JP3293260B2 - 発振能力制御回路内臓半導体集積回路装置の外付部品の選定方法 - Google Patents
発振能力制御回路内臓半導体集積回路装置の外付部品の選定方法Info
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- JP3293260B2 JP3293260B2 JP22325193A JP22325193A JP3293260B2 JP 3293260 B2 JP3293260 B2 JP 3293260B2 JP 22325193 A JP22325193 A JP 22325193A JP 22325193 A JP22325193 A JP 22325193A JP 3293260 B2 JP3293260 B2 JP 3293260B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、システムクロック等の
発生を目的とした発振回路として発振用インバータおよ
び帰還用抵抗を内蔵した半導体集積回路装置(以下LS
Iという)に関するものである。
発生を目的とした発振回路として発振用インバータおよ
び帰還用抵抗を内蔵した半導体集積回路装置(以下LS
Iという)に関するものである。
【0002】
【従来の技術】システムクロック等の発生を目的として
LSIに内蔵する発振回路の構成としては、発振用イン
バータおよび帰還用抵抗をLSIに内蔵して、水晶発振
子またはセラミック発振子等の発振素子およびコンデン
サを外付けで接続するのが一般的である。LSIに内蔵
する発振用インバータの発振能力および帰還用抵抗の抵
抗値は品種毎に異なるため、品種毎の発振に適合する外
付けの発振素子およびコンデンサの容量を選定する必要
がある。
LSIに内蔵する発振回路の構成としては、発振用イン
バータおよび帰還用抵抗をLSIに内蔵して、水晶発振
子またはセラミック発振子等の発振素子およびコンデン
サを外付けで接続するのが一般的である。LSIに内蔵
する発振用インバータの発振能力および帰還用抵抗の抵
抗値は品種毎に異なるため、品種毎の発振に適合する外
付けの発振素子およびコンデンサの容量を選定する必要
がある。
【0003】ある品種について選定された外付けの発振
素子およびコンデンサに対して量産品全てが安定に発振
するよう、LSIの発振能力をできるだけ同じにするこ
とが求められる。しかし、実際には量産時のさまざまな
条件のばらつきにより、LSIに内蔵した発振用インバ
ータおよび帰還用抵抗の特性を全部同一にはできないた
め、個々のLSIの発振能力には若干の差があり、発振
能力が設計値より低いものも量産され得る。したがっ
て、LSIの発振能力のばらつきを考慮して、外付けの
発振素子およびコンデンサを選定する必要がある。すな
わち、量産時の条件のばらつきを全て考慮した最低発振
能力のサンプル、一般的には設計値の1/2の発振能力
のサンプルを発振の限度サンプルとして用意し、この限
度サンプルで安定に発振するよう外付けの発振素子およ
びコンデンサを選定すれば、量産品は限度サンプル以上
の発振能力を有するため量産品の全てで発振回路が安定
に発振する。
素子およびコンデンサに対して量産品全てが安定に発振
するよう、LSIの発振能力をできるだけ同じにするこ
とが求められる。しかし、実際には量産時のさまざまな
条件のばらつきにより、LSIに内蔵した発振用インバ
ータおよび帰還用抵抗の特性を全部同一にはできないた
め、個々のLSIの発振能力には若干の差があり、発振
能力が設計値より低いものも量産され得る。したがっ
て、LSIの発振能力のばらつきを考慮して、外付けの
発振素子およびコンデンサを選定する必要がある。すな
わち、量産時の条件のばらつきを全て考慮した最低発振
能力のサンプル、一般的には設計値の1/2の発振能力
のサンプルを発振の限度サンプルとして用意し、この限
度サンプルで安定に発振するよう外付けの発振素子およ
びコンデンサを選定すれば、量産品は限度サンプル以上
の発振能力を有するため量産品の全てで発振回路が安定
に発振する。
【0004】この限度サンプルを用意する方法として
は、LSI拡散時に拡散条件を調整して発振用インバー
タの発振能力を下げて、発振能力テスト用のサンプルを
作製するという方法が考えられる。
は、LSI拡散時に拡散条件を調整して発振用インバー
タの発振能力を下げて、発振能力テスト用のサンプルを
作製するという方法が考えられる。
【0005】あるいは、LSIに内蔵された発振用イン
バータをあらかじめ加工しやすい形状、たとえばトラン
ジスタサイズを小さくして設計値の1/2の発振能力を
有するインバータを二つ並列に接続した形状に設計して
おいて、拡散完了後に並列に接続したインバータの一方
が動作しないように、電子イオンビームまたはレーザー
ビームで配線を切る等の加工をして、発振能力を1/2
に下げる方法も考えられる。
バータをあらかじめ加工しやすい形状、たとえばトラン
ジスタサイズを小さくして設計値の1/2の発振能力を
有するインバータを二つ並列に接続した形状に設計して
おいて、拡散完了後に並列に接続したインバータの一方
が動作しないように、電子イオンビームまたはレーザー
ビームで配線を切る等の加工をして、発振能力を1/2
に下げる方法も考えられる。
【0006】図4は、設計値の1/2の発振能力を有す
るインバータを二つ並列に接続した場合のLSIを示
す。同図において、104は外付けの発振素子、10
5,106は外付けのコンデンサである。これらのコン
デンサ105,106に対して発振端子102,103
を介して発振用インバータ107,108がそれぞれ並
列に接続されている。これらの発振用インバータ10
7,108のそれぞれの発振能力は設計値の1/2であ
り、二つあわせて設計値通りの値になる。また、109
は帰還用抵抗、111はインバータである。
るインバータを二つ並列に接続した場合のLSIを示
す。同図において、104は外付けの発振素子、10
5,106は外付けのコンデンサである。これらのコン
デンサ105,106に対して発振端子102,103
を介して発振用インバータ107,108がそれぞれ並
列に接続されている。これらの発振用インバータ10
7,108のそれぞれの発振能力は設計値の1/2であ
り、二つあわせて設計値通りの値になる。また、109
は帰還用抵抗、111はインバータである。
【0007】以上のように構成されたLSIについて発
振能力をテストする場合には、テスト用のサンプルを任
意に選び出して、インバータ108が動作しないように
電子イオンビームまたはレーザービームで配線を切る等
の加工を施してインバータ107のみが発振に寄与する
ようにすることで発振能力を1/2に下げていた。
振能力をテストする場合には、テスト用のサンプルを任
意に選び出して、インバータ108が動作しないように
電子イオンビームまたはレーザービームで配線を切る等
の加工を施してインバータ107のみが発振に寄与する
ようにすることで発振能力を1/2に下げていた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来技術のうち拡散条件を調整する方法は量産品とは別
の条件で拡散する必要があるため手間と時間がかかる
上、拡散条件によりインバータの能力を精密に調整する
のは困難なため必ずしも発振能力が設計値の1/2にな
る限度サンプルが得られないという問題がある。また、
設計値の1/2の発振能力を有するインバータを二つ並
列に接続し、拡散完了後に電子イオンビーム等で配線を
切る等の加工を施す方法は拡散条件を調整する方法より
は簡単ではあるが、拡散完了後の加工が余分な工程とし
て加わり、やはり手間がかかるという問題がある。
従来技術のうち拡散条件を調整する方法は量産品とは別
の条件で拡散する必要があるため手間と時間がかかる
上、拡散条件によりインバータの能力を精密に調整する
のは困難なため必ずしも発振能力が設計値の1/2にな
る限度サンプルが得られないという問題がある。また、
設計値の1/2の発振能力を有するインバータを二つ並
列に接続し、拡散完了後に電子イオンビーム等で配線を
切る等の加工を施す方法は拡散条件を調整する方法より
は簡単ではあるが、拡散完了後の加工が余分な工程とし
て加わり、やはり手間がかかるという問題がある。
【0009】このように、いずれの方法にせよ限度サン
プルを用意する場合、量産品とは別に作製しなければな
らないという問題があった。
プルを用意する場合、量産品とは別に作製しなければな
らないという問題があった。
【0010】
【課題を解決するための手段】この問題を解決するた
め、発振用インバータを複数個並列に接続してこれらを
選択して発振能力を可変できる回路を設け、発振能力テ
スト時には発振用インバータの発振能力を小さくし、通
常動作時には発振用インバータの発振能力を大きくする
ものである。
め、発振用インバータを複数個並列に接続してこれらを
選択して発振能力を可変できる回路を設け、発振能力テ
スト時には発振用インバータの発振能力を小さくし、通
常動作時には発振用インバータの発振能力を大きくする
ものである。
【0011】また、発振用インバータを複数個並列に接
続し、また帰還用抵抗を複数個接続して、これらを選択
して発振能力を可変できる回路を設け、発振能力テスト
時には発振用インバータの発振能力を小さくし、通常動
作時には発振用インバータの発振能力を大きくするもの
である。
続し、また帰還用抵抗を複数個接続して、これらを選択
して発振能力を可変できる回路を設け、発振能力テスト
時には発振用インバータの発振能力を小さくし、通常動
作時には発振用インバータの発振能力を大きくするもの
である。
【0012】
【作用】本発明によれば、発振能力テスト時には、通常
動作時と異なり発振用インバータの発振能力を小さくで
き、また帰還用抵抗の抵抗値を小さくできるので、限度
サンプルを作るために特別な加工を施すことなく簡単に
限度サンプルを用意できる。
動作時と異なり発振用インバータの発振能力を小さくで
き、また帰還用抵抗の抵抗値を小さくできるので、限度
サンプルを作るために特別な加工を施すことなく簡単に
限度サンプルを用意できる。
【0013】
【実施例】図1は本発明の発振能力制御回路内蔵LSI
の一実施例を示すブロック図である。同図において、L
SI1の発振回路は発振用インバータ7,8および帰還
用抵抗9,10を内蔵して、発振素子(たとえば水晶発
振子)4およびコンデンサ5,6を発振端子2,3を介
して外付けで接続している。発振用インバータ7は通常
動作で使用するインバータであり、設計値通りの発振能
力を有している。一方、発振用インバータ8は発振用イ
ンバータ7の1/2の発振能力を有しており、限度サン
プルとして設定した場合に使用する。また、帰還用抵抗
9は通常動作で使用する抵抗であり、設計値通りの抵抗
値を有し、一方、帰還用抵抗10は限度サンプルとして
設定した場合に使用する抵抗で、帰還用抵抗9の1/2
の抵抗値を有する。11はインバータである。15は制
御回路であり、発振能力選択用端子16の入力状態に従
って、制御信号14を出力し、インバータ切換えスイッ
チ12および抵抗切換えスイッチ13を切り換え制御す
る。
の一実施例を示すブロック図である。同図において、L
SI1の発振回路は発振用インバータ7,8および帰還
用抵抗9,10を内蔵して、発振素子(たとえば水晶発
振子)4およびコンデンサ5,6を発振端子2,3を介
して外付けで接続している。発振用インバータ7は通常
動作で使用するインバータであり、設計値通りの発振能
力を有している。一方、発振用インバータ8は発振用イ
ンバータ7の1/2の発振能力を有しており、限度サン
プルとして設定した場合に使用する。また、帰還用抵抗
9は通常動作で使用する抵抗であり、設計値通りの抵抗
値を有し、一方、帰還用抵抗10は限度サンプルとして
設定した場合に使用する抵抗で、帰還用抵抗9の1/2
の抵抗値を有する。11はインバータである。15は制
御回路であり、発振能力選択用端子16の入力状態に従
って、制御信号14を出力し、インバータ切換えスイッ
チ12および抵抗切換えスイッチ13を切り換え制御す
る。
【0014】以上のように構成された発振能力制御回路
内蔵LSIについて、その動作を説明する。通常動作時
においては、発振能力選択用端子16を通常動作用に設
定することで、制御回路15から出力される制御信号1
4によりインバータ切換えスイッチ12および抵抗切換
えスイッチ13がインバータ7および抵抗9を選択し、
設計値どおりの発信能力の発振回路を構成する。一方、
発振能力テスト時においては、発振能力選択用端子16
を発振限度サンプル用に設定することで、制御回路15
から出力される制御信号14により、インバータ切換え
スイッチ12および抵抗切換えスイッチ13がインバー
タ8および抵抗10を選択して、発振能力が設計値の1
/2の発振回路となる。このように外部からの信号によ
る設定だけで簡単に量産品を限度サンプルに切り換えて
使用することができる。
内蔵LSIについて、その動作を説明する。通常動作時
においては、発振能力選択用端子16を通常動作用に設
定することで、制御回路15から出力される制御信号1
4によりインバータ切換えスイッチ12および抵抗切換
えスイッチ13がインバータ7および抵抗9を選択し、
設計値どおりの発信能力の発振回路を構成する。一方、
発振能力テスト時においては、発振能力選択用端子16
を発振限度サンプル用に設定することで、制御回路15
から出力される制御信号14により、インバータ切換え
スイッチ12および抵抗切換えスイッチ13がインバー
タ8および抵抗10を選択して、発振能力が設計値の1
/2の発振回路となる。このように外部からの信号によ
る設定だけで簡単に量産品を限度サンプルに切り換えて
使用することができる。
【0015】図2は本発明のLSIの別の実施例を示す
ブロック図である。同図において図1と同一の構成要素
を示す部分には同一の符号を付した。
ブロック図である。同図において図1と同一の構成要素
を示す部分には同一の符号を付した。
【0016】図2の実施例において図1に示した実施例
と異なるところは、制御回路35が二つの発振能力選択
用端子36,37から得られる信号によって制御状態を
設定されるところである。
と異なるところは、制御回路35が二つの発振能力選択
用端子36,37から得られる信号によって制御状態を
設定されるところである。
【0017】本実施例では、発振能力選択用端子36を
LSIのリセット端子と兼用しており、また、発振能力
選択用端子37をLSIテストモード設定端子と兼用し
ている。このLSIテストモード設定端子は通常動作時
にはHレベルに固定しており、LSI検査時のみLレベ
ルに設定してLSIの内部回路検査モードに設定する。
ここで、LSIテストとは、発振能力テストと異なるテ
ストであり、LSI全体が正常に動作するか否かを確認
するテストである。本実施例では、LSIの通常動作時
には、発振能力選択用端子37をHレベルとし発振能力
選択用端子36をHレベル(リセット解除時)あるいは
Lレベル(リセット時)として用いる。また、LSIテ
ストモード時には発振能力選択用端子36をHレベルと
し、発振能力選択用端子37をLレベルとする。また、
発振能力テストを行う場合には、通常動作では起こり得
ない発振能力選択用端子入力の組合せの選択、たとえば
発振能力選択用端子36がリセット状態(L)でかつ発
振能力選択用端子37がLSIテストモード状態(L)
の場合にのみ、インバータや帰還抵抗を発振の限度サン
プルに設定するよう判定する。すなわち、発振能力選択
用端子36,37がともにLレベルの場合にのみスイッ
チ12,13がインバータ8と帰還抵抗10を選択する
ように設定する。
LSIのリセット端子と兼用しており、また、発振能力
選択用端子37をLSIテストモード設定端子と兼用し
ている。このLSIテストモード設定端子は通常動作時
にはHレベルに固定しており、LSI検査時のみLレベ
ルに設定してLSIの内部回路検査モードに設定する。
ここで、LSIテストとは、発振能力テストと異なるテ
ストであり、LSI全体が正常に動作するか否かを確認
するテストである。本実施例では、LSIの通常動作時
には、発振能力選択用端子37をHレベルとし発振能力
選択用端子36をHレベル(リセット解除時)あるいは
Lレベル(リセット時)として用いる。また、LSIテ
ストモード時には発振能力選択用端子36をHレベルと
し、発振能力選択用端子37をLレベルとする。また、
発振能力テストを行う場合には、通常動作では起こり得
ない発振能力選択用端子入力の組合せの選択、たとえば
発振能力選択用端子36がリセット状態(L)でかつ発
振能力選択用端子37がLSIテストモード状態(L)
の場合にのみ、インバータや帰還抵抗を発振の限度サン
プルに設定するよう判定する。すなわち、発振能力選択
用端子36,37がともにLレベルの場合にのみスイッ
チ12,13がインバータ8と帰還抵抗10を選択する
ように設定する。
【0018】このように本実施例では発振能力選択用端
子36,37をリセット端子等と兼用するので、端子数
が増えることもなく、また、発振能力テストモードへの
切り換えを、LSIの通常動作時やLSIテスト時には
選び得ない選択用端子36,37の組合せにしているの
で、通常動作時やLSIテスト時に誤って限度サンプル
状態(発振能力が1/2の状態)に設定されて、LSI
の動作に異常を来すおそれがない。
子36,37をリセット端子等と兼用するので、端子数
が増えることもなく、また、発振能力テストモードへの
切り換えを、LSIの通常動作時やLSIテスト時には
選び得ない選択用端子36,37の組合せにしているの
で、通常動作時やLSIテスト時に誤って限度サンプル
状態(発振能力が1/2の状態)に設定されて、LSI
の動作に異常を来すおそれがない。
【0019】図3は本発明のLSIの別の実施例を示す
ブロック図である。同図において、LSI41の発振回
路は発振用インバータ47,48および帰還用抵抗4
9,50を内蔵している。また、発振素子44およびコ
ンデンサ45,46を発振端子42,43を介して外付
けで接続している。発振用インバータ47,48はいず
れも各々設計値の1/2の発振能力を有し、通常動作で
使用する場合は発振用インバータ47,48を並列にし
た回路、すなわちインバータ切換えスイッチ52を閉状
態にして使用する。これにより設計値通りの発振能力を
有する。一方、限度サンプルとして設定する場合は、イ
ンバータ切換えスイッチ52を開状態にすることにより
発振用インバータ48だけを使用して設計値の1/2の
発振能力を実現する。また、帰還用抵抗49,50につ
いても各々設計値の1/2の抵抗値を有し、通常動作で
使用する場合は帰還用抵抗49,50を直列にした回路
で使用することで設計値通りの抵抗値を有し、一方、限
度サンプルとして設定した場合は、スイッチ53を切り
換えて帰還用抵抗50だけを使用することで設計値の1
/2の抵抗値を実現する。なお、帰還用抵抗49,50
については直列接続に限らず、並列に接続してもよい。
ただし、並列の場合には帰還用抵抗49,50の抵抗値
を設計値通りに設定し、発振能力テスト時には帰還用抵
抗49,50の両方を接続状態とし、通常動作時にはそ
のいずれか一方を接続状態とする。
ブロック図である。同図において、LSI41の発振回
路は発振用インバータ47,48および帰還用抵抗4
9,50を内蔵している。また、発振素子44およびコ
ンデンサ45,46を発振端子42,43を介して外付
けで接続している。発振用インバータ47,48はいず
れも各々設計値の1/2の発振能力を有し、通常動作で
使用する場合は発振用インバータ47,48を並列にし
た回路、すなわちインバータ切換えスイッチ52を閉状
態にして使用する。これにより設計値通りの発振能力を
有する。一方、限度サンプルとして設定する場合は、イ
ンバータ切換えスイッチ52を開状態にすることにより
発振用インバータ48だけを使用して設計値の1/2の
発振能力を実現する。また、帰還用抵抗49,50につ
いても各々設計値の1/2の抵抗値を有し、通常動作で
使用する場合は帰還用抵抗49,50を直列にした回路
で使用することで設計値通りの抵抗値を有し、一方、限
度サンプルとして設定した場合は、スイッチ53を切り
換えて帰還用抵抗50だけを使用することで設計値の1
/2の抵抗値を実現する。なお、帰還用抵抗49,50
については直列接続に限らず、並列に接続してもよい。
ただし、並列の場合には帰還用抵抗49,50の抵抗値
を設計値通りに設定し、発振能力テスト時には帰還用抵
抗49,50の両方を接続状態とし、通常動作時にはそ
のいずれか一方を接続状態とする。
【0020】制御回路55は、図1の実施例におけると
同様に、発振能力選択用端子56の入力状態に従って、
制御回路55から出力される制御信号54によってイン
バータ切換えスイッチ52と抵抗切換えスイッチ53と
を切り換える。通常は、発振能力選択用端子56を通常
動作用に設定することで、制御回路55から出力される
制御信号54により、インバータ切換えスイッチ52お
よび抵抗切換えスイッチ53はインバータ47,48お
よび抵抗49,50を選択して、設計値どおりの発信能
力の発振回路を構成する。一方、発振能力選択用端子5
6を発振限度サンプル用に設定することで、制御回路5
5から出力される制御信号54により、インバータ切換
えスイッチ52および抵抗切換えスイッチ53はインバ
ータ48および抵抗50を選択して、発振能力が設計値
の1/2の発振回路を構成する。これにより外部端子か
らの設定だけで量産品を限度サンプルとして使用でき
る。なお、51はインバータである。
同様に、発振能力選択用端子56の入力状態に従って、
制御回路55から出力される制御信号54によってイン
バータ切換えスイッチ52と抵抗切換えスイッチ53と
を切り換える。通常は、発振能力選択用端子56を通常
動作用に設定することで、制御回路55から出力される
制御信号54により、インバータ切換えスイッチ52お
よび抵抗切換えスイッチ53はインバータ47,48お
よび抵抗49,50を選択して、設計値どおりの発信能
力の発振回路を構成する。一方、発振能力選択用端子5
6を発振限度サンプル用に設定することで、制御回路5
5から出力される制御信号54により、インバータ切換
えスイッチ52および抵抗切換えスイッチ53はインバ
ータ48および抵抗50を選択して、発振能力が設計値
の1/2の発振回路を構成する。これにより外部端子か
らの設定だけで量産品を限度サンプルとして使用でき
る。なお、51はインバータである。
【0021】以上の三つの実施例では発振用インバータ
と帰還用抵抗の両方について発振能力テスト時に切り換
えを行ったが、これに限らず発振用インバータのみを切
り換える構成としてもよい。すなわち、通常、発振能力
に大きく依存するのは発振用インバータであり帰還用抵
抗が発振能力に与える影響は小さいので、帰還用抵抗に
ついては通常動作時と発振能力テスト時とで同一抵抗値
のものを使ってもよい。
と帰還用抵抗の両方について発振能力テスト時に切り換
えを行ったが、これに限らず発振用インバータのみを切
り換える構成としてもよい。すなわち、通常、発振能力
に大きく依存するのは発振用インバータであり帰還用抵
抗が発振能力に与える影響は小さいので、帰還用抵抗に
ついては通常動作時と発振能力テスト時とで同一抵抗値
のものを使ってもよい。
【0022】
【発明の効果】本発明により、システムクロック等の発
生を目的とした発振回路として発振用インバータおよび
帰還用抵抗を内蔵する半導体集積回路装置において、発
振能力を外部からの設定で容易に可変できる。これによ
り、量産品を通常能力の発振回路としても発振能力を下
げた発振の限度サンプルとしても使用できるので、量産
品と別に限度サンプルを作製する必要がなくなる。
生を目的とした発振回路として発振用インバータおよび
帰還用抵抗を内蔵する半導体集積回路装置において、発
振能力を外部からの設定で容易に可変できる。これによ
り、量産品を通常能力の発振回路としても発振能力を下
げた発振の限度サンプルとしても使用できるので、量産
品と別に限度サンプルを作製する必要がなくなる。
【図1】本発明の第1の実施例における半導体集積回路
装置の構成を示す図
装置の構成を示す図
【図2】本発明の第2の実施例における半導体集積回路
装置の構成を示す図
装置の構成を示す図
【図3】本発明の第3の実施例における半導体集積回路
装置の構成を示す図
装置の構成を示す図
【図4】従来の半導体集積回路装置の構成を示す図
1 半導体集積回路装置(LSI) 2,3 発振端子 4 発振素子 5,6 コンデンサ 7,8 発振用インバータ 9,10 帰還用抵抗 11 インバータ 12 インバータ切換えスイッチ 13 抵抗切換えスイッチ 14 制御信号 15 制御回路 16 発振能力選択用端子 35 制御回路 36,37 発振能力選択用端子 41 半導体集積回路装置(LSI) 42,43 発振端子 44 発振素子 45,46 コンデンサ 47,48 発振用インバータ 49,50 帰還用抵抗 51 インバータ 52 インバータ切換えスイッチ 53 抵抗切換えスイッチ 54 制御信号 55 制御回路 56 発振能力選択用端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−152468(JP,A) 特開 平5−67921(JP,A) 特開 平2−69005(JP,A) 特開 昭63−82108(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03B 5/32
Claims (4)
- 【請求項1】並列に配設された発振能力の異なる複数の
発振用インバータと、前記発振用インバータと並列に接
続された帰還抵抗と、前記複数の発振用インバータのい
ずれか一つを外部信号によって切り換えて接続する選択
スイッチとを備えた半導体集積回路に対して、前記選択
スイッチは前記発振用インバータのうち発振能力の大き
なインバータから発振能力の小さなインバータへと切り
換えて接続し、前記集積回路に外付け発振素子と外付け
コンデンサとを接続し、前記集積回路が安定に発振する
前記外付け発振素子と前記外付けコンデンサとを選定す
る発振能力制御回路内臓半導体集積回路装置の外付け部
品の選定方法。 - 【請求項2】前記帰還用抵抗は互いに異なる抵抗値を有
し、前記切り換えスイッチは前記発振用インバータの切
り換えに加えて、抵抗値の小さな前記帰還用抵抗を選択
して接続する請求項1記載の発振能力制御回路内臓半導
体集積回路装置の外付け部品の選定方法。 - 【請求項3】並列に配設された複数の発振用インバータ
と、前記発振用インバータと並列に配設され互いに抵抗
値の異なる複数の帰還用抵抗と、前記発振用インバータ
および帰還抵抗を切り換えて接続する複数の切換えスイ
ッチと、前記切換えスイッチを前記発振用インバータの
駆動個数と前記帰還用抵抗の抵抗値とを外部信号によっ
て変える制御回路とを備えた半導体集積回路に対して、
前記制御回路と前記複数の切換えスイッチとを切り換え
て接続し、前記インバータの駆動個数を減らし、かつ前
記帰還用抵抗を小さくして接続し、前記集積回路に外付
け発振素子と外付けコンデンサとを接続し、前記集積回
路が安定に発振する前記外付け発振素子と前記外付けコ
ンデンサとを選定する発振能力制御回路内臓半導体集積
回路装置の外付け部品の選定方法。 - 【請求項4】前記インバータは二つの発振用インバータ
からなり、前記帰還用抵抗は二つの帰還用抵抗からなる
請求項1〜3記載のいずれか一の発振能力制御回路内臓
半導体集積回路装置の外付け部品の選定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22325193A JP3293260B2 (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 発振能力制御回路内臓半導体集積回路装置の外付部品の選定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22325193A JP3293260B2 (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 発振能力制御回路内臓半導体集積回路装置の外付部品の選定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0779117A JPH0779117A (ja) | 1995-03-20 |
| JP3293260B2 true JP3293260B2 (ja) | 2002-06-17 |
Family
ID=16795171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22325193A Expired - Fee Related JP3293260B2 (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 発振能力制御回路内臓半導体集積回路装置の外付部品の選定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3293260B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006287765A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Ricoh Co Ltd | 水晶発振回路 |
-
1993
- 1993-09-08 JP JP22325193A patent/JP3293260B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0779117A (ja) | 1995-03-20 |
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