JPS64618Y2 - - Google Patents
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- JPS64618Y2 JPS64618Y2 JP9694484U JP9694484U JPS64618Y2 JP S64618 Y2 JPS64618 Y2 JP S64618Y2 JP 9694484 U JP9694484 U JP 9694484U JP 9694484 U JP9694484 U JP 9694484U JP S64618 Y2 JPS64618 Y2 JP S64618Y2
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- Japan
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- contact
- contact pins
- insulating sheet
- pins
- rows
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- Expired
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の利用分野〕
本考案は、ICの電気的性能を測定するため、
高周波の測定信号を該ICのリードに導通せしめ
るコンタクト装置に関するものである。
高周波の測定信号を該ICのリードに導通せしめ
るコンタクト装置に関するものである。
測定信号を導通せしめる場合、その接触抵抗を
一定に保たねばならぬことは言うまでも無いが特
に高周波信号の場合には浮遊容量を一定にするこ
とも大切である。
一定に保たねばならぬことは言うまでも無いが特
に高周波信号の場合には浮遊容量を一定にするこ
とも大切である。
第1図は従来のコンタクト装置の断面を模式的
に描いた説明図である。
に描いた説明図である。
IC1は多数のリード1aを紙面と垂直方向に
2列に列設されている。
2列に列設されている。
一方、基板2にはコンタクトピン3が2列に列
設され、それぞれリード1aに対向し、そのバネ
弾性によつて当接・導通している。
設され、それぞれリード1aに対向し、そのバネ
弾性によつて当接・導通している。
しかし、上記のような従来形のコンタクト装置
においては多数のリード1aと多数のコンタクト
ピン3との相互の接触抵抗が不揃いとなる上、各
コンタクトピン間の浮遊容量のバラツキが大き
く、正確な測定が困難である。その上、コンタク
トピン3のバネ弾性がヘタリによつて変化するの
で耐久性も充分でない。
においては多数のリード1aと多数のコンタクト
ピン3との相互の接触抵抗が不揃いとなる上、各
コンタクトピン間の浮遊容量のバラツキが大き
く、正確な測定が困難である。その上、コンタク
トピン3のバネ弾性がヘタリによつて変化するの
で耐久性も充分でない。
上記の不具合を解消するため、第2図に示すよ
うな改良形コンタクト装置が用いられている。こ
れは、2列に並べられたコンタクトピン3のそれ
ぞれの列の外側に1対のアースプレート4を設
け、コンタクトピン3とアースプレート4との間
に絶縁シート(図示省略)を介装したものであ
る。
うな改良形コンタクト装置が用いられている。こ
れは、2列に並べられたコンタクトピン3のそれ
ぞれの列の外側に1対のアースプレート4を設
け、コンタクトピン3とアースプレート4との間
に絶縁シート(図示省略)を介装したものであ
る。
この改良形コンタクト装置(第2図)によれば
例えばカム機構などの押圧手段(図示せず)を用
いて1対のアースプレート4に矢印A−A′の如
く挾圧力を加えると、それぞれのコンタクトピン
3がバネ弾性と挾圧力とによつてICリードに押
しつけられるので、第1図の従来装置のようにバ
ネ弾性のみでリードに当接する構造に比して著し
く安定した当接圧が得られ、接触抵抗のバラツキ
が減少する。その上、各コンタクトピン3は絶縁
シートを介してアースプレート4に対向している
ためその浮遊容量のバラツキも減少する。
例えばカム機構などの押圧手段(図示せず)を用
いて1対のアースプレート4に矢印A−A′の如
く挾圧力を加えると、それぞれのコンタクトピン
3がバネ弾性と挾圧力とによつてICリードに押
しつけられるので、第1図の従来装置のようにバ
ネ弾性のみでリードに当接する構造に比して著し
く安定した当接圧が得られ、接触抵抗のバラツキ
が減少する。その上、各コンタクトピン3は絶縁
シートを介してアースプレート4に対向している
ためその浮遊容量のバラツキも減少する。
しかし乍ら、第2図に示した改良形のコンタク
ト装置においても、接触抵抗のバラツキや浮遊容
量のバラツキが若干残つている。
ト装置においても、接触抵抗のバラツキや浮遊容
量のバラツキが若干残つている。
一方、電子装置に関する技術的進歩に伴い、
ICの検査精度に対する要求はますます高度化し
ている。
ICの検査精度に対する要求はますます高度化し
ている。
第2図に示した改良形のコンタクト装置の1例
におけるピン入力波形と電源ノイズとを対比した
図表を第3図に示す。本図表においてピン入力波
形は1目盛2V、ノイズ波形は1目盛100mVであ
る。
におけるピン入力波形と電源ノイズとを対比した
図表を第3図に示す。本図表においてピン入力波
形は1目盛2V、ノイズ波形は1目盛100mVであ
る。
第4図はピン入力波形とクロストークとを対比
した図表である。本図表において入力波形は1目
盛2V、クロストーク波形は1目盛20mVである。
した図表である。本図表において入力波形は1目
盛2V、クロストーク波形は1目盛20mVである。
本考案は上述の事情に鑑みて為されたもので、
前記の改良形コンタクト装置に比して更に特触抵
抗のバラツキ、及び浮遊容量のバラツキを軽減せ
しめた、高周波測定に好適なコンタクト装置を提
供しようとするものである。
前記の改良形コンタクト装置に比して更に特触抵
抗のバラツキ、及び浮遊容量のバラツキを軽減せ
しめた、高周波測定に好適なコンタクト装置を提
供しようとするものである。
上記の目的を達成する為、本考案のコンタクト
装置は、ICに列設されたリードに接触して測定
信号を伝達するコンタクトピンを2列に並べ、上
記の列設されたコンタクトピンの外側に絶縁シー
トを介してアースプレートを当接せしめ、このア
ースプレートを内側へ押圧してコンタクトピンを
リードに当接せしめる構造の高周波コンタクト装
置において、前記の列設されたコンタクトピンの
内側にも絶縁シートを介してアースプレートを当
接せしめ、前記内、外側アースプレートにより絶
縁シートを介してコンタクトピンの列を挾みつけ
る。2枚のアースプレートに挾圧された各列のコ
ンタクトポイントは強制的に整列せしめられ、こ
のためICリードに対して一様に当接する。また、
上記のように強制的に整列せしめられるため浮遊
容量のバラツキも減少し、コンタクトピンのバネ
弾性のヘタリによる寿命消費もも解消される。
装置は、ICに列設されたリードに接触して測定
信号を伝達するコンタクトピンを2列に並べ、上
記の列設されたコンタクトピンの外側に絶縁シー
トを介してアースプレートを当接せしめ、このア
ースプレートを内側へ押圧してコンタクトピンを
リードに当接せしめる構造の高周波コンタクト装
置において、前記の列設されたコンタクトピンの
内側にも絶縁シートを介してアースプレートを当
接せしめ、前記内、外側アースプレートにより絶
縁シートを介してコンタクトピンの列を挾みつけ
る。2枚のアースプレートに挾圧された各列のコ
ンタクトポイントは強制的に整列せしめられ、こ
のためICリードに対して一様に当接する。また、
上記のように強制的に整列せしめられるため浮遊
容量のバラツキも減少し、コンタクトピンのバネ
弾性のヘタリによる寿命消費もも解消される。
次に、本考案の1実施例を第5図及び第8図に
ついて説明する。
ついて説明する。
第5図は本考案のコンタクト装置の1実施例の
斜視図、第6図は同じく斜視図である。
斜視図、第6図は同じく斜視図である。
5は1対の外側アースプレートで、第2図に示
した改良形装置におけるアースプレート4に対応
する構成部材である。該アースプレート5は絶縁
シート6を介してコンタクトピン3の外側に重ね
合わせる。本考案におけて外側、内側とは2列に
並べられたコンタクトピンの列の外側、内側の意
である。
した改良形装置におけるアースプレート4に対応
する構成部材である。該アースプレート5は絶縁
シート6を介してコンタクトピン3の外側に重ね
合わせる。本考案におけて外側、内側とは2列に
並べられたコンタクトピンの列の外側、内側の意
である。
コンタクトピン3の内側に、絶縁シート7を介
して内側アースプレート8を重ね合わせ、前記
内、外のアースプレート8,5により絶縁シート
7,6を介してコンタクトピン3を挾みつける。
して内側アースプレート8を重ね合わせ、前記
内、外のアースプレート8,5により絶縁シート
7,6を介してコンタクトピン3を挾みつける。
上記の如くコンタクトピン3を挾みつけた2対
の内、外アースプレート8,5をそれぞれ基板2
の両側に押し当て、押え部材9で押え、ネジ10
で固定する。
の内、外アースプレート8,5をそれぞれ基板2
の両側に押し当て、押え部材9で押え、ネジ10
で固定する。
前記1対の外側アースプレート5を内側に向け
て押圧するよう、1対のカム11を設ける(第6
図)。
て押圧するよう、1対のカム11を設ける(第6
図)。
12は、IC1を案内してコンタクトピン3の
列の間に搬送する金属製レール、12aは絶縁片
である。
列の間に搬送する金属製レール、12aは絶縁片
である。
本実施例においては絶縁シート6,7として厚
さ0.13mmのテフロンシートを用いた。本発明を実
施する場合、上記の絶縁シートは絶縁性の塗膜で
あつても良い。
さ0.13mmのテフロンシートを用いた。本発明を実
施する場合、上記の絶縁シートは絶縁性の塗膜で
あつても良い。
上記のように構成したコンタクト装置を用いる
には、被測定物であるIC1を第6図に示した位
置に搬送し、カム11で外側アースプレート5を
内側へ押動してコンタクトピン3の先端をリード
1aに接触せしめる。
には、被測定物であるIC1を第6図に示した位
置に搬送し、カム11で外側アースプレート5を
内側へ押動してコンタクトピン3の先端をリード
1aに接触せしめる。
複数個のコンタクトピン3は2枚のアースプレ
ートに挾まれて高精度に整列されているので、各
コンタクトピン3は均等な圧力でリード1aを絶
縁片12aに押しつけ、小さくかつ一定な接触抵
抗で導通せしめる。
ートに挾まれて高精度に整列されているので、各
コンタクトピン3は均等な圧力でリード1aを絶
縁片12aに押しつけ、小さくかつ一定な接触抵
抗で導通せしめる。
個々のコンタクトピン3に若干の反り癖などが
有つても、絶縁シート6,7を介して内、外のア
ースプレート8,5で挾圧されるため、各コンタ
クトピン3とアースプレートとの間隙が一定値
(本実施例においては0.13mm)に保たれるので、
浮遊容量のバラツキが著しく軽減される。
有つても、絶縁シート6,7を介して内、外のア
ースプレート8,5で挾圧されるため、各コンタ
クトピン3とアースプレートとの間隙が一定値
(本実施例においては0.13mm)に保たれるので、
浮遊容量のバラツキが著しく軽減される。
第7図は本実施例における入力波形(1目盛
2V)と電源ノイズ(1目盛100mV)とを対比し
た図表で、改良形装置における第3図に対応する
図である。
2V)と電源ノイズ(1目盛100mV)とを対比し
た図表で、改良形装置における第3図に対応する
図である。
改良形コンタクト装置(第2図)においては最
大振幅400mVであつた電源ノイズが、本実施例
においては330mVに減少していることがわかる。
大振幅400mVであつた電源ノイズが、本実施例
においては330mVに減少していることがわかる。
第8図は本実施例における入力波形(1目盛
2V)とクロストーク(1目盛20mV)とを対比
した図表で、改良形装置における第4図に対応す
る図である。
2V)とクロストーク(1目盛20mV)とを対比
した図表で、改良形装置における第4図に対応す
る図である。
改良形コンタクト装置(第2図において最大振
幅75mVであつたクロストークが、本実施例にお
いては40mVに減少していることがわかる。
幅75mVであつたクロストークが、本実施例にお
いては40mVに減少していることがわかる。
以上詳述したように、本考案のコンタクト装置
は接触抵抗のバラツキ及び浮遊容量のバラツキが
著しく軽減され、高周波の測定信号を伝達する手
段として好適である。
は接触抵抗のバラツキ及び浮遊容量のバラツキが
著しく軽減され、高周波の測定信号を伝達する手
段として好適である。
第1図は従来のコンタクト装置の断面を模式的
に描いた説明図、第2図は改良形コンタクト装置
の斜視図、第3図及び第4図は上記改良形コンタ
クト装置の性能を示す図表である。第5図は本考
案の高周波コンタクト装置の1実施例の斜視図、
第6図は同実施例の断面図、第7図及び第8図は
上記実施例の効果を説明するための図表である。 1……IC、1a……リード、2……基板、3
……コンタクトピン、4……アースプレート、5
……外側アースプレート、6,7……絶縁シー
ト、8……内側アースプレート、9……押え部
材、11……カム、12……レール、12a……
絶縁片。
に描いた説明図、第2図は改良形コンタクト装置
の斜視図、第3図及び第4図は上記改良形コンタ
クト装置の性能を示す図表である。第5図は本考
案の高周波コンタクト装置の1実施例の斜視図、
第6図は同実施例の断面図、第7図及び第8図は
上記実施例の効果を説明するための図表である。 1……IC、1a……リード、2……基板、3
……コンタクトピン、4……アースプレート、5
……外側アースプレート、6,7……絶縁シー
ト、8……内側アースプレート、9……押え部
材、11……カム、12……レール、12a……
絶縁片。
Claims (1)
- ICに列設されたリードに接触して測定信号を
伝達するコンタクトピンを2列に並べ、上記の列
設されたコンタクトピンの外側に絶縁シートを介
してアースプレートを当接せしめ、このアースプ
レートを内側へ押圧してコンタクトピンをリード
に当接せしめる構造の高周波コンタクト装置にお
いて、前記の列設されたコンタクトピンの内側に
も絶縁シートを介してアースプレートを当接せし
め、前記内、外側アースプレートにより絶縁シー
トを介してコンタクトピンの列を挾みつけて、そ
の整列状態を保持せしめたことを特徴とする高周
波コンタクト装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9694484U JPS6114389U (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 高周波コンタクト装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9694484U JPS6114389U (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 高周波コンタクト装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6114389U JPS6114389U (ja) | 1986-01-28 |
| JPS64618Y2 true JPS64618Y2 (ja) | 1989-01-09 |
Family
ID=30656466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9694484U Granted JPS6114389U (ja) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | 高周波コンタクト装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6114389U (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0628276B2 (ja) * | 1986-02-27 | 1994-04-13 | 田中貴金属工業株式会社 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
| JPH0669054B2 (ja) * | 1986-04-09 | 1994-08-31 | 田中貴金属工業株式会社 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
| JPH0669055B2 (ja) * | 1986-05-28 | 1994-08-31 | 田中貴金属工業株式会社 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
| JPH0671035B2 (ja) * | 1986-05-28 | 1994-09-07 | 田中貴金属工業株式会社 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−バ |
-
1984
- 1984-06-29 JP JP9694484U patent/JPS6114389U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6114389U (ja) | 1986-01-28 |
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