JP3280403B2 - メタルコンタクト形成方法 - Google Patents

メタルコンタクト形成方法

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JP3280403B2 JP28814891A JP28814891A JP3280403B2 JP 3280403 B2 JP3280403 B2 JP 3280403B2 JP 28814891 A JP28814891 A JP 28814891A JP 28814891 A JP28814891 A JP 28814891A JP 3280403 B2 JP3280403 B2 JP 3280403B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、大略、半導体集積回路
に関するものであって、更に詳細には、改良したレベル
間コンタクトを形成するために集積回路内にメタル層を
付着させる方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】 半導体集積回路においては、メタル相
互接続層の形成は、これらの装置が適切に動作するため
に重要である。メタル（金属）相互接続信号ラインは、
絶縁層内のビア（貫通孔又は導体）を介して集積回路の
下側の導電層とコンタクト即ち接触する。集積回路が最
良の動作をするためには、相互接続層を形成するために
使用するメタル即ち金属は、完全にビア即ち貫通孔を充
填することが必要である。
【０００３】その物理的な特性のために、アルミニウム
は、集積回路におけるメタル相互接続ラインを、形成す
るために特に適したものである。しかしながら、集積回
路に対してアルミニウムの薄膜層を付与するために使用
されるスパッタリングプロセスは、通常、コンタクトビ
アの理想的な充填を与えるものではない。大きなアルミ
ニウムのグレイン（粒界）が絶縁層の上表面上に形成す
る傾向がある。コンタクトビアの端部に形成されるこれ
らのグレインは、アルミニウムがビアを完全に充填する
機会を有する前にそれを阻止する傾向がある。このこと
は、ビア内に空洞及び不均一な構成を発生させる結果と
なる。
【０００４】集積回路装置はより小型の幾何学的形状を
使用して製造されるので、この問題は特に厳しい。これ
らの装置において使用されるより小型のコンタクトは、
より大型の幾何学的形状の装置よりもより大きなアスペ
クト比（即ち、高さ対幅の比）を有する傾向があり、そ
のことはアルミニウム充填問題を更に悪化させている。
【０００５】上述したステップカバレッジ（段差被覆）
問題によって発生されるビア即ち貫通孔内へ移行するア
ルミニウム層の不均一な厚さは、装置の機能性に対して
悪影響を与える。該ビア内の空洞が充分に大きいと、接
触抵抗が所望のものよりも著しく大きなものとなる場合
がある。更に、アルミニウム層のより薄い領域は公知の
エレクトロマイグレーション問題が発生する場合があ
る。このことは、コンタクトにおいて最終的に開回路を
発生させ該装置の障害を発生させる場合がある。より低
い相互接続レベルに対し良好なメタルコンタクトを確保
するために多数の試みがなされている。例えば、ビア即
ち貫通孔を介しての導通を改善させるために、アルミニ
ウム相互接続層と関連して耐火性メタル層が使用されて
いる。又、ビア即ち貫通孔内のメタルの充填を改善する
ために、傾斜したビア側壁が使用されている。装置寸法
が小さくなるに従い、傾斜側壁を使用することは次第に
一般的なものではなくなっている。なぜならば、そのよ
うな傾斜側壁はチップ上で多くの面積を使用するからで
ある。
【０００６】これらの技術であっても、アルミニウムで
ビアを完全に充填することの問題は解決されていない。
その理由の一部は、アルミニウムが付着形成される温度
は、かなり大きなグレイン寸法とさせる傾向があるから
である。コンタクト即ち接触部における空洞及びその他
の異常部が現在の技術における問題として存在してい
る。
【０００７】このビア充填問題を解消するために提案さ
れている１つの技術は、５００℃と５５０℃との間の温
度でアルミニウム相互接続層を付着形成することであ
る。これらの温度においては、アルミニウムの液状性が
増加され、アルミニウムがビア内へ流れ込みビアを充填
することを可能とする。この技術は、例えば、Ｈ． Ｏ
ｎｏ ｅｔ ａｌ．著「平坦化Ａｌ−Ｓｉコンタクト充
填技術の開発（ＤＥＶＥＬＯＰＭＥＮＴ ＯＦ Ａ Ｐ
ＬＡＮＡＲＩＺＥＤ Ａｌ−Ｓｉ ＣＯＮＴＡＣＴ Ｆ
ＩＬＬＩＮＧ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ）」、１９９０年
６月、ＶＮＩＣコンフェレンスプロシーディングズ、７
６−８２頁の文献に記載されている。この文献は、５０
０℃以下の温度及び５５０℃以上の温度では、コンタク
トビアのメタル充填が劣化することを記載している。し
かしながら、このような技術は、大きなグレイン寸法に
よって発生される問題を解決するものではない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】コンタクトビアにおけ
るカバレッジを改善するために、集積回路上にアルミニ
ウムの薄膜層を付着形成する技術を提供することが望ま
れている。更に、このような技術は現在のスタンダード
な処理の流れと適合性があるものであることが望まし
い。
【０００９】本発明は、集積回路上にアルミニウムコン
タクトを形成する方法を提供することを目的とする。本
発明の別の目的とするところは、コンタクトビア内に形
成される空洞の数を最小としながらコンタクトビアをア
ルミニウムで充填する方法を提供することである。本発
明の更に別の目的とするところは、現在の処理技術と適
合性のある方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、半導体
集積回路装置内に改善した品質のコンタクトを形成する
ためにアルミニウム薄膜層を付着形成する方法が提供さ
れる。全ての又は幾つかの付着プロセスは、付着したア
ルミニウム原子の改善した表面マイグレーション（移
動）を可能とする温度において比較的低い付着速度にお
いて行なわれる。これらの条件下において付着形成され
たアルミニウムは、実質的に空洞を形成することなしに
コンタクトビアを充填する傾向となる。この低温付着ス
テップは、集積回路装置を包含するウエハが付着室内の
より低い温度から加熱される間に、アルミニウムを付着
させることにより開始させることが可能である。
【００１１】
【実施例】以下に説明する処理ステップ及び構成体は、
集積回路を製造するための完全な処理の流れを形成する
ものではない。本発明は、当業者によって現在使用され
ている集積回路製造技術に関連して実施することが可能
なものであり、従って、本発明を理解するために必要と
思われる一般的に実施されている処理ステップのみが本
明細書において説明されていることに注意すべきであ
る。又、製造期間中の集積回路の断面を表わす図面は寸
法通りのものではなく、本発明の重要な特徴を図示する
ために描かれていることに注意すべきである。
【００１２】図１を参照すると、基板１０に集積回路装
置が形成されている。例えば、当該技術において公知な
如くリフローグラス又はその他の酸化物層等の絶縁層１
２が基板１０上に形成されている。層１２は、典型的
に、約６０００乃至１２０００Åの程度の厚さを有して
いる。コンタクトビア１４は、当該技術において公知な
如く、マスク及び等方性エッチング技術を使用して、酸
化物層１２を貫通して形成されている。ビア即ち貫通孔
１４は、図１における基板１０とコンタクト即ち接触す
るものとして示されているが、当該技術において公知な
如く、より低い相互接続層上に形成することも可能であ
る。
【００１３】例えば、耐火性金属、即ち耐火性金属窒化
物、耐火性金属シリサイド又はそれらの組合わせ等から
なるバリアメタル層１６が、当該技術において公知な如
く、本装置の表面上に付着形成されている。層１６は、
比較的厚さが薄く、典型的には約５００乃至２０００Å
の厚さであり、コンタクト開口１４の底部及び側壁を被
覆して適合的に付着されている。
【００１４】図２を参照すると、アルミニウム層１８が
本装置の表面上に付着形成されている。アルミニウム層
１８が以下に説明する処理条件を使用して付着形成され
る場合には、層１８は、図２に示した如く、ビア即ち貫
通孔１４内を実際的に完全に充填する。このことが発生
するのは、好適な処理条件が付着されたアルミニウム原
子の表面マイグレーション即ち表面での移動を向上させ
るからであり、従ってビア１４の底部におけるアルミニ
ウム形成は、ビア１４の端部近傍の酸化物層１２上のア
ルミニウム形成に対して優先的に行なわれる。このこと
は、ビア１４内における高品質で再現性のあるコンタク
トを形成することを確保し、ビア１４の不完全な充填に
よって発生する問題を最小のものとさせている。
【００１５】図３及び４は、改善したコンタクトを与え
るために、アルミニウム層１８の付着のための好適な条
件を示している。図３におけるグラフ３０は、付着温度
（℃）の関数としての付着速度（Å／秒）を示してい
る。好適な領域３２は、４００℃と５００℃との間に存
在しており、最大付着速度は４００℃における約３０Å
／秒の速度から５００℃における１００Å／秒の速度へ
延在するライン（即ち、約０．７×Ｔ−２５０Å／秒の
ライン、尚Ｔは約４００℃と約５００℃との間）の下側
に存在している。アルミニウムをこの好適領域３２内の
条件で付着形成すると、その表面マイグレーション特性
は、他の条件下で付着したメタルと比較して向上されて
いる。例えば、５００℃より高い温度でアルミニウムを
付着形成すると大きなグレインを形成する傾向となり、
従って前述した如く、コンタクト開口のブロッキングが
発生する。付着速度が高すぎると、付着されたアルミニ
ウムはビアを完全に充填するためにビア内に充分迅速に
移動することは不可能である。従って、図３に示した領
域３２は、空洞や不均一な領域を形成することを最小と
しながら、付着したアルミニウムがコンタクトビア内に
移動しビアを充填するほぼ好適な組合わせの領域を示し
ている。
【００１６】本発明の技術的範囲を逸脱することなし
に、図３に示した好適な領域から処理条件を多少変化さ
せることが可能である。例えば、付着速度が高すぎない
限り、温度を多少４００℃以下（例えば、約３８０℃）
とすることが可能である。温度が減少すると、付着させ
たアルミニウム原子の移動度が低下し、従って付着速度
が高すぎる場合にはビアの不完全な充填が発生する。
【００１７】図４はアルミニウム相互接続層を形成する
ことが可能な好適なプロセスを示している。これらのプ
ロセスの全ては、多かれ少なかれ、好適領域３２内で発
生する処理を使用している。カーブ４０，４２，４４，
４６の各々は、時間に関してのアルミニウム付着速度に
おける変動を示している。各カーブ４０−４６は、本発
明の概念を使用した夫々別の変形例としてのプロセスを
示している。
【００１８】図４に示した４つのプロセスの各々は、好
適には、ほぼ同一の１組の初期条件を使用する。従来技
術においては、典型的には３５０℃以下の比較的低い温
度で小さなグレインのアルミニウムからなる非常に薄い
層を付着形成し、次いでその付着プロセスを停止させる
ことが一般的である。次いで、集積回路装置が形成され
ているウエハを、該ウエハを予熱したアルゴンガスの流
れの中に配置させることにより、所要の付着温度、例え
ば５００℃以上の温度へ予熱させる。ウエハが付着温度
に到達すると、このように上昇させた温度においてアル
ミニウムの付着が再開される。
【００１９】本発明技術においては、該装置が加熱され
ている間に該装置の上にアルミニウムが継続的に付着形
成される。従って、ウエハが３５０℃又はそれ以下の温
度にある間に該装置の上に少量のアルミニウムが付着さ
れる。ウエハが次第に所望の付着温度へ加熱され、一方
アルミニウムの付着も継続して行なわれる。このこと
は、非常に小さなグレイン寸法を有するアルミニウム層
を付着形成し、そのことは後の処理段階においてのグレ
イン寸法成長を最小とさせる傾向となる。付着温度は４
００℃と５００℃との間であり、且つ、典型的には、約
４０秒で到達される。
【００２０】図４は、４つの変形実施例としての付着技
術に対する付着速度カーブを示している。図４における
全てのカーブに対し、ウエハの初期温度は約３５０℃で
あると仮定され、最終的な付着温度は４５０℃である。
ウエハを４５０℃へ加熱するには約４０秒かかる。当業
者によって理解される如く、異なった付着温度を使用す
ることも可能である。ウエハが所定の付着温度へ加熱さ
れると、その温度は一定に維持される。
【００２１】図４（ａ）におけるカーブ４０は、アルミ
ニウム層１８を付着する全期間中付着速度が一定のまま
である場合の付着プロセスを示している。付着室内のウ
エハに対して最初に熱が付与されると付着が開始し、且
つウエハが４５０℃へ加熱され且つその温度に留まる間
付着は継続して行なわれる。４０Å／秒の付着速度にお
いて、８０００Åの厚さのアルミニウム層を形成するに
は、約２００秒かかる。
【００２２】図４（ｂ）は別の付着プロセスを示してお
り、その場合、付着速度は最初の２０秒間の間４０Å／
秒で行なわれ、その後は６０Å／秒の速度で行なわれ
る。温度は、４０Å／秒における付着速度の期間中及び
６０Å／秒における最初の２０秒の間は、４５０℃の点
へ向かって上昇する。８０００Åの層の場合には、処理
カーブ４２では、約１４０秒かかるアルミニウム層形成
プロセスとなる。
【００２３】カーブ４４は、最初の付着速度が４０Å／
秒であり、２０秒の後に８０Å／秒へ増加されるプロセ
スを示している。アルミニウム層の厚さ全体のうちの約
１／３を付着形成した後に、付着速度を３０Å／秒へ変
化させる。この速度は、全体的な層の厚さの別の約１／
３の付着に対して維持され、次いで付着速度は８０Å／
秒へ増加される。
【００２４】カーブ４４によって示されるプロセスは、
８０００Åの厚さのアルミニウム層を付着形成するのに
約１６０秒かかる。これは、８０Å／秒の各部分の間、
及び３０Å／秒の部分の間に２４００Å付着形成するこ
とを仮定している。図４（ｃ）のプロセスは、最初に早
い付着速度でアルミニウムを付着し、次いで遅い付着速
度の期間が続き、その際に付着されたアルミニウムはコ
ンタクト開口内に移動する機会が与えられる。２４００
Åの付着を行なうために、３０Å／秒の付着期間は、約
８０秒間続いて行なわれる。
【００２５】図４（ｄ）におけるカーブ４６は、カーブ
４４と同一の態様で開始するが、より高い付着速度で終
了する。プロセスの終り近くにおいてより早い付着速度
とすることにより処理時間が節約されている。付着プロ
セスにおけるこの時点迄に、コンタクト開口は殆ど充填
されており、且つビア内に空洞を発生する可能性は著し
く低下されている。従って、好適な領域３２の外側にあ
たるような付着速度（例えば、約１００Å／秒以上）で
アルミニウムを付着しても問題となることはない。
【００２６】当業者によって理解される如く、図４に示
したプロセスは単に例示的なものであって、制限的なも
のではない。その他の変形例も可能であることは勿論で
ある。付着温度と付着速度との組合わせは、特定のプロ
セスの条件及び制限に適合するように変化させることが
可能である。例えば、大型のコンタクト開口のみが使用
される場合には、空洞問題はそれ程重要ではないので、
より早い付着速度とすることが可能である。カーブ４４
及び４６によって示されるようなプロセスの場合には、
各速度において１／３の厚さの付着に固執する必要はな
い。これらの速度及び時間は、本発明の技術的範囲を逸
脱することなしに、生産処理条件に適合すべく変化させ
ることが可能である。
【００２７】ウエハ温度を付着温度へランプアップ、即
ち傾斜状に上昇させる間に、連続してアルミニウムを付
着させることなしに好適な領域３２内においてアルミニ
ウムを付着させる技術を使用することも可能である。従
来技術においてなされている如く、薄い層のアルミニウ
ムは比較的低い温度、好適には３５０℃以下の温度で付
着させることが可能である。次いで、付着を停止し、一
方ウエハを４００℃と５００℃との間の温度とさせる。
次いで、好適な領域３２内の速度で付着を再開し、且つ
上述した技術を使用して完了する。例えば、図４におけ
るカーブの何れかを使用することが可能であり、違い
は、最初の４０Å／秒の付着速度が省略される点であ
る。
【００２８】好適な領域３２内の速度及び温度での付着
と関連し、ウエハを加熱しながら連続的な層形成を行な
うことにより、付着されたアルミニウムのグレイン寸法
は小さなものとなり、且つビア即ち貫通孔の充填は非常
に良好なものとなる。このことは、関与する温度及び付
着速度において付着されたアルミニウム層の良好なエレ
クトロマイグレーション特性と、初期的に非常に小さな
グレイン寸法はより小さな微細なグレイン寸法となり、
ビアが完全に充填される前にビアをブロックする傾向は
より少なくなるという事実とによって発生される。
【００２９】以上、本発明の具体的実施の態様について
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ限定
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに、種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例に基づくメタルコンタクト
の形成方法における一段階を示した概略断面図。
【図２】 本発明の一実施例に基づくメタルコンタクト
の形成方法における一段階を示した概略断面図。
【図３】 アルミニウムコンタクトを形成するための好
適な処理条件を示した概略図。
【図４】 （ａ）乃至（ｄ）は、本発明に基づくコンタ
クトを形成する付着速度に関する幾つかの変形例を示し
た概略図。
【符号の説明】
１０ 基板 １２ 絶縁層 １４ コンタクトビア １６ バリアメタル層 １８ アルミニウム層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フ−タイ リュ アメリカ合衆国， テキサス 75010, カーロルトン， ランスダウン ドラ イブ 2027 (72)発明者 イ−シャン リン アメリカ合衆国， テキサス 75010, カーロルトン， ラークスパー ドラ イブ 2041 (72)発明者 ギリッシュ エイ． ディキスト アメリカ合衆国， テキサス 75287, ダラス， ミッドウエイ ロード 18175， ナンバー 159 (72)発明者 チェ−チア ウエイ アメリカ合衆国， テキサス 75093, プラノ， パデュー サークル 4313 (56)参考文献 特開 平４−225224（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−188624（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−65831（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−113530（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−91970（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−16735（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−92361（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−74739（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−162854（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−103065（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−136018（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−241925（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−244048（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−193337（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−112620（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−146176（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/28 301 H01L 21/285 301 H01L 21/768

Claims (29)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体集積回路上にアルミニウム層を付
    着形成する方法において、 集積回路の温度を所定の初期温度から５００℃以下の温
    度へ増加させ、１００Å／秒以下の 付着速度で前記温度の増加と同時的
    に前記集積回路上にアルミニウムの付着を開始させる、 ことを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 請求項１において、前記増加させる温度
    が４５０℃であることを特徴とする方法。
  3. 【請求項３】 請求項１において、前記アルミニウムの
    付着速度を前記アルミニウムの付着期間中に少なくとも
    一度変化させることを特徴とする方法。
  4. 【請求項４】 請求項３において、前記アルミニウムの
    付着速度が、付着期間中の開始期間中及び付着期間の終
    了期間中よりも付着期間の中間期間中において一層低い
    ことを特徴とする方法。
  5. 【請求項５】 請求項４において、前記付着速度が前記
    中間付着期間中４０Å／秒未満であり、且つ前記開始期
    間中及び終了期間中において４０Å／秒以上であること
    を特徴とする方法。
  6. 【請求項６】 請求項５において、前記終了期間中のア
    ルミニウム付着速度が１００Å／秒以上であることを特
    徴とする方法。
  7. 【請求項７】 請求項１において、図３の領域３２内に
    おける付着速度でアルミニウムを付着させることを特徴
    とする方法。
  8. 【請求項８】 集積回路においてアルミニウムコンタク
    トを形成する方法において、 導電層の上に絶縁層を形成し、 前記絶縁層を介して開口を形成して前記導電層の一部を
    露出させ、 前記集積回路の温度を３５０℃以下の初期温度から４０
    ０℃と５００℃との間の所定の温度へ上昇させ、 前記温度の上昇の開始と同時的に前記集積回路上にアル
    ミニウムの付着を開始させ且つ前記温度の上昇期間中に
    継続的にアルミニウムを付着させ、 前記温度の上昇を終了した後においても前記集積回路上
    に継続的にアルミニウムを付着させて所望の厚さとさ
    せ、 前記所望の厚さとさせる期間中に付着されたアルミニウ
    ムが前記開口内に移動して前記開口を充填させるように
    アルミニウムの付着速度を制御する、 ことを特徴とする方法。
  9. 【請求項９】 請求項８において、前記アルミニウムの
    付着速度を制御する場合に、前記付着速度を０．７×Ｔ
    −２５０Å／秒以下に維持し、尚Ｔが４００℃と５００
    ℃との間であることを特徴とする方法。
  10. 【請求項１０】 請求項８において、前記付着速度が５
    ０Å／秒よりも早くなったり遅くなったりなるように変
    化させることを特徴とする方法。
  11. 【請求項１１】 請求項１０において、前記付着の最後
    において１００Å／秒よりも早い付着速度に設定するこ
    とを特徴とする方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１０において、前記付着速度を
    ６０Å／秒以上及び４０Å／秒以下に変化させることを
    特徴とする方法。
  13. 【請求項１３】 請求項８において、前記アルミニウム
    の付着を第１付着速度で行い、前記集積回路が前記所定
    の温度に到達する前に前記第１付着速度を前記第１付着
    速度よりも早い第２付着速度へ変化させることを特徴と
    する方法。
  14. 【請求項１４】 集積回路においてアルミニウムコンタ
    クトを形成する方法において、 導電層の上に絶縁層を形成し、 前記絶縁層を介して開口を形成して前記導電層の一部を
    露出させ、 前記絶縁層上、前記開口内及び前記導電層の露出部分上
    にバリア層を形成し、 前記バリア層上に３５０℃以下の温度でアルミニウムの
    付着を開始させ、 前記アルミニウムの付着の開始と同時的に、前記集積回
    路の温度の上昇を開始させ、 前記集積回路の温度を３５０℃以下の初期温度から４０
    ０℃と５００℃との間の所定の温度へ上昇させる間に継
    続してアルミニウムを付着させ、 前記集積回路の温度が前記所定の温度に到達した後に、
    前記集積回路上に継続してアルミニウムを付着して所望
    の厚さとさせ、 前記所望の厚さへアルミニウムを付着させる期間中に、
    付着させたアルミニウムが前記開口内へ移動して前記開
    口を充填させるようにアルミニウムの付着速度を制御す
    る、 ことを特徴とする方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１４において、前記バリア層が
    耐火性金属／耐火性金属窒化物の組成物を有しているこ
    とを特徴とする方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１４において、前記バリア層が
    耐火性金属／耐火性金属窒化物／耐火性金属の組成物を
    有していることを特徴とする方法。
  17. 【請求項１７】 集積回路においてアルミニウムコンタ
    クトを形成する方法において、 導電層上に絶縁層を形成し、 前記絶縁層を介して開口を形成して前記導電層の一部を
    露出させ、 前記絶縁層上、前記開口内、前記導電層の露出部分上に
    バリア層を形成し、 前記集積回路の温度を３５０℃以下の初期温度から４０
    ０℃と５００℃との間の所定の温度へ上昇させ、 前記所定の温度へ上昇させる期間中に、前記バリア層上
    にアルミニウムの付着を開始し且つ継続してアルミニウ
    ムを付着させ、 前記温度を上昇させる期間経過後に、４００℃と５００
    ℃との間の所定の温度において前記集積回路上に第１厚
    さにアルミニウムを付着させ、 前記第１厚さにアルミニウムを付着させる期間中に、付
    着されたアルミニウムが前記開口内に移動して前記開口
    を充填させるようにアルミニウムの付着速度を制御す
    る、 ことを特徴とする方法。
  18. 【請求項１８】 請求項１７において、前記アルミニウ
    ムの付着速度を制御する場合に、前記付着速度を０．７
    ×Ｔ―２５０Å／秒以下に維持し、尚Ｔは４００℃と５
    ００℃との間の温度であることを特徴とする方法。
  19. 【請求項１９】 請求項１７において、前記温度を上昇
    させる期間中及び前記付着速度を制御する期間中に、前
    記付着速度が５０Å／秒よりも早くなったり遅くなった
    りするように変化させることを特徴とする方法。
  20. 【請求項２０】 請求項１９において、前記アルミニウ
    ムの付着の最後における付着速度が１００Å／秒よりも
    早いことを特徴とする方法。
  21. 【請求項２１】 請求項２０において、前記アルミニウ
    ムの付着速度を６０Å／秒以上及び４０Å／秒以下に変
    化させることを特徴とする方法。
  22. 【請求項２２】 請求項１７において、前記アルミニウ
    ムの付着速度が１００Å／秒以下であることを特徴とす
    る方法。
  23. 【請求項２３】 請求項１７において、前記アルミニウ
    ムの付着速度を制御する期間中に前記アルミニウムの付
    着速度を少なくとも一度変化させることを特徴とする方
    法。
  24. 【請求項２４】 請求項２３において、前記アルミニウ
    ムの付着速度を前記アルミニウムの付着期間の最初及び
    最後におけるよりも中間においてより遅いように設定す
    ることを特徴とする方法。
  25. 【請求項２５】 請求項２４において、前記アルミニウ
    ムの付着速度を前記アルミニウムの付着期間の最初及び
    最後において４０Å／秒以上に設定し且つ中間において
    ４０Å／秒未満に設定することを特徴とする方法。
  26. 【請求項２６】 請求項２５において、前記アルミニウ
    ムの付着期間における最後の付着速度を１００Å／秒以
    上に設定することを特徴とする方法。
  27. 【請求項２７】 請求項１７において、図３の領域３２
    内の付着速度でアルミニウムを付着させることを特徴と
    する方法。
  28. 【請求項２８】 請求項１７において、前記バリア層が
    耐火性金属を含有する層を有していることを特徴とする
    方法。
  29. 【請求項２９】 請求項１７において、前記温度を上昇
    させる間にアルミニウムを付着させる場合に、 最初に第１付着速度でアルミニウムを付着させ、 前記温度を上昇させる期間が終了する前に前記第１付着
    速度を前記第１付着速度よりも早い第２付着速度へ変化
    させる、 ことを特徴とする方法。
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