BE464530A - - Google Patents

Description

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  Procédé de préparation de sélénium, et cellules au sélénium comportant du sélénium préparé par ce procédé. 



   Le brevet néerlandais 52.391 décrit un procédé dans lequel pour augmenter la conductibilité du sélénium cristallin utilisé dans les cellules au sélénium, on   àjoute   au sélénium un halogénure qui, par tra.itement à l'eau ou à une substance   réacti-   ve alcaline se transforme en un oxyde métallique solide stable et indissoluble. 



   La Demanderesse a constaté que l'addition de tels halo- génures métalliques permet d'obtenir une excellente   conductibili-   té lorsqu'on ajoute au sélénium un mélange d'un ou de plusieurs halogénures métalliques et d'halogénures de sélénium, chauffé à l'abri de l'oxygène à une température   élevée, en   particulier supé- rieure à   150 C.   



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L'invention'est importante pour la fabrication de cellules au sélénium, en particulier pour la fabrication de redresseurs au sélénium. Sur le sélénium préparé conformément à l'invention, on peut appliquer une couche d'arrêt de la même manière que sur le sélénium préparé à l'aide d'un halogénure de métal suivant le brevet néerlandais 52.391. 



   L'invention sera. expliquée en détail à   1.'aide   de l'exem- ple suivant. 



   Un mélange   de 2   grammes de tétrachlorure de zirconium   ( ZrC14 ) et de 2 grammes de bichlorure de sélénium ( Se2 C12) est chauffé pendant six jours à une température de 2000 à l'abri de 1'   oxygène, par exemple dans le vide. Lorsqu'on chauffe à une tempe- rature plus élevée.(250 à 3000 ), le chauffage peut être moins long. Lorsqu'on dissout dans du sélénium purifié.fondu un peu du produit obtenu après le refroidissement, de couleur .sombre, et que l'on transforme ensuite le sélénium à l'état cristallin ' on obtient du sélénium meilleur conducteur de   l'électricité   que le sélénium uniquement additionné de tétrachlorure de zirconium. 



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On obtient de .neilleurs résultats encore en ajoutant le résidu qui subsiste lorsou'on soumet le mélange de tétrachlorure dezirconium et de chlorure de sélénium après le chauffage à une distillation dans le vide pour enlever les produits   volatils.,   en particulier le   bi-chlorure   de sélénium et le tétrachlorure de sélénium. Lorsque, dans du sélénium pur fondu, on dissout uns partie de résidu correspondant en poias à 0,01-   0,04%   du zirconium par rapport au sélénium, la résistivité du   sélénium   après le passage à l'état cristallin n'est que de   20   ohms:om environ.

Claims (1)

1. RESUME : 1. Procédé de préparation de sélénium, en particulier de sélénium destiné à la fabrication de cellules de sélénium, dans lequel, pour augmenter la conductibilité, on ajoute au sélénium une petite quantité d'halogénure de 'métal qu'un traitement à l'eau ou alcalin permet de transformer en un oxyde indissoluble, en particulier du tétrachlorure de zirconium. caractérisé par le fait qu'on chauffe, à l'abri de l'oxygène a une température élevée, en particulier supérieureà 150 C., un mélange d'halogénure de métal et d'halogenure de sélénium.

   2. Cellule au sélénium, en particulier redresseur au sélénium, dont l'électrode se:ni-conductrice est en sélénium préparé par le procédé spécifié sous 1.