JPH01110778A - 光センサの製造方法 - Google Patents
光センサの製造方法Info
- Publication number
- JPH01110778A JPH01110778A JP62268508A JP26850887A JPH01110778A JP H01110778 A JPH01110778 A JP H01110778A JP 62268508 A JP62268508 A JP 62268508A JP 26850887 A JP26850887 A JP 26850887A JP H01110778 A JPH01110778 A JP H01110778A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- semiconductor thin
- optical sensor
- manufacturing
- sensor according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/125—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/125—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe
- H10F71/1253—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe comprising at least three elements, e.g. HgCdTe
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
部業上の利用分野
本発明はファクシミリ装置や元ディスクなどのＯＡ機器
の画像入力部に用いられる光センサの製造方法に関する
ものである。
の画像入力部に用いられる光センサの製造方法に関する
ものである。
従来の技術
近年、ファクシミリ装置や各種ＯＡ機器の画像情報入力
部の小型化や画像ひずみの改善を目指して、原稿幅と同
一寸法の留看型ラインセンサが開発され、これを用いた
画像読取装置が使用され始めており、さらに現任では性
能面での同上すなわち高速化や画品質の向上が強く望ま
れている。
部の小型化や画像ひずみの改善を目指して、原稿幅と同
一寸法の留看型ラインセンサが開発され、これを用いた
画像読取装置が使用され始めており、さらに現任では性
能面での同上すなわち高速化や画品質の向上が強く望ま
れている。
さて、 ＣｄＳ 、 ＣｄＳｅまたは固溶体Ｃｄ５−Ｃ
ｄＳｅのいずねかを主体としてなる光センサは、光１ｕ
流が大きいのが特徴で、このため、このセンサを用いた
密着型ラインセンサでは周辺回路の設計が容易となる。
ｄＳｅのいずねかを主体としてなる光センサは、光１ｕ
流が大きいのが特徴で、このため、このセンサを用いた
密着型ラインセンサでは周辺回路の設計が容易となる。
一方、この光センサは、光電流ｊｐの光照射に対する応
答速度が遅＜、シかも照射光強度（すなわち原価からの
反射光強度〕Ｌに対する比例性に劣、るという二つの欠
点がある。すなわち、前者ではｊｐの立上り時間τ１や
立下り時間τｄが、通常便用時のセンサ面強度Ｚｏｏ
ｅｕｘで２〜３ ｍ５ｅｃと長く、後者ではＪｐｏｓＬ
γとしたときのｒ値が、５０〜１００ｅｕｘで０．＋３
〜０．７５ と小さい。
答速度が遅＜、シかも照射光強度（すなわち原価からの
反射光強度〕Ｌに対する比例性に劣、るという二つの欠
点がある。すなわち、前者ではｊｐの立上り時間τ１や
立下り時間τｄが、通常便用時のセンサ面強度Ｚｏｏ
ｅｕｘで２〜３ ｍ５ｅｃと長く、後者ではＪｐｏｓＬ
γとしたときのｒ値が、５０〜１００ｅｕｘで０．＋３
〜０．７５ と小さい。
発明が解決しようとする問題点
このように、センサの光電流の立上り時間や立下り時間
が長いと、このセンサを用いたラインセッサの読取り走
査速度が４〜５ｍｓ／ｅｉｎｅと制限されてしまう。ま
たγ値が小さいと、センサ面での光強度に応じて生じる
光電流、、すなわち出力信号１１１１が、第１図に見ら
れるようにγ＝１．０の場合は比例しているのに、γ＝
０．６の場合はひどく比例性が劣っている。このため中
間調の再現に余分の回路処理を必要とする。
が長いと、このセンサを用いたラインセッサの読取り走
査速度が４〜５ｍｓ／ｅｉｎｅと制限されてしまう。ま
たγ値が小さいと、センサ面での光強度に応じて生じる
光電流、、すなわち出力信号１１１１が、第１図に見ら
れるようにγ＝１．０の場合は比例しているのに、γ＝
０．６の場合はひどく比例性が劣っている。このため中
間調の再現に余分の回路処理を必要とする。
ＣｄＳ 、 ＣｄＳｅゐるいは固溶体Ｃｄ５−ＣｄＳｅ
の薄膜をＣｄＣｌ２蒸気中で活性化熱処理した光導電型
センサの場合２ｒ値を大きくすることは、たとえば添加
不純物であるＣｕ濃度を高くするなどの方法によって実
現される。ただ同時に光電流の立下り時間τｄは小さく
なるが、立上り時間τ、が大きくなり、全体としての光
応答速度が遅くなるとともに光電流Ｊｐモ小さくなると
いう大きな欠点がある。
の薄膜をＣｄＣｌ２蒸気中で活性化熱処理した光導電型
センサの場合２ｒ値を大きくすることは、たとえば添加
不純物であるＣｕ濃度を高くするなどの方法によって実
現される。ただ同時に光電流の立下り時間τｄは小さく
なるが、立上り時間τ、が大きくなり、全体としての光
応答速度が遅くなるとともに光電流Ｊｐモ小さくなると
いう大きな欠点がある。
本発明は、上記の問題点を解決するもので、光電流Ｊｐ
が小さくなることなく光応答速度が速く。
が小さくなることなく光応答速度が速く。
あるいはさらにｒ値が大きい光センサの製造方法を提供
することを口開とするものである。
することを口開とするものである。
問題点を解決するための手段
上記の問題点を解決するために本発明の光センサＩの製
造方法は、絶縁性基板上にＣｄＳ 、 ＣｄＳｅまたは
固溶体Ｃｄ５−ＣｄＳｅのいずれかからなる半導体薄膜
を形成し、前記半導体薄膜を高温でＣｄＣｌ□の蒸気に
暴露して光電的に活性化した後、対向電極を設け、その
後に少量のＡｇを表面に蒸着し、このＡｇを半導体薄膜
中に拡散させるものであり、また前記半導体薄膜をｃｃ
ｔｃ ｌ ２の蒸気中での活性化後、少量のＡｇ８表面
に蒸着し、その後対向電極を設けて、前記Ａｇを半導体
薄膜中に拡散してもよく、さらにまた前記半導体薄膜を
活性化した後、少量のＡｇを表面に蒸着し、前記半導体
薄膜中に拡散した後、対向電極を設けてもよい。
造方法は、絶縁性基板上にＣｄＳ 、 ＣｄＳｅまたは
固溶体Ｃｄ５−ＣｄＳｅのいずれかからなる半導体薄膜
を形成し、前記半導体薄膜を高温でＣｄＣｌ□の蒸気に
暴露して光電的に活性化した後、対向電極を設け、その
後に少量のＡｇを表面に蒸着し、このＡｇを半導体薄膜
中に拡散させるものであり、また前記半導体薄膜をｃｃ
ｔｃ ｌ ２の蒸気中での活性化後、少量のＡｇ８表面
に蒸着し、その後対向電極を設けて、前記Ａｇを半導体
薄膜中に拡散してもよく、さらにまた前記半導体薄膜を
活性化した後、少量のＡｇを表面に蒸着し、前記半導体
薄膜中に拡散した後、対向電極を設けてもよい。
作用
本発明の上記溝成によれば、 ＣｄＳ系光導１で型セン
サの光↑Ｅ流値が大きいという特長を損わずして、しか
もその光応答速度を速くし、あるいはｒ値を大きくする
ことができる。光１Ｆ流は、その立下り時間τｄにほり
比例するものであるが、上記構成により半導体薄膜中の
光キャ；ノア（電子）の移動度が大きくなるので、この
立下り時間が短かくなっても光電流がそれほど小さくな
らない。
サの光↑Ｅ流値が大きいという特長を損わずして、しか
もその光応答速度を速くし、あるいはｒ値を大きくする
ことができる。光１Ｆ流は、その立下り時間τｄにほり
比例するものであるが、上記構成により半導体薄膜中の
光キャ；ノア（電子）の移動度が大きくなるので、この
立下り時間が短かくなっても光電流がそれほど小さくな
らない。
実施例
以下、本発明の一実施例をＣｄ５ｏ、６ Ｓｅｇ、４を
例にとり説明する。絶縁性基板であるガラス基板（コー
ニング社、 ＃７０５９．２３０ｘ２５ｘ１．２ｍｍ’
）上に、蒸着により厚さ４０００ＡのＣｄ５ｏ、ｉ Ｓ
ｅｏ、＜からなる半導体薄膜（蒸着膜）を形成し、フォ
トエツチングにより主走査方向に島状（９０Ｘ ３５０
μｍ２ ）に８ビット／ｍｍの割合で１７２８ビツト配
凪する。この島状のＣｄ５ｏ、６ Ｓｅ０．４薄膜を、
５００℃でＣｄＣｌ２の飽和蒸気中で加熱処蒸着膜〕す
なわち共２１１Ｉ電極と個別電極を形成する。
例にとり説明する。絶縁性基板であるガラス基板（コー
ニング社、 ＃７０５９．２３０ｘ２５ｘ１．２ｍｍ’
）上に、蒸着により厚さ４０００ＡのＣｄ５ｏ、ｉ Ｓ
ｅｏ、＜からなる半導体薄膜（蒸着膜）を形成し、フォ
トエツチングにより主走査方向に島状（９０Ｘ ３５０
μｍ２ ）に８ビット／ｍｍの割合で１７２８ビツト配
凪する。この島状のＣｄ５ｏ、６ Ｓｅ０．４薄膜を、
５００℃でＣｄＣｌ２の飽和蒸気中で加熱処蒸着膜〕す
なわち共２１１Ｉ電極と個別電極を形成する。
対同電極のギャップは６０μｍである。その後、母体で
あるＣｄ５ｏ、ａ Ｓｅａ、＜ 薄膜に対して０．００
５〜０．１モル％のＡｇを蒸着する。蒸着Ａｇ量が０．
００５モル％より少ないと効果が小さり４０．１ モル
％以上だと立上り特性が悪くなる。Ａｇ蒸着時の基板温
度は４００℃以下とする。基板温度が４００℃を越える
と特性の変動を生じ好ましくない。必要な特性を得るた
めに、 Ａｇ蒸着後さらに中性または少量の酸素を含む
雰囲気中において１５０〜４００℃で加熱処理を施す。
あるＣｄ５ｏ、ａ Ｓｅａ、＜ 薄膜に対して０．００
５〜０．１モル％のＡｇを蒸着する。蒸着Ａｇ量が０．
００５モル％より少ないと効果が小さり４０．１ モル
％以上だと立上り特性が悪くなる。Ａｇ蒸着時の基板温
度は４００℃以下とする。基板温度が４００℃を越える
と特性の変動を生じ好ましくない。必要な特性を得るた
めに、 Ａｇ蒸着後さらに中性または少量の酸素を含む
雰囲気中において１５０〜４００℃で加熱処理を施す。
１５０℃米滴ではＪｐの立下り時間τｄが太き（，４０
０℃を越えると変動が生じ易い。その後シリコン樹脂や
ポリイミドなどの保護膜を形成しラインセンサを完成す
る。保護膜の乾燥などの熱処理を上記熱処理（１５０〜
４００℃）Ｉこ代えても良い。これらラインセンサのう
ちの１ビツトの特性を調べ、Ａｇ蒸着時の基板温度が常
温の場合の結果を第１表にまとめた。比較のため、通常
のＣｄ５ｏ、６Ｓｅａ、４Ｃｕ （０，０１〜０．１モ
ル％〕蒸着膜を上記と同様に形成し、活性化熱処理後方
向電極を形成したセンサについても調べた。なおＣｕに
代えてＡｇを添加したＣｄ５ｏ、ａ Ｓｅｏ、＊−Ａｇ
（０，０１〜０．１モル％〕蒸着膜を形成し、活性化
したセンサでは、前記Ｃｄ５ｇ、ｓ Ｓｅ、）、４
Ｃｕ蒸着膜全活性化したセンサより特性が劣っている（
τｄが大きい〕。特性は印加電圧ＤＣＩＯＶ、光照射は
緑色ＬＥＤ光（５７０ｎｍ、 １００ｅｕｘ）をｌＨｚ
（０，５ｓｅｃずつ〕で点源して測定した。応答時間
は光電流ＪｐがＯから飽和値の５０％に上がるまでの時
間を立上り時間τ、。
０℃を越えると変動が生じ易い。その後シリコン樹脂や
ポリイミドなどの保護膜を形成しラインセンサを完成す
る。保護膜の乾燥などの熱処理を上記熱処理（１５０〜
４００℃）Ｉこ代えても良い。これらラインセンサのう
ちの１ビツトの特性を調べ、Ａｇ蒸着時の基板温度が常
温の場合の結果を第１表にまとめた。比較のため、通常
のＣｄ５ｏ、６Ｓｅａ、４Ｃｕ （０，０１〜０．１モ
ル％〕蒸着膜を上記と同様に形成し、活性化熱処理後方
向電極を形成したセンサについても調べた。なおＣｕに
代えてＡｇを添加したＣｄ５ｏ、ａ Ｓｅｏ、＊−Ａｇ
（０，０１〜０．１モル％〕蒸着膜を形成し、活性化
したセンサでは、前記Ｃｄ５ｇ、ｓ Ｓｅ、）、４
Ｃｕ蒸着膜全活性化したセンサより特性が劣っている（
τｄが大きい〕。特性は印加電圧ＤＣＩＯＶ、光照射は
緑色ＬＥＤ光（５７０ｎｍ、 １００ｅｕｘ）をｌＨｚ
（０，５ｓｅｃずつ〕で点源して測定した。応答時間
は光電流ＪｐがＯから飽和値の５０％に上がるまでの時
間を立上り時間τ、。
ｊｐが飽和値からその５０％に下がるまでの時間を立下
り時間τｄとした。またγは５０〜１０ｉｕｘ 間での
平均値である。
り時間τｄとした。またγは５０〜１０ｉｕｘ 間での
平均値である。
第１表
第１表から明らかなように１本実施例で得られたセンサ
は、比較例のカＩＩ常のセンサに比べて、光電流Ｊｐ、
立上り時間τ１．立下り時間τｄ、γの特性値の少なく
ともいずれかが顕著にすぐれており。
は、比較例のカＩＩ常のセンサに比べて、光電流Ｊｐ、
立上り時間τ１．立下り時間τｄ、γの特性値の少なく
ともいずれかが顕著にすぐれており。
光電流ｊｐを数μへ以上と大きく保ったまま立下り時間
τｄを数ｍ５ｅｃ以下０．５ｍ５ｅｃ程度にまで小さ（
でき、ｒも０．７０以上、多くは０．８０以上と大きく
できる。
τｄを数ｍ５ｅｃ以下０．５ｍ５ｅｃ程度にまで小さ（
でき、ｒも０．７０以上、多くは０．８０以上と大きく
できる。
一方元電流の立上り時間τ、は、通常センサの場合と違
ってτｄが小さくなっても大きくならず、実際にライン
センサとして用いる場合には原稿黒地でも存在する反射
光（少なくとも３％はある）がバイアス光となり、これ
が常時センサに照射されるため、実効的には著しく小さ
くなる。その効果を第２表に示す。この程度のバイアス
光照射による他の特性（Ｊｐ 、τｄ、γ〕の変化は殆
んどない。
ってτｄが小さくなっても大きくならず、実際にライン
センサとして用いる場合には原稿黒地でも存在する反射
光（少なくとも３％はある）がバイアス光となり、これ
が常時センサに照射されるため、実効的には著しく小さ
くなる。その効果を第２表に示す。この程度のバイアス
光照射による他の特性（Ｊｐ 、τｄ、γ〕の変化は殆
んどない。
本発明においては、 Ａｇの蒸着を半導体薄膜の活性化
熱処理後に行ない、その後で対向電極を形成し、必要に
応じてさらに中性または少量の酸素を含む雰囲気中にお
いて１５０〜４００℃で熱処理する方法でも、さらには
同様にＡｇの蒸着を半導体薄膜の第２表 活性化熱処理後に行ない、中性または少量の酸素を含む
雰囲気中において１５０〜２５０℃で熱処理して。
熱処理後に行ない、その後で対向電極を形成し、必要に
応じてさらに中性または少量の酸素を含む雰囲気中にお
いて１５０〜４００℃で熱処理する方法でも、さらには
同様にＡｇの蒸着を半導体薄膜の第２表 活性化熱処理後に行ない、中性または少量の酸素を含む
雰囲気中において１５０〜２５０℃で熱処理して。
その後対向電極を設ける方法でも同様の特性向上をはか
ることができる。この場合、２５０℃を越えるとオーミ
ック電極の形成が難しくなる。
ることができる。この場合、２５０℃を越えるとオーミ
ック電極の形成が難しくなる。
また上記実施例ではＣｄ５ｏ、６Ｓｅａ、＊を例にとっ
たがＣｄＳ 、 ＣｄＳｅや他の組成比の固溶体Ｃｄ５
−ＣｄＳｅでも同様の効果が得られる。
たがＣｄＳ 、 ＣｄＳｅや他の組成比の固溶体Ｃｄ５
−ＣｄＳｅでも同様の効果が得られる。
光切の効果
本発明によれば、光電流値が数μへ以上と太きいままで
光扇答速度が著しく速く、さらにはγ値の大きい光セン
サを製造することが可能となる。そしてこのよりな元セ
ンサを用いて中間調再現性【こ優れた高速の画像読取装
置を得ること力５できる。
光扇答速度が著しく速く、さらにはγ値の大きい光セン
サを製造することが可能となる。そしてこのよりな元セ
ンサを用いて中間調再現性【こ優れた高速の画像読取装
置を得ること力５できる。
第１図は光センサにおける光電流と光強度の関係を示す
図である。
図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁性基板上にＣｄＳ、ＣｄＳｅまたは固溶体Ｃｄ
Ｓ−ＣｄＳｅのいずれかからなる半導体薄膜を形成し、
前記半導体薄膜を高温でＣｄＣｌ＿２の蒸気に暴露して
光電的に活性化し、次いで対向電極を設け、その後さら
に少量のＡｇを表面に蒸着し前記半導体薄膜中に拡散さ
せる光センサの製造方法。 ２、Ａｇを蒸着後に中性または少量の酸素を含む雰囲気
中において１５０〜４００℃で加熱処理する特許請求の
範囲第１項記載の光センサの製造方法。 ３、Ａｇ蒸着時の基板温度は４００℃以下である特許請
求の範囲第１項または第２項記載の光センサの製造方法
。 ４、Ａｇの蒸着量は半導体薄膜に対して０．００５〜０
．１モル％である特許請求の範囲第１項、第２項または
第３項記載の光センサの製造方法。 ５、絶縁性基板上にＣｄＳ、ＣｄＳｅまたは固溶体Ｃｄ
Ｓ−ＣｄＳｅのいずれかからなる半導体薄膜を形成し、
前記半導体薄膜を高温でＣｄＣｌ＿２の蒸気に暴露して
光電的に活性化した後、少量のＡｇを表面に蒸着し、次
いで対向電極を設けた後、前記Ａｇを前記半導体薄膜中
に拡散させる光センサの製造方法。 ６、対向電極を設けた後に、中性または少量の酸素を含
む雰囲気中において１５０〜４００℃で加熱処理する特
許請求の範囲第５項記載の光センサの製造方法。 ７、Ａｇ蒸着時の基板温度は４００℃以下である特許請
求の範囲第５項または第６項記載の光センサの製造方法
。 ８、Ａｇの蒸着量は半導体薄膜に対して０．００５〜０
．１モル％である特許請求の範囲第５項、第６項または
第７項記載の光センサの製造方法。 ９、絶縁性基板上にＣｄＳ、ＣｄＳｅまたは固溶体Ｃｄ
Ｓ−ＣｄＳｅのいずれかからなる半導体薄膜を形成し、
前記半導体薄膜を高温でＣｄＣｌ＿２の蒸気に暴露し光
電的に活性化した後、少量のＡｇを表面に蒸着し前記半
導体薄膜中に拡散させ、しかる後対向電極を設ける光セ
ンサの製造方法。 １０、Ａｇを蒸着後対向電極形成前に中性または少量の
酸素を含む雰囲気中において１５０〜２５０℃で加熱処
理する特許請求の範囲第９項記載の光センサの製造方法
。 １１、Ａｇ蒸着時の基板湿度は４００℃以下である特許
請求の範囲第９項または第１０項記載の光センサの製造
方法。 １２、Ａｇの蒸着量は半導体薄膜に対して０．００５〜
０．１モル％である特許請求の範囲第９項、第１０項ま
たは第１１項記載の光センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62268508A JPH01110778A (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 光センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62268508A JPH01110778A (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 光センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01110778A true JPH01110778A (ja) | 1989-04-27 |
Family
ID=17459479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62268508A Pending JPH01110778A (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 光センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01110778A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002301246A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-15 | Sanyo Product Co Ltd | 遊技機 |
-
1987
- 1987-10-23 JP JP62268508A patent/JPH01110778A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002301246A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-15 | Sanyo Product Co Ltd | 遊技機 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01110778A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JP2658079B2 (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JP2658078B2 (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPH0198269A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JP2538252B2 (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPH01220478A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPH02238675A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPH029175A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPH01109775A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JP3019866B2 (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPH04199879A (ja) | 光センサ及びその製造方法 | |
| JPH01220479A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPH03200369A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPH01228165A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JP2502783B2 (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPH02237078A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPH07109900B2 (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPH02237079A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JP2921892B2 (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPS62243374A (ja) | 光導電型光センサの製造方法 | |
| JPH02270380A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPS62247564A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPS63249366A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPS61185967A (ja) | 密着型イメ−ジ素子 | |
| JPS6265366A (ja) | 光センサ |