NL194900C - Interne spanningsconvertor van een geïntergreerde halfgeleiderschakeling. - Google Patents

Interne spanningsconvertor van een geïntergreerde halfgeleiderschakeling. Download PDF

Info

Publication number
NL194900C
NL194900C NL9000482A NL9000482A NL194900C NL 194900 C NL194900 C NL 194900C NL 9000482 A NL9000482 A NL 9000482A NL 9000482 A NL9000482 A NL 9000482A NL 194900 C NL194900 C NL 194900C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
circuit
voltage
output
detector
charge pump
Prior art date
Application number
NL9000482A
Other languages
English (en)
Other versions
NL194900B (nl
NL9000482A (nl
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of NL9000482A publication Critical patent/NL9000482A/nl
Publication of NL194900B publication Critical patent/NL194900B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL194900C publication Critical patent/NL194900C/nl

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/06—Modifications for ensuring a fully conducting state
    • H03K17/063—Modifications for ensuring a fully conducting state in field-effect transistor switches
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current 
    • G05F1/46—Regulating voltage or current  wherein the variable actually regulated by the final control device is DC
    • G05F1/462—Regulating voltage or current  wherein the variable actually regulated by the final control device is DC as a function of the requirements of the load, e.g. delay, temperature, specific voltage/current characteristic
    • G05F1/465—Internal voltage generators for integrated circuits, e.g. step down generators
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current 
    • G05F1/46—Regulating voltage or current  wherein the variable actually regulated by the final control device is DC
    • G05F1/56—Regulating voltage or current  wherein the variable actually regulated by the final control device is DC using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/59—Regulating voltage or current  wherein the variable actually regulated by the final control device is DC using semiconductor devices in series with the load as final control devices including plural semiconductor devices as final control devices for a single load
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/145—Applications of charge pumps; Boosted voltage circuits; Clamp circuits therefor
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
    • H02M3/02—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC
    • H02M3/04—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters
    • H02M3/06—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
    • H02M3/02—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC
    • H02M3/04—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters
    • H02M3/06—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • H02M3/073—Charge pumps of the Schenkel-type
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/30—Modifications for providing a predetermined threshold before switching
    • H03K17/302—Modifications for providing a predetermined threshold before switching in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0036—Means reducing energy consumption

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Description

1 194900
Interne spanningsconvertor van een geïntegreerde halfgeleiderschakeling
De uitvinding heeft betrekking op een interne spanningsconvertor in een geïntegreerde halfgeleiderschakeling, omvattende een oscillator voor het opwekken van een vierkantsgolfsignaal, een parallel 5 geschakelde hoofdschakeling en subschakeling voor het verschaffen van een uitgangsvoedingsspanning, welke schakelingen ieder een buffer en een ladingspompschakeling hebben, en een detector en een op de j detector aangesloten combinatorisch middel voor het besturen van een buffer van ten minste een van de parallel geschakelde schakelingen.
Een dergelijke interne spanningsconvertor is bekend uit EP-A-0.173.980.
10 Een dergelijke interne spanningsconvertor wordt toegepast in geïntegreerde schakelingen, omdat bij de voortschrijdende miniaturisering van dergelijke schakelingen zich problemen voordoen ten aanzien van de afnemende betrouwbaarheid van de transistor voor de conventionele voedingsspanning en de toename in het energieverbruik van dergelijke halfgeleiderschakelingen. In de bekende interne spanningsconvertor leveren de hoofdschakeling en de subschakeling, indien beide aangeschakeld zijn, gelijktijdig periodiek de 15 uitgangsvoedingsspanning, hetgeen tot een onregelmatige energietoevoer leidt.
Met de uitvinding is beoogd in een interne spanningsconvertor te voorzien, waarbij de hoofdschakeling en de subschakeling afwisselend de voedingsspanning leveren, waardoor een regelmatige energietoevoer ontstaat.
De interne spanningsconvertor volgens de uitvinding is er daartoe gekenmerkt dat op ieder van de 20 ladingspompschakelingen vermogensdelen zijn aangesloten die uitgangszijdig een gemeenschappelijke knooppunt bezitten waarop tevens de detector is aangesloten, en dat één van de buffers voorzien is van een faseopwekmiddel, voor het verschaffen van een faseverschil van 180° tussen de uitgangs-signalen van de buffers. Op deze wijze wordt gerealiseerd, dat indien beide schakelingen aangeschakeld zijn, de hoofdschakeling en subschakeling afwisselend de voedingsspanning leveren.
25 In een uitvoeringsvorm van de spanningsconvertor is de detector voorzien van een hulpschakeling die uitgangszijdig gekoppeld is met de ladingspompschakeling die tevens via deze ladingspompschakeling aansturende buffer door de detector ingangszijdig wordt bestuurd voor het verzekeren dat bij onderbreking van het functioneren van de buffer tegelijkertijd het functioneren van de ladingspompschakeling wordt onderbroken.
30 leder der vermogensdelen kan voorzien worden van een uitgangsvermogenstransistor en een instel-schakeling voor de besturing van die transistor, welke schakeling ontworpen is voor het beperken van de overmaatspanning aan de uitgang van genoemde transistor boven een vooringestelde constante spanningswaarde.
Opgemerkt wordt dat als zodanig uit de Duitse octrooiaanvrage DE-A-2.920.966 de toepassing van een 35 vermogensdeel dat voorzien is van een uitgangsvermogenstransistor bekend is, terwijl uit de Duitse octrooiaanvrage DE-A-3.814.667 een schakeling bekend is voor het beperken van de uitgangsvoedingsspanning boven een vooringestelde constante spanningswaarde.
Daarnaast is de spanningsconvertor volgens de uitvinding nie beperkt tot één hoofdschakeling en één subschakeling, maar kan meer dan één parallel geschakelde hoofdschakeling en subschakeling omvatten.
40
De uitvinding wordt hierna toegelicht aan de hand van de tekening.
Figuur 1 is een biokscnema van een interne spanningsconvertor in een geïntegreerde halfgeleiderschakeling voorzien van een faseopwekmiddel;
Figuur 2 geeft een uitvoeringsvorm weer van een interne spanningsconvertor in een geïntegreerde 45 halfgeleiderschakeling voozien van een faseopwekmiddel;
Figuur 3 geeft een instelcircuit weer;
Figuur 4 toont een tijd-diagram van de spanningsconvertor voorzien van een faseopwekmiddel en;
Figuur 5 toont interne spanning van de interne spanningsconvertor in een geïntegreerde halfgeleiderschakeling voorzien van een faseopwekmiddel.
50
Figuur 1 toont een blokschema van een interne spanningsconvertor in de geïntegreerde halfgeleiderschakeling voorzien van een faseopwekmiddel. Deze interne spanningsconvertor is verdeeld in een subschakeling of subcircuit 10 en een hoofdschakeling of hoofdcircuit 20. Het subdrcuit 10 en het hoofdcircuit 20 omvatten respectievelijk de buffers 2 en 2' voor het doorgegeven van het uitgangssignaal 55 van de oscillator 1, de ladingspompdelen 3 en 3' voor het opwekken van het door een parameter bekrachtigde uitgangssignaal uit het ontvangen uitgangssignaal van de buffers 2 en 2! en de vermogensdelen 4 en 4' voor het leveren van de voedingsspanning VOUT uit het ontvangen uitgangssignaal van het ladingspomp- 194900 2 deel 3 en 3'. De uit invertors of Schmitt-trekkers opgebouwde oscillator 1 is met beide buffers 2 en 2' van respectievelijk het subcircuit 10 en het hoofdcircuit 20 verbonden en het gemeenschappelijke knooppunt G van de vermogensdelen 4 en 4' is aangesloten op een detector 5.
De detector 5 levert een besturingssignaal dat afhankelijk is van de toestand van de uitgangsvoedings-5 spanning VOUT, aan de buffer 2' van het hoofdcircuit 20. Er is een faseverschil van 180° aanwezig tussen het uitgangssignaal van de buffer van het hoofdcircuit 20, welke door de uitgang van de detector 5 wordt bestuurd, en dat van de buffer van het subcircuit 10, welke niet door de uitgang van de detector 5 wordt bestuurd. De vermogensdelen 4 en 4' van het subcircuit 10 respectievelijk het hoofdcircuit 20 leveren derhalve afwisselend de voedingsspanning. In het weergegeven geval is de oscillator 1 gemeenschappelijk 10 aangesloten op de buffers 2 en 2' van beide circuit 10 en 20. De interne spanningsconvertor kan meerdere parallel geschakelde hoofdcircuits en subcircuits omvatten.
Bij de interne spanningsconvertor volgens figuur 1 wordt het uitgangssignaal van de oscillator 1 geleverd aan het iadingspompdeel 3 via de buffer 2 en het door een parameter bekrachtigde uitgangssignaal wordt via het vermogensdeel 4 geleverd als de voedingsspanning VOUT.
15 Hierbij wordt de uitgangsspanning van het subcircuit 10 gebruikt als de standby-spanning. De detector 5 detecteert de spanning van de uitgangstrap, waarbij indien de voedingsspanning VOUT abrupt daalt in geval van het leveren van de startspanning of het sturen van de op de uitgangstrap aangesloten belasting, de detector 5 het hoofdcircuit 20 aanstuurt voor het leveren van de noodzakelijke stroom voor het leveren van de startspanning of het sturen van de belasting. Hiertoe moet de grootte van het onderdeel in het subcircuit 20 10 voor het leveren van de standby-spanning klein zijn, terwijl die van het onderdeel in het hoofdcircuit 20, dat werkt overeenkomstig de toestand van de interne spanning of bedrijfsomstandigheden, groot moet zijn.
Figuur 2 toont een diagram van een gerealiseerde schakeling van de interne spanningsconvertor in de geïntegreerde halfgeleiderschakeling. Volgens figuur 2 bestaat de oscillator 1 uit drie invertors 11,12 en I3. Deze oscillator kan ook uit Schmitt-trekkers bestaan. De oscillator 1 wekt de vierkantsgolf op.
25 De buffer 2 omvat eveneens drie invertors I6-I8. De ladingspompdelen 3 en 3' omvatten elk MOS-transistors M1 en M4 voor het vormen van de condensators en verdere transistors M2-M3 respectievelijk M5-M6. Voorts zijn de vermogensdelen 4 en 4' voorzien van instelcircuits 7 en 7' voor het begrenzen van de spanning op een constante waarde en vermogenstransistors M8 respectievelijk M9. De detector 5, die de uitgangsspanning VOUT terugkoppelt naar de ingangszijde, omvat spanningsdelerweerstanden R1, R2, 30 invertors I9, 110 en een MOS-transistor M7 voor het begrenzen van het uitgangssignaal. Voorts is één ingang van een NEN-poort ND4, die zich in de buffer 2' bevindt, welke bestaat uit deze poort ND4 en een invertor I5, verbonden met het knooppunt E tussen de twee invertors I9 en 110.
De hiervoor beschreven schakeling zal nu in detail aan de hand van figuur 2 worden beschreven. De oscillator 1 levert de vierkantsgolf met een bepaalde frequentie aan een knooppunt A. De spanning op het 35 knooppunt A wordt toegevoerd aan de buffers 2 en 2', waardoor de ladingspompdelen 3 respectievelijk 3' worden gestuurd. Het uitgangssignaal van de buffer 2 wordt toegevoerd aan de MOS-condensatortransistor M4 en de uitgangsspanning wordt door de vierkantsgolfspanning over de condensator gepompt. De MOS-transistor M6 levert de bekrachtigde spanning aan het vermogensdeel 4.
De werking van het andere Iadingspompdeel 3' is hetzelfde als die van het deel 3. De vermogensdelen 4 40 en 4' sturen de MOS-vermogenstransistors M8 en M9 onder besturing van de instelcircuits 7 en 7' zodanig dat de interne voedingsspanning VOUT aan de halfgeleider-chip wordt geleverd. De op het knooppunt G aangesloten detector 5 detecteert de uitgangsspanning VOUT en levert deze na spanningsdeling door de weerstanden R1 en R2. De invertor 19 beperkt een poortbaan naar het knooppunt B van de buffer 2' door het detecteren van de interne spanning. Wanneer de interne spanning van het geïntegreerde circuit omlaag 45 gaat, wordt het signaal van hoog niveau van de invertor 19 geleverd aan een ingangsklem van de NEN-poort ND4, zodat de poort ND4 een signaal van laag niveau levert. Nadat dit signaal naar het hoge niveau is geïnverteerd door de invertor 15, wordt het geleverd aan het Iadingspompdeel 3' voor het verhogen van de voedingsspanning VOUT bij de uitgangstrap.
Wanneer daarentegen de interne spanning toeneemt, bevindt het toestandssignaal, dat wordt gedeeld 50 door de weerstanden R1 en R2, zich op een hoog niveau en wordt geïnverteerd naar het lage niveau door de invertor I9. De uitgang van de NEN-poort ND4 komt op het hoge niveau en het door de invertor !5 geïnverteerde signaal van het lage niveau wordt geleverd aan het Iadingspompdeel 3', waardoor de werking van dit Iadingspompdeel wordt afgebroken. Het signaal van laag niveau op het knooppunt E wordt door de invertor 110 op een hoog niveau gebracht, waardoor de MOS-transistor M9 met zekerheid wordt uitgescha-55 keld.
De detector 5 bestuurt derhalve de aan/uit-werking van het hoofdcircuit 20 door het besturen van de poortbaan van de buffer 2', wanneer de schakeling standby is, werkt alleen het subcircuit 10 voor het

Claims (4)

1. Interne spanningsconvertor in een geïntegreerde halfgeleiderschakeling, omvattende 30 een oscillator voor het opwekken van een vierkantsgolfsignaal, een parallel geschakelde hoofdschakeling en subschakeling voor het verschaffen van een uitgangs-voedingsspanning, welke schakelingen ieder een buffer en een ladingspompschakeling hebben, en een detector en een op de detector aangesloten combinatorisch middel voor het besturen van een buffer van ten minste een van de parallel geschakelde schakelingen, met het kenmeik, dat op ieder van 35 de ladingspompschakelingen vermogensdelen zijn waarvan de uitgangen een gemeenschappelijke knooppunt welke is aangesloten op de ingang van de detector, en dat één van de buffers voorzien is van een faseopwekmiddel, voor het verschaffen van een faseverschil van 180° tussen de uitgangssignalen van de buffers.
2. Interne spanningsconvertor volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de detector een hulpschakeling 40 heeft die uitgangszijdig gekoppeld is met de ladingspompschakeling die tevens via deze ladingspompschakeling aansturende buffer door de detector ingangzijdig wordt bestuurd voor het verzekeren dat bij onderbreking van het functioneren van de buffer tegelijkertijd het functioneren van de ladingspompschakeling wordt onderbroken.
3. Interne spanningsconvertor volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat ieder der vemogensdelen een 45 uitgangsvermogenstransistor heeft en voorzien is van een instelschakeling voor de besturing van die transistor, welke schakeling ontworpen is voor het beperken van de overmaatspanning aan de uitgang van genoemde transistor boven een vooringestelde constante spanningswaarde.
3 194900 leveren van de voedingsspanning VOUT aan de geïntegreerde schakeling, terwijl in het geval van de ' voeding zowel het subcircuit 10 als het hoofdcircuit 20 actief zijn voor het leveren van de spanning VOUT. Figuur 3 toont het schema van een gerealiseerd instelcircuit, waarbij het vermogensdeel 4 is weergegeven dat op het ladingspompdeel 3 is aangesloten. Het instelcircuit 7 omvat in serie geschakelde MOS-5 transistors M14-M17, een weerstand R3 en een MOS-transistor M18. In het instelcircuit 7 doet de spanning, die wordt gedeeld door de als dioden werkende MOS-transistors M14-M17 en de weerstand R3 de transistor M18 aanschakelen, zodat het instelcircuit 7 een spanning boven een bepaalde constante spanning begrensd. De uitgangsspanning VOUT van de MOS-vermogenstransistor M8 wordt derhalve geklemd op ongeveer 4VT (waarbij VT een drempelspanning van de MOS-transistor is), zodat een stabiele 10 uitgangsspanning VOUT kan worden bereikt. Door middel van deze instelcircuits kan de interne voedingsspanning VOUT op een constant niveau worden gehouden onafhankelijk van de externe voedingsspanning. Het verband tussen de externe voedingsspanning VCC en de interne voedingsspanning VOUT is in figuur 5 weergegeven. Hierna zal de in figuur 4 weergegeven werking worden beschreven. In het geval, dat de grote stuur-15 capaciteit nodig is, zoals in figuur 4(a) is weergegeven, aangezien de interne spanning beneden het bepaalde spanningsniveau van de voedingsspanning VOUT ligt, geeft het hoge uitgangsniveau van de detector 5, het knooppunt B, de NEN-poort ND4 van de buffer 2' vrij, waardoor beide ladingspompcircuits 3 en 3' gelijktijdig worden gestuurd. Hierbij is de MOS-transistor M7 uitgeschakeld. In dit geval hebben de uitgangssignalen van de buffers 2 en Z een onderling faseverschil van 180°, zodat de vermogenstransistors 20 M8 en M9 van de vermogensdelen 4 en 4' afwisselend aan worden geschakeld. De externe voedingsspanning kan derhalve snel de interne spanning leveren. In geval van standby, zoals in figuur 4(b) is weergegeven, komt de uitgang van de detector 5 op het lage niveau en blokkeert de NEN-poort ND4 van de buffer 2'. Voorts wordt de MOS-transistor M7 aangeschakeld en het vermogensdeel 4' uitgeschakeld, zodat alleen het subcircuit 10 wordt gestuurd voor het beperken van het energieverbruik. 25
4. Interne spanningsconvertor volgens een der conclusies 1-3, met het kenmerk, dat deze meer dan één parallel geschakelde hoofdschakeling en subschakeling omvat. Hierbij 5 bladen tekening
NL9000482A 1989-06-10 1990-02-28 Interne spanningsconvertor van een geïntergreerde halfgeleiderschakeling. NL194900C (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019890008067A KR920010749B1 (ko) 1989-06-10 1989-06-10 반도체 집적소자의 내부전압 변환회로
KR890008067 1989-06-10

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL9000482A NL9000482A (nl) 1991-01-02
NL194900B NL194900B (nl) 2003-02-03
NL194900C true NL194900C (nl) 2003-06-04

Family

ID=19287014

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL9000482A NL194900C (nl) 1989-06-10 1990-02-28 Interne spanningsconvertor van een geïntergreerde halfgeleiderschakeling.

Country Status (9)

Country Link
US (1) US5072134A (nl)
JP (1) JP2902434B2 (nl)
KR (1) KR920010749B1 (nl)
CN (1) CN1030020C (nl)
DE (1) DE4006306C2 (nl)
FR (1) FR2648291B1 (nl)
GB (1) GB2232829B (nl)
IT (1) IT1248749B (nl)
NL (1) NL194900C (nl)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2724919B2 (ja) * 1991-02-05 1998-03-09 三菱電機株式会社 基板バイアス発生装置
JPH04255989A (ja) * 1991-02-07 1992-09-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置および内部電圧発生方法
JP2945508B2 (ja) * 1991-06-20 1999-09-06 三菱電機株式会社 半導体装置
DE4130191C2 (de) * 1991-09-30 1993-10-21 Samsung Electronics Co Ltd Konstantspannungsgenerator für eine Halbleitereinrichtung mit kaskadierter Auflade- bzw. Entladeschaltung
IT1258242B (it) * 1991-11-07 1996-02-22 Samsung Electronics Co Ltd Dispositivo di memoria a semiconduttore includente circuiteria di pompaggio della tensione di alimentazione
KR940003301B1 (ko) * 1991-12-20 1994-04-20 주식회사 금성사 Ce버스 심볼 엔코딩 처리회로
KR950002015B1 (ko) * 1991-12-23 1995-03-08 삼성전자주식회사 하나의 오실레이터에 의해 동작되는 정전원 발생회로
KR960000619B1 (ko) * 1991-12-27 1996-01-10 후지쓰 가부시끼가이샤 일괄소거형의 불휘발성 반도체 기억장치 및 그의 구동제어회로
US5313111A (en) * 1992-02-28 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Substrate slew circuit providing reduced electron injection
US5359244A (en) * 1992-07-31 1994-10-25 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Gate drive circuit for a MOS power transistor
JP2831914B2 (ja) * 1992-09-30 1998-12-02 株式会社東芝 半導体集積回路装置
FR2696598B1 (fr) * 1992-10-01 1994-11-04 Sgs Thomson Microelectronics Circuit élévateur de tension de type pompe de charge avec oscillateur bootstrapé.
US5337284A (en) * 1993-01-11 1994-08-09 United Memories, Inc. High voltage generator having a self-timed clock circuit and charge pump, and a method therefor
JP3162564B2 (ja) * 1993-08-17 2001-05-08 株式会社東芝 昇圧回路及び昇圧回路を備えた不揮発性半導体記憶装置
DE69327164T2 (de) * 1993-09-30 2000-05-31 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Spannungserhöhungsschaltung zur Erzeugung von positiven und negativen erhöhten Spannungen
KR0124046B1 (ko) * 1993-11-18 1997-11-25 김광호 반도체메모리장치의 승압레벨 감지회로
US5461591A (en) * 1993-12-02 1995-10-24 Goldstar Electron Co., Ltd. Voltage generator for semiconductor memory device
JP3090833B2 (ja) * 1993-12-28 2000-09-25 株式会社東芝 半導体記憶装置
US5491439A (en) * 1994-08-31 1996-02-13 International Business Machines Corporation Method and apparatus for reducing jitter in a phase locked loop circuit
US5513225A (en) * 1994-08-31 1996-04-30 International Business Machines Corporation Resistorless phase locked loop circuit employing direct current injection
US5525932A (en) * 1994-08-31 1996-06-11 International Business Machines Corporation Lock indicator for phase locked loop circuit
US5502671A (en) * 1994-08-31 1996-03-26 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for a semiconductor memory configuration-dependent output buffer supply circuit
US5619161A (en) * 1994-08-31 1997-04-08 International Business Machines Corporation Diffrential charge pump with integrated common mode control
US5495207A (en) * 1994-08-31 1996-02-27 International Business Machines Corporation Differential current controlled oscillator with variable load
KR0137317B1 (ko) * 1994-12-29 1998-04-29 김광호 반도체 메모리소자의 활성싸이클에서 사용되는 승압회로
JP2738335B2 (ja) * 1995-04-20 1998-04-08 日本電気株式会社 昇圧回路
US5612644A (en) * 1995-08-31 1997-03-18 Cirrus Logic Inc. Circuits, systems and methods for controlling substrate bias in integrated circuits
JP2917914B2 (ja) * 1996-05-17 1999-07-12 日本電気株式会社 昇圧回路
GB2324423B (en) * 1997-04-16 1999-07-21 Lsi Logic Corp Charge pump
KR100319164B1 (ko) * 1997-12-31 2002-04-22 박종섭 다중레벨검출에의한다중구동장치및그방법
JP3566060B2 (ja) * 1998-01-29 2004-09-15 富士通株式会社 半導体装置
US6456152B1 (en) * 1999-05-17 2002-09-24 Hitachi, Ltd. Charge pump with improved reliability
US6278317B1 (en) 1999-10-29 2001-08-21 International Business Machines Corporation Charge pump system having multiple charging rates and corresponding method
US6275096B1 (en) * 1999-12-14 2001-08-14 International Business Machines Corporation Charge pump system having multiple independently activated charge pumps and corresponding method
DE10056293A1 (de) * 2000-11-14 2002-06-06 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer steuerbaren Ausgangsspannung
US6388506B1 (en) * 2000-12-15 2002-05-14 Marvell International, Ltd. Regulator with leakage compensation
DE10101558C1 (de) * 2001-01-15 2002-08-08 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Steuern einer Versorgungsschaltung und integrierte Schaltung (z.B. DRAM-Speicherbaustein)
KR100406558B1 (ko) * 2001-12-21 2003-11-20 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자의 전압 발생장치
EP1490742B1 (de) * 2002-04-03 2006-11-15 Infineon Technologies AG Spannungsregleranordnung
JP3539947B2 (ja) * 2002-06-20 2004-07-07 沖電気工業株式会社 パワー検出回路付リミティングアンプ
TWI293464B (en) * 2003-07-08 2008-02-11 Winbond Electronics Corp Two phase internal voltage generator
DE102004011458B4 (de) * 2004-03-09 2007-01-04 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zur Bereitstellung einer geregelten Betriebsspannung für einen Datenträger und Verfahren zur Ansteuerung eines NMOS-Längsregeltransistors
KR100605575B1 (ko) * 2004-06-30 2006-07-31 주식회사 하이닉스반도체 테스트 모드시 전하 펌프에서의 토글링 주기를 변경할 수있는 내부 전압 발생 회로 및 방법
KR100806127B1 (ko) * 2006-09-06 2008-02-22 삼성전자주식회사 피크 커런트를 감소시키는 파워 게이팅 회로 및 파워게이팅 방법
JP6090214B2 (ja) * 2014-03-19 2017-03-08 株式会社デンソー 電源回路

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54153565A (en) * 1978-05-24 1979-12-03 Nec Corp Semiconductor circuit using insulation gate type field effect transistor
US4460835A (en) * 1980-05-13 1984-07-17 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor integrated circuit device with low power consumption in a standby mode using an on-chip substrate bias generator
JPS57199335A (en) * 1981-06-02 1982-12-07 Toshiba Corp Generating circuit for substrate bias
US4439692A (en) * 1981-12-07 1984-03-27 Signetics Corporation Feedback-controlled substrate bias generator
JPS58105563A (ja) * 1981-12-17 1983-06-23 Mitsubishi Electric Corp 基板バイアス発生回路
US4733108A (en) * 1982-06-28 1988-03-22 Xerox Corporation On-chip bias generator
US4585954A (en) * 1983-07-08 1986-04-29 Texas Instruments Incorporated Substrate bias generator for dynamic RAM having variable pump current level
JPS60176121A (ja) * 1984-02-22 1985-09-10 Toshiba Corp 電圧降下回路
JPS6159688A (ja) * 1984-08-31 1986-03-27 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPS6199363A (ja) * 1984-10-19 1986-05-17 Mitsubishi Electric Corp 基板電位発生回路
JPS61163655A (ja) * 1985-01-14 1986-07-24 Toshiba Corp 相補型半導体集積回路
JPH0750552B2 (ja) * 1985-12-20 1995-05-31 三菱電機株式会社 内部電位発生回路
KR890005159B1 (ko) * 1987-04-30 1989-12-14 삼성전자 주식회사 백 바이어스 전압 발생기
US4794278A (en) * 1987-12-30 1988-12-27 Intel Corporation Stable substrate bias generator for MOS circuits
JPH0817033B2 (ja) * 1988-12-08 1996-02-21 三菱電機株式会社 基板バイアス電位発生回路

Also Published As

Publication number Publication date
KR910001774A (ko) 1991-01-31
US5072134B1 (nl) 1993-08-10
IT9020565A0 (nl) 1990-06-07
GB2232829B (en) 1994-03-23
NL194900B (nl) 2003-02-03
CN1030020C (zh) 1995-10-11
GB2232829A (en) 1990-12-19
GB9004426D0 (en) 1990-04-25
JPH0329510A (ja) 1991-02-07
IT1248749B (it) 1995-01-27
FR2648291A1 (fr) 1990-12-14
NL9000482A (nl) 1991-01-02
DE4006306A1 (de) 1990-12-20
JP2902434B2 (ja) 1999-06-07
CN1048122A (zh) 1990-12-26
US5072134A (en) 1991-12-10
IT9020565A1 (it) 1991-12-07
KR920010749B1 (ko) 1992-12-14
FR2648291B1 (fr) 1993-03-26
DE4006306C2 (de) 1996-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL194900C (nl) Interne spanningsconvertor van een geïntergreerde halfgeleiderschakeling.
US5815041A (en) High-speed and high-precision phase locked loop having phase detector with dynamic logic structure
US4891609A (en) Ring oscillator
EP0269185B1 (en) Switching device with dynamic hysteresis
EP0613246B1 (en) Wide-range variable delay line and ring oscillator
US5530640A (en) IC substrate and boosted voltage generation circuits
NL8703021A (nl) Geregelde cmos-substraatspanningsgenerator.
US5486795A (en) Low power crystal oscillator
NL192482C (nl) Stuurcircuit voor vermogens MOS-transistoren van balanstrappen.
NL9200057A (nl) Terugkoppelnetwerk voor cmos hoogspanningsgenerator om (e)eprom-geheugen cellen te programmeren.
EP0583586B1 (en) Charge pump in a phase lock loop
EP0357366B1 (en) Improved current mirror circuit
NL193335C (nl) Inrichting voor het opwekken van een golfvorm met tweevoudige helling.
JPH0488879A (ja) スイッチング電源装置
US6826248B2 (en) Phase locked loop circuit
US5467060A (en) Voltage controlled oscillator having a current mirror circuit as current source
US5589802A (en) Circuit for detecting the absence of an external component
US6437546B1 (en) DC-to-DC converter and electronic device using the same
EP0474673A1 (en) REDUCING THE CURRENT OF A SYNTHESIZER.
KR950001086B1 (ko) Cmos 파워-온 검출 회로
JPH0752842B2 (ja) フェイズロックル−プ集積回路
US5471512A (en) Phase-locked loop configuration
KR910007783B1 (ko) 반도체 소자에 음전하를 공급하기 위한 vbb 발생기
US6806736B2 (en) Circuit for a lossless capacitive pump
KR930007645B1 (ko) 반도체 장치의 기판전압 발생회로

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent

Effective date: 20100228