KR970077609A - 리드 에어 브리지를 갖는 집적회로 구조 및 그것을 제조하기 위한 방법 - Google Patents

리드 에어 브리지를 갖는 집적회로 구조 및 그것을 제조하기 위한 방법 Download PDF

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Abstract

에어 브리지 구조(102)는 유리 리드 기판의 공동에 형성되어 있다. 상기 에어 브리지 구조는 집적회로에 결합된 에어 브리지 구조를 제공하도록 디바이스 웨이퍼에 있는 집적회로에 접합된다.

Description

리드 에어 브리지를 갖는 집적회로 구조 및 그것을 제조하기 위한 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 디바이스에서 개방공간 위에 중착된 유도자를 형성하는 도전성부재를 가지며 디바이스에서 개방공간의 인클로저의 손상과 오염이 방지되는 에워싸여지고 접합된(bonded) 다층 디바이스가 제공되는 집적회로의 단면도이다.

Claims (10)

  1. 집적회로 위에 에어 브리지를 형성하기 위한 방법에 있어서 : 공동을 갖도록 유리 웨이퍼를 식각하는 단계와; 공동에 금속도체를 형성하는 단계와; 유리 웨이퍼 공동에 있는 집적회로를 에워싸기 위해 유리 웨이퍼를 집적회로와 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리드 에어 브리지를 갖는 집적회로 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유리 웨이퍼의 표면상에 금속 콘택을 형성하며, 상기 금속 콘택은 공동에서 도체에 결합되고 집적회로에 전기적으로 결합된 추가 콘택으로 배열되는 것을 특징으로 하는 리드에어 브리지를 갖는 집적회로 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 공동은 나선형 트랜치를 포함하는 것을 특징으로 하는 리드에어 브리지를 갖는 집적회로 제조방법.
  4. 에어 브리지 인클로저를 가지는 집적회로에 있어서 : 집적회로를 갖는 기판과; 상기 집적회로의 적어도 일부분을 에워싸는 공동을 가지는 유리 웨이퍼와; 상기 공동 및 상기 집적회로의 상기 에워싸여진 부분에서의 금속도체와; 바람직하게는 금속도체가 유도자인 집적회로에 공동에서의 금속도체를 결합하는 금속 콘택을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  5. 제4항에 있어서, 공동은 나선형 트랜치를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  6. 에어 브리지를 갖는 집적회로를 제조하기 위한 방법에 있어서 : 리드 웨이퍼의 표면에 하나 혹은 그 이상의 공동을 형성하도록 절연 리드 웨이퍼의 일부를 제거하는 단계와; 적어도 한 공동의 표면에 하나 혹은 그 이상의 금속 리드선(leads)을 형성하는 단계와; 리드 웨이퍼를 하나 혹은 그 이상의 집적회로를 포함하는 디바이스 웨이퍼와 결합시키는 단계를 포함하며, 상기 리드 웨이퍼는 2산화규소를 포함하고 디바이스 웨이퍼는 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  7. 제6항에 있어서, 적어도 하나의 금속 리드선에 결합되는 리드 웨이퍼 표면에 하나 혹은 그 이상의 금속 범프를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 금속 범프는 적어도 하나의 금속 리드선에 결합되며, 유도자를 제공하는 공동에 형성된 연속적인 금속리드선이 있는 것을 특징으로 하는 리드 에어 브리지를 갖는 집적회로 제조방법.
  8. 제1항 내지 제3항, 그리고 제6항 또는 제7항 중 어느 항에 있어서, 커패시터의 판을 제공하도록 적어도 하나의 공동에 형성된 금속층이 주어지며, 리드 웨이퍼와 디바이스 웨이퍼를 접합하기 위한 상기의 적어도 하나의 공동을 에워싸는 금속 에지 밀봉을 포함하는 것을 특징으로 하는 리드 에어 브리지를 갖는 집적회로 제조방법.
  9. 에어 브리지를 갖는 집적회로를 제조하기 위한 방법에 있어서 : 리드 웨이퍼의 표면에 적어도 하나의 트랜치를 형성하도록 절연 리드 웨이퍼의 일부를 제거하는 단계와; 상기의 적어도 하나의 트랜치를 금속으로 채우는 단계와; 리드 웨이퍼를 하나 혹은 그 이상의 집적회로를 포함하는 디바이스 웨이퍼와 접합하는 단계와; 리드 웨이퍼의 표면에 하나 혹은 그 이상의 범퍼를 형성하는 단계를 포함하며; 상기 금속 범프는 금속으로 채운 트랜치에 결합되고, 바람직하게는 트랜치는 연속적인 나선형 패턴을 가지고 유도자를 형성하는 것을 특징으로 하는 리드 에어 브리지를 갖는 집적회로 제조방법.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 적어도 두 개의 트랜치와, 다른 트랜치로부터 조절된 거리로 공간이 유지된 각각의 트랜치와, 커패시터를 형성하기 위해 트랜치를 금속으로 채우는 것과, 상기 홈은 서로 맞물려지고 혹은 바람직하게 상기 트랜치는 동심의 나선형인 것을 특징으로 하는 리드 에어 브리지를 갖는 집적회로 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6222212B1 (en) * 1994-01-27 2001-04-24 Integrated Device Technology, Inc. Semiconductor device having programmable interconnect layers
US6563192B1 (en) 1995-12-22 2003-05-13 Micron Technology, Inc. Semiconductor die with integral decoupling capacitor
US6285070B1 (en) * 1995-12-22 2001-09-04 Micron Technology, Inc. Method of forming semiconductor die with integral decoupling capacitor
FR2748156B1 (fr) * 1996-04-26 1998-08-07 Suisse Electronique Microtech Dispositif comprenant deux substrats destines a former un microsysteme ou une partie d'un microsysteme et procede d'assemblage de deux substrats micro-usines
FR2765399B1 (fr) * 1997-06-27 2001-12-07 Sgs Thomson Microelectronics Dispositif semi-conducteur a moyen d'echanges a distance
DE19734509C2 (de) * 1997-08-08 2002-11-07 Infineon Technologies Ag Leistungstransistorzelle
KR100268906B1 (ko) * 1997-09-29 2000-10-16 김영환 반도체소자의인덕터제조방법
US6683384B1 (en) * 1997-10-08 2004-01-27 Agere Systems Inc Air isolated crossovers
EP0915513A1 (en) * 1997-10-23 1999-05-12 STMicroelectronics S.r.l. High quality factor, integrated inductor and production method thereof
FR2780546B1 (fr) * 1998-06-29 2003-05-16 Memscap Circuit integre monolithique comprenant une inductance plane ou un transformateur plan, et procede de fabrication d'un tel circuit
FR2785449B1 (fr) * 1998-10-29 2002-11-29 Commissariat Energie Atomique Systeme d'assemblage de substrats a zones d'accrochage pourvues de cavites
US6534340B1 (en) * 1998-11-18 2003-03-18 Analog Devices, Inc. Cover cap for semiconductor wafer devices
JP2003504876A (ja) * 1999-07-10 2003-02-04 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 半導体デバイス及びその製造方法
US6759746B1 (en) * 2000-03-17 2004-07-06 Robert Bruce Davies Die attachment and method
WO2002001638A2 (en) * 2000-06-30 2002-01-03 Jds Uniphase Corporation Microelectronic packages including reactive components, and methods of fabricating the same
KR100407472B1 (ko) * 2001-06-29 2003-11-28 삼성전자주식회사 트렌치가 형성된 상부 칩을 구비하는 칩 적층형 패키지소자 및 그 제조 방법
US6744114B2 (en) * 2001-08-29 2004-06-01 Honeywell International Inc. Package with integrated inductor and/or capacitor
US6617686B2 (en) * 2002-02-08 2003-09-09 Robert B. Davies Semiconductor device and method of isolating circuit regions
KR100438160B1 (ko) * 2002-03-05 2004-07-01 삼성전자주식회사 인덕터와 캐패시터를 갖는 소자 및 그의 제작방법
JP4692708B2 (ja) * 2002-03-15 2011-06-01 Dowaメタルテック株式会社 セラミックス回路基板およびパワーモジュール
KR100447851B1 (ko) * 2002-11-14 2004-09-08 삼성전자주식회사 반도체장치의 플립칩 방식 측면 접합 본딩 방법 및 이를이용한 mems 소자 패키지 및 패키지 방법
JP4291164B2 (ja) 2004-01-08 2009-07-08 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波装置
US7274050B2 (en) * 2004-10-29 2007-09-25 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Packaging and manufacturing of an integrated circuit
US8981876B2 (en) 2004-11-15 2015-03-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements
KR100712517B1 (ko) 2005-07-14 2007-04-30 삼성전자주식회사 에어 갭 구조를 갖는 반도체 소자의 인터포저
US20070246805A1 (en) * 2006-04-25 2007-10-25 Ligang Zhang Multi-die inductor
US8860178B2 (en) * 2006-07-03 2014-10-14 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device having an inductor
JP2008205422A (ja) * 2006-07-03 2008-09-04 Nec Electronics Corp 半導体装置
US20080131662A1 (en) * 2006-12-05 2008-06-05 Jordan Larry L Alignment of a cap to a MEMS wafer
US8212155B1 (en) * 2007-06-26 2012-07-03 Wright Peter V Integrated passive device
JP4815623B2 (ja) * 2007-09-07 2011-11-16 三菱電機株式会社 高周波受動素子およびその製造方法
US8796904B2 (en) 2011-10-31 2014-08-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer
US9243316B2 (en) 2010-01-22 2016-01-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation
US8546757B2 (en) * 2010-04-28 2013-10-01 L-3 Communications Corporation Pixel structure for microbolometer detector
US8865522B2 (en) 2010-07-15 2014-10-21 Infineon Technologies Austria Ag Method for manufacturing semiconductor devices having a glass substrate
US8202786B2 (en) 2010-07-15 2012-06-19 Infineon Technologies Austria Ag Method for manufacturing semiconductor devices having a glass substrate
US9029200B2 (en) 2010-07-15 2015-05-12 Infineon Technologies Austria Ag Method for manufacturing semiconductor devices having a metallisation layer
RU2449263C1 (ru) * 2010-09-08 2012-04-27 Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева" Устройство и способ контроля лучистых потоков при наземных тепловакуумных испытаниях космических объектов
US8962443B2 (en) 2011-01-31 2015-02-24 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same
US9490418B2 (en) 2011-03-29 2016-11-08 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator comprising collar and acoustic reflector with temperature compensating layer
US9490771B2 (en) 2012-10-29 2016-11-08 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator comprising collar and frame
US9401692B2 (en) 2012-10-29 2016-07-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator having collar structure
JP5640892B2 (ja) * 2011-05-23 2014-12-17 三菱電機株式会社 半導体装置
JP6056177B2 (ja) * 2012-04-11 2017-01-11 セイコーエプソン株式会社 ジャイロセンサー、電子機器
US9385684B2 (en) 2012-10-23 2016-07-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator having guard ring
DE102014105077B4 (de) * 2013-04-18 2024-01-18 Infineon Technologies Austria Ag Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit einem Glassubstrat, sowie Halbleiterbauelement
DE102014210862B4 (de) * 2014-06-06 2022-10-06 Robert Bosch Gmbh Bauteil mit zwei Halbleiter-Bauelementen, zwischen denen mindestens zwei hermetisch dichte Kavernen ausgebildet sind, und Verfahren zum Herstellen einer entsprechenden Bondverbindung zwischen zwei Halbleiter-Bauelementen
JP6227580B2 (ja) * 2015-03-03 2017-11-08 ファナック株式会社 板金と樹脂から作製された基板、該基板を備えたモータ、および半田付け方法
CN105261569A (zh) * 2015-09-02 2016-01-20 业成光电(深圳)有限公司 用于电子装置的绝缘基板的盲孔的制造方法
KR102409479B1 (ko) * 2017-10-26 2022-06-16 한국전자기술연구원 웨이퍼 레벨 허메틱 패키지 제조방법

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3648131A (en) * 1969-11-07 1972-03-07 Ibm Hourglass-shaped conductive connection through semiconductor structures
JPS562667A (en) * 1979-06-20 1981-01-12 Hitachi Ltd Semiconductor device and manufacture thereof
JPS5612770A (en) * 1979-07-11 1981-02-07 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacturing device
US4675717A (en) * 1984-10-09 1987-06-23 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Water-scale-integrated assembly
CA1226966A (en) * 1985-09-10 1987-09-15 Gabriel Marcantonio Integrated circuit chip package
US4807021A (en) * 1986-03-10 1989-02-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having stacking structure
US5267020A (en) * 1987-10-06 1993-11-30 Stanford University Gallium arsenide monolithically integrated sampling head using equivalent time sampling having a bandwidth greater than 100 ghz
DE3850855T2 (de) * 1987-11-13 1994-11-10 Nissan Motor Halbleitervorrichtung.
WO1991013464A1 (en) * 1990-02-26 1991-09-05 Cray Research, Inc. Reduced capacitance chip carrier
FR2659494B1 (fr) * 1990-03-09 1996-12-06 Thomson Composants Microondes Composant semiconducteur de puissance, dont la puce est montee a l'envers.
US5319237A (en) * 1990-03-09 1994-06-07 Thomson Composants Microondes Power semiconductor component
JPH04215458A (ja) * 1990-12-14 1992-08-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置のエアーブリッジ配線
US5198963A (en) * 1991-11-21 1993-03-30 Motorola, Inc. Multiple integrated circuit module which simplifies handling and testing
JP2982441B2 (ja) * 1991-11-29 1999-11-22 日本電気株式会社 マイクロ波モノリシック集積回路
WO1994017558A1 (en) * 1993-01-29 1994-08-04 The Regents Of The University Of California Monolithic passive component
US5366932A (en) * 1993-04-26 1994-11-22 Harris Corporation Semi-conductor chip packaging method and semi-conductor chip having interdigitated gate runners with gate bonding pads
JP3350152B2 (ja) * 1993-06-24 2002-11-25 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3054021B2 (ja) * 1993-12-27 2000-06-19 株式会社東芝 化合物半導体装置
JP3123343B2 (ja) * 1994-05-11 2001-01-09 富士電機株式会社 安定化電源装置とその製造方法
JPH0897375A (ja) * 1994-07-26 1996-04-12 Toshiba Corp マイクロ波集積回路装置及びその製造方法

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Publication number Publication date
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