HK51294A - Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same - Google Patents

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Claims (10)

  1. Integrierte Halbleiterschaltung mit    einem ersten MOSFET (12), der Teil einer internen Schaltung (1) ist, und    einem zweiten MOSFET (11), der Teil einer Eingangs-/Ausgangsschaltung (2) ist und den gleichen Leitfähigkeitstyp aufweist sowie auf dem gleichen Halbleitersubstrat (10) gebildet ist wie der erste MOSFET (12), und mit einem mit einem Bonding-Anschluß verbundenen Source/Drain-Gebiet (18) sowie einem Gate-Isolationsfilm (16) der gleichen Dicke wie derjenige des ersten MOSFETs (12) versehen ist,    dadurch gekennzeichnet, daß das Source/Drain-Gebiet (24) des ersten MOSFETs (12) ein erstes Halbleitergebiet (27) hoher Störstellenkonzentration und ein weiteres Halbleitergebiet (26), das eine niedrigere Störstellenkonzentration aufweist und dichter am Kanal gebildet ist als das erste Halbleitergebiet (27), umfaßt, und    daß das Source-Drain-Gebiet (18) des zweiten MOSFETs (11) ein drittes Halbleitergebiet (20) umfaßt, das in Kontakt mit dem Substrat (10) steht und eine höhere Störstellenkonzentration als das zweite Halbleitergebiet (26) des ersten MOSFETs (12) aufweist.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der erste und der zweite MOSFET (12, 11) N-Kanal MOSFETs sind und das erste, das zweite und das dritte Halbleitergebiet (27, 26, 20) entsprechenderweise Arsen, Phosphor und Phosphor als Störstoffe enthalten.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2 mit einem auf dem Halbleitersubstrat (10) gebildeten dritten MOSFET (13), eines zum ersten und zweiten MOSFET (12, 11) entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps.
  4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Störstellenkonzentration des dritten Halbleitergebiets (20) mindestens 1 x 10¹⁹/cm³ beträgt.
  5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, weiterhin umfassend:    Seitenwand-Abstandshalter (25, 22, 30), die an zwei Seitenwänden jeder der Gate-Elektroden (23, 17, 28) des ersten, zweiten und dritten MOSFETs (12, 11, 13) ausgebildet sind,    wobei das erste Halbleitergebiet (27) durch die Gate-Elektrode (23) des ersten MOSFETs (12) und die genannten Seitenwand-Abstandshalter (25) definiert wird und das genannte zweite Halbleitergebiet (26) von der Gate-Elektrode (23) des ersten MOSFETs (12) definiert wird.
  6. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Source/Drain-Gebiet (18) des zweiten MOSFETs (11) mindestens ein weiteres Halbleitergebiet (19, 21) mit einer niedrigeren Störstellenkonzentration als das dritte Halbleitergebiet (20) umfaßt.
  7. Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung mit einem ersten und einem zweiten MOSFET (12, 11), die auf dem Halbleitersubstrat (10) ausgebildet sind und entsprechenderweise einen Teil einer internen Schaltung und einer Eingangs/Ausgangsschaltung bilden, umfassend:    Bildung von Gate-Elektroden (23, 17) des ersten und zweiten MOSFETs (12, 11) auf dem Halbleitersubstrat (10),    Einbringen eines Störstoffs des ersten Leitfähigkeitstyps niedriger Konzentration in mindestens ein Gebiet, um den ersten MOSFET (12) zu bilden, indem die Gate-Elektroden (23, 17) als Maske verwendet werden, wodurch zweite Halbleitergebiete (19, 26) gebildet werden,    Bildung von Seitenwand-Abstandshaltern (25, 22) auf zwei Seitenwänden jeder der genannnten Gate-Elektroden (23, 17) des ersten und zweiten MOSFETs (12, 11),    Einbringen eines Störstoffs des ersten Leitfähigkeitstyps in ein Gebiet, um den zweiten MOSFET (11) zu bilden, indem die Gate-Elektrode (17) des zweiten MOSFETs (11) und deren genannte Seitenwand-Abstandshalter (22) als Maske verwendet werden, wodurch dritte Halbleitergebiete (20) als Source- und Drain-Gebiete (18) des zweiten MOSFETs (11) gebildet werden, wobei die Störstellenkonzentration der dritten Halbleitergebiete (20) höher als die der zweiten Halbleitergebiete (19) ist, und    Einbringen eines Störstoffs des ersten Leitfähigkeitstyps in mindestens das zur Bildung des ersten MOSFETs (12) vorgesehene Gebiet, indem die genannte Gate-Elektrode (23) und die Seitenwand-Abstandshalter (25) als Maske verwendet werden, wodurch erste Halbleitergebiete (27) gebildet werden, wobei die Störstellenkonzentration der ersten Halbleitergebiete (27) höher als die der zweiten Halbleitergebiete (26) ist und das Source- oder Drain-Gebiet (24) des zweiten MOSFETs (11) aus den zweiten und ersten Halbleitergebieten (26, 27) gebildet ist.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei die ersten und zweiten MOSFETs (12, 11) N-Kanal MOSFETs sind und das genannte erste, das zweite und das dritte Halbleitergebiet (27, 26, 20) entsprechenderweise durch Einbringen von Arsen, Phosphor und Phosphor gebildet werden.
  9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, wobei die ersten Halbleitergebiete (27) lediglich im ersten MOSFET (12) gebildet werden.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, wobei ein Widerstand R gebildet wird, dessen eines Ende mit dem Source- oder Drain-Gebiet (18) des zweiten MOSFETs (11) und dessen anderes Ende mit einem Bonding-Anschluß (BP) verbunden ist, wobei der Widerstand von einem im gleichen Schritt wie das dritte Halbleitergebiet (20) hergestellten Halbleitergebiet gebildet wird.
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