JPH01102724A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は合金磁性薄膜を有する磁気記録媒体に係るもの
であり、特に、この合金磁性薄膜がジルコニウム（Ｚｒ
）及びクロム（Ｃｒ）を含有するコバルト基合金からな
る磁気記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

記録密度の高い合金磁性薄膜を有する磁気記録媒体の研
究開発が近年大いに推進されているが、その一つとして
無電解メツキ法によるコバルト（Ｃｏ）−ニッケル（Ｎ
ｉ）−リン（Ｐ）合金磁性薄膜を用いたものがある。し
かしながらＣｏ−Ｎ１−Ｐ合金は耐食性に問題があり、
該合金磁性薄膜を用いた記録媒体は、永年使用した際の
記録エラー等信頼性の点で劣っていた。例えば、該合金
磁性薄膜を温度５７°Ｃ９湿度８５％の条件下にて２週
間放置した場合には飽和磁化の劣化が３０％であり、ま
た、純水中に１週間放置した場合のそれは４０％にも達
する。このような特性の劣化は実機使用した際の出力低
下を招き、また腐蝕部の存在はエラーの増大を引き起こ
すという問題がある。

〔発明が解決しようとする問題点］ このように、無電解メツキ法によるＣｏ−Ｎ１−Ｐ合金
磁性薄膜は、出力低下やエラーの増大などといった信頼
性の低下に帰結する耐食性・耐候性の問題があった。ま
た、スパッタリングで付けたＣ。

Ｎｉ合金薄膜においても耐食性・耐候性の問題があった
。

〔問題低を解決するだめの手段〕

本発明者らは上記不具合を解決するために様々な観点か
ら検討を加え、Ｚｒ及びＣｒを添加したＣｏ基合金磁性
薄膜が極めて優れた耐食性・耐候性を有することを見い
出した。

即ち、本発明は、基板上に順次硬質下地層、合金磁性薄
膜が形成された磁気記録媒体において、上記合金磁性薄
膜をＺｒを２〜１０原子％及びＣｒを２〜１５原子％含
有するＣｏ基合金で構成したことを特徴とするものであ
る。

以下本発明の構成について更に詳細に説明する。

本発明において用いられる磁性薄膜は、Ｚｒを２〜１０
原子％、　Ｃｒを２〜１５原子％含むＣｏ基合金からな
るものである。

Ｚｒの含有量を２〜１０原子％とした理由は、その含有
量が２原子％未満では耐食性を改善するには至らないか
らである。一方、その含有量が１０原子％を越えるとき
は非晶質的性質が強くなり、記録媒体に必要な保磁力が
得られないためである。

Ｃｒの含有量を２〜１５原子％とした理由は、Ｚｒと同
様２原子％未満では耐食性改善の効果がないためであり
、１５原子％を越えるときは飽和磁化が低くなりすぎ、
薄層化という高密度記録に適した合金磁性薄膜の特徴が
活かし得ないためである。

また、本発明においては合金磁性薄膜形成に先立ち硬質
下地膜が設けられるが、該下地膜はクロム膜が適当であ
り、５００〜５０００人の厚さに付けることが望ましい
。クロム金属はＣｏ基合金薄膜にある結晶学的方位関係
を与えるためＣｏ基合金の磁化容易軸の面内成分が増し
高保磁力とすることができる。このためには結晶が充分
成長することが必要で５００Å以上付ける必要があり、
厚みの増加とともに保磁力を向上させる。厚さの上限は
特に限定されるものでないが、磁気特性の点から５００
０人あれば十分である。

さらに、本発明においてＺｒ及びＣｒ以外の組成として
は、 （イ）　　Ｃｏのみ （ロ）　　Ｃｏの一部をＮｉで置換したものであっても
よい。（ロ）の組成の場合、ＣＯの一部をＮｉで置換す
るときの置換比率はＣＯの４０原子％以下とするのが好
ましい。置換比率が４０原子％を越えるとり、ｃ、ｐ、
母結晶中に占めるｆ、ｃ、ｃ、相の割合が多くなり磁気
特性の低下をもたらすからである。

本発明の磁気記録媒体は、例えば次のようにして製造す
ることができる。即ち紐面研摩された硬質基板上にＡｒ
ガス雰囲気中でのスパッタリング等の真空蒸着法によっ
て初めにＣｒ下地膜を形成し、次いでＺｒ及びＣｒとＣ
ｏ　（及び所望、によりＮｉ）を含む合金薄膜を形成し
て作成する。

ここに、本発明に用いられる基板としては、非磁性基板
であるならば従来から用いられている各種のものが採用
でき、アルミニウム合金基板、各種のセラミックスまた
はガラス基板などが用いられる。アルミニウム合金基板
は基板表面にアルマイト、Ｎｉ　　Ｐ等から成る硬質層
が設けられていてもよい。また、磁性薄膜上に非磁性金
属中間層及び／または炭素、ポリ珪酸等の保護膜を設け
てもよい。さらに、この保護股上に潤滑剤を塗布しても
よい。

〔実施例］ 以下、本発明を具体的実施例によって詳細に説明する。

なお、以下に述べる実施例はｒ、ｆ、平板マグネトロン
装置によった−が、イオン工学的に同様のことが言える
イオンビームスパッタリング等によっても本発明の効果
を得ることが可能であることは勿論である。

実施例１ ｒ、ｆ、平板マグネトロンスパッタ装置を用い、下記条
件にてガラス基板上に様々な組成のＣｏ基合金磁性薄膜
を形成した。

初期排気　　　　　　　　　１〜３　Ｘ　１Ｏ−６Ｔｏ
ｒｒＡｒ圧力　　　　　　　　　　１２〜２０　　　ｍ
Ｔｏｒｒ投入電力　　　　　　　　　２．５　　　　　
Ｗ／ｃｍ２膜　厚　　　Ｃｒ下地膜　　　２０００〜４
０００　　人Ｃｏ基合金膜　　　　　７００　０ 薄膜形成速度　　　　　　　２００〜３００人／ｍｉｎ
基板温度　　　　　　　　　１５０°Ｃその後耐食性及
び耐候性の検討を行なった。ここに、耐食性の評価は３
ＭΩｃｍの純水中に１週間浸すことにより、また耐候性
の評価は温度５７°Ｃ１湿度８０％の条件下に２週間放
置することにより行なった。この結果を第１表の実施例
サンプルＮｏ。

１〜８に示す。

比較例１ 実施例１と同様の条件で作成したが、膜組成を特許請求
の範囲外となるよう調整した。この耐食性、耐候性テス
ト後の飽和磁化の減衰率を第１表の比較例サンプルＮα
１〜８に示す。

比較例２ 下記条件により、表面にＮ１−Ｐ硬質層が設けられたア
ルミニウム合金基板上にＣｏ−Ｎ１−Ｐ合金磁性膜を作
成し、その後耐食性、耐候性の評価を行なった。その結
果を第１表の比較例２のサンプルＮｏ、　９に示す。

メツキ浴　硫酸コバルト　　　　０．０６　　ｍｏｌ／
　１硫酸ニツケル　　　　０．０４ 次亜リン酸　　　　　０．２ 硫酸アンモニウム　　０．１ マロン酸ナトリウム　０．３ リンゴ酸ナトリウム　０．４ コハク酸ナトリウム　０．５ ρＩ＋＝８．９〜９．３　　温度７５〜８５°Ｃ膜厚７
００人第１表より、本発明による磁気記録媒体は、耐食
性テスト後の飽和磁化減衰率（％）が２．０〜６．８程
度であり比較例のもの（試料Ｎｏ、　１〜２、および７
〜８）に比べて、優れた耐食性を有する。

また本発明の組成範囲外の薄膜の場合は、例えば比較例
３　（Ｚｒ量が１２％）のものでは、保磁力が６００ｅ
ｌ、か得られず、媒体として不充分な保磁力となり、ま
たＣｒ組成が２０％の比較例４のものでは飽和磁化が７
．０ＫＧと著しく劣化してしまい薄層化による記録密度
の拘止の点で不具合なものとなる。また、比較例５はＮ
ｉ含有量が４８％と多いもので保磁力が２５００ｅとす
くない。

さらに、膜の組成が適切であっても、例えば比較例９の
ように膜厚が薄い場合には所望の磁気特性（保磁力）が
得られない。

〔発明の効果］ 以上述べたように、本発明によるＺｒ及びＣｒを含むＣ
ｏ基合金磁性薄膜は、優れた磁気特性を有し従来のＧｏ
−Ｎｉ−Ｐ無電解メツキ磁性薄膜や、Ｚｒ及びＣｒを含
まないＣｏ、　Ｃｏ−Ｎｉ１性薄膜に比較し、遥かに優
れた耐食性・耐候性を示すことが認められる。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板板面上に硬質下地膜、合金磁性薄膜が順次形
   成されて成る磁気記録媒体において、該合金磁性薄膜は
   ジルコニウムを２〜１０原子％、クルムを２〜１５原子
   ％含むコバルト基合金からなることを特徴とする磁気記
   録媒体。
2. （２）上記合金磁性薄膜が、ジルコニウムを２〜１０原
   子％、クロムを２〜１５原子％と、残部が実質的にコバ
   ルトとニッケルから成り、ニッケルの含有量は、コバル
   トの４０原子％以下を置換した量であることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。
3. （３）基板上に付けられた硬質下地膜が非磁性クロム層
   であることを特徴とする特許請求の範囲第１項及び第２
   項に記載の磁気記録媒体。
4. （４）上記非磁性クロム層の厚さが５００〜５０００Å
   であることを特徴とする特許請求の範囲第３項に記載の
   磁気記録媒体。