JPH01127242U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH01127242U JPH01127242U JP2280188U JP2280188U JPH01127242U JP H01127242 U JPH01127242 U JP H01127242U JP 2280188 U JP2280188 U JP 2280188U JP 2280188 U JP2280188 U JP 2280188U JP H01127242 U JPH01127242 U JP H01127242U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- ultraviolet rays
- adhesive strength
- film
- pick
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
Description
第１図はこの考案による半導体チツプのピツク
アツプ装置を示す側面図、第２図は半導体ウエハ
をチツプに分割するエキスパンド工程を説明する
斜視図、第３図は従来の半導体チツプのピツクア
ツプ装置の作業手順を示す側面図、第４図はピツ
クアツプ不良の状態を示す側面図である。 図において１はフイルム、２ａは半導体ウエハ
、２ｂは半導体チツプ、４は紫外線、５は突き上
げ用針、６はダイコレツト、７ａは光フアイバー
である。なお、図中同一符号は同一、又は相当部
分を示す。
アツプ装置を示す側面図、第２図は半導体ウエハ
をチツプに分割するエキスパンド工程を説明する
斜視図、第３図は従来の半導体チツプのピツクア
ツプ装置の作業手順を示す側面図、第４図はピツ
クアツプ不良の状態を示す側面図である。 図において１はフイルム、２ａは半導体ウエハ
、２ｂは半導体チツプ、４は紫外線、５は突き上
げ用針、６はダイコレツト、７ａは光フアイバー
である。なお、図中同一符号は同一、又は相当部
分を示す。
補正 昭６３．７．１
実用新案登録請求の範囲を次のように補正する
。
。
【実用新案登録請求の範囲】
透明又は半透明のフイルムに、紫外線の照射に
より接着力の低下する接着剤により接着された半
導体チツプをピツクアツプする装置において、フ
イルム下部に設けられた半導体チツプ突き上げ用
針の内部に設けられた、光フアイバーを通してピ
ツクアツプしようとする半導体チツプの裏面にの
み紫外線を照射し、接着力を低下させた後、ピツ
クアツプすることを特徴とする半導体チツプのピ
ツクアツプ装置。
より接着力の低下する接着剤により接着された半
導体チツプをピツクアツプする装置において、フ
イルム下部に設けられた半導体チツプ突き上げ用
針の内部に設けられた、光フアイバーを通してピ
ツクアツプしようとする半導体チツプの裏面にの
み紫外線を照射し、接着力を低下させた後、ピツ
クアツプすることを特徴とする半導体チツプのピ
ツクアツプ装置。
Claims (1)
- 透明又は半透明のフイルムに、紫外線の照射に
より接着力の低下する接着剤により接着された半
導体チツプをピツクアツプする装置において、フ
イルム下部に設けられた半導体チツプ突き上げ用
針に内部に設けられた、光フアイバーを通してピ
ツクアツプしようとする半導体チツプの裏面にの
み紫外線を照射し、接着力を低下させた後、ピツ
クアツプすることを特徴とする半導体チツプのピ
ツクアツプ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2280188U JPH01127242U (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2280188U JPH01127242U (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01127242U true JPH01127242U (ja) | 1989-08-31 |
Family
ID=31241237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2280188U Pending JPH01127242U (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01127242U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023098635A (ja) * | 2021-12-28 | 2023-07-10 | サムス カンパニー リミテッド | ダイエジェクター、並びにそれを含むダイ供給モジュール及びダイボンディング設備 |
-
1988
- 1988-02-23 JP JP2280188U patent/JPH01127242U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023098635A (ja) * | 2021-12-28 | 2023-07-10 | サムス カンパニー リミテッド | ダイエジェクター、並びにそれを含むダイ供給モジュール及びダイボンディング設備 |
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