JPS64453B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS64453B2
JPS64453B2 JP61085796A JP8579686A JPS64453B2 JP S64453 B2 JPS64453 B2 JP S64453B2 JP 61085796 A JP61085796 A JP 61085796A JP 8579686 A JP8579686 A JP 8579686A JP S64453 B2 JPS64453 B2 JP S64453B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
foil
weight
cathode
present
molybdenum
Prior art date
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Expired
Application number
JP61085796A
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English (en)
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JPS62243734A (ja
Inventor
Kenshiro Yamaguchi
Junichi Matsuda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyo Aluminum KK
Original Assignee
Toyo Aluminum KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Toyo Aluminum KK filed Critical Toyo Aluminum KK
Priority to JP61085796A priority Critical patent/JPS62243734A/ja
Priority to KR1019870003564A priority patent/KR960003940B1/ko
Publication of JPS62243734A publication Critical patent/JPS62243734A/ja
Publication of JPS64453B2 publication Critical patent/JPS64453B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/02Diaphragms; Separators
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/042Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
    • H01G9/0425Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material specially adapted for cathode

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野 本発明は、電解コンデンサ陰極用アルミニウム
合金箔に関する。 従来の技術とその問題点 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔(以
下単に陰極箔という)としては、化学エツチング
等のエツチングにより表面積を容易に拡大し得る
ところから、銅を0.1〜0.5重量%添加したアルミ
ニウム合金箔が広く使用されている(特公昭44〜
25016号公報)。近年、陽極箔の静電容量が著るし
く向上するにしたがつて、陰極箔の容量向上も必
要となつており、より均一で微細なエツチングが
可能であるアルミニウム合金箔の出現が望まれて
いる。この様な条件を充足するには、アルミニウ
ム合金箔は、エツチング操作時のピツテイング開
始点を多数有するとともに箔強度に優れているこ
とが必要である。しかしながら、現在のところ、
この様な技術的要求に十分応え得るアルミニウム
合金箔は、実用化されてはいない。 問題点を解決するための手段 本発明者は、上記の如き現行技術の問題点に鑑
みて種々実験及び研究を重ねた結果、特定量の銅
とモリブデンを含有するアルミニウム合金箔が陰
極箔における問題点を実質的に解消若しくは大巾
に軽減し得ることを見出した。即ち、本発明は、
銅0.1〜1.0重量%及びモリブデン0.005〜1.0重量
%を含有する電解コンデンサ陰極用アルミニウム
合金箔を提供するものである。 更に、本発明者の研究によれば、銅及びモリブ
デンに併せて、コバルト及びニツケルの少なくと
も1種含有させる場合には、ピツテイング開始点
がより一層増大して、陰極箔としての容量も増大
することを見出した。即ち、本発明は、コバルト
及びニツケルの少なくとも1種を0.005〜1.0重量
%、銅0.1〜1.0重量%及びモリブデン0.005〜1.0
重量%を含有する電解コンデンサ陰極用アルミニ
ウム合金箔をも提供するものである。 本発明においては、銅とモリブデンとが、或い
はこれ等とコバルト及び/又はニツケルとが相乗
的に作用して、顕著な効果を奏するので、各成分
の含有量と効果との関係を個々に論ずることは必
ずしも妥当ではないが、各成分の含有量の規定根
拠を強いて示せば以下の通りである。 先ず、アルミニウム中のモリブデン含有量を
0.005〜1.0重量%好ましくは0.01〜0.3重量%とす
るとにより、微細かつ多数のAl−Mo化合物がマ
トリツクス中に分散した組織を得ることができ
る。このAl−Mo化合物は、電位的に非常に貴で
あり、マトリツクスとの間で大きな電位差を生ず
るので、エツチング時にピツテイング開始点とし
て働き、微細かつ高密度のピツト形成を可能とす
る。また、銅の含有量を0.1〜1.0重量%とするこ
とにより、マトリツクスの腐食性が高まるととも
に、より多くのAl−Mo化合物を析出させること
ができる。かくして、モリブデン及び銅を上記特
定量含有する陰極箔は、エツチングにより微細か
つ高密度のピツトが形成され、非常に高い静電容
量を示すことになる。 なお、モリブデン及び銅の含有量が少なすぎる
場合には、所望の効果が十分に達成されず、一方
モリブデン及び銅の含有量が1.0重量%を上回る
場合には、無効溶解が過度となり、陰極箔の静電
容量がかえつて低下する。 本発明において、銅とモリブデンに加えて、更
にコバルト及びニツケルの少なくとも1種0.005
〜1.0重量%を含有させる場合には、微細なピツ
ト形成がさらにに促進されて、陰極箔の静電容量
が更に高くなる。コバルト及び/又はニツケルの
含有量が0.005重量%未満の場合には、ほとんど
効果はなく、1.0重量%を上回る場合には、陰極
箔の静電容量がかえつて低下する傾向を示す。 なお、本発明の陰極箔は、陰極箔用合金地金に
通常含まれている不可避不純物を含んでいても良
い。例えば、0.5重量%までの鉄は、陰極箔の性
能に実質上影響せず、むしろ箔強度を向上させ且
つ化学溶解性を促進する。また、通常0.05〜0.5
重量%程度含まれているシリコンも、陰極箔の性
能には影響しない。 発明の効果 本発明陰極箔においては、マトリツクス中に分
散して存在する微細且つ多数のAl−Mo化合物
が、電位的に貴なので、エツチング操作中に腐食
開始点となり、微細且つ高密度のピツトが速やか
に形成される。その結果、高い表面拡大率が得ら
れるので、陰極箔としての静電容量が大きく、強
度も大である。又、モリブデン及びその化合物
は、農業用水等の潅漑水としての水質規制を受け
ない安全な化学種であるため、老化したエツチン
グ液の排水処理には特別の配慮は無用のものとな
る。 実施例 以下実施例を示し、本発明の特徴とするところ
をより一層明らかにする。 実施例 1 一次電解アルミニウム地金に第1表に示す各成
分を加えたアルミニウム合金鋳塊から通常の製箔
工程により厚さ65μmの合金箔を得た。 各合金箔を塩酸5重量%及び塩化アルミニウム
10重量%を含む浴に温度95℃で40秒間浸漬して、
化学エツチングした後、5重量%ホウ酸液中で
3Vの化成を行ない、LCRメーター(横河電機(株)
製)により8%ホウ酸アンモニウム液中で静電容
量の測定を行なつた。 各合金成分の含有量と静電容量との関係を第1
表に示す。試料No.1は、一次電解アルミニウム地
金から得た箔であり、No.2は、特公昭44−25016
号発明によるものであり、No.3〜14が本発明によ
る箔である。
【表】
【表】 第1表に示す結果から明らかな如く、本発明に
よる陰極箔は極めて高い静電容量を示している。
【特許請求の範囲】
1 Cr鉱石と焼石灰を電気炉に装入溶解し、出
湯レードル受けした、一次スラグに還元剤を投入
し、該スラグを不活性ガス、酸化性ガス、あるい
は不活性ガスと酸化性ガスとの混合ガスを用いバ
ブリングし、精練することを特徴とする低窒素・
低炭素フエロクロムの製造法。
JP61085796A 1986-04-14 1986-04-14 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔 Granted JPS62243734A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61085796A JPS62243734A (ja) 1986-04-14 1986-04-14 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔
KR1019870003564A KR960003940B1 (ko) 1986-04-14 1987-04-14 전해콘덴서 음극용 알루미늄합금막

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61085796A JPS62243734A (ja) 1986-04-14 1986-04-14 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔

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Publication Number Publication Date
JPS62243734A JPS62243734A (ja) 1987-10-24
JPS64453B2 true JPS64453B2 (ja) 1989-01-06

Family

ID=13868845

Family Applications (1)

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JP61085796A Granted JPS62243734A (ja) 1986-04-14 1986-04-14 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔

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JP (1) JPS62243734A (ja)
KR (1) KR960003940B1 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
KR960003940B1 (ko) 1996-03-23
JPS62243734A (ja) 1987-10-24
KR870010582A (ko) 1987-11-30

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