JP2000292774A - 液晶素子の駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 残像やコントラスト低下に伴う画質の悪化を
防止する。 【解決手段】 液晶２に印加する書き込み電圧Ｖ_D とリ
セット電圧Ｖ_R との関係が、 Ｖ_R ＝−（Ｖ_D ＋ΔＶ） となり、ΔＶの値を前記Ｖ_R や前記Ｖ_D の値と関係な
く、しかも画素の別を問わず一定となるようにした。し
たがって、同一画像を長時間表示した後に画像を切り換
える場合、前記ΔＶによる影響は各画素について均一で
あって残像としての影響を与えることはなく、画質が悪
くなることもない。また、書き込み電圧Ｖ_Dが小さくて
もリセット電圧Ｖ_R はΔＶだけは少なくとも補償される
こととなり、リセット不良に伴うコントラスト低下の問
題も解消される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶を用いた液晶
素子の駆動方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、種々の情報を表示するディス
プレイとしてＣＲＴが知られているが、このＣＲＴは、
動画出力を行うＴＶやＶＴＲに、あるいはパソコンのモ
ニター等に広く用いられている。

【０００３】しかしながら、このＣＲＴは、種々の問
題、すなわち、 ＊ その特性上静止画像に対しては、フリッカや解像度
不足による走査縞などが視認性を低下させたり、焼きつ
きによる蛍光灯の劣化が起ったりするという問題や、 ＊ ＣＲＴの発生する電磁波が人体に悪影響を与え、Ｖ
ＤＴ作業者の健康を害する恐れがあるという問題や、 ＊ その構造上、画面後方にスペースを必要とするた
め、オフィスや家庭の省スペース化を阻害しているとい
う問題、があり、このようなＣＲＴの問題を解決するも
のとして種々のタイプの液晶素子が開発されている。 ＊ 例えば、ツイステッド・ネマチック（ｔｗｉｓｔｅ
ｄ ｎｅｍａｔｉｃ；ＴＮ）液晶を用いたものが知られ
ており、それは、エム・シャット（Ｍ．Ｓｃｈａｄｔ）
とダブリュー・ヘルフリッヒ（Ｗ．Ｈｅｌｆｒｉｃｈ）
著の“アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌ
ｉｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ）、第１８巻、
第４号（１９７１年２月１５日発行）、第１２７頁〜１
２８頁”において示されている。

【０００４】近年、このような液晶を用いた液晶素子と
して、アクティブマトリクス型のものの開発が行われて
おり、急速な生産技術の進歩によって１０〜１２インチ
クラスのディスプレイが歩留り良く製造されている。か
かる液晶素子は、一つ一つの画素にトランジスタ（ＴＦ
Ｔ）を備えており、クロストーク等の問題が解決される
反面、液晶の応答速度が遅くて動画の画質が劣り、視野
角が狭いという問題がある。 ＊ これに対して、強誘電性液晶分子（強誘電性を示す
液晶分子）の屈折率異方性を利用して偏光素子との組み
合わせにより透過光線を制御する型の表示素子が、クラ
ーク（Ｃｌａｒｋ）およびラガーウオル（Ｌａｇｅｒｗ
ａｌｌ）により提案されている（特開昭５６−１０７２
１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細書等）。
この強誘電性液晶は、一般に特定の温度域において、カ
イラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊）またはＨ相（Ｓｍ
Ｈ＊）を有し、この状態において、加えられる電界に応
答して第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態の
いずれかを取り、かつ電界の印加のないときはその状態
を維持する性質（すなわち、双安定性メモリー性）を有
し、その上、自発分極により反転スイッチングを行うた
め、非常に速い応答速度を示す。更に視覚特性も優れて
いることから、特に、高速、高精細、大画面の表示素子
あるいはライトバルブとして適していると考えられる。 ＊ また、最近では、チャンダニ、竹添らによって、反
強誘電性を示す液晶（以下、“反強誘電性液晶”とす
る）を利用した液晶素子も提案されている（Ｊａｐａｎ
ｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ 第２７巻、１９８８年Ｌ７２９頁）。この
反強誘電性液晶は、強誘電性液晶と同様に、液晶分子の
屈折率異方性と自発分極を利用して表示素子を構成する
ものである。また、この反強誘電性液晶は、一般に特定
の温度域において、カイラルスメクチックＣＡ相（Ｓｍ
ＣＡ＊）を有し、この状態において無電界時には平均的
な光学安定状態はスメクチック層法線方向になるが、電
界印加によって平均的な光学安定状態が層法線方向から
傾き、結局３つの安定状態を有するものである。そし
て、この反強誘電性液晶を利用した液晶素子は、上述の
ように自発分極を利用してスイッチングを行うものであ
ることから、非常に速い応答速度を示し、高速の表示素
子、あるいはライトバルブとして期待されている。 ＊ そして、この反強誘電液晶材料については、ヒステ
リシスが小さく、階調表示に有利な特性を有するＶ字型
応答特性のものが最近発見された（たとえば、ジャパニ
ーズ ジャーナル オブ アプライド フィジックス
（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌ
ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）第３６巻、１９９７年、３５
８６頁）。そして、このタイプの液晶をアクティブマト
リクス型の液晶素子に用い、高速のディスプレイを実現
しようという提案もされている（特開平９−５００４９
号公報）。しかし、これらのタイプの液晶を駆動するに
は、現状のところ非常に大きな電荷が必要であり、実現
するに際して大きな障壁となっている。

【０００５】これに対して、上述した強誘電性液晶をア
クティブマトリクス型の液晶素子で駆動する場合にはそ
のような問題はなくて高速駆動が可能である。

【０００６】ところで、上述したアクティブマトリクス
型の液晶素子は、図８に示すようにＴＦＴ５を画素毎に
備えており、例えば図９に示す方法によって駆動され
る。

【０００７】ここで、図８は、従来の液晶素子の回路構
成の一例を示す回路図であり、図９は、従来の液晶素子
の駆動方法の一例を示すタイミングチャート図である。
なお、図９(a) は、ＴＦＴ５のゲート電極５ａに印加さ
れるゲート電圧Ｖ_g のタイミングを示す図であり、(b)
は、ソース電極５ｂに印加される電圧とそのタイミング
を示す図であり、(c) は液晶２に印加される電圧を示す
図であり、(d) は液晶の光学応答を示す図である。

【０００８】かかる液晶素子において、 ＊ ＴＦＴ５のゲート電極５ａにゲート電圧Ｖ_g を印加
する（図９(a) 参照）と共にＴＦＴ５のソース電極５ｂ
に例えば−１０Ｖの一定のリセット電圧Ｖ_R を印加する
（同図(b) 参照）と、液晶容量Ｌ_C にはリセット電圧Ｖ
_R が保持されて液晶２のリセットが行われ（同図(c)
(d) 参照）、 ＊ ＴＦＴ５のゲート電極５ａにゲート電圧Ｖ_g を印加
する（同図(a) 参照）と共にＴＦＴ５のソース電極５ｂ
に書き込み電圧Ｖ_D を印加する（同図(b)参照）と、液
晶容量Ｌ_C には書き込み電圧Ｖ_D が保持されて書き込み
が行われる（同図(c) (d) 参照）、ようになっている。
なお、書き込み電圧Ｖ_D は、表示階調に応じたものとな
るように可変制御されるようになっており、書き込み電
圧Ｖ_D とリセット電圧Ｖ_R とは互いに逆極性に設定され
ている。また、同図(d) にて３本の線を描いているが、
これは、液晶２の光学応答のレベルが書き込み電圧Ｖ_D
に応じて変化する様子を示すものである。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図９に示す
駆動方法の場合、各画素の液晶２には、同図(c) に示す
ように、１フレーム期間Ｆ₀ においてリセット電圧Ｖ_R
と書き込み電圧Ｖ_D とが順に一定期間ずつ印加されるこ
ととなるが、リセット電圧Ｖ_R の大きさは一定であるの
に対し書き込み電圧Ｖ_D の大きさは表示階調に応じて変
更されるものであるため、それらの積分値が必ずしも等
しくならず、液晶２には直流成分（以下、“ＤＣ成分”
とする）が印加されることとなる。

【００１０】一方、表示階調は画素毎に異なるのが通常
であるため、書き込み電圧Ｖ_D も画素毎に異なり、その
結果、上記ＤＣ成分の値も画素毎に異なったものとなる
（例えば、リセット電圧Ｖ_R が印加されている期間と書
き込み電圧Ｖ_D が印加されている期間とが等しく、リセ
ット電圧Ｖ_R が−１０Ｖであって書き込み電圧Ｖ_D が＋
７Ｖの画素では、上記ＤＣ成分はそれらの平均値（−１
０Ｖ＋７Ｖ）／２＝−１．５Ｖとなり、リセット電圧Ｖ
_R が−１０Ｖであって書き込み電圧Ｖ_D が＋６Ｖの画素
では上記ＤＣ成分は（−１０Ｖ＋６Ｖ）／２＝−２Ｖと
なってＤＣ成分の値が画素毎に異なる）。このため、同
一画像を長時間表示した後に画像を切り換えようとして
も、各画素にはＤＣ成分（該ＤＣ成分は、上述のように
画素毎に異なるが、各画素においては時間的に変化しな
いものである）が印加されていたため、該ＤＣ成分の影
響が新たな画像に残像として残ってしまい、画質が悪く
なるという問題があった。

【００１１】このような問題を解決する方法としては、
図１０及び図１１に示す方法がある。ここで、図１０
は、従来の液晶素子の回路構成の他の例を示す回路図で
あり、図１１は、従来の液晶素子の駆動方法の他の例を
示すタイミングチャート図である。なお、図１１(a)
は、ＴＦＴ５のゲート電極５ａに印加されるゲート電圧
Ｖ_g のタイミングを示す図であり、(b) は、ソース電極
５ｂに印加される電圧とそのタイミングを示す図であ
り、(c) は液晶２に印加される電圧を示す図であり、
(d) は共通電極３の電位を示す図である。

【００１２】この方法では、画像の書き込みに際して
は、上述と同様の方法によりＴＦＴ５のゲート電極５ａ
にゲート電圧Ｖ_g を印加すると共にＴＦＴ５のソース電
極５ｂに書き込み電圧Ｖ_D を印加するが、画像のリセッ
トに際しては、リセット電圧Ｖ_R を一定とするのではな
く、直前の書き込み電圧Ｖ_D に一致するように可変制御
するようになっている（図１１(a) (b) 参照）。かかる
方法によれば、書き込み電圧Ｖ_D とリセット電圧Ｖ_R と
が逆極性であって大きさが全く等しいので上述のような
ＤＣ成分は生じず（同図(c) 参照）、残像発生に伴う画
質の悪化という問題を回避できるが、反面、書き込み電
圧Ｖ_D が小さければリセット電圧Ｖ_R も小さくなって十
分なリセットができず、コントラストが悪くなるという
問題が生ずる。

【００１３】そこで、本発明は、残像発生に伴う画質の
悪化を防止した液晶素子の駆動方法を提供することを目
的とするものである。

【００１４】また、本発明は、リセット不良に伴うコン
トラストの悪化を防止した液晶素子の駆動方法を提供す
ることを目的とするものである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は上記事情を考慮
してなされたものであり、所定間隙を開けた状態に配置
された一対の基板と、これら一対の基板の間に配置され
た液晶と、複数の画素を構成すると共に該液晶を挟み込
むように配置された第１電極及び第２電極と、該第２電
極に接続されて各画素毎に配置された複数のスイッチン
グ素子と、該スイッチング素子のゲートに接続された第
３電極と、該スイッチング素子のソースに接続された第
４電極と、を備えた液晶素子であって、前記第３電極へ
のゲート電圧の印加に基づき前記スイッチング素子をオ
ンして前記第４電極と前記第２電極とを同電位にし書き
込み電圧やリセット電圧を前記液晶に印加する液晶素子
の駆動方法において、前記書き込み電圧をＶ_D とし前記
リセット電圧をＶ_R とした場合におけるそれらの電圧の
関係が、 Ｖ_R ＝−（Ｖ_D ＋ΔＶ） を満足し、前記ΔＶの値は、前記Ｖ_R や前記Ｖ_D の値と
関係なく画素の別を問わず一定とされ、かつ、ΔＶとＶ
_D とは同じ符号である、ことを特徴とする。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、図１乃至図６を参照して、
本発明の実施の形態について説明する。

【００１７】本実施の形態にて駆動される液晶素子Ｐ
は、図１及び図２に示すように、所定間隙を開けた状態
に配置された一対の基板１ａ，１ｂと、これら一対の基
板１ａ，１ｂの間に配置された液晶２と、複数の画素を
構成すると共に該液晶２を挟み込むように配置された第
１電極３及び第２電極４と、該第２電極４に接続されて
各画素毎に配置された複数のスイッチング素子５と、該
スイッチング素子５のゲートに接続された第３電極Ｇ
₁ ，Ｇ₂ ，…と、該スイッチング素子５のソースに接続
された第４電極Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…と、を備えたアクティブ
マトリクス型である。

【００１８】次に、本実施の形態に係る液晶素子Ｐの駆
動方法について説明する。

【００１９】本実施の形態においては、例えば図３に示
すように、前記第３電極Ｇ₁ ，Ｇ₂，…へゲート電圧Ｖ_g
を印加することによって前記スイッチング素子５をオ
ンし、それによって前記第４電極Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…と前記
第２電極４とを同電位にし、前記液晶２に書き込み電圧
やリセット電圧を印加して駆動するようになっている。

【００２０】本明細書においては、書き込み電圧Ｖ_D と
は、画像表示を行うために液晶２に印加される電圧（す
なわち、第１電極３と第２電極４との間に印加される電
圧）を意味し、リセット電圧Ｖ_R とは、画像のリセット
を行うために液晶２に印加される電圧（すなわち、第１
電極３と第２電極４との間に印加される電圧）を意味す
るが、本実施の形態におけるこれらの電圧Ｖ_D ，Ｖ_R の
関係は、 Ｖ_R ＝−（Ｖ_D ＋ΔＶ） を満足し、前記ΔＶの値は、前記Ｖ_R や前記Ｖ_D の値と
関係なく、しかも画素の別を問わず一定とされ、かつ、
ΔＶとＶ_D とは同じ符号である、ようにしている。つま
り、本実施の形態においては、 ＊ 前記書き込み電圧Ｖ_D と前記リセット電圧Ｖ_R とは
互いに逆極性であり、 ＊ 前記リセット電圧の絶対値｜Ｖ_R ｜の方が書き込み
電圧の絶対値｜Ｖ_D ｜よりも一定値｜ΔＶ｜だけ大きく
なるように、設定されている。この場合、前記書き込み
電圧Ｖ_D を印加する時間と前記リセット電圧Ｖ_R を印加
する時間とを略等しくすると良い。また、書き込み電圧
Ｖ_D の大きさを表示階調に応じて可変制御し、リセット
電圧Ｖ_R の大きさを前記書き込み電圧Ｖ_D の大きさに応
じて可変制御すると良い。

【００２１】なお、前記書き込み電圧Ｖ_D と前記リセッ
ト電圧Ｖ_R とが上式の関係を満足するようにするには、
以下の方法がある。すなわち、 図３に示すように、第１電極３の電位を０Ｖにする
（同図(c) 参照）と共に前記第４電極Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…に
Ｖ_D の電圧を印加する（同図(b) 参照）ことにより前記
書き込み電圧Ｖ_D を前記液晶２に印加し（同図(d) 参
照）、かつ、前記第１電極３の電位を０Ｖにする（同図
(c) 参照）と共に前記第４電極Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…にＶ_R の
電圧を印加する（同図(b) 参照）ことにより前記リセッ
ト電圧Ｖ_R を前記液晶２に印加する方法（同図(d) 参
照） 図４に示すように、上記ΔＶの半分に相当する電圧
（ΔＶ／２）を前記第１電極３に印加すると共に（同図
(c) 参照）、｜Ｖ_D ｜＋｜ΔＶ／２｜の大きさの電圧を
前記第４電極Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…に印加する（同図(b) 参
照）ことにより、書き込み電圧Ｖ_D （＝Ｖ_D ＋ΔＶ／２
−ΔＶ／２）を前記液晶２に印加し（同図(d) 参照）、
かつ、上記ΔＶの半分に相当する電圧（ΔＶ／２）を前
記第１電極３に印加すると共に（同図(c) 参照）、｜Ｖ
_D ｜＋｜ΔＶ／２｜の大きさの電圧を前記第４電極Ｓ
₁ ，Ｓ₂ ，…に印加する（同図(b)参照）ことによりリ
セット電圧Ｖ_R （＝−Ｖ_D −ΔＶ）を前記液晶２に印加
する方法（同図(d) 参照） 図５に示すように、前記第１電極３の電位を０Ｖに
する（同図(c) 参照）と共に前記第４電極Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，
…にＶ_D の電圧を印加する（同図(b) 参照）ことにより
前記書き込み電圧Ｖ_D を前記液晶２に印加し（同図(d)
参照）、かつ、前記ΔＶに相当する電圧を前記第１電極
３に印加する（同図(c) 参照）と共に前記第４電極Ｓ
₁ ，Ｓ₂ ，…に−Ｖ_D の電圧を印加する（同図(b) 参
照）ことにより前記リセット電圧Ｖ_R を前記液晶２に印
加する方法（同図(d) 参照） 前記第４電極Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…の電位を０Ｖにして前
記スイッチング素子５のオンによって前記第２電極４の
電位を０Ｖにすると共に、前記第１電極３に所定電圧
（書き込み電圧又はリセット電圧）を印加する方法ここ
で、図３乃至図５は、本発明に係る液晶素子の駆動方法
の一例を示すタイミングチャート図であり、各図の(a)
は、スイッチング素子５のゲート５ａに印加されるゲー
ト電圧Ｖ_g のタイミングを示す図であり、(b) は、ソー
ス５ｂに印加される電圧とそのタイミングを示す図であ
り、(c) は第１電極３の電位を示す図である。

【００２２】なお、液晶２に強誘電性液晶を用い、該液
晶２の両側に同じ材質の配向制御膜を配置して、図６の
ように駆動しても良い。すなわち、１フレーム期間Ｆ₀
をリセット期間Ｆ_R と書き込み期間Ｆ_D とに分け、 ＊ リセット期間Ｆ_R においては、前記第１電極３と前
記第２電極４との間の前記液晶２にリセット電圧Ｖ_R を
印加して画像のリセットを行い、 ＊ 書き込み期間Ｆ_D においては、前記第１電極３と前
記第２電極４との間の前記液晶２に書き込み電圧Ｖ_D を
印加して画像を表示するようにすると良い。

【００２３】この場合、書き込み電圧Ｖ_D とリセット電
圧Ｖ_R とが逆極性で、かつ直流成分がほとんど生じない
ようにすると良い。

【００２４】また、リセット電圧Ｖ_R の印加や書き込み
電圧Ｖ_D の印加は、前記第３電極Ｇ₁ ，Ｇ₂ ，…にゲー
ト電圧Ｖ_g を印加して前記スイッチング素子５をオンす
ることによって前記第４電極Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…と前記第２
電極４とを同電位にして行えば良いが、その方法として
は、 ＊ 前記第４電極Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…の電位を０Ｖにして前
記スイッチング素子５のオンによって前記第２電極４の
電位を０Ｖにすると共に、前記第１電極３に所定電圧
（リセット電圧又は書き込み電圧）を印加する方法（図
６のリセットはこの方法によって行っている）や、 ＊ 前記第４電極Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…の電位を所定電位（す
なわち、リセット電圧や書き込み電圧に等しい電位）を
印加して前記スイッチング素子５のオンによって前記第
２電極４を同電位にすると共に、前記第１電極３の電位
を０Ｖにする方法（図６の書き込みはこの方法によって
行っている）や、 ＊ 前記第４電極Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…及び前記第１電極３の
電位をそれぞれ所定の電位にし、前記スイッチング素子
５のオンによって前記第４電極Ｓ₁ ，Ｓ₂，…と前記第
２電極４とを同電位にする方法、がある。

【００２５】なお、書き込み電圧Ｖ_D は、図６(d) に示
すように一定時間だけの印加にとどめ、それ以降は液晶
２のメモリー性を利用して画像を表示すれば良い。その
方法としては、同図(a) 乃至(c) に示すように、画像書
き込み後所定期間経過した時点で、前記第１電極３及び
前記第４電極Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…の電位を０Ｖにした状態で
前記スイッチング素子５をオンする方法がある。この方
法によれば、液晶２は電圧が印加されていない状態とな
るが、液晶２のメモリー性を利用して画像が保持される
こととなる。

【００２６】なお、強誘電性液晶２としては、自発分極
が１０ｎＣ／ｃｍ² 以下のものが好ましい。

【００２７】この方法によれば、強誘電性液晶２を利用
しているため、応答速度が速く、駆動周波数が高くても
低くても良好な表示が得られる。

【００２８】以下、上述した液晶素子Ｐの構成部品の材
質等について詳述する。

【００２９】本実施の形態においては、上述した基板１
ａ，１ｂにはガラスやプラスチック等を用いれば良い。

【００３０】また、第１電極３及び第２電極４には、Ｉ
ｎ₂ Ｏ₃ やＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）
等の材料を用いれば良く、これらの電極３，４はそれぞ
れの基板１ａ，１ｂに形成すると良い。そして、スイッ
チング素子５が接続される方の電極４をドット状にマト
リックス状に配置し、他方の電極３は、他方の基板１ａ
の全体あるいは所定パターンで形成すると良い。

【００３１】さらに、各電極３，４の表面には、これら
の電極間のショートを防止するための絶緑膜（不図示）
を形成すると良く、かかる絶緑膜は、ＳｉＯ₂ 、ＴｉＯ
₂ 、Ｔａ₂ Ｏ₅ 等にて形成すれば良い。

【００３２】またさらに、液晶２に接する位置には、そ
の配向状態を制御する配向制御膜（不図示）を配置する
と良く、かかる配向制御膜には、無機物（一酸化珪素、
二酸化珪素、酸化アルミニウム、ジルコニア、フッ化マ
グネシウム、酸化セシウム、シリコン窒化物、シリコン
炭化物、ホウ素窒化物等）や、有機物（ポリビニールア
ルコール、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポ
リイミドアミド、ポリエステルイミド、ポリパラキシレ
ン、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリビ
ニルクロライド、ポリスチレン、ポリシロキ酸、セルロ
ース樹脂、メラニン樹脂、ウレア樹脂、アクリル樹脂）
を用いれば良い。このうち、ポリイミドが、より良好な
一軸配向性を得るためには好ましい。かかる場合、溶剤
に対して可溶性であるポリアミック酸を塗布し、焼成し
て形成すれば良く、パターニングを行うには、レジスト
塗布、エッチング及び洗浄を行えば良い。また、この配
向制御膜の表面には、ビロードや布や紙等の繊維状のも
のでラビング処理を施すと良い。

【００３３】また、スイッチング素子５としては、ＴＦ
Ｔ等の薄膜トランジスタを用いることができ、具体的に
は、アモルファスシリコンベースのものや、ポリシリコ
ンタイプのものや、マイクロクリスタルベースのもの
や、単結晶シリコン等の半導体を用いれば良い。

【００３４】さらに、基板１ａ，１ｂの間隙にスペーサ
ー（不図示）を配置して、かかるスペーサーによってそ
の間隙寸法を規定するようにしてもよい。このスペーサ
ーにはシリカビーズ等を用いれば良い。なお、間隙寸法
は、液晶材料に応じて調整すれば良いが、均一な一軸配
向性を達成したり、電圧が印加されていない状態での液
晶分子の平均分子軸を配向処理軸の平均方向の軸と実質
的に一致させるために、０．３〜１０μｍの範囲に設定
することが好ましい。例えば、前記カイラルスメクチッ
ク液晶２が配置される前記基板１ａ，１ｂの間隙寸法
は、カイラルスメクチック液晶２のバルク状態でのらせ
んピッチの半分以下にすると良い。

【００３５】またさらに、基板１ａ，１ｂの間隙にエポ
キシ樹脂等からなる接着粒子（不図示）を分散配置し
て、両基板１ａ，１ｂの接着性や、液晶素子Ｐの耐衝撃
性を向上させると良い。

【００３６】またさらに、例えば基板１ａ，１ｂの少な
くとも一方にカラーフィルター（不図示）を配置してカ
ラー表示できるようにしてもよい。

【００３７】また、液晶素子Ｐは、透過型としても良
く、反射型としても良い。なお、透過型の場合には、両
基板１ａ，１ｂを透明にすると共に照明のためのバック
ライト装置を配置すると良く、反射型の場合には、基板
１ａ，１ｂの一方に光を反射させる機能を付与すると良
い。ここで、光を反射させる機能を付与する方法として
は、 ＊ 反射板を、基板とは別体に設ける方法や、 ＊ 基板自体を反射部材で形成する方法や、 ＊ 基板に反射膜を形成する方法、 等を挙げることができる。なお、この液晶素子Ｐは、直
視型に応用しても良く、透写型に応用しても良い。

【００３８】一方、液晶２としてはカイラルスメクチッ
ク液晶を挙げることができるが、このカイラルスメクチ
ック液晶を用いた場合には、双安定性を発現させるため
に基板間隙を５μｍ以下にすると良い。

【００３９】また、本発明において用いられるカイラル
スメクチック液晶組成物としては、フルオロカーボン末
端部分および炭化水素部分が中心核によって結合された
構造であって、スメクチック中間相又は潜在的スメクチ
ック中間相を有するフッ素含有液晶化合物を有するもの
が好ましい。

【００４０】前記フッ素含有液晶化合物としては、フル
オロカーボン末端部分が、−Ｄ¹ −Ｃ_xaＦ_2xa −Ｘで表
わされる基（但し、上記式中ｘａは１〜２０であり、Ｘ
は−Ｈ又は−Ｆを表わし、Ｄ¹ は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ
₂ ）_ra−、−Ｏ−（ＣＨ₂ ）_ra−、−（ＣＨ₂ ）_ra−、
−Ｏ−ＳＯ₂ −、−ＳＯ₂ −、−ＳＯ₂ −（ＣＨ₂ ）_ra
−、−Ｏ−（ＣＨ₂ ）_ra−Ｏ−（ＣＨ₂ ）_rb−、−（Ｃ
Ｈ₂ ）_ra−Ｎ（Ｃ_paＨ_2pa+1 ）−ＳＯ₂ −、又は−（Ｃ
Ｈ₂ ）_ra−Ｎ（Ｃ_paＨ_2pa+1 ）−ＣＯ−を表わす。ｒａ
及びｒｂは、独立に１〜２０であり、ｐａは０〜４であ
る）、或いは、−Ｄ² −（Ｃ_xbＦ_2xb −Ｏ）_za−Ｃ_yaＦ
_2ya+1 で表わされる基（但し、上記式中ｘｂはそれぞれ
の（Ｃ_xbＦ_2xb −Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｙａ
は、１〜１０であり、ｚａは１〜１０であり、Ｄ² は、
−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc 、−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc −、−Ｃ_rc
Ｈ_2rc −、−Ｏ−（Ｃ_saＨ_2sa −Ｏ）_ta−Ｃ_rdＨ_2rd
−、−Ｏ−ＳＯ₂ −、−ＳＯ₂ −、−ＳＯ₂ −Ｃ_rcＨ
_2rc −、−Ｃ_rcＨ_2rc −Ｎ（Ｃ_pb Ｈ_2pb+1 ）−ＳＯ₂
−、−Ｃ_rcＨ_2rc −Ｎ（Ｃ_pbＨ_2pb+1 ）−ＣＯ−、単結
合から選ばれ、ｒｃ及びｒｄはそれぞれ独立に１〜２０
であり、ｓａはそれぞれの（Ｃ_saＨ_2sa −Ｏ）に独立に
１〜１０であり、ｔａは１〜６であり、ｐｂは０〜４で
ある）であるような化合物を用いることができる。

【００４１】特に好ましくは、下記一般式（Ｉ）、或い
は（ＩＩ）で表わされるフッ素含有液晶化合物を用いる
ことができる。

【００４２】

【化１】 を表わす。

【００４３】ｇａ、ｈａ、ｉａは独立に０〜３の整数
（但し、ｇａ＋ｈａ＋ｉａは少なくとも２である）を表
わす。

【００４４】夫々のＬ¹ とＬ² は独立に、単結合、−Ｃ
Ｏ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＳ−、−Ｓ−ＣＯ−、
−ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ−、−
Ｔｅ−ＣＯ−、−ＣＨ₂ ＣＨ₂ −、−ＣＨ＝ＣＨ−、−
Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂ −Ｏ
−、−Ｏ−ＣＨ₂ −、−ＣＯ−又は−Ｏ−を表わす。

【００４５】夫々のＸ¹ 、Ｙ¹ 、Ｚ¹ はＡ¹ 、Ａ² 、Ａ
³ の置換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂ
ｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ₃ 、−ＣＨ₃ 、−ＣＮ、又
は−ＮＯ₂ を表わし、夫々のｊａ、ｍａ、ｎａは独立に
０〜４の整数を表わす。

【００４６】Ｊ¹ は、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ₂ ）_ra−、−
Ｏ−（ＣＨ₂ ）_ra−、−（ＣＨ₂ ）_ra−、−Ｏ−ＳＯ₂
−、−ＳＯ₂ −、−ＳＯ₂ −（ＣＨ₂ ）_ra−、−Ｏ−
（ＣＨ₂ ）_ra−Ｏ−（ＣＨ₂ ）_rb−、−（ＣＨ₂ ）_ra−
Ｎ（Ｃ_paＨ_2pa+1 ）−ＳＯ₂ −、又は−（ＣＨ₂ ）_ra−
Ｎ（Ｃ_paＨ_2pa+1 ）−ＣＯ−を表わす。ｒａ及びｒｂ
は、独立に１〜２０であり、ｐａは０〜４である。

【００４７】Ｒ¹ は、−Ｏ−Ｃ_qaＨ_2qa −Ｏ−Ｃ_qbＨ
_2qb+1 、−Ｃ_qaＨ_2qa −Ｏ−Ｃ_qbＨ_2qb+1 、−Ｃ_qaＨ
_2qa −Ｒ³ 、−Ｏ−Ｃ_qaＨ_2qa −Ｒ³ 、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ
_qaＨ_2qa−Ｒ³ 、又は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qaＨ_2qa −Ｒ³ を
表わし、直鎖状、分枝状のいずれであっても良い（但
し、Ｒ³ は、−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qbＨ_2qb+1 、−ＣＯ−Ｏ−
Ｃ_qbＨ_2qb+1 、−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ₃ 、−ＮＯ
₂ 、−ＣＮを表わし、ｑａ及びｑｂは独立に１〜２０で
ある）。

【００４８】Ｒ² はＣ_xaＦ_2xa −Ｘを表わす（Ｘは−Ｈ
又は−Ｆを表わし、ｘａは１〜２０の整数である）。

【００４９】

【化２】 を表わす。

【００５０】ｇｂ、ｈｂ、ｉｂはそれぞれ独立に０〜３
の整数（但し、ｇｂ＋ｈｂ＋ｉｂは少なくとも２であ
る）を表わす。

【００５１】夫々のＬ³ 、Ｌ⁴ は独立に、単結合、−Ｃ
Ｏ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｓ−ＣＯ
−、−ＣＯ−Ｓｅ−、−Ｓｅ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｔｅ
−、−Ｔｅ−ＣＯ−、−（ＣＨ₂ ＣＨ₂ ）_ka−（ｋａは
１〜４）、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ
−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂ −Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ₂ −、
−ＣＯ−又は−Ｏ−を表わす。

【００５２】夫々のＸ² 、Ｙ² 、Ｚ² はＡ⁴ 、Ａ⁵ 、Ａ
⁶ の置換基であり、独立に−Ｈ、−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂ
ｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ₃ 、−ＣＨ₃ 、−ＣＦ₃ 、
−Ｏ−ＣＦ₃ 、−ＣＮ、又は−ＮＯ₂ を表わし、夫々の
ｊｂ、ｍｂ、ｎｂはそれぞれ０〜４の整数を表わす。

【００５３】Ｊ² は、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ_rcＨ_2rc −、−Ｏ
−Ｃ_rcＨ_2rc −、−Ｃ_rcＨ_2rc −、−Ｏ−（Ｃ_saＨ_2sa
−Ｏ）_ta−Ｃ_rdＨ_2rd −、−Ｏ−ＳＯ₂ −、−ＳＯ₂
−、−ＳＯ₂ −Ｃ_rcＨ_2rc −、−Ｃ_rcＨ_2rc −Ｎ（Ｃ_pb
Ｈ_2pb+1 ）−ＳＯ₂ −、−Ｃ_rcＨ_2rc −Ｎ（Ｃ_pbＨ
_2pb+1 ）−ＣＯ−であり、ｒｃ及びｒｄは独立に１〜２
０であり、ｓａはそれぞれの（Ｃ_saＨ_2sa −Ｏ）に独立
に１〜１０であり、ｔａは１〜６であり、ｐｂは０〜４
である。

【００５４】Ｒ⁴ は、−Ｏ−（Ｃ_qcＨ_2qc −Ｏ）_wa−Ｃ
_qdＨ_2qd+1 、−（Ｃ_qcＨ_2qc −Ｏ）_wa−Ｃ_qdＨ_2qd+1 、
−Ｃ_qcＨ_2qc −Ｒ⁶ 、−Ｏ−Ｃ_qcＨ_2qc −Ｒ⁶ 、−ＣＯ
−Ｏ−Ｃ_qcＨ_2qc −Ｒ⁶ 、又は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qcＨ_2qc
−Ｒ⁶ を表わし、直鎖状、分枝状のいずれであっても良
い（但し、Ｒ⁶ は−Ｏ−ＣＯ−Ｃ_qdＨ_2qd+1 、−ＣＯ−
Ｏ−Ｃ_qdＨ_2qd+1 、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ₃ 、−ＮＯ
₂ 、−ＣＮ、又は−Ｈを表わし、ｑｃ及びｑｄは独立に
１〜２０の整数、ｗａは１〜１０の整数である）。

【００５５】Ｒ⁵ は、（Ｃ_xbＦ_2xb −Ｏ）_za−Ｃ_yaＦ
_2ya+1 で表わされる（但し、上記式中ｘｂはそれぞれの
（Ｃ_xbＦ_2xb −Ｏ）に独立に１〜１０であり、ｙａは１
〜１０であり、ｚａは１〜１０である）。

【００５６】上記一般式（Ｉ）で表わされる化合物は、
特開平２−１４２７５３号公報、米国特許第５，０８
２，５８７号に記載の方法によって得ることができる。
かかる化合物の具体例を以下に列挙する。

【００５７】

【化３】

【００５８】

【化４】

【００５９】

【化５】

【００６０】

【化６】

【００６１】

【化７】

【００６２】

【化８】

【００６３】

【化９】

【００６４】

【化１０】

【００６５】

【化１１】

【００６６】

【化１２】

【００６７】

【化１３】

【００６８】

【化１４】 上記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物は、国際公開Ｗ
Ｏ９３／２２３９６、特表平７−５０６３６８号公報に
記載の方法によって得ることができる。かかる化合物の
具体例を以下に列挙する。

【００６９】

【化１５】

【００７０】

【化１６】

【００７１】

【化１７】

【００７２】

【化１８】

【００７３】

【化１９】 特に、液晶組成物に用いるカイラル成分として一般式
（ＩＩＩ）に示す化合物を用いることが好ましい。一般
式（ＩＩＩ）に示す化合物は、Ｗ９６／３３２５１記載
の方法によって得ることができる。

【００７４】

【化２０】 式中、Ｍ、Ｎ、Ｐは、それぞれ独立に、

【００７５】

【化２１】

【００７６】

【化２２】 を表わす。

【００７７】ａ，ｂ，ｃは、ａ＋ｂ＋ｃが少なくとも１
で、好ましくは、２より大きくならない条件で、独立に
０〜３の整数である。

【００７８】それぞれのＡとＢは、独立に、方向はどち
らでもよく、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ
−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓｅ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｔｅ−、−
（ＣＨ₂ ＣＨ₂ ）_k −（但し、ｋは１〜４）−ＣＨ＝Ｃ
Ｈ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−ＣＨ₂ −Ｏ−、−
Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−を表わす。

【００７９】それぞれのＸ、Ｙ、Ｚは、独立に、−Ｈ、
−Ｃｌ、−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＯＨ、−ＯＣＨ₃ 、−
ＣＨ₃ 、−ＣＦ₃ 、−ＯＣＦ₃ 、−ＣＮ、−ＮＯ₂ を表
わし、それぞれのｌ，ｍ，ｎは独立に０〜４の整数を表
わす。

【００８０】Ｄは、方向はどちらでもよく、

【００８１】

【化２３】 を表わす。

【００８２】ｒとｒ’は、独立に０〜２０の整数を表わ
し、ｓは、それぞれの（Ｃ_s Ｈ_2sＯ）に独立に１〜１０
であり、ｔは１〜６の整数であり、ｐは０〜４の整数で
ある。

【００８３】Ｒは、

【００８４】

【化２４】 を表わす。

【００８５】Ｒ’は、独立に、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ
₃ 、−ＮＯ₂ 、−ＣＮ、−Ｈ、−Ｃ_qＨ_2q+1、−Ｏ−
（Ｏ＝）Ｃ−Ｃ_q Ｈ_2q+1、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｃ_q Ｈ
_2q+1、−Ｂｒ、−ＯＨ、−ＯＣ_q Ｈ_2q+1（好ましくは、
−Ｈ、−Ｆ）を表わし、ｑ’は、それぞれの（Ｃ_q'Ｈ
_2q' −Ｏ）に独立に１〜２０であり、ｑは１〜２０の整
数であり、ｗは、１〜１０の整数であり、ｖは０〜６の
整数であり、ｖ’はそれぞれ独立に０〜６の整数であ
り、ｑは１〜３の整数であり、それぞれＤは、先に示し
た構造で、それぞれ独立に方向はどちらでもよく、Ｄを
含む環構造は３〜１０の原子で構成される。Ｗはそれぞ
れ独立にＮ、ＣＲ’、ＳｉＲ’であり、Ｒ’はカイラル
でもアカイラルでもよい。

【００８６】Ｒｆ’は、−Ｒ^* −Ｄ−（Ｏ）_x −ＣＨ₂
−Ｄ’−Ｒ_f を表わす。ここで、Ｒ^* は環状カイラルで
も非環状カイラルでもよい。ＤとＤ’は、先に示した構
造で、それぞれ独立に方向はどちらでもよく、ｘは０又
は１であり、Ｒ_f は、フルオロアルキル、パーフルオロ
アルキル、フルオロエーテル、又は、パーフルオロエー
テルである。好ましくはＲ_f は、フルオロアルキル、フ
ルオロエーテル、又は、パーフルオロエーテルである。

【００８７】Ｒ^* は、

【００８８】

【化２５】 を表わす。

【００８９】Ｒ’は独立に、−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ₃ 、
−ＮＯ₂ 、−ＣＮ、−Ｈ、−Ｃ_q Ｈ_2q+1、−Ｏ−（Ｏ
＝）Ｃ−Ｃ_q Ｈ_2q+1、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｃ_q Ｈ_2q+1、
−Ｂｒ、−ＯＨ、−ＯＣ_q Ｈ_2q+1（好ましくは、−Ｈ、
−Ｆ、−ＣＦ₃ 、−Ｂｒ、−ＯＨ、−ＯＣＨ₃ であり、
より好ましくは、−Ｈ、−Ｆ、−ＣＦ₃ である）、ｑ’
はそれぞれの（（Ｃ_q'Ｈ_2q'-v'−（Ｒ’）_v'）−Ｏ）に
独立に１〜２０であり、ｑは１〜２０の整数であり、ｗ
は０〜１０の整数であり、ｖは０〜６の整数であり、そ
れぞれのｖ’は独立に０〜６の整数であり、ｑは１〜３
の整数であり、それぞれのＤは、先に示した構造で、独
立に、方向はどちらでもよく、Ｄを含む環構造は３〜１
０の原子で構成される。それぞれのｗは、独立に、Ｎ、
ＣＲ’、ＳｉＲ’を表わす。より好ましくは、Ｒ_f は、
パーフルオロエーテルである。Ｄ’は、好ましくは共有
結合である。

【００９０】Ｒ_f において、パーフルオロアルキル基は
−Ｃ_q Ｆ_2qＸ’の構造で代表される。ここで、ｑは上述
したものであり（好ましくは、少なくとも５である）、
Ｘ’は水素又はフッ素である。フルオロアルキル及びフ
ルオロエーテル基は、−Ｒ_f"−Ｒ_h'の構造で代表され
る。ここで、Ｒ_f"は直鎖又は分枝しているものであり、
１〜１０（好ましくは２〜６）の炭素原子を有し、１又
はそれ以上のエーテル酸素原子がつらなっているフッ素
化された、又は部分的にフッ素化されたアルキル基であ
る。Ｒ_h は、直鎖又は分枝されたアルキル基であって、
１〜１４（好ましくは、３〜１０）の炭素原子を有し、
１又はそれ以上のエーテル酸素原子がつらなっている。
Ｒ_f"は、好ましくは、フッ素化されており、Ｒ_h 及びＲ
_f"の双方は直鎖であり、Ｒ_h 及びＲ_f"の基の少なくとも
１つは、少なくとも１つのエーテル酸素原子を有する。
より好ましくは、Ｒ_h 、又はＲ_h 及びＲ_f"の双方が、少
なくとも１つのエーテル酸素原子を有する。

【００９１】好ましくは、パーフルオロエーテル基は、
−（Ｃ_x Ｆ_2xＯ）₂ Ｃ_y Ｆ_2y+1の構造で代表される。こ
こで、ｘは、それぞれの（Ｃ_x Ｆ_2xＯ）に独立に１〜１
０であり、ｙは１〜１０の整数であり、ｚは１〜１０の
整数である。好ましくは、パーフルオロエーテル基は直
鎖であり、ｘは、それぞれの（Ｃ_x Ｆ_2xＯ）に独立に１
〜６であり、ｙは１〜６の整数であり、ｚは１〜６の整
数である。

【００９２】好ましくは、カイラル化合物は次の構造式
で代表される。

【００９３】Ｒ”−（Ｏ）_j −Ｇ−（ＯＣＨ₂ ）_j −Ｒ
^* −（Ｃ_s Ｈ_2sＯ）_t Ｃ_r'Ｈ_2r' −Ｒ_f Ｒ”は（Ｒ’）_v −Ｃ_q Ｈ_2q+1-vを表わす。ここで、ｑ
は２〜１０の整数であり、それぞれのＲ’は、独立に、
水素、フッ素、塩素、メチル、パーフルオロメチル基で
ある。ｖは１〜３の整数であり、ｊは０又は１であり、
Ｇは、

【００９４】

【化２６】 を表わす。

【００９５】Ｒ^* は、

【００９６】

【化２７】 を表わす。

【００９７】ここで、Ｒ’は−Ｆであり、ｑは１〜４の
整数であり、ｖは１〜３の整数であり、ｗはＮ又はＣＨ
であり、Ｄは−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−又は−ＣＨ₂ −であ
る。ｓは１〜６の整数であり、ｔは０又は１であり、
ｒ’は１〜３の整数であり、Ｒ_fは、−Ｃ_q Ｆ_2qＸ’、
−Ｒ_f"−Ｒ_h 、−（Ｃ_x Ｆ_2xＯ）_z Ｃ_y Ｆ_2y+1を表わ
す。ここで、ｑは１〜６の整数であり、Ｘ’はフッ素で
ある。Ｒ_f"は、直鎖又は分枝された、部分的にフッ素化
されたアルキル基であって、２〜４の炭素原子を有し、
１又はそれ以上のエーテル酸素原子がつらなっている。
Ｒ_h は、直鎖又は分枝された、アルキル基であって、２
〜７の炭素原子を有し、１又はそれ以上のエーテル酸素
原子がつらなっている。ｘは、それぞれの（Ｃ_x Ｆ
_2xＯ）に独立に１〜１０であり、ｙは１〜８の整数であ
り、ｚは１〜５の整数である。

【００９８】

【表１】

【００９９】

【表２】

【０１００】

【表３】

【０１０１】

【表４】

【０１０２】

【表５】 次に、本実施の形態の効果について説明する。

【０１０３】本実施の形態によれば、液晶２には、表示
階調に応じた書き込み電圧Ｖ_Ｄ が印加され、該書き込
み電圧Ｖ_Ｄ との間で、 Ｖ_Ｒ ＝−（Ｖ_Ｄ ＋ΔＶ） を満足するリセット電圧Ｖ_Ｒ が印加されることとな
る。したがって、該リセット電圧の絶対値｜Ｖ_Ｒ ｜の
方が書き込み電圧の絶対値｜Ｖ_Ｄ ｜よりも一定値｜Δ
Ｖ｜だけ大きくなり、１フレーム期間全体ではリセット
電圧Ｖ_Ｒ の影響の方が強く、この｜ΔＶ｜の大きさに
応じた直流電圧（ＤＣ成分）が液晶２に印加されている
ことと等価になる（図３（ｄ） 参照）。

【０１０４】しかし、本実施の形態によれば、上記｜Δ
Ｖ｜の値は、表示階調（すなわち、書き込み電圧Ｖ_Ｄ
の大きさ）と無関係に一定であり、画素の別を問わず一
定になるように構成されているため、同一画像を長時間
表示した後に画像を切り換える場合、前記直流電圧が新
たな画像に与える影響は各画素について均一であって残
像としての影響を与えることはなく、画質が悪くなるこ
ともない。

【０１０５】また、上述のように、前記リセット電圧の
絶対値｜Ｖ_Ｒ ｜の方が書き込み電圧の絶対値｜Ｖ_Ｄ
｜よりも一定値｜ΔＶ｜だけ大きく設定されているた
め、書き込み電圧Ｖ_Ｄ が小さくてもリセット電圧Ｖ_Ｒ
はΔＶだけは少なくとも補償されることとなる。した
がって、かかる場合においても十分なリセットができ、
コントラストが悪くなるという問題を解消できる。

【０１０６】さらに、図５に示すように、前記第１電極
３の電位を０Ｖにすると共に前記第４電極Ｓ_１ ，Ｓ_２
，…にＶ_Ｄ の電圧を印加することにより前記書き込
み電圧Ｖ_Ｄ を前記液晶２に印加し、かつ、前記ΔＶに
相当する電圧を前記第１電極３に印加すると共に前記第
４電極Ｓ_１ ，Ｓ_２ ，…に−Ｖ_Ｄ の電圧を印加する
ことにより前記リセット電圧Ｖ_Ｒ を前記液晶２に印加
する方法を用いた場合には、第４電極Ｓ_１ ，Ｓ_２ ，
…に印加する電圧を小さくでき、駆動ＩＣに安価なもの
を用いることができる。

【０１０７】

【実施例】以下、実施例に沿って本発明を更に詳細に説
明する。

【０１０８】（実施例１）本実施例においては、図１及
び図２に示すアクティブマトリクス型の液晶パネル（液
晶素子）Ｐを作成し、図３に示す方法で駆動した。

【０１０９】まず、液晶パネルＰの構造について、図１
及び図２を参照して説明する。

【０１１０】液晶パネルＰは、一対のガラス基板１ａ，
１ｂを所定間隙（２μｍ）を開けた状態に配置して構成
し、一方のガラス基板１ａの全面には、均一な厚みの共
通電極（第１電極）３を形成し、この共通電極３の表面
には絶縁膜（不図示）を形成した。なお、符号１０はカ
ラーフィルターを示し、符号１１はブラックマトリクス
を示し、符号１２は平坦化膜を示す。

【０１１１】また、他方のガラス基板１ｂの側には、図
２に示すように、ゲート線Ｇ₁ ，Ｇ₂ ，…を図示ｘ方向
に多数形成し、ソース線Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…を図示ｙ方向に
多数形成した。そして、これらのゲート線Ｇ₁ ，Ｇ₂ ，
…及びソース線Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…の各交点の画素には、ス
イッチング素子としての薄膜トランジスタ（アモルファ
スＳｉＴＦＴ）５や、ＩＴＯ膜等の透明導電膜からなる
画素電極（第２電極）４及び保持容量電極６等を形成し
た。なお、画素電極４は、１００μｍ×３０μｍの寸法
とし、共通電極３と共に画素を構成させた。

【０１１２】このうち、保持容量電極６は、ガラス基板
１ｂの表面であって画素電極４に重なる位置に形成し、
これらの電極６，４の間隙には、０．３μｍの厚みの窒
化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる絶縁膜１７を形成して
補助容量Ｃｓを作成した。

【０１１３】一方、上述したアモルファスＳｉＴＦＴ５
は、ゲート電極５ａと、絶縁膜（ゲート絶緑膜）５ｃ
と、半導体層であるａ−Ｓｉ層５ｄやｎ＋ａ−Ｓｉ層５
ｅ，５ｆと、ソース電極５ｂと、ドレイン電極５ｇと、
によって構成した。すなわち、ガラス基板１ｂには各画
素毎にゲート電極５ａを形成し、該ゲート電極５ａの表
面は絶縁膜５ｃにて覆い、絶縁膜５ｃの表面であってゲ
ート電極５ａを形成した位置にはａ−Ｓｉ層５ｄを形成
した。また、このａ−Ｓｉ層５ｄの表面には、互いに離
間するようにｎ＋ａ−Ｓｉ層５ｅ，５ｆを形成し、各ｎ
＋ａ−Ｓｉ層５ｅ，５ｆにはソース電極５ｂやドレイン
電極５ｇを互いに離間した状態に形成した。

【０１１４】そして、ＴＦＴ５のゲート電極５ａは上述
したゲート線Ｇ₁ ，Ｇ₂ ，…を介してゲートドライバ１
５に接続し、ＴＦＴ５のソース電極５ｂはソース線Ｓ
₁ ，Ｓ₂ ，…を介してデータドライバ１６に接続し、Ｔ
ＦＴ５のドレイン電極５ｇは画素電極４に接続した。

【０１１５】一方、上述したＴＦＴ５や画素電極４を覆
うように配向制御膜（不図示）を形成し、その表面には
一軸配向処理（ラビング処理）を施した。

【０１１６】そして、これらのガラス基板１ａ，１ｂの
間隙にはカイラルスメクチック液晶２を配置した。した
がって、共通電極３及び画素電極４は、液晶２を挟み込
むように配置されることとなる。

【０１１７】なお、ガラス基板１ａ，１ｂの厚さは１．
１ｍｍとし、共通電極３や画素電極４は、９０ｎｍ厚の
ＩＴＯ膜にて形成した。

【０１１８】また、上述の配向制御膜は、 ＊ ラダー型のポリシロキサンのエタノール溶液をスピ
ンコート法によって塗布し、 ＊ ８０℃の温度での５分間の前乾燥を行い、 ＊ ２００℃の温度での１時間の加熱焼成を行って膜厚
が３００ｎｍのポリシロキサン層を形成し、 ＊ 該ポリシロキサン層の表面に、下記の繰り返し単位
を有するポリイミド（前駆体）を同様にスピンコート法
によって塗布し、 ＊ ８０℃の温度での５分間の前乾燥を行い、 ＊ ２００℃の温度での１時間の加熱焼成を行って膜厚
が１０ｎｍのポリイミド膜を形成する、ことによって得
た。

【０１１９】

【化２８】 なお、この配向制御膜には一軸配向処理としてラビング
処理を施した。このラビング処理には、径１０ｃｍのロ
ールにナイロン布（ＮＦ−７７、帝人社製）を貼付した
ラビングロールを用い、ロールの押し込み量は０．３ｍ
ｍとし、送り速度は１ｃｍ／ｓｅｃとし、回転速度は１
０００ｒｐｍとし、ラビング処理回数は４回とした。

【０１２０】さらに、他方のガラス基板１ａの絶縁膜
は、 ＊ ラダー型のポリシロキサンのエタノール溶液をスピ
ンコート法によって塗布し、 ＊ ８０℃の温度での５分間の前乾燥を行い、 ＊ ２００℃の温度での１時間の加熱焼成を行って膜厚
が３００ｎｍのポリシロキサン層を形成、することによ
って得た。

【０１２１】一方、一対のガラス基板１ａ，１ｂの貼り
合わせは、平均粒径が２．２μｍのスペーサービーズを
一方のガラス基板１ｂに３００個／ｍｍ² の密度で散布
して行った。

【０１２２】また、液晶２は、下記に示す(a) から(d)
までの液晶組成物を２５：６０：１０：５の重量比率で
混合して作成した。

【０１２３】

【化２９】 なお、作成した液晶２の物性パラメータは、以下の通り
であった。

【０１２４】

【表６】 かかる液晶２の液晶セルへの注入は等方相の状態で行
い、液晶注入後には室温まで冷却した。

【０１２５】なお、作成した液晶パネルＰにおける、印
加電圧と透過光量との関係は図７に示すものであった。

【０１２６】次に、上述した液晶パネルＰの駆動方法に
ついて、図３を参照して説明する。

【０１２７】本実施例においては、１フレーム期間Ｆ₀
を書き込み期間Ｆ_D とリセット期間Ｆ_R とに分け、書き
込み期間Ｆ_D においては、共通電極３の電位を０Ｖにし
（同図(c) 参照）、表示階調に応じた正極性の電圧Ｖ_D
をソース線Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…に印加する（同図(b) 参照）
と共にゲート電圧Ｖ_g をゲート線Ｇ₁ ，Ｇ₂ ，…に印加
した（同図(a) 参照）。このゲート電圧Ｖ_g の印加によ
ってＴＦＴ５がオンされ、画素電極４はソース線Ｓ₁ ，
Ｓ₂ ，…と同電位Ｖ_D になって、共通電極３と画素電極
４との間の液晶２には書き込み電圧Ｖ_D が印加されて階
調画像が表示される（同図(d) 参照）。

【０１２８】次のリセット期間Ｆ_R においても共通電極
３の電位は０Ｖを維持し（同図(c)参照）、ソース線Ｓ₁
，Ｓ₂ ，…には、 Ｖ_R ＝−（Ｖ_D ＋ΔＶ） なる負極性の電圧を印加する（同図(b) 参照）と共にゲ
ート電圧Ｖ_g をゲート線Ｇ₁ ，Ｇ₂ ，…に印加した（同
図(a) 参照）。このゲート電圧Ｖ_g の印加によってＴＦ
Ｔ５が再びオンされ、電圧Ｖ_R はＴＦＴ５を介して画素
電極４に印加され、共通電極３と画素電極４との間の液
晶２にはリセット電圧Ｖ_R が印加されて画像のリセット
が行われた（同図(d) 参照）。

【０１２９】このような駆動をフレーム期間毎に繰り返
し、表示を行った。

【０１３０】なお、本実施例においては、上記ΔＶを１
Ｖとし、前記Ｖ_R や前記Ｖ_D の値と関係なく、しかも画
素の別を問わず一定とした。また、書き込み期間Ｆ_D と
リセット期間Ｆ_R とは等しくした。さらに、本実施例に
おいては、書き込み電圧Ｖ_Dの大きさを表示階調に応じ
て可変制御し、リセット電圧Ｖ_R の大きさを前記書き込
み電圧Ｖ_D の大きさに応じて可変制御した。

【０１３１】一方、本実施例にて作成した液晶パネルＰ
において、書き込み電圧Ｖ_D と透過率との関係は下表の
ようになった。

【０１３２】

【表７】 次に、本実施例の効果について説明する。

【０１３３】本発明者が、書き込み電圧Ｖ_D をそれぞれ
２Ｖ、４Ｖ及び７Ｖとして複数の液晶パネルＰを室温下
で１００時間駆動して残像発生の様子を調べたが、全く
残像のない良好な画像が得られた。

【０１３４】また、書き込み電圧Ｖ_D ＝７Ｖでのコント
ラストは２５０であり、コントラストの良好な画像が得
られた。

【０１３５】（実施例２）本実施例においては、実施例
１と同じ方法で作成した液晶パネルＰを図４に示す方法
で駆動した。すなわち、１フレーム期間Ｆ₀ を書き込み
期間Ｆ_D とリセット期間Ｆ_R とに分け、書き込み期間Ｆ
_D においては、共通電極３に０．５Ｖの電圧を印加し
（同図(c) 参照）、ソース線Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…には、表示
階調に応じた正極性の電圧Ｖ_D に０．５Ｖを加えた大き
さの電圧（Ｖ_D ＋０．５Ｖ）を印加し（同図(b) 参
照）、ゲート電圧Ｖ_g をゲート線Ｇ₁ ，Ｇ₂ ，…に印加
した（同図(a) 参照）。このゲート電圧Ｖ_g の印加によ
ってＴＦＴ５がオンされ、画素電極４はソース線Ｓ₁ ，
Ｓ₂ ，…と同電位（Ｖ_D ＋０．５Ｖ）となって、共通電
極３と画素電極４との間の液晶２には書き込み電圧Ｖ_D
＝Ｖ_D ＋ΔＶ／２−ΔＶ／２が印加されて階調画像が表
示される（同図(d) 参照）。

【０１３６】次のリセット期間Ｆ_R においても共通電極
３の電位は０．５Ｖを維持させ（同図(c) 参照）、ソー
ス線Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…には−Ｖ_D −０．５Ｖの大きさの電
圧を印加し（同図(b) 参照）、ゲート電圧Ｖ_g をゲート
線Ｇ₁ ，Ｇ₂ ，…に印加した（同図(a) 参照）。このゲ
ート電圧Ｖ_g の印加によってＴＦＴ５が再びオンされ、
画素電極４はソース線Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…と同電位（−Ｖ_D
−０．５Ｖ）となって、共通電極３と画素電極４との間
の液晶２にはリセット電圧Ｖ_R （＝−Ｖ_D −１Ｖ＝−Ｖ
_D −ΔＶ）が印加されて画像のリセットが行われた（同
図(d) 参照）。

【０１３７】このような駆動をフレーム期間毎に繰り返
し、表示を行った。

【０１３８】なお、本実施例においては、上記ΔＶを１
Ｖとし、前記Ｖ_R や前記Ｖ_D の値と関係なく、しかも画
素の別を問わず一定とした。また、書き込み期間Ｆ_D と
リセット期間Ｆ_R とは等しくした。さらに、本実施例に
おいては、書き込み電圧Ｖ_Dの大きさを表示階調に応じ
て可変制御し、リセット電圧Ｖ_R の大きさを前記書き込
み電圧Ｖ_D の大きさに応じて可変制御した。

【０１３９】一方、本実施例にて作成した液晶パネルＰ
において、書き込み電圧Ｖ_D と透過率との関係は下表の
ようになった。

【０１４０】

【表８】 本実施例によれば、実施例１と同様の効果が得られた。

【０１４１】（実施例３）本実施例においては、実施例
１と同じ方法で作成した液晶パネルＰを図５に示す方法
で駆動した。すなわち、１フレーム期間Ｆ₀ を書き込み
期間Ｆ_D とリセット期間Ｆ_R とに分け、書き込み期間Ｆ
_D においては、共通電極３の電位を０Ｖにし（同図(c)
参照）、ソース線Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…には、表示階調に応じ
た正極性の電圧Ｖ_D を印加し（同図(b) 参照）、ゲート
電圧Ｖ_g をゲート線Ｇ₁ ，Ｇ₂ ，…に印加した（同図
(a) 参照）。このゲート電圧Ｖ_g の印加によってＴＦＴ
５がオンされ、画素電極４はソース線Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…と
同電位Ｖ_D となって、共通電極３と画素電極４との間の
液晶２には書き込み電圧Ｖ_D が印加されて階調画像が表
示される（同図(d) 参照）。

【０１４２】次のリセット期間Ｆ_R においては、共通電
極３には＋ΔＶ＝１Ｖの電圧を印加し（同図(c) 参
照）、ソース線Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…には−Ｖ_D の大きさの電
圧を印加し（同図(b) 参照）、ゲート電圧Ｖ_g をゲート
線Ｇ₁ ，Ｇ₂ ，…に印加した（同図(a) 参照）。このゲ
ート電圧Ｖ_g の印加によってＴＦＴ５が再びオンされ、
画素電極４はソース線Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…と同電位−Ｖ_D と
なって、共通電極３と画素電極４との間の液晶２にはリ
セット電圧Ｖ_R （＝−Ｖ_D −ΔＶ）が印加されて画像の
リセットが行われた（同図(d) 参照）。

【０１４３】このような駆動をフレーム期間毎に繰り返
し、表示を行った。

【０１４４】なお、本実施例においては、上記ΔＶを１
Ｖとし、前記Ｖ_R や前記Ｖ_D の値と関係なく、しかも画
素の別を問わず一定とした。また、書き込み期間Ｆ_D と
リセット期間Ｆ_R とは等しくした。さらに、本実施例に
おいては、書き込み電圧Ｖ_Dの大きさを表示階調に応じ
て可変制御し、リセット電圧Ｖ_R の大きさを前記書き込
み電圧Ｖ_D の大きさに応じて可変制御した。

【０１４５】一方、本実施例にて作成した液晶パネルＰ
において、書き込み電圧Ｖ_D と透過率との関係は下表の
ようになった。

【０１４６】

【表９】 本実施例によれば、実施例１と同様の効果が得られた。
また、ソース線Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…に印加する電圧を小さく
でき、駆動ＩＣに安価なものを用いることができた。

【０１４７】（実施例４）本実施例においては、実施例
１と同じ方法で作成した液晶パネルＰを図６に示す方法
で駆動した。すなわち、１フレーム期間Ｆ₀ をリセット
期間Ｆ_R と書き込み期間Ｆ_D とに分け、リセット期間Ｆ
_R においては、ソース線Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…の電位を０Ｖに
し（同図(a) 参照）、ゲート電圧Ｖ_g をゲート線Ｇ₁ ，
Ｇ₂ ，…に印加し（同図(b) 参照）、共通電極３にはリ
セット電圧Ｖ_R を印加した（同図(c) 参照）。ゲート電
圧Ｖ_g の印加によってＴＦＴ５がオンされ、画素電極４
はソース線Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…と同電位０Ｖとなって、共通
電極３と画素電極４との間の液晶２にはリセット電圧Ｖ
_R が印加されて画像のリセットが行われた（同図(d)(e)
参照）。

【０１４８】また、書き込み期間Ｆ_D においては、共通
電極３の電位を０Ｖにし（同図(c)参照）、ソース線Ｓ₁
，Ｓ₂ ，…には、表示階調に応じた正極性の電圧Ｖ_D
を印加し（同図(b) 参照）、ゲート電圧Ｖ_g をゲート線
Ｇ₁ ，Ｇ₂ ，…に印加した（同図(b) 参照）。このゲー
ト電圧Ｖ_g の印加によってＴＦＴ５が再びオンされ、画
素電極４はソース線Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…と同電位Ｖ_D となっ
て、共通電極３と画素電極４との間の液晶２には書き込
み電圧Ｖ_D が印加されて階調画像が表示される（同図
(d) (e) 参照）。

【０１４９】なお、書き込み期間Ｆ_D においては、８ｍ
ｓｅｃ経過時に、共通電極３やソース線Ｓ₁ ，Ｓ₂ ，…
の電位を共に０Ｖにした状態で（同図(a) (c) 参照）、
ゲート電圧Ｖ_g をゲート線Ｇ₁ ，Ｇ₂ ，…に印加してＴ
ＦＴ５をオンした（同図(b)参照）。これにより、画素
電極４の電位は０Ｖとなるが（同図(d) 参照）、画像表
示は、液晶２のメモリー性によって維持されることとな
る（同図(e) 参照）。

【０１５０】このような駆動をフレーム期間毎に繰り返
し、表示を行った。

【０１５１】なお、本実施例にて作成した液晶パネルＰ
において、書き込み電圧Ｖ_D と透過率との関係は下表の
ようになった。

【０１５２】

【表１０】 本実施例によれば、実施例１と同様の効果が得られた。

【０１５３】（比較例１）本比較例においては、実施例
１と同じ方法で作成した液晶パネルＰを図９に示す方法
で駆動した。

【０１５４】すなわち、１フレーム期間Ｆ₀ をリセット
期間Ｆ_R と書き込み期間Ｆ_D とに分け、リセット期間Ｆ
_R においては、ＴＦＴ５のゲート電極５ａにゲート電圧
Ｖ_gを印加する（図９(a) 参照）と共にＴＦＴ５のソー
ス電極５ｂに−１０Ｖの電圧を印加した（同図(b) 参
照）。これによって、液晶容量Ｌ_C にはリセット電圧Ｖ
_R が保持されて液晶２のリセットが行われた（同図(c)
(d) 参照）。

【０１５５】また、書き込み期間Ｆ_D においては、ＴＦ
Ｔ５のゲート電極５ａにゲート電圧Ｖ_g を印加する（同
図(a) 参照）と共にＴＦＴ５のソース電極５ｂに書き込
み電圧Ｖ_D を印加した（同図(b) 参照）。これによっ
て、液晶容量Ｌ_C には書き込み電圧Ｖ_D が保持されて書
き込みが行われた（同図(c) (d) 参照）。

【０１５６】なお、本比較例にて作成した液晶パネルＰ
において、書き込み電圧Ｖ_D と透過率との関係は下表の
ようになった。

【０１５７】

【表１１】 本発明者が、書き込み電圧Ｖ_D をそれぞれ３Ｖ、５Ｖ及
び８Ｖとして複数の液晶パネルＰを室温下で１００時間
駆動して残像発生の様子を調べたところ、１０〜５０％
程度の中間調を表示した場合に約１０％の焼き付きが観
察された。なお、書き込み電圧Ｖ_D ＝８Ｖでのコントラ
ストは２５０であった。

【０１５８】（比較例２）本比較例においては、実施例
１と同じ方法で作成した液晶パネルＰを図１１に示す方
法で駆動した。

【０１５９】すなわち、画像の書き込みに際しては、上
述と同様の方法によりＴＦＴ５のゲート電極５ａにゲー
ト電圧Ｖ_g を印加すると共にＴＦＴ５のソース電極５ｂ
に書き込み電圧Ｖ_D を印加するが、画像のリセットに際
しては、リセット電圧Ｖ_R を一定とするのではなく、直
前の書き込み電圧Ｖ_D に一致するように可変制御した
（図１１(a) (b) 参照）。

【０１６０】この方法によれば、書き込み電圧Ｖ_D ＝８
Ｖにおけるコントラストは７０と非常に低かった。

【０１６１】（比較例３）一方のガラス基板１ｂには、
実施例１と同じ方法でＴＦＴ５や画素電極４や配向制御
膜等を形成し、他方のガラス基板１ａには共通電極や絶
縁膜を形成した。なお、該他方のガラス基板１ａの絶縁
膜の表面はＩＰＡ（イソプロパノール）によって２回洗
浄した。その他の構成や製造条件は実施例１と同じにし
た。そして、図６に示す方法で書き込み電圧Ｖ_D を異な
らせて複数の液晶パネルＰを室温下で１００時間駆動し
て残像発生の様子を調べたが、全く残像のない良好な画
像が得られた。ただ、中間調表示をした場合のメモリー
性が不安定であった。

【０１６２】なお、本比較例にて作成した液晶パネルＰ
において、書き込み電圧Ｖ_D と透過率との関係は下表の
ようになった。

【０１６３】

【表１２】

【０１６４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
液晶には、表示階調に応じた書き込み電圧Ｖ_D が印加さ
れ、該書き込み電圧Ｖ_D との間で、 Ｖ_R ＝−（Ｖ_D ＋ΔＶ） を満足するリセット電圧Ｖ_R が印加されることとなる。
したがって、該リセット電圧の絶対値｜Ｖ_R ｜の方が書
き込み電圧の絶対値｜Ｖ_D ｜よりも一定値｜ΔＶ｜だけ
大きくなり、１フレーム期間全体ではリセット電圧Ｖ_R
の影響の方が強く、この｜ΔＶ｜の大きさに応じた直流
電圧（ＤＣ成分）が液晶に印加されていることと等価に
なる。

【０１６５】しかし、本発明によれば、上記｜ΔＶ｜の
値は、表示階調（すなわち、書き込み電圧Ｖ_D の大き
さ）と無関係に一定であり、画素の別を問わず一定にな
るように構成されているため、同一画像を長時間表示し
た後に画像を切り換える場合、前記直流電圧が新たな画
像に与える影響は各画素について均一であって残像とし
ての影響を与えることはなく、画質が悪くなることもな
い。

【０１６６】また、上述のように、前記リセット電圧の
絶対値｜Ｖ_R ｜の方が書き込み電圧の絶対値｜Ｖ_D ｜よ
りも一定値｜ΔＶ｜だけ大きく設定されているため、書
き込み電圧Ｖ_D が小さくてもリセット電圧Ｖ_R はΔＶだ
けは少なくとも補償されることとなる。したがって、か
かる場合においても十分なリセットができ、コントラス
トが悪くなるという問題を解消できる。

【０１６７】さらに、前記第１電極の電位を０Ｖにする
と共に前記第４電極にＶ_D の電圧を印加することにより
前記書き込み電圧Ｖ_D を前記液晶に印加し、かつ、前記
ΔＶに相当する電圧を前記第１電極に印加すると共に前
記第４電極に−Ｖ_D の電圧を印加することにより前記リ
セット電圧Ｖ_R を前記液晶に印加する方法を用いた場合
には、第４電極に印加する電圧を小さくでき、駆動ＩＣ
に安価なものを用いることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にて駆動される液晶素子の構造を示す断
面図。

【図２】本発明にて駆動される液晶素子の回路構成を示
す回路図。

【図３】本発明に係る液晶素子の駆動方法の一例を示す
タイミングチャート図。

【図４】本発明に係る液晶素子の駆動方法の一例を示す
タイミングチャート図。

【図５】本発明に係る液晶素子の駆動方法の一例を示す
タイミングチャート図。

【図６】本発明に係る液晶素子の駆動方法の一例を示す
タイミングチャート図。

【図７】液晶の印加電圧−透過光量特性を示す図。

【図８】従来の液晶素子の回路構成の一例を示す回路
図。

【図９】従来の液晶素子の駆動方法の一例を示すタイミ
ングチャート図。

【図１０】従来の液晶素子の回路構成の他の例を示す回
路図。

【図１１】従来の液晶素子の駆動方法の他の例を示すタ
イミングチャート図。

【符号の説明】

１ａ，１ｂ ガラス基板（基板） ２ 液晶 ３ 共通電極（第１電極） ４ 画素電極（第２電極） ５ ＴＦＴ（スイッチング素子） ５ａ ゲート電極（ゲート） ５ｂ ソース電極（ソース） Ｇ₁ ，… ゲート線（第３電極） Ｐ 液晶パネル（液晶素子） Ｓ₁ ，… ソース線（第４電極）

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/20 ６２１ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４１Ｃ ６４１ 3/36 3/36 Ｇ０２Ｆ 1/137 ５１０ (72)発明者 羽生 由紀夫 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 糠信 恒樹 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 柳生 峰人 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H088 EA02 GA04 HA08 JA17 KA28 KA30 MA02 2H093 NA15 NA33 NB08 NB09 NB12 NC34 ND04 ND12 ND35 NF17 NH14 NH15 NH18 5C006 AA16 AA22 AC28 AF44 AF71 BA12 BB16 BC03 BC12 BF31 FA34 FA54 GA02 GA03 GA04 5C080 AA10 BB05 CC03 DD03 DD29 EE29 FF11 GG08 JJ02 JJ03 JJ04 JJ05 JJ06

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定間隙を開けた状態に配置された一対
   の基板と、これら一対の基板の間に配置された液晶と、
   複数の画素を構成すると共に該液晶を挟み込むように配
   置された第１電極及び第２電極と、該第２電極に接続さ
   れて各画素毎に配置された複数のスイッチング素子と、
   該スイッチング素子のゲートに接続された第３電極と、
   該スイッチング素子のソースに接続された第４電極と、
   を備えた液晶素子であって、前記第３電極へのゲート電
   圧の印加に基づき前記スイッチング素子をオンして前記
   第４電極と前記第２電極とを同電位にし書き込み電圧や
   リセット電圧を前記液晶に印加する液晶素子の駆動方法
   において、 前記書き込み電圧をＶ_D とし前記リセット電圧をＶ_R と
   した場合におけるそれらの電圧の関係が、 Ｖ_R ＝−（Ｖ_D ＋ΔＶ） を満足し、 前記ΔＶの値は、前記Ｖ_R や前記Ｖ_D の値と関係なく画
   素の別を問わず一定とされ、かつ、 ΔＶとＶ_D とは同じ符号である、 ことを特徴とする液晶素子の駆動方法。
2. 【請求項２】 前記書き込み電圧Ｖ_D と前記リセット電
   圧Ｖ_R とは互いに逆極性であり、かつ、 前記リセット電圧の絶対値｜Ｖ_R ｜の方が書き込み電圧
   の絶対値｜Ｖ_D ｜よりも一定値｜ΔＶ｜だけ大きい、 ことを特徴とする請求項１に記載の液晶素子の駆動方
   法。
3. 【請求項３】 前記書き込み電圧Ｖ_D の大きさを、表示
   階調に応じて可変制御し、かつ、 前記リセット電圧Ｖ_R の大きさを、前記書き込み電圧Ｖ
   _D の大きさに応じて可変制御する、 ことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶素子の駆
   動方法。
4. 【請求項４】 前記第１電極の電位を０Ｖにすると共に
   前記第４電極にＶ_Dの電圧を印加することにより前記書
   き込み電圧Ｖ_D を前記液晶に印加し、かつ、 前記第１電極の電位を０Ｖにすると共に前記第４電極に
   Ｖ_R の電圧を印加することにより前記リセット電圧Ｖ_R
   を前記液晶に印加する、 ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載
   の液晶素子の駆動方法。
5. 【請求項５】 前記ΔＶの半分に相当する電圧を前記第
   １電極に印加すると共に、｜Ｖ_D ｜＋｜ΔＶ／２｜の大
   きさの電圧を前記第４電極に印加することにより前記書
   き込み電圧Ｖ_D を前記液晶に印加し、かつ、 前記ΔＶの半分に相当する電圧を前記第１電極に印加す
   ると共に、｜Ｖ_D ｜＋｜ΔＶ／２｜の大きさの電圧を前
   記第４電極に印加することにより前記リセット電圧Ｖ_R
   を前記液晶に印加する、 ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載
   の液晶素子の駆動方法。
6. 【請求項６】 前記第１電極の電位を０Ｖにすると共に
   前記第４電極にＶ_Dの電圧を印加することにより前記書
   き込み電圧Ｖ_D を前記液晶に印加し、かつ、 前記ΔＶに相当する電圧を前記第１電極に印加すると共
   に前記第４電極に−Ｖ_D の電圧を印加することにより前
   記リセット電圧Ｖ_R を前記液晶に印加する、 ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載
   の液晶素子の駆動方法。
7. 【請求項７】 前記書き込み電圧を印加する時間と前記
   リセット電圧を印加する時間とを略等しくした、 ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載
   の液晶素子の駆動方法。
8. 【請求項８】 前記スイッチング素子がトランジスタで
   ある、 ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載
   の液晶素子の駆動方法。
9. 【請求項９】 前記液晶が、フルオロカーボン末端鎖及
   び炭化水素末端鎖からなり、該両末端鎖が中心核によっ
   て結合され、スメクチック中間相または潜在的スメクチ
   ック中間相を持つフッ素含有液晶化合物を含有するカイ
   ラルスメクチック液晶である、 ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載
   の液晶素子の駆動方法。
10. 【請求項１０】 所定間隙を開けた状態に配置された一
    対の基板と、これら一対の基板の間に配置された液晶
    と、複数の画素を構成すると共に該液晶を挟み込むよう
    に配置された第１電極及び第２電極と、該第２電極に接
    続されて各画素毎に配置された複数のスイッチング素子
    と、該スイッチング素子のゲートに接続された第３電極
    と、該スイッチング素子のソースに接続された第４電極
    と、を備えた液晶素子であって、前記第３電極へのゲー
    ト電圧の印加に基づき前記スイッチング素子をオンして
    前記第４電極と前記第２電極とを同電位にし書き込み電
    圧やリセット電圧を前記液晶に印加する液晶素子の駆動
    方法において、 前記液晶が強誘電性を示す液晶であり、かつ、 前記書き込み電圧と前記リセット電圧とが逆極性で、か
    つ直流成分がほとんど生じない、 ことを特徴とする液晶素子の駆動方法。
11. 【請求項１１】 前記書き込み電圧は一定時間だけの印
    加にとどめ、それ以降は前記液晶のメモリー性を利用し
    て画像を表示する、 ことを特徴とする請求項１０に記載の液晶素子の駆動方
    法。
12. 【請求項１２】 前記液晶は、自発分極が１０ｎＣ／ｃ
    ｍ² 以下である、 ことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の液晶素子
    の駆動方法。