JP2000241817A

JP2000241817A - 液晶素子とその駆動方法

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Publication number: JP2000241817A
Application number: JP3934699A
Authority: JP
Inventors: Koichi Sato; 公一佐藤; Yukio Haniyu; 由紀夫羽生; Koji Noguchi; 幸治野口; Tsuneki Nukanobu; 恒樹糠信; Mineto Yagyu; 峰人柳生; Masahiro Terada; 匡宏寺田
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-02-18
Filing date: 1999-02-18
Publication date: 2000-09-08

Abstract

(57)【要約】【課題】残像や経時的な配向の劣化、焼き付き等の改
善されたアクティブマトリクスタイプのカイラルスメク
チック液晶素子を構成する。【解決手段】双安定性で且つ相異なる安定状態へのス
イッチングしきい値電圧に１００ｍＶ以上の差を生じる
ように、非対称セルを構成し、より安定な状態へリセッ
トした後、不安定な状態へのスイッチングによって階調
表示を行い、該表示を行う期間の前或いは後に、非表示
期間を設けて、上記表示期間に印加した電圧をは極性の
反転した電圧を印加することによって、非ホールド型表
示を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フラットパネルデ
ィスプレイ、プロジェクションディスプレイ、プリンタ
等に用いられる液晶素子とその駆動方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より最も広範に用いられてきている
ディスプレイとしては、ＣＲＴが、テレビやＶＴＲなど
の動画出力、或いはパソコン等のモニターとして広く知
られている。しかしながらＣＲＴはその特性上、静止画
像に対してはフリッカや解像度不足による走査縞等が視
認性を低下させたり、焼き付きによる蛍光体の劣化が起
こったりする。また、最近ではＣＲＴが発生する電磁波
が人体に悪影響を与えることがわかり、ＶＤＴ作業者の
健康を害することが懸念されている。そして、ＣＲＴは
その構造上、画面後方に広く体積を有することが必須で
あることから、情報機器の利便性を著しく阻害し、オフ
ィス、家庭の省スペース化を阻害している。

【０００３】このようなＣＲＴの欠点を解決するものと
して液晶素子がある。例えば、Ｍ．シャット（Ｍ．Ｓｃ
ｈａｄｔ）とＷ．ヘルフリッヒ（Ｗ．Ｈｅｌｆｒｉｃ
ｈ）著、アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐ
ｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ）第１８
巻、第４号（１９７１年２月１５日発行）第１２７頁〜
１２８頁において示されたツイステッドネマチック（Ｔ
ｗｉｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）液晶を用いたものが知ら
れている。近年、このタイプの液晶を用い、ＴＦＴ（Ｔ
ｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ，薄膜トラン
ジスタ）をアクティブ素子として用いて構成したアクテ
ィブマトリクスタイプ、いわゆるＴＦＴ型と呼ばれる液
晶素子の開発、製品化が行われている。このタイプは一
つ一つの画素にトランジスタを作製するものであり、ク
ロストークの問題が無く、また、近年の急速な生産技術
の進歩によって１０〜１２インチクラスのディスプレイ
が良い生産性で作られつつある。しかしながら、さらに
大きなサイズ或いは動画を問題なく再現するためにフレ
ーム周波数を６０Ｈｚ以上にするには、未だ生産性、液
晶の応答速度、視野角に問題がある。

【０００４】一方、自発分極をスイッチングトルクとす
る液晶素子が、クラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガウェル
（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている（特開昭
５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４
号明細書）カイラルスメクチック液晶素子がある。この
素子には液晶として、一般にカイラルスメクチックＣ相
またはカイラルスメクチックＨ相からなる強誘電性液晶
（ＦＬＣ）が用いられている。この強誘電性液晶は、自
発分極により反転スイッチングを行うため、非常に速い
応答速度を有し、さらに視野角特性も優れていることか
ら、高速、高精細、大面積の単純マトリクス表示素子或
いはライトバルブとして適していると考えられる。

【０００５】また、最近では、チャンダニ、竹添らによ
り、カイラルスメクチック反強誘電性液晶素子も提案さ
れている〔ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライ
ド・フィジックス（ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌ
ｏｆＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ）第２７巻、
１９８８年Ｌ７２９頁〕。そして、最近この反強誘電性
液晶材料のうち、しきい値レスでヒステリシスが小さ
く、階調表示に有利な特性を有するＶ字型応答特性が発
見された（例えば、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・
アプライド・フィジックス、第３６巻、１９９７年３５
８６頁）。

【０００６】また、自発分極をスイッチングトルクとす
るＶ字型スイッチング液晶としては、単安定表面安定化
ＦＬＣ（例えば、ジャーナル・オブ・アプライド・フィ
ジックス、第６１巻、１９８７年２４００頁）、デフォ
ームドヘリックスＦＬＣ（例えば、フェロエレクトロニ
クス、第８５巻、１９８８年１７３頁）、ツイストスメ
クチックＦＬＣ（例えばアプライド・フィジックス・レ
ター、第６０巻、１９９２年２８０頁）、しきい値レス
反強誘電性液晶、高分子液晶安定化ＦＬＣ（例えば、Ｓ
ＩＤ’９６ダイジェスト、１９９６年６９９頁）などが
ある。

【０００７】これらの液晶を用い、アクティブマトリク
スタイプの液晶素子とし、高速のディスプレイを実現し
ようという動きが活発になってきている（例えば、特開
平９−５００４９号公報）。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記強
誘電性を有するカイラルスメクチック液晶を用いたアク
ティブマトリクスタイプの素子においては、ヒステリシ
スに基づく残像、経時的な配向の劣化、焼き付き等信頼
性の面で尚問題があり、これらの問題の解決が強く求め
られている。

【０００９】本発明の目的は、上記問題を解決し、高速
応答、高画質、高信頼性の液晶素子を実現することにあ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶素子は、一
対の基板間にカイラルスメクチック液晶を狭持してな
り、複数の画素を有し、各画素の液晶を画素毎に配した
アクティブ素子によってマトリクス駆動するアクティブ
マトリクスタイプの液晶素子であって、上記液晶が無電
界状態で少なくとも２つの安定状態を有し、相異なる安
定状態へのスイッチングしきい値電圧の差が１００ｍＶ
以上であり、上記２つの相異なる安定状態間で印加電圧
に応じた中間調状態をとることを特徴とする。

【００１１】また、本発明の液晶素子の駆動方法は、上
記本発明の液晶素子の駆動方法であって、より安定な状
態に画素全面をリセットした後、表示状態に応じた電圧
を当該画素の液晶に印加して書き込みを行うことを特徴
とする。

【００１２】

【発明の実施の形態】先ず、本発明の液晶素子の構成を
説明する。

【００１３】図１、図２に本発明の液晶素子の一実施形
態の構成を模式的に示す。図１はその平面模式図、図２
は断面模式図である。図中、１１は列ドライバ、１２は
行ドライバ、１３は画素電極、１４はＴＦＴ、１５は走
査信号線、１６は走査信号線の端部、１７は情報信号
線、１８は情報信号線の端部、２１，２２は基板、２４
は共通電極、２２，２５は配向膜、２７は液晶層、２６
はスペーサー、２８は封止材である。

【００１４】本発明において、基板２１，２２として
は、ガラス、プラスチック等透明基板が用いられる。電
極１３，２４は、通常ＩＴＯの透明導電材で形成され
る。

【００１５】本発明の液晶素子は、液晶の相異なる安定
状態へのスイッチングしきい値電圧の差が１００ｍＶ以
上であるが、このような非対称性は具体的には、例えば
上下基板の配向膜２３，２５を異なるものとした非対称
セル、或いは、強誘電性液晶においてはいずれかの安定
状態に焼き付きを起こした場合等に現れる。本発明にお
いては、焼き付きを起こさずにこの非対称性を実現する
ため、好ましくは、上下基板の配向膜２３，２５を互い
に異なるものとする。より具体的には、一方を一軸配向
制御層とすることが望ましい。

【００１６】本発明に用いうる一軸配向制御層の形成方
法としては、例えば基板上に溶液塗工または蒸着、或い
はスパッタリング等により、一酸化珪素、二酸化珪素、
酸化アルミニウム、ジルコニア、フッ化マグネシウム、
酸化セリウム、フッ化セリウム、シリコン窒化物、シリ
コン炭化物、ホウ素窒化物などの無機物や、ポリビニル
アルコール、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリエス
テル、ポリアミド、ポリエステルイミド、ポリパラキシ
レン、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ
ビニルクロライド、ポリスチレン、ポリシロキサン、セ
ルロース樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、アクリル樹
脂などの有機物を用いて皮膜形成した後、表面をビロー
ド、布或いは紙等の繊維状のもので摺擦（ラビング）す
ることにより得られる。また、ＳｉＯ等の酸化物或いは
窒化物などを基板の斜方から蒸着する、斜方蒸着法など
も用いられる。

【００１７】特に、より良好な一軸配向性を得るために
は、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する
ポリイミド配向膜が好ましく用いられる。通常ポリイミ
ドはポリアミック酸の形で塗膜し、焼成することで得ら
れる。ポリアミック酸は溶剤に易溶解性であるため生産
性に優れる。最近では溶剤に可溶なポリイミドも生産さ
れており、そういった技術の進歩の上からもポリイミド
はより良好な一軸配向性を得ることができ、高い生産性
を有する点で好ましく用いられる。ポリイミド膜の膜厚
は薄い方が反電場による悪影響を抑制する意味で好まし
く、具体的には２００Å以下が好ましい。

【００１８】

【化１】

【００１９】また、一軸配向制御層でない側の配向膜と
しては、上記一軸配向制御層に使用した材質で一軸配向
制御処理を施していないもの、各種高分子材料、反電場
の影響を抑制する意味で導電性を有する膜等が挙げられ
る。導電性を有する膜としては、導電性微粒子をバイン
ダー材質に分散した膜が挙げられ、一軸配向制御層とし
て好ましく用いられるポリイミド膜と帯電特性に差を付
けることができる点で好ましく用いられる。また、塗布
溶媒を変えることでも上下の配向膜の非対象性を変化さ
せることが可能である。上下基板２１，２２はスペーサ
ー２６を介して対向は位置されるが、均一な一軸配向
性、また無電界持に液晶分子の平均分子軸をほぼ配向処
理軸の平均方向と実質的に同一にする配向状態を発現さ
せるべく、セルギャップは０．３〜１０μｍとすること
好ましい。

【００２０】基板２１，２２上には、配向膜１３，２５
以外にもショート防止のための絶縁層を設けることが可
能である。

【００２１】本発明の液晶素子の液晶層２７としては、
強誘電性液晶、反強誘電性液晶等のカイラルスメクチッ
ク液晶が用いられる。好ましくは、表面安定化強誘電性
液晶が用いられる。これらの液晶は、自発分極をスイッ
チングトルクとしているため、高速液晶素子を実現する
ことができる。具体的には、駆動電圧に依存するが、ス
イッチングスピードとして、１ｍｓｅｃ以下或いは５０
０μｓｅｃ以下、さらには１００μｓｅｃ以下にするこ
とも可能である。

【００２２】本発明の液晶素子は、２つの相異なる安定
状態間で一方から他方へのスイッチングしきい値電圧に
１００ｍＶ以上の非対称性があるにも関わらず、無電界
状態で少なくとも２つの安定状態を有していることが大
きな特徴である。通常、このようなしきい値電圧に大き
な非対称性があると無電界状態においても単安定とな
る。本発明で好ましく用いられる液晶は、双安定性を有
する強誘電性液晶であり、このような非対称条件下でも
双安定性を実現するためには、２つの安定状態間の遷移
の活性化エネルギーが大きい必要があり、様々な方法で
実現することができる。

【００２３】例えば、チルト角の大きい液晶が好まし
い。代表的には１５°以上のチルト角が好ましい。ま
た、ツイスト状態を持たない、ユニフォームの２状態を
持つ双安定性液晶も好ましく用いられる。この場合、ツ
イスト状態を抑制する意味で液晶中のイオンの存在が少
ないほど好ましい。さらに、自発分極があまり大きくな
いカイラルスメクチック液晶も２状態間のしきい値電圧
が大きくなる傾向を持っており、好ましく用いられる。
具体的には、自発分極は１０ｎＣ／ｃｍ²以下が好まし
い。また、ヒステリシスを抑制する意味でも自発分極は
小さい方が好ましい。

【００２４】本発明におけるチルト角及び自発分極の測
定方法を以下に示す。

【００２５】〔チルト角〕±３０〜±５０Ｖ、１〜１０
０ＨｚのＡＣ（交流）を液晶素子の上下基板間に電極を
介して印加しながら、直交クロスニコル下、その間に配
置された液晶素子を偏光板として平行に回転させると同
時に、フォトマル（浜松フォトニクス社製）で光学応答
を検知しながら、第１の消光位（透過率が最も低くなる
位置）及び第２の消光位を求める。そしてこの時の第１
の消光位から第２の消光位までの角度の１／２をチルト
角とする。

【００２６】〔自発分極〕Ｋ．ミヤサト他「三角波によ
る強誘電性液晶の自発分極の直接測定方法」（日本応用
物理学会誌、２２，１０号（６６１）１９８３、”Ｄｉ
ｒｅｃｔＭｅｔｈｏｄｗｉｔｈＴｒｉａｎｇｕｌ
ａｒＷａｖｅｓｆｏｒＭｅａｓｕｒｉｎｇＳｐ
ｏｎｔａｎｅｏｕｓＰｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎｉｎ
ＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄＣｒｙ
ｓｔａｌ”、ａｓｄｅｓｃｒｉｂｅｄｂｙＫ．Ｍ
ｉｙａｓａｔｏｅｔａｌ．（Ｊａｐ．Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．２２．Ｎｏ．１０，Ｌ６６１（１９８
３））によって測定する。

【００２７】本発明に用いられるカイラルスメクチック
液晶としては、次のフッ素含有液晶化合物を含む液晶組
成物が好ましい。即ち、カイラルもしくはアカイラルな
メチレングループを少なくとも１つ有し且つ連鎖中エー
テル酸素を１つ以上有していても良いフルオロケミカル
末端部分と、カイラルもしくはアカイラルな飽和炭化水
素末端部分とを、中央コア部分で結合してなり、スメク
チック相もしくは潜在的スメクチック相を持つフッ素含
有液晶化合物である。本発明においてはさらに、上記フ
ッ素含有液晶化合物群のみで構成された液晶組成物を用
いることが望ましい。上記フッ素含有液晶化合物を含む
液晶組成物は、精製度を高めることにより、イオン含有
量を少なくできること、良好なユニフォーム配向性を持
つこと、ジグザグ欠陥を回避できるブックシェルフ或い
は層傾き角の小さい構造を現出できること、から好まし
く用いることができる。

【００２８】上記フッ素含有液晶化合物の具体例として
は、以下に示した一般式（Ｉ），（ＩＩ），（ＩＩＩ）
が挙げられる。

【００２９】

【化２】を表わす。

【００３０】ｇａ、ｈａ、ｉａは独立に０〜３の整数
（但し、ｇａ＋ｈａ＋ｉａは少なくとも２である）を表
わす。

【００３１】夫々のＬ¹とＬ²は独立に、単結合、−ＣＯ
−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＳ−、−Ｓ−ＣＯ−、−
ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−Ｔ
ｅ−ＣＯ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡
Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂−Ｏ−、
−Ｏ−ＣＨ₂−、−ＣＯ−又は−Ｏ−を表わす。

【００３２】夫々のＸ¹、Ｙ¹、Ｚ¹はＡ¹、Ａ²、Ａ³の置
換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−
Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ₃、−ＣＨ₃、−ＣＮ、又は−ＮＯ
₂を表わし、夫々のｊａ、ｍａ、ｎａは独立に０〜４の
整数を表わす。

【００３３】Ｊ¹は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ₂）_ra−、−Ｏ
−（ＣＨ₂）_ra−、−（ＣＨ₂）_ra−、−Ｏ−ＳＯ₂−、
−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−（ＣＨ₂）_ra−、−Ｏ−（ＣＨ₂）
_ra−Ｏ−（ＣＨ₂）_rb−、−（ＣＨ₂）_ra−Ｎ（Ｃ_paＨ
_2pa+1）−ＳＯ₂−、又は−（ＣＨ₂）_ra−Ｎ（Ｃ_paＨ
_2pa+1）−ＣＯ−を表わす。ｒａ及びｒｂは、独立に１
〜２０であり、ｐａは０〜４である。

【００３４】Ｒ¹は、−Ｏ−Ｃ_qaＨ_2qa−Ｏ−Ｃ_qbＨ
_2qb+1、−Ｃ_qaＨ_2qa−Ｏ−Ｃ_qbＨ_2qb+1、−Ｃ_qaＨ_2qa−
Ｒ³、−Ｏ−Ｃ_qaＨ_2qa−Ｒ³、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qaＨ_2qa−
Ｒ³、又は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qaＨ_2qa−Ｒ³を表わし、直鎖
状、分岐状のいずれであっても良い（但し、Ｒ³は、−
Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qbＨ_2qb+1、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qbＨ_2qb+1、−
Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ₃、−ＮＯ₂、−ＣＮを表わ
し、ｑａ及びｑｂは独立に１〜２０である）。

【００３５】Ｒ²はＣ_xaＦ_2xa−Ｘを表わす（Ｘは−Ｈ又
は−Ｆを表わし、ｘａは１〜２０の整数である）。

【００３６】

【化３】を表わす。

【００３７】ｇｂ、ｈｂ、ｉｂはそれぞれ独立に０〜３
の整数（但し、ｇｂ＋ｈｂ＋ｉｂは少なくとも２であ
る）を表わす。

【００３８】夫々のＬ³、Ｌ⁴は独立に、単結合、−ＣＯ
−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ−、
−ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−
Ｔｅ−ＣＯ−、−（ＣＨ₂ＣＨ₂）_ka−（ｋａは１〜
４）、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−
Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ₂−、−ＣＯ−
又は−Ｏ−を表わす。

【００３９】夫々のＸ²、Ｙ²、Ｚ²はＡ⁴、Ａ⁵、Ａ⁶の置
換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−
Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ₃、−ＣＨ₃、−ＣＦ₃、−Ｏ−Ｃ
Ｆ₃、−ＣＮ、又は−ＮＯ₂を表わし、夫々のｊｂ、ｍ
ｂ、ｎｂは独立に０〜４の整数を表わす。

【００４０】Ｊ²は、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｏ−
Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｏ−（Ｃ_saＨ_2sa−
Ｏ）_ta−Ｃ_rdＨ_2rd−、−Ｏ−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−、−
ＳＯ₂−Ｃ_rcＨ_2rc−、−Ｃ_rcＨ_2rc−Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1）
−ＳＯ₂−、−Ｃ_rcＨ_2rc−Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1）−ＣＯ−
であり、ｒｃ及びｒｄは独立に１〜２０であり、ｓａは
それぞれの（Ｃ_saＨ_2sa−Ｏ）に独立に１〜１０であ
り、ｔａは１〜６であり、ｐｂは０〜４である。

【００４１】Ｒ⁴は、−Ｏ−（Ｃ_qcＨ_2qc−Ｏ）_wa−Ｃ_qd
Ｈ_2qd+1、−（Ｃ_qcＨ_2qc−Ｏ）_wa−Ｃ_qdＨ_2qd+1、−Ｃ
_qcＨ_2qc−Ｒ⁶、−Ｏ−Ｃ_qcＨ_2qc−Ｒ⁶、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ
_qcＨ_2qc−Ｒ⁶、又は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qcＨ_2qc−Ｒ⁶を表わ
し、直鎖状、分岐状のいずれであっても良い（但し、Ｒ
⁶は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qdＨ_2qd+1、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qdＨ
_2qd+1、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ₃、−ＮＯ₂、−ＣＮ、又
は−Ｈを表わし、ｑｃ及びｑｄは独立に１〜２０の整
数、ｗａは１〜１０の整数である）。

【００４２】Ｒ⁵は、（Ｃ_xbＦ_2xb−Ｏ）_za−Ｃ_yaＦ
_2ya+1で表わされる（但し、上記式中ｘｂはそれぞれの
（Ｃ_xbＦ_2xb−Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｙａは１
〜１０であり、ｚａは１〜１０である）。

【００４３】上記一般式（Ｉ）で表わされる化合物は、
特開平２−１４２７５３号公報、米国特許第５，０８
２，５８７号に記載の方法によって得ることができる。
かかる化合物の具体例を以下に列挙する。

【００４４】

【化４】

【００４５】

【化５】

【００４６】

【化６】

【００４７】

【化７】

【００４８】

【化８】

【００４９】

【化９】

【００５０】

【化１０】

【００５１】

【化１１】

【００５２】

【化１２】

【００５３】

【化１３】

【００５４】

【化１４】

【００５５】

【化１５】

【００５６】上記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物
は、国際公開ＷＯ９３／２２３９６、特表平７−５０６
３６８号公報に記載の方法によって得ることができる。
かかる化合物の具体例を以下に列挙する。

【００５７】

【化１６】

【００５８】

【化１７】

【００５９】

【化１８】

【００６０】

【化１９】

【００６１】

【化２０】

【００６２】

【化２１】を表わす。

【００６３】ａ，ｂ，ｃは夫々独立に０又は１〜３の整
数（但し、ａ＋ｂ＋ｃは少なくとも１である）を表わ
す。

【００６４】Ａ及びＢは夫々独立に、共有結合を含む下
記のグループ（方向は問わない）より選択される（ｋは
１〜４の整数である）。

【００６５】−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−Ｓ−、−ＣＯ−Ｓ
ｅ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−（ＣＨ₂ＣＨ₂）_k−、−ＣＨ
＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−ＣＨ₂−Ｏ
−、−ＣＯ−、−Ｏ−

【００６６】Ｘ，Ｙ，Ｚは夫々独立に、−Ｈ、−Ｃｌ、
−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ₃、−ＣＨ₃、−
ＣＦ₃、−ＣＮ、−ＮＯ₂より選択される。

【００６７】ｌ，ｍ，ｎは夫々独立に０又は１〜３の整
数を表わす。

【００６８】Ｄは共有結合を含む下記のグループ（方向
は問わない）より選択される。

【００６９】−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_rＨ_2r−、−Ｏ−Ｃ_rＨ
_2r−、−Ｏ−ＯＣ−Ｃ_rＨ_2r−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝
ＣＨ−、−ＣＯ−、−Ｏ−（Ｃ_sＨ_2sＯ）_t−Ｃ_r'Ｈ_2r'
−、−Ｃ_rＨ_2r−、−（Ｃ_sＨ_2sＯ）_t−Ｃ_r'Ｈ_2r'−、−
Ｏ−、−Ｓ−、−ＯＳＯ₂−、−ＳＯ₂−、−ＳＯ₂−Ｃ_r
Ｈ_2r−、−Ｃ_rＨ_2r−Ｎ（Ｃ_pＨ_2p+1）−ＳＯ₂−、−Ｎ
（Ｃ_pＨ_2p+1）−、−Ｃ_rＨ_2r−Ｎ（Ｃ_pＨ_2p+1）−ＣＯ
−、−ＣＨ＝Ｎ−、及びこれらの組み合わせ。ここで、
ｒ及びｒ’は独立に０〜２０の整数、ｓは各（Ｃ_sＨ_2s
Ｏ）について独立に１〜１０の整数、ｔは１〜６の整
数、ｐは０〜４の整数である。

【００７０】Ｒは、−Ｏ−（（Ｃ_q'Ｈ_2q'-v'−（Ｒ’）
_v'）−Ｏ）_w−Ｃ_qＨ_2q+1-v−（Ｒ’）_v、−（（Ｃ_q'Ｈ
_2q-v−（Ｒ’）_v'）−Ｏ）_w−Ｃ_qＨ_2q+1-v−
（Ｒ’）_v、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qＨ_2q+1-v−（Ｒ’）_v、−
Ｏ−ＯＣ−Ｃ_qＨ_2q+1-v−（Ｒ’）_v、

【００７１】

【化２２】 −ＣＲ’Ｈ−（Ｄ）_g−ＣＲ’Ｈ−Ｃ_qＨ_2q+1-v−
（Ｒ’）_v、を表わし、Ｒ’は独立に、−Ｃｌ、−Ｆ、
−ＣＦ₃、−ＮＯ₂、−ＣＮ、−Ｈ、−Ｃ_qＨ_2q+1、−Ｏ
−ＯＣ−Ｃ_qＨ_2q+1、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_qＨ_2q+1、−Ｂｒ、
−ＯＨ、−ＯＣ_qＨ_2q+1を表す。ｑ’は各（Ｃ_q'Ｈ_2q'−
Ｏ）について独立に１〜２０の整数、ｑは１〜２０の整
数、ｗは０〜１０の整数、ｖは０〜６の整数、各ｖ’は
独立に０〜６の整数、ｇは１〜３の整数である。各Ｄは
独立に前記Ｄが選択されるグループ（方向は問わない）
から選択される（但し、Ｄを含む環は３〜１０の原子か
ら環が構成される）。各Ｗは独立にＮ、ＣＲ’、ＳｉＲ
から選択される。Ｒはカイラルもしくはアカイラルであ
る。

【００７２】Ｒ_f’は−Ｒ^*−Ｄ−（Ｏ）_x−ＣＨ₂−Ｄ’
−Ｒ_fを表わし、ここでＲ^*は環状或いは鎖状のカイラル
部分である。Ｄ及びＤ’は夫々独立に前記Ｄが選択され
るグループ（方向を問わない）から選択される。ｘは０
又は１の整数、Ｒ_fはフルオロアルキル基、パーフルオ
ロアルキル基、フルオロエーテル基、パーフルオロエー
テル基を表わす。

【００７３】上記一般式（ＩＩＩ）で表わされる化合物
の合成方法例、具体例はＷＯ９６／３３２５１に記載さ
れているものが挙げられる。さらに化合物の具体例を以
下に挙げる。

【００７４】

【化２３】

【００７５】

【化２４】

【００７６】

【化２５】

【００７７】

【化２６】

【００７８】本発明の液晶素子は、通常一対の偏光板
（不図示）に狭持し、基板２１側から光を照射し、各画
素毎に液晶層２７に印加する電圧を変えることによって
透過率を変化させ、出射光の透過量を変化させて表示を
行う。尚、当該構成は透過型の液晶素子の例であって、
基板２１或いは画素電極１３を反射部材とする、或い
は、基板２１上に別途反射部材を備えることによって、
基板２２側から入射した光を反射させる反射型液晶素子
を構成することもできる。

【００７９】さらに、下側の基板２１には、画素電極１
３と各画素電極１３に接続されたアクティブ素子１４が
マトリクス状に形成されている。１４のアクティブ素子
としては、好ましくはＴＦＴが用いられ、アモルファス
シリコン、ポリシリコン、マイクロクリスタルシリコ
ン、単結晶シリコンなどの半導体を用いて形成される。
本例はＴＦＴを用いて構成した素子を示している。ＴＦ
Ｔは通常、基板２１上に形成された、ゲート電極、該ゲ
ート電極を覆うゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜上に形成
された半導体層、該半導体層上に形成されたソース電極
及びドレイン電極とから構成される。

【００８０】さらに基板２１には、画素電極１３の行間
に走査信号線（ゲートライン）１５が配線され、画素電
極１３の列間に情報信号線（ソースライン）１７が配線
されている。各ＴＦＴ１４のゲート電極は対応する走査
信号線１５に接続され、ソース電極は対応する情報信号
線１７に接続されている。走査信号線１５は端部１６を
介して行ドライバ１２に接続され、情報信号線１７は端
部１８を介して列ドライバ１１に接続される。行ドライ
バ１２は走査信号線１２を順次選択してゲート信号を印
加し、列ドライバ１１は該ゲート信号に同期して、表示
データに対応する情報信号を各情報信号線１７に印加す
る。

【００８１】走査信号線１５は端部１６を除いてＴＦＴ
１４のゲート絶縁膜で覆われており、情報信号線１７は
該ゲート絶縁膜上に形成されている。画素電極１３は同
じゲート絶縁膜上に形成されており、その一端部におい
てＴＦＴ１４のドレイン電極に接続されている。

【００８２】また、図２の上側の基板２２には、下側の
基板２１上の各画素電極１３に対向する共通電極１４が
形成されている。共通電極１４は、表示領域全体に亘る
面積の１枚の電極から構成され、基準電圧が印加され
る。また、画素毎に補助容量となるコンデンサが配置さ
れることもある。

【００８３】以上のように構成されたアクティブマトリ
クスタイプの液晶素子においては、ゲートオン時に電荷
が画素である液晶セルに注入され、短時間でゲートはオ
フとなり、次の走査ライン上の画素に情報が書き込まれ
る。本発明に用いられる液晶は自発分極を有することか
ら、ゲートオン時間内にスイッチングを完了する場合を
除き、自発分極の反転に伴い、ゲートオフ時に電圧が降
下する。従って、このような理由からも自発分極は大き
過ぎないことが好ましく、前記したように、本発明にお
いて用いられる液晶の自発分極は１０ｎＣ／ｃｍ²以下
が好ましい。これは極性の不純物等の混入による配向劣
化を抑制するためにも好ましい。

【００８４】本発明の液晶素子は、無電界状態で少なく
とも２つの安定状態を示し、該安定状態間でこれら状態
間の中間調状態、即ち複数のドメインの共存状態を示
し、一方の安定状態を黒表示、他方を白表示となるよう
に偏光板を配置することにより、これら２安定状態間で
の階調表示が可能である。またさらに、上記中間状態を
メモリーすることができる。

【００８５】次に、本発明の液晶素子の駆動方法につい
て説明する。本発明の駆動方法では、本発明の液晶素子
の各画素について、一旦より安定な状態へリセットした
後、表示状態に応じた電圧を印加して書き込みを行うこ
とを特徴とする。ここで、より安定な状態へリセットす
る意味は、より不安定な状態へリセットする場合に比べ
て、前状態履歴を抑制し、階調表現能力の再現性を高め
る効果を有しているためである。このため、本発明の液
晶素子においては、表示領域の一部分をメモリー状態と
しその他を駆動状態とする部分画素書き換え、或いは全
面をメモリー状態として使用する静止画モード、或いは
低消費電力モードといった応用展開ができる。

【００８６】さらに本発明の液晶素子の駆動方法におい
て、一画素に着目した場合に、情報信号線から交互に極
性の反転した電圧信号が入力されることが好ましい。本
発明において、このような極性反転駆動を行う場合、以
下に記載する方法が好ましく用いられる。

【００８７】先ず、初期状態（より安定な状態へのリセ
ット状態）からより不安定な方向にスイッチングする符
号の電圧信号を与え、液晶をスイッチングさせ、光変調
信号に変換する。これはもちろん階調表示が可能であ
る。次に、極性の異なる信号を与えるとより安定な方向
にスイッチングする。安定方向にスイッチングした状態
は、直交した偏光板の光軸の一方を該安定状態の光軸に
合わせて使用するノーマリーブラックの素子として使用
した場合、本来の表示の間に黒状態もしくはそれに非常
に近い状態を表示することになる。この場合、表示素子
としてこの素子を見ると、１フレーム中に表示期間と非
表示期間を設けた非ホールド型表示となり、本発明の液
晶素子が高速スイッチングすることから、動画表示の画
質に優れる点で非常に好ましい。この安定な状態にスイ
ッチングさせている非表示期間と、より不安定な状態に
スイッチングさせている表示期間との時間比は特に限定
されないが、ＤＣ成分の偏りを最小化して焼き付きを抑
制する意味で、１対９〜９対１の範囲が好ましく、さら
に好ましくは、３対７〜７対３の範囲である。より安定
な方向にスイッチングさせる情報信号電圧値に関して、
この時間比と合わせてトータルでＤＣ成分の偏りを最小
化することも好ましい形態である。具体的には、時間比
を１対１とし、表示期間に印加した書き込み信号と絶対
値が同等で極性の異なるリセット信号を該表示期間の直
前または直後に設けた非表示期間に与える方法が挙げら
れる。

【００８８】本発明の液晶素子は、直視型にも投写型に
も応用され、またプリンター等のライトバルブとしても
使用可能である。

【００８９】本発明の液晶素子を用いて、種々の機能を
持った液晶装置を構成することができるが、その一例
が、該素子を表示パネル部に使用し、図３，図４に示し
たゲート線アドレス情報を持つ画像情報からなるデータ
フォーマット及びＳＹＮ信号による通信同期手段をとる
ことにより、液晶表示装置を実現するものである。図
中、１０１は液晶表示装置、１０２はグラフィックコン
トローラー、１０３は表示パネル、１０４はゲートライ
ン駆動回路、１０５は情報線駆動回路、１０６はデコー
ダ、１０７はゲートライン信号発生回路、１０８はシフ
トレジスタ、１０９はラインメモリ、１１０は情報信号
発生回路、１１１は駆動制御回路、１１２はＧＣＰＵ、
１１３はホストＣＰＵ、１１４はＶＲＡＭである。

【００９０】画像情報の発生は、本体装置のグラフィッ
クコントローラー１０２にて行われ、図３及び図４に示
した信号伝達手段に従って表示パネル１０３へと転送さ
れる。グラフィックコントローラー１０２はＧＣＰＵ
（中央演算装置）及びＶＲＡＭ（画像情報格納用メモ
リ）１１４を核にホストＣＰＵ１１３と液晶表示装置１
０１間の画像情報の管理や通信を司っている。尚、該表
示パネルの裏面には光源が配置されている。

【００９１】本発明の液晶素子を用いて構成された液晶
表示装置においては、液晶素子が良好なスイッチング特
性を有するため、優れた駆動特性、信頼性を発揮し、高
速、大面積の表示画像を得ることができる。

【００９２】

【実施例】（実施例１）下記化合物をＡ／Ｂ／Ｃ／Ｄ＝
１５／５５／２５／５（重量％）で混合して液晶組成物
αを調整した。この液晶組成物の相転移温度はＴ_isoが
８７℃、ＳｍＡ→ＳｍＣ^*転移温度が５２℃であった。
チルト角は２６°、自発分極は６．０ｎＣ／ｃｍ²（い
ずれも３０℃）であった。

【００９３】

【化２７】

【００９４】厚さ１．１ｍｍの２枚のガラス基板にそれ
ぞれ、透明電極として厚さが約７０ｎｍのＩＴＯ膜を形
成した。その後、両基板に対して、下記の繰り返し単位
を有するポリイミドの前駆体のポリアミック酸の０．７
重量％溶液を１回目は５００ｒｐｍで５秒間、２回目は
１５００ｒｐｍで３０秒間の条件で回転塗布した。

【００９５】

【化２８】

【００９６】その後、８０℃で５分間の前乾燥を行った
後、２２０℃で１時間加熱焼成を施した。得られたポリ
イミド膜の膜厚は６０Åであり、このポリイミド膜に一
軸配向処理としてナイロン布によるラビング処理を施し
た。

【００９７】次に、一方の基板に、ラダー型のポリシロ
キサンの母材とアンチモンドープのＳｎＯ_xの酸化物超
微粒子（粒径約１００Å）の分散した固形分濃度が１０
重量％のエタノール／メタノール／イソプロパノール＝
４４／４３／１３（重量％）溶液を１５００ｒｐｍで１
０秒間の条件でスピンコート法により塗布した。８０
℃、５分間の前乾燥を行った後、２００℃で１時間加熱
乾燥した。この基板表面に平均粒径が２．４μｍのシリ
カビーズを０．０１重量％で分散させたＩＰＡ（イソプ
ロパノール）溶液を１５００ｒｐｍ、１０ｓｅｃの条件
でスピン塗布し、分散密度１００／ｍｍ²程度のビーズ
スペーサーを散布した。この基板上に、熱硬化型の液状
接着剤を印刷法により塗工した。この基板に、上記ポリ
イミド膜のみを形成した基板を対向して貼り合わせ、１
５０℃のオーブンで９０分間加熱硬化し、セルを得た。

【００９８】前記液晶組成物αに活性アルミナ微粒子１
重量％を混合した後、上記セルに注入し、５Ｈｚ、±７
Ｖの三角波を印加し、口述する光学応答測定法により電
圧−透過率曲線を測定したところ、典型的な双安定強誘
電性液晶のヒステリシスカーブが得られ、５０％反転時
のしきい値電圧の差は１８０ｍＶであった。

【００９９】次に、単結晶シリコントランジスタ（オン
抵抗５０Ω）を用い、上記構成の液晶セル（面積０．９
ｃｍ²）及び２ｎＦのセラミックコンデンサを接続し
て、図６に示す構成のアクティブマトリクスタイプの液
晶素子を作製した。尚、図６中、６１は情報信号線、６
２は走査信号線、６３は単結晶シリコントランジスタ、
６４は液晶セル、６５はコンデンサである。

【０１００】上記素子に、選択期間が３０μｓｅｃとな
るようなゲート信号を与え、情報信号線６１からは図５
に示したような３０μｓｅｃ幅のパルス信号を与えた。
図５の波形において、３０μｓｅｃ幅の正極性パルスが
書き込み信号であり、３０μｓｅｃ幅の負極性パルスが
非表示期間を形成するリセットパルスである。また、１
フレームは１６ｍｓｅｃとし、正極性パルスを印加以降
８ｍｓｅｃ間を表示期間、その直後に負極性パルスが加
えられ、負極性パルス印加以降８ｍｓｅｃが非表示期間
である。

【０１０１】次に、得られた素子の電気光学応答を測定
した。測定は光電子倍増管を備えた偏光顕微鏡を用い、
透過率の変化をクロスニコル下で測定した。この時、電
界無印加の状態で最暗となるようにセルを設置した。

【０１０２】下記に白１の時の透過率を１００％とした
場合の各フレーム毎の透過率を示す。白２＝９９％白３＝９９％白４＝１００％グレー１＝３５％グレー２＝３９％グレー３＝３９％グレー４＝４１％黒１＜１％黒２＜１％黒３＜１％黒４＜１％

【０１０３】以上のように、前状態の如何に関わらず、
再現性よく光変調が行われ、ヒステリシスはほとんどな
かった。また、白状態へのスイッチングスピード（９０
％スイッチングまでの時間）を測定したところ、２９０
μｓｅｃであった。

【０１０４】（実施例２）実施例１のアクティブマトリ
クスタイプの液晶素子について、図５の白波形で表され
ている波形を１００時間連続して印加し続けた。その
後、図５に示される波形を用い、白、グレー、黒の各波
形による透過率を前記と同様に測定したところ、実施例
１とほとんど同等の透過率が各フレームで測定され、本
発明の液晶素子では液晶の焼き付きが抑制されることが
わかった。

【０１０５】（実施例３）実施例１で用いた液晶化合物
の組成を、Ａ／Ｂ／Ｄ＝３７／５５／８（重量％）に変
えた以外は実施例１と同じ構成のアクティブマトリクス
タイプの液晶素子を作製し、電気光学応答特性を測定し
た。結果を下記に示す。尚、本発明で用いた液晶組成物
の３０℃での自発分極は９．６ｎＣ／ｃｍ²であった。白２＝９８％白３＝１００％白４＝１００％グレー１＝４５％グレー２＝５０％グレー３＝４９％グレー４＝５１％黒１＜１％黒２＜１％黒３＜１％黒４＜１％

【０１０６】以上のように、再現性良く光変調が行わ
れ、ヒステリシスはほとんどなかった。また、この素子
で実施例２と同様に焼き付き耐久測定を行ったところ、
上記と同様の透過率が得られた。

【０１０７】（実施例４）実施例１のアクティブマトリ
クスタイプの液晶素子において、図５のグレー３のリセ
ット信号の前まで印加し、１秒後にゲートを開いて液晶
の上下を無電界とした。この状態で、ドメイン階調によ
る中間調が表示されていた。以後、時間が経過してもこ
の状態が維持された。同様に、実施例３の素子を用いて
同様の表示を行ったところ、同様にドメイン階調のメモ
リー状態を維持できた。以上のことから、部分動画表
示、部分静止画表示が可能であること、全面静止画表示
或いは低消費電力モードが可能であることがわかった。

【０１０８】（実施例５）実施例１において、ポリイミ
ド膜の膜厚を１００Åとしたセルを作製し、実施例１で
用いた液晶組成物αを注入した。この液晶セルにおける
２安定状態間のしきい値電圧の差は２００ｍＶであっ
た。このセルを用いて実施例１と同様のアクティブマト
リクス素子を構成し、光学応答特性を測定したところ、
階調再現性良く光変調を行うことができた。また、この
素子を用いて実施例４と同様にメモリー機能を観察した
ところ、実施例４と同様のメモリー性が観測された。

【０１０９】（比較例）実施例１で作製したセルに、強
誘電性液晶（チッソ社製「ＣＳ１０１４」）を注入し、
１０ＶのＤＣを１００時間印加し、単安定液晶とした。
しきい値電圧の差は１００ｍＶ以上であった。しかしな
がら、実施例４と同様にメモリー機能を観察したとこ
ろ、メモリー性は確認されなかった。

【０１１０】

【発明の効果】本発明によれば、カイラルスメクチック
液晶を用いたアクティブマトリクスタイプの液晶素子に
おいて、残像の原因になるヒステリシス、経時的な配向
の劣化、焼き付き等信頼性の面での問題が改善され、さ
らに、メモリー性を有する高機能、高速応答、高画質の
液晶素子が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶素子の一実施形態の平面模式図で
ある。

【図２】本発明の液晶素子の一実施形態の断面模式図で
ある。

【図３】本発明の液晶素子を備えた液晶表示装置とグラ
フィックコントローラを示すブロック図である。

【図４】図３の液晶表示装置とグラフィックコントロー
ラーとの間の画像情報通信タイミングチャートを示す図
である。

【図５】本発明の実施例で用いた電圧波形である。

【図６】本発明の実施例で作製したアクティブマトリク
スタイプの液晶素子の等価回路図である。

【符号の説明】

１１列ドライバ１２行ドライバ１３画素電極１４ＴＦＴ１５走査信号線（ゲート線）１６走査信号線端部１７情報信号線（ソース線）１８情報信号線端部２１，２２基板２３，２５配向膜２４共通電極２６スペーサー２７液晶層２８封止材６１情報信号線６２走査信号線６３単結晶シリコントランジスタ６４液晶セル６５補助容量１０１液晶表示装置１０２グラフィックコントローラー１０３表示パネル１０４ゲートライン駆動回路１０５情報線駆動回路１０６デコーダ１０７ゲートライン信号発生回路１０８シフトレジスタ１０９ラインメモリ１１０情報信号発生回路１１１駆動制御回路１１２ＧＣＰＵ１１３ホストＣＰＵ１１４ＶＲＡＭ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者野口幸治東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者糠信恒樹東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者柳生峰人東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者寺田匡宏東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 2H088 EA03 EA12 EA40 GA04 GA17 HA08 HA18 JA17 JA19 KA14 KA28 MA12 MA13 MA18 MA20 2H090 HA11 HB02Y HB03Y HB04Y HB07Y HB08Y HC05 JB02 JB03 KA14 KA15 MA02 MA11 MB03 2H093 NA16 NA34 NA53 NB22 NC22 NC26 NC29 NC34 ND12 NF17 NF19 NG02 NG12 5C006 AA02 AA16 AC26 BA12 BB16 FA11 FA34 FA47 GA03 5C080 AA10 BB05 DD29 EE29 FF11 JJ02 JJ04 JJ06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の基板間にカイラルスメクチック液
晶を狭持してなり、複数の画素を有し、各画素の液晶を
画素毎に配したアクティブ素子によってマトリクス駆動
するアクティブマトリクスタイプの液晶素子であって、
上記液晶が無電界状態で少なくとも２つの安定状態を有
し、相異なる安定状態へのスイッチングしきい値電圧の
差が１００ｍＶ以上であり、上記２つの相異なる安定状
態間で印加電圧に応じた中間調状態をとることを特徴と
する液晶素子。
【請求項２】上記基板の液晶と接する表面に、上下基
板で異なる配向膜が設けられている請求項１記載の液晶
素子。
【請求項３】上記配向膜の一方が一軸配向制御層であ
る請求項２記載の液晶素子。
【請求項４】上記中間調状態が、ドメインにより形成
される請求項１〜３のいずれかに記載の液晶素子。
【請求項５】上記カイラルスメクチック液晶が、双安
定性を有する強誘電性液晶である請求項１〜４のいずれ
かに記載の液晶素子。
【請求項６】上記カイラルスメクチック液晶が液晶組
成物であって、カイラルもしくはアカイラルなメチレン
グループを少なくとも１つ有し且つ連鎖中エーテル酸素
を１つ以上有していても良いフルオロケミカル末端部分
と、カイラルもしくはアカイラルな飽和炭化水素末端部
分とを、中央コア部分で結合してなり、スメクチック相
もしくは潜在的スメクチック相を持つフッ素含有液晶化
合物を含有する請求項１〜５のいずれかに記載の液晶素
子。
【請求項７】上記カイラルスメクチック液晶が、上記
フッ素含有液晶化合物群のみで構成された液晶組成物で
ある請求項７記載の液晶素子。
【請求項８】上記カイラルスメクチック液晶の自発分
極が１０ｎＣ／ｃｍ²以下である請求項１〜７のいずれ
かに記載の液晶素子。
【請求項９】上記アクティブ素子がトランジスタであ
る請求項１〜７のいずれかに記載の液晶素子。
【請求項１０】請求項１〜９のいずれかに記載の液晶
素子の駆動方法であって、より安定な状態に画素全面を
リセットした後、表示状態に応じた電圧を当該画素の液
晶に印加して書き込みを行うことを特徴とする液晶素子
の駆動方法。
【請求項１１】各画素の液晶に対して、各フレームに
おいて、表示期間と非表示期間を設け、非表示期間には
表示期間に印加した信号電圧と極性が反転した信号電圧
を印加する請求項１０記載の液晶素子の駆動方法。
【請求項１２】少なくとも一部の画素において、書き
込み後に印加電圧を除去して非駆動状態で表示を行う請
求項１０または１１に記載の液晶素子の駆動方法。