ素結晶からなる気相析出窒化ホウ素塊状体並
びに薄膜について詳細に説明する。
ホウ素結晶からなる気相析出窒化ホウ素塊状体並
びに薄膜について詳細に説明する。
本発明の菱面体晶系窒化ホウ素は、気相析出法
で製造されるために高純度で高密度であり、さら
に基体の形状を変えることにより、板状、パイプ
状、ルツボ状など種々の形状の塊状体や薄膜とす
ることができる。勿論粉末とすることもできる。
で製造されるために高純度で高密度であり、さら
に基体の形状を変えることにより、板状、パイプ
状、ルツボ状など種々の形状の塊状体や薄膜とす
ることができる。勿論粉末とすることもできる。
本発明で得られる菱面体晶系窒化ホウ素の嵩密
度は1.90から2.27ｇ／cm3の範囲である。本発明者
等は、気相析出法により製造される窒化ホウ素に
ついて詳細に研究し、窒化ホウ素の嵩密度が1.4
〜1.7ｇ／cm3の低密度の窒化ホウ素は空気中の湿
分と反応し易く不安定であるが、嵩密度が1.9
ｇ／cm3以上の高密度窒化ホウ素は湿分との反応の
進行は遅く、実用上無視できることを見出した。
本発明で得られる菱面体晶系窒化ホウ素は1.9
ｇ／cm3以上の高密度であり、耐湿性は全く問題が
ない。
度は1.90から2.27ｇ／cm3の範囲である。本発明者
等は、気相析出法により製造される窒化ホウ素に
ついて詳細に研究し、窒化ホウ素の嵩密度が1.4
〜1.7ｇ／cm3の低密度の窒化ホウ素は空気中の湿
分と反応し易く不安定であるが、嵩密度が1.9
ｇ／cm3以上の高密度窒化ホウ素は湿分との反応の
進行は遅く、実用上無視できることを見出した。
本発明で得られる菱面体晶系窒化ホウ素は1.9
ｇ／cm3以上の高密度であり、耐湿性は全く問題が
ない。
本発明の菱面体晶系窒化ホウ素は、気相から直
接薄膜や塊状体のような固相を生成させる気相折
出プロセスにより製造されるので、通常の塊状体
を製造する焼結プロセスと異なり、焼結助剤の添
加がなく、不純物の汚染も全くなく、極めて高純
度である。
接薄膜や塊状体のような固相を生成させる気相折
出プロセスにより製造されるので、通常の塊状体
を製造する焼結プロセスと異なり、焼結助剤の添
加がなく、不純物の汚染も全くなく、極めて高純
度である。
以上述べたごとく、本発明の菱面体晶系窒化ホ
ウ素は、従来知られている菱面体晶系窒化ホウ素
粉末または綿状物とは全く異なる優れた特徴を有
する新規な材料である。
ウ素は、従来知られている菱面体晶系窒化ホウ素
粉末または綿状物とは全く異なる優れた特徴を有
する新規な材料である。
本発明による菱面体晶系窒化ホウ素は、従来知
られている気相析出窒化ホウ素と同様に気相析出
法によつて製造されるが、本発明の窒化ホウ素が
菱面体晶系結晶から構成されているという点で、
従来の気相析出窒化ホウ素とは全く異なるもので
ある。菱面体晶系窒化ホウ素は六方晶系窒化ホウ
素や乱層構造窒化ホウ素とは、Ｘ線回折法や電子
線回折法などの通常用いられる構造解析手段によ
つて容易に識別することができる。
られている気相析出窒化ホウ素と同様に気相析出
法によつて製造されるが、本発明の窒化ホウ素が
菱面体晶系結晶から構成されているという点で、
従来の気相析出窒化ホウ素とは全く異なるもので
ある。菱面体晶系窒化ホウ素は六方晶系窒化ホウ
素や乱層構造窒化ホウ素とは、Ｘ線回折法や電子
線回折法などの通常用いられる構造解析手段によ
つて容易に識別することができる。
本発明の菱面体晶系気相析出窒化ホウ素は菱面
体晶系窒化ホウ素結晶が含有されている気相析出
窒化ホウ素であり、菱面体晶系窒化ホウ素と共に
乱層構造窒化ホウ素や六方晶系窒化ホウ素が含ま
れていてもよい。本発明の菱面体晶系気相析出窒
化ホウ素のＸ線回折図形の一例を第１図１に示
す。この例は菱面体晶系窒化ホウ素結晶と乱層構
造窒化ホウ素の構造の異なる２種の窒化ホウ素か
ら構成されている気相析出窒化ホウ素のＸ線回折
図形である。比較のために第１図の２に市販され
ている気相析出窒化ホウ素、第１図の３に市販さ
れている六方晶系窒化ホウ素のＸ線回折図を示し
た。これらのＸ線回折図はCuKα線を使つて得ら
れた。第１図において、〇印は菱面体晶系窒化ホ
ウ素、●印は六方晶系窒化ホウ素、△印は乱層構
造窒化ホウ素による回折線である。本発明による
菱面体晶系窒化ホウ素結晶を含む気相析出窒化ホ
ウ素は、第１図の１に示したたように菱面体晶系
窒化ホウ素結晶を含んでいる。一方、従来知られ
ており市販されている気相析出窒化ホウ素は、第
１図の２からわかるように六方晶系窒化ホウ素と
乱層構造窒化ホウ素から構成されており、菱面体
晶系窒化ホウ素結晶が含まれていないことがわか
る。このように本発明の気相析出窒化ホウ素な従
来知られていた気相析出窒化ホウ素と全く異なる
ものであり、容易に両者を区別することができ
る。
体晶系窒化ホウ素結晶が含有されている気相析出
窒化ホウ素であり、菱面体晶系窒化ホウ素と共に
乱層構造窒化ホウ素や六方晶系窒化ホウ素が含ま
れていてもよい。本発明の菱面体晶系気相析出窒
化ホウ素のＸ線回折図形の一例を第１図１に示
す。この例は菱面体晶系窒化ホウ素結晶と乱層構
造窒化ホウ素の構造の異なる２種の窒化ホウ素か
ら構成されている気相析出窒化ホウ素のＸ線回折
図形である。比較のために第１図の２に市販され
ている気相析出窒化ホウ素、第１図の３に市販さ
れている六方晶系窒化ホウ素のＸ線回折図を示し
た。これらのＸ線回折図はCuKα線を使つて得ら
れた。第１図において、〇印は菱面体晶系窒化ホ
ウ素、●印は六方晶系窒化ホウ素、△印は乱層構
造窒化ホウ素による回折線である。本発明による
菱面体晶系窒化ホウ素結晶を含む気相析出窒化ホ
ウ素は、第１図の１に示したたように菱面体晶系
窒化ホウ素結晶を含んでいる。一方、従来知られ
ており市販されている気相析出窒化ホウ素は、第
１図の２からわかるように六方晶系窒化ホウ素と
乱層構造窒化ホウ素から構成されており、菱面体
晶系窒化ホウ素結晶が含まれていないことがわか
る。このように本発明の気相析出窒化ホウ素な従
来知られていた気相析出窒化ホウ素と全く異なる
ものであり、容易に両者を区別することができ
る。
本発明の菱面体晶系窒化ホウ素結晶を含む気相
析出窒化ホウ素塊状体ならびに薄膜は、気相析出
法により製造されるため、通常窒化ホウ素の６角
網目層が基体表面に平行に配列し、強い配向性を
示すが、製造条件を適宜選択することにより配向
の程度を変えることができる。
析出窒化ホウ素塊状体ならびに薄膜は、気相析出
法により製造されるため、通常窒化ホウ素の６角
網目層が基体表面に平行に配列し、強い配向性を
示すが、製造条件を適宜選択することにより配向
の程度を変えることができる。
菱面体晶系窒化ホウ素は前記したように結晶構
造上の特徴から、立方晶系窒化ホウ素に転移し易
い。従つて本発明の菱面体晶系窒化ホウ素結晶を
含む気相析出窒化ホウ素塊状体ならびに薄膜は立
方晶系窒化ホウ素および立方晶系窒化ホウ素塊状
体ならびに薄膜の製造用前駆体とし好適に用いら
れる。菱面体晶系窒化ホウ素は、六方晶系および
乱層構造窒化ホウ素とは結晶構造は全く異なるも
のであるが、構成元素はいずれも同一であり、同
様の６角網目層を形成し、層間の結合はいずれも
主としてフアンデアワールス結合であるため、化
学的・電気的特性はいずれも類似している。
造上の特徴から、立方晶系窒化ホウ素に転移し易
い。従つて本発明の菱面体晶系窒化ホウ素結晶を
含む気相析出窒化ホウ素塊状体ならびに薄膜は立
方晶系窒化ホウ素および立方晶系窒化ホウ素塊状
体ならびに薄膜の製造用前駆体とし好適に用いら
れる。菱面体晶系窒化ホウ素は、六方晶系および
乱層構造窒化ホウ素とは結晶構造は全く異なるも
のであるが、構成元素はいずれも同一であり、同
様の６角網目層を形成し、層間の結合はいずれも
主としてフアンデアワールス結合であるため、化
学的・電気的特性はいずれも類似している。
したがつて本発明の菱面体晶系窒化ホウ素は、
半導体溶解用ルツボ、各種高温治具、高周波電気
絶縁物、マイクロ波透過窓、半導体用ホウ素拡散
源、など従来知られていた六方晶系および／また
は乱層構造窒化ホウ素からなる気相析出窒化ホウ
素と同様の用途に用いられる。
半導体溶解用ルツボ、各種高温治具、高周波電気
絶縁物、マイクロ波透過窓、半導体用ホウ素拡散
源、など従来知られていた六方晶系および／また
は乱層構造窒化ホウ素からなる気相析出窒化ホウ
素と同様の用途に用いられる。
特に本発明による菱面体晶系窒化ホウ素結晶を
含む気相析出窒化ホウ素は、従来多用されてきた
気相析出窒化ホウ素よりも低い温度で製造するこ
とができるため、工業的意義が極めて大きい。
含む気相析出窒化ホウ素は、従来多用されてきた
気相析出窒化ホウ素よりも低い温度で製造するこ
とができるため、工業的意義が極めて大きい。
実施例
次に本発明を実施例によつて説明する。
実施例 １
ホウ素源ガスとしてBCl3、窒素源ガスとして
NH3、希釈搬送ガスとして水素（H2）を用い、
これらのガスを内径10φの内管と内径18φの外管
からなる同軸二重管を用いて第２図ａに示したよ
うに反応容器５内に導入した。NH390ml／minを
内管２を通して基体１に吹き付けながら、BCl3
ガス150ml／minとH2ガス600ml／minの混合ガス
を外管３から反応室内に導入した。なお、図中４
は排気口である。反応室内の黒鉛製基本（20×13
×２mm）を1600℃に保持し、ガス導入しながら、
排気ガス量を調節して反応容器５内全圧力を
5Torrに保持し、10時間反応させた。その後容器
内残留ガスを排気し、基体１を冷却し、容器内よ
りとり出したところ、基体１表面に厚み0.5mmの
白色の薄板が生成していた。この白色の薄板を基
体１から分離して、Ｘ線回折法によりこの生成物
の同定を行なつたところ菱面体晶系窒化ホウ素か
ら構成されていた。この菱面体晶系窒化ホウ素結
晶から構成されている気相析出窒化ホウ素の結晶
子の大きさは1000Å以上であり、密度は2.06ｇ／
cm3であつた。比較の為、実施例１の製造条件のう
ち基体温度だけを1800℃および1900℃として気相
析出窒化ホウ素を製造したところ、製造された窒
化ホウ素は、いずれも六方晶系窒化ホウ素と乱層
構造窒化ホウ素から構成された気相析出窒化ホウ
素であつた。
NH3、希釈搬送ガスとして水素（H2）を用い、
これらのガスを内径10φの内管と内径18φの外管
からなる同軸二重管を用いて第２図ａに示したよ
うに反応容器５内に導入した。NH390ml／minを
内管２を通して基体１に吹き付けながら、BCl3
ガス150ml／minとH2ガス600ml／minの混合ガス
を外管３から反応室内に導入した。なお、図中４
は排気口である。反応室内の黒鉛製基本（20×13
×２mm）を1600℃に保持し、ガス導入しながら、
排気ガス量を調節して反応容器５内全圧力を
5Torrに保持し、10時間反応させた。その後容器
内残留ガスを排気し、基体１を冷却し、容器内よ
りとり出したところ、基体１表面に厚み0.5mmの
白色の薄板が生成していた。この白色の薄板を基
体１から分離して、Ｘ線回折法によりこの生成物
の同定を行なつたところ菱面体晶系窒化ホウ素か
ら構成されていた。この菱面体晶系窒化ホウ素結
晶から構成されている気相析出窒化ホウ素の結晶
子の大きさは1000Å以上であり、密度は2.06ｇ／
cm3であつた。比較の為、実施例１の製造条件のう
ち基体温度だけを1800℃および1900℃として気相
析出窒化ホウ素を製造したところ、製造された窒
化ホウ素は、いずれも六方晶系窒化ホウ素と乱層
構造窒化ホウ素から構成された気相析出窒化ホウ
素であつた。
実施例 ２
ホウ素源ガスとしてBCl3、窒素源ガスとして
NH3、希釈搬送ガスとしてH2およびN2を用い、
実施例１と同じ同軸二重管を用いて、第２図ａに
示すように内管２からNH350ml／minとN2100
ml／minの混合ガスを反応室内に1500℃に保持さ
れたTiB2−BN複合焼結体製基体（20×13×２
mm）に吹き付け、BCl370ml／minとH2300ml／
minの混合ガスを外管から反応室内に導入した。
反応容器５内の全ガス圧力を3Torrに保持して４
時間反応させたところ、反応容器５表面は厚み
0.1mmの白色物で被覆されていた。この白色物を
削りとり、Ｘ線回折法により構造の同定を行つた
ところ菱面体晶系窒化ホウ素と乱層構造窒化ホウ
素から構成されている気相析出窒化ホウ素であつ
た。菱面体晶系窒化ホウ素の結晶子の大きさをＸ
線回折線の半価幅から求めたところ、1000Å以上
であり、乱層構造窒化ホウ素の結晶系の大きさは
80Åであつた。
NH3、希釈搬送ガスとしてH2およびN2を用い、
実施例１と同じ同軸二重管を用いて、第２図ａに
示すように内管２からNH350ml／minとN2100
ml／minの混合ガスを反応室内に1500℃に保持さ
れたTiB2−BN複合焼結体製基体（20×13×２
mm）に吹き付け、BCl370ml／minとH2300ml／
minの混合ガスを外管から反応室内に導入した。
反応容器５内の全ガス圧力を3Torrに保持して４
時間反応させたところ、反応容器５表面は厚み
0.1mmの白色物で被覆されていた。この白色物を
削りとり、Ｘ線回折法により構造の同定を行つた
ところ菱面体晶系窒化ホウ素と乱層構造窒化ホウ
素から構成されている気相析出窒化ホウ素であつ
た。菱面体晶系窒化ホウ素の結晶子の大きさをＸ
線回折線の半価幅から求めたところ、1000Å以上
であり、乱層構造窒化ホウ素の結晶系の大きさは
80Åであつた。
実施例 ３
70×20mmの長方形の平面をもつ黒鉛を反応容器
５として用い、その平面上に気相析出窒化ホウ素
を製造した。窒素源ガスとしてNH3、ホウ素源
ガスとしてBCl3、搬送希釈ガスとしてH2を用い、
第２図ｂに示すようにNH3…90ml／minとH2ガ
ス100ml／minの混合ガスを開口端が10×50mmの
長方形であるガス吹付け管２′を用いて基体１に
吹き付けた。H2600ml／minでBCl3140ml／minを
希釈した混合ガスは、別のガス導入管３′から反
応室に導入した。基体１の表面温度を1650℃と
し、反応室内全ガス圧力を3Torrとして７時間気
相析出窒化ホウ素を製造したところ、厚み0.4mm
の白色の実質的に菱面体晶系窒化ホウ素結晶のみ
から構成された気相析出窒化ホウ素板が製造でき
た。一方、第２図ｃに示すように、NH3…とH2
の混合ガスの吹付け管の開口端が10φであるガス
吹付け管２″を70×20mmの基体１の平面の中央部
に設置して、上記の製造条件と全く同じ条件で製
造を試みた。こうして製造された製品は、外観上
は10×50mmの長方形の開口端を有する吹付け管を
用いて製造した製品と同様であつたが、Ｘ線回折
法で構造を調べた結果、70×20mmの長方形の中央
部分約20φの領域すなわちNH3とH2ガスが吹き
付けられた部分にのみ本発明の菱面体晶系窒化ホ
ウ素が製造されたが、他の部分の気相析出窒化ホ
ウ素は大部分が乱層構造窒化ホウ素のみから構成
されていた。
５として用い、その平面上に気相析出窒化ホウ素
を製造した。窒素源ガスとしてNH3、ホウ素源
ガスとしてBCl3、搬送希釈ガスとしてH2を用い、
第２図ｂに示すようにNH3…90ml／minとH2ガ
ス100ml／minの混合ガスを開口端が10×50mmの
長方形であるガス吹付け管２′を用いて基体１に
吹き付けた。H2600ml／minでBCl3140ml／minを
希釈した混合ガスは、別のガス導入管３′から反
応室に導入した。基体１の表面温度を1650℃と
し、反応室内全ガス圧力を3Torrとして７時間気
相析出窒化ホウ素を製造したところ、厚み0.4mm
の白色の実質的に菱面体晶系窒化ホウ素結晶のみ
から構成された気相析出窒化ホウ素板が製造でき
た。一方、第２図ｃに示すように、NH3…とH2
の混合ガスの吹付け管の開口端が10φであるガス
吹付け管２″を70×20mmの基体１の平面の中央部
に設置して、上記の製造条件と全く同じ条件で製
造を試みた。こうして製造された製品は、外観上
は10×50mmの長方形の開口端を有する吹付け管を
用いて製造した製品と同様であつたが、Ｘ線回折
法で構造を調べた結果、70×20mmの長方形の中央
部分約20φの領域すなわちNH3とH2ガスが吹き
付けられた部分にのみ本発明の菱面体晶系窒化ホ
ウ素が製造されたが、他の部分の気相析出窒化ホ
ウ素は大部分が乱層構造窒化ホウ素のみから構成
されていた。
実施例 ４
ホウ素源ガスおよび窒素源ガスとして含窒素ホ
ウ素化合物であるボラジン（B3N3H6）を用い
て、この原料ガスを実施例１で用いたと同じ同軸
二重管の外管から10ml／minの流量で反応室内に
導入した。H2ガス100ml／minを内管を通して
1600℃に加熱した黒鉛基体（30×13×２mm）に吹
き付けながら７時間気相析出反応を続けた。その
間反応室内の全ガス圧力は1Torrに保つた。反応
室内からとり出した基体上にわずかに黄色味を滞
びた厚み１mmの白色の板が生成していた。この白
色板は、Ｘ線回折法で調べた結果、菱面体晶系窒
化ホウ素と微量の乱層構造窒化ホウ素とから構成
されていた。この気相析出窒化ホウ素の密度は
2.19ｇ／cm3であつた。
ウ素化合物であるボラジン（B3N3H6）を用い
て、この原料ガスを実施例１で用いたと同じ同軸
二重管の外管から10ml／minの流量で反応室内に
導入した。H2ガス100ml／minを内管を通して
1600℃に加熱した黒鉛基体（30×13×２mm）に吹
き付けながら７時間気相析出反応を続けた。その
間反応室内の全ガス圧力は1Torrに保つた。反応
室内からとり出した基体上にわずかに黄色味を滞
びた厚み１mmの白色の板が生成していた。この白
色板は、Ｘ線回折法で調べた結果、菱面体晶系窒
化ホウ素と微量の乱層構造窒化ホウ素とから構成
されていた。この気相析出窒化ホウ素の密度は
2.19ｇ／cm3であつた。
発明の効果
以上説明したように、本発明によれば工業的に
極めて有用な高圧相立方晶系窒化ホウ素の製造に
最適の原料である菱面体晶系窒化ホウ素が、塊状
体もしくは薄膜の形状で得ることができ、さらに
本発明の製造方法によれば従来知られていた菱面
体晶系窒化ホウ素粉末の製造の為にシアン化合物
のごとき毒性の強い原料を使用する必要がなく、
任意の形状をもつ菱面体晶系窒化ホウ素を製造す
ることができる。
極めて有用な高圧相立方晶系窒化ホウ素の製造に
最適の原料である菱面体晶系窒化ホウ素が、塊状
体もしくは薄膜の形状で得ることができ、さらに
本発明の製造方法によれば従来知られていた菱面
体晶系窒化ホウ素粉末の製造の為にシアン化合物
のごとき毒性の強い原料を使用する必要がなく、
任意の形状をもつ菱面体晶系窒化ホウ素を製造す
ることができる。
第１図は本発明の菱面体晶系窒化ホウ素結晶か
ら構成されている気相析出窒化ホウ素のＸ線回折
図形の一部１を従来知られており市販されている
気相析出窒化ホウ素のＸ線回折図２および市販さ
れている六方晶系窒化ホウ素粉末のＬ線回折図形
３と比較した図である。第２図ａ〜ｃは、本発明
の実施態様を説明するための図である。 １……基体、２……内管、２′，２″……ガス吹
付け管、３……外管、３′……ガス導入管、４…
…排気口、５……反応容器。
ら構成されている気相析出窒化ホウ素のＸ線回折
図形の一部１を従来知られており市販されている
気相析出窒化ホウ素のＸ線回折図２および市販さ
れている六方晶系窒化ホウ素粉末のＬ線回折図形
３と比較した図である。第２図ａ〜ｃは、本発明
の実施態様を説明するための図である。 １……基体、２……内管、２′，２″……ガス吹
付け管、３……外管、３′……ガス導入管、４…
…排気口、５……反応容器。
Claims (1)
- １ ホウ素源ガスと窒素源ガスあるいはさらに希
釈搬送ガスを加熱基体を保持した反応容器内に導
入し、600〜1700℃の温度に加熱した基体の周囲
に、窒素源ガスおよび／又は希釈搬送ガスの拡散
層を設けて、加熱基体上に窒化ホウ素を沈積させ
ることを特徴とする菱面体晶系窒化ホウ素の製造
方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60041019A JPS61223183A (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | 菱面体晶系窒化ホウ素の製造方法 |
| PCT/JP1986/000095 WO1986005169A1 (fr) | 1985-03-04 | 1986-02-27 | Nitrure de bore rhomboedrique polycristallin et son procede de production |
| US06/887,096 US4900526A (en) | 1985-03-04 | 1986-02-27 | Polycrystalline rhombohedral boron nitride and method of producing the same |
| DE8686901511T DE3685282D1 (de) | 1985-03-04 | 1986-02-27 | Rhombohedrisches polykristallines bornitrid und dessen herstellung. |
| EP86901511A EP0216932B1 (en) | 1985-03-04 | 1986-02-27 | Rhombohedral polycrystalline boron nitride and process for its production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60041019A JPS61223183A (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | 菱面体晶系窒化ホウ素の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61223183A JPS61223183A (ja) | 1986-10-03 |
| JPS643948B2 true JPS643948B2 (ja) | 1989-01-24 |
Family
ID=12596679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60041019A Granted JPS61223183A (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | 菱面体晶系窒化ホウ素の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4900526A (ja) |
| EP (1) | EP0216932B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61223183A (ja) |
| DE (1) | DE3685282D1 (ja) |
| WO (1) | WO1986005169A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0365234A (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-20 | Res Dev Corp Of Japan | 立方晶窒化ほう素の製造方法 |
| JPH05502914A (ja) * | 1990-08-08 | 1993-05-20 | アドヴァンスト・セラミックス・コーポレイション | 亀裂のない熱分解窒化硼素を炭素構造体上に形成する方法及び該方法から得られた物品 |
| JPWO2020066517A1 (ja) * | 2018-09-27 | 2021-01-07 | 住友電工ハードメタル株式会社 | 立方晶窒化硼素多結晶体 |
Families Citing this family (22)
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|---|---|---|---|---|
| US5308044A (en) * | 1987-05-12 | 1994-05-03 | Kabushiki Kaisha Kouransha | Boron nitride ceramics and molten metal container provided with members made of the same ceramics |
| US5043120A (en) * | 1988-11-10 | 1991-08-27 | The General Electric Company | Process for preparing polycrystalline CBN ceramic masses |
| FR2646663B1 (fr) * | 1989-05-02 | 1991-12-27 | Rhone Poulenc Chimie | Nitrure de bore amorphe ou turbostratique a morphologie spherique et son procede de preparation |
| WO1990013513A1 (en) * | 1989-05-12 | 1990-11-15 | University Of Florida | Combustion synthesis of materials using microwave energy |
| GB2236540A (en) * | 1989-07-07 | 1991-04-10 | United Technologies Corp | Boron nitride coated fibres |
| US5053365A (en) * | 1990-02-28 | 1991-10-01 | The Ohio State University Research Foundation | Method for the low temperature preparation of amorphous boron nitride using alkali metal and haloborazines |
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| CN1047209C (zh) * | 1994-09-28 | 1999-12-08 | 先进陶瓷公司 | 高密度闪蒸器 |
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| RU2167224C1 (ru) * | 1999-09-08 | 2001-05-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Ромбонит" | Пиролитический ромбоэдрический нитрид бора и способ его получения |
| RU2160224C1 (ru) * | 1999-09-08 | 2000-12-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Ромбонит" | Способ получения пиролитического нитрида бора |
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| US20090169781A1 (en) * | 2007-12-31 | 2009-07-02 | Marc Schaepkens | Low thermal conductivity low density pyrolytic boron nitride material, method of making, and articles made therefrom |
| WO2012011480A1 (ja) * | 2010-07-21 | 2012-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 層間絶縁層形成方法及び半導体装置 |
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| PL448285A1 (pl) * | 2024-04-12 | 2025-10-13 | Politechnika Rzeszowska im. Ignacego Łukasiewicza | Sposób wytwarzania warstwy azotku boru na wyrobach węglowych, zwłaszcza grafitowych |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3152006A (en) * | 1961-06-29 | 1964-10-06 | High Temperature Materials Inc | Boron nitride coating and a process of producing the same |
| GB1203078A (en) * | 1966-09-28 | 1970-08-26 | Raytheon Co | Isotropic boron nitride and method of making same |
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| JPS602244B2 (ja) * | 1981-10-26 | 1985-01-21 | 科学技術庁無機材質研究所長 | 菱面体晶窒化ほう素の製造法 |
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| EP0149044B1 (en) * | 1983-11-11 | 1987-05-13 | Research Development Corporation of Japan | Boron nitride containing titanium nitride, method of producing the same and composite ceramics produced therefrom |
-
1985
- 1985-03-04 JP JP60041019A patent/JPS61223183A/ja active Granted
-
1986
- 1986-02-27 WO PCT/JP1986/000095 patent/WO1986005169A1/ja not_active Ceased
- 1986-02-27 US US06/887,096 patent/US4900526A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-02-27 DE DE8686901511T patent/DE3685282D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-02-27 EP EP86901511A patent/EP0216932B1/en not_active Expired
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| JPH05502914A (ja) * | 1990-08-08 | 1993-05-20 | アドヴァンスト・セラミックス・コーポレイション | 亀裂のない熱分解窒化硼素を炭素構造体上に形成する方法及び該方法から得られた物品 |
| JPWO2020066517A1 (ja) * | 2018-09-27 | 2021-01-07 | 住友電工ハードメタル株式会社 | 立方晶窒化硼素多結晶体 |
| JP2022122882A (ja) * | 2018-09-27 | 2022-08-23 | 住友電工ハードメタル株式会社 | 立方晶窒化硼素多結晶体 |
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|---|---|
| EP0216932A1 (en) | 1987-04-08 |
| EP0216932B1 (en) | 1992-05-13 |
| DE3685282D1 (de) | 1992-06-17 |
| US4900526A (en) | 1990-02-13 |
| EP0216932A4 (en) | 1989-07-26 |
| JPS61223183A (ja) | 1986-10-03 |
| WO1986005169A1 (fr) | 1986-09-12 |
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