JPH01129964A - スパッタリング用ターゲット - Google Patents
スパッタリング用ターゲットInfo
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- JPH01129964A JPH01129964A JP28864687A JP28864687A JPH01129964A JP H01129964 A JPH01129964 A JP H01129964A JP 28864687 A JP28864687 A JP 28864687A JP 28864687 A JP28864687 A JP 28864687A JP H01129964 A JPH01129964 A JP H01129964A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
−〔産業上の利用分野〕
本発明は希土類遷移金属合金スパッタリング用ターゲッ
トの組織及び組成に関する。
トの組織及び組成に関する。
希土類遷移金属系光磁気記録膜を作成するスパッタリン
グ用ターゲットは従来より鋳造法、焼結法、半溶融法な
どがある。ここでいう鋳造法とは鋳込んだ鋳塊をそのま
ま外径・表面加工にてターゲットにするものであり、焼
結法とは一度鋳込んだ鋳塊を粉砕し、焼結にてターゲッ
ト形状とするものである。又、半溶融法とは特開昭６１
−９９６４０号に示すものである。
グ用ターゲットは従来より鋳造法、焼結法、半溶融法な
どがある。ここでいう鋳造法とは鋳込んだ鋳塊をそのま
ま外径・表面加工にてターゲットにするものであり、焼
結法とは一度鋳込んだ鋳塊を粉砕し、焼結にてターゲッ
ト形状とするものである。又、半溶融法とは特開昭６１
−９９６４０号に示すものである。
しかしながら前述の焼結法は、本質的に酸素量を多（含
み（２０００ｐｐｍ程度）、酸化され易い希土類遷移金
属系には適していない。一方、鋳造法はＴｂＦｅ系に関
しては非常に脆く、新しい組成系としてＮｄＤｙＦｅＣ
ｏ系が注目されている。（特開昭６１−１６８２２号、
６２−１２９４１号等） 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、前述の従来技術による鋳造法によるＮｄ
ＤｙＦｅＣｏ５ＮｄＴｂＦｅＣｏ、ＰｒＤｙＦｅＣｏ５
ＰｒＴｂＦｅＣｏ系鋳造合金ターゲットでスパッタリン
グにて成膜した場合、基板面内で組成分布が生じるとい
う問題点を有する。
み（２０００ｐｐｍ程度）、酸化され易い希土類遷移金
属系には適していない。一方、鋳造法はＴｂＦｅ系に関
しては非常に脆く、新しい組成系としてＮｄＤｙＦｅＣ
ｏ系が注目されている。（特開昭６１−１６８２２号、
６２−１２９４１号等） 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、前述の従来技術による鋳造法によるＮｄ
ＤｙＦｅＣｏ５ＮｄＴｂＦｅＣｏ、ＰｒＤｙＦｅＣｏ５
ＰｒＴｂＦｅＣｏ系鋳造合金ターゲットでスパッタリン
グにて成膜した場合、基板面内で組成分布が生じるとい
う問題点を有する。
（ＩＳＭＯｏ ８７ ２１Ｂ−１４）
又、半溶融法で作成したターゲットは基板面内で組成分
布が生じにくいという特長がある。（第１０回日本応用
磁気学会学術講演概要集５ａＢ−７，５ａＢ−８） しかし、半溶融法は基本的には焼結による製造であるた
め、ターゲットは完全な密状態となっておらず、大気中
に放置された場合はターゲットの表面層が酸化されてし
まい、予備スパッタリングでは表面層をクリーニングで
きないほどの酸化層となってしまう。又、半溶融法は遷
移金属単体相を含むため、ターゲットの透磁率が大きく
、マグネトロンスパッタ時には、ターゲットを薄くしな
いと十分な漏洩磁場が出ないという欠点がある。
布が生じにくいという特長がある。（第１０回日本応用
磁気学会学術講演概要集５ａＢ−７，５ａＢ−８） しかし、半溶融法は基本的には焼結による製造であるた
め、ターゲットは完全な密状態となっておらず、大気中
に放置された場合はターゲットの表面層が酸化されてし
まい、予備スパッタリングでは表面層をクリーニングで
きないほどの酸化層となってしまう。又、半溶融法は遷
移金属単体相を含むため、ターゲットの透磁率が大きく
、マグネトロンスパッタ時には、ターゲットを薄くしな
いと十分な漏洩磁場が出ないという欠点がある。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは従来の鋳造合金ターゲットがもつ
成膜面内で組成分布が生じるという欠点を克服し、さら
に半溶融法によるターゲットのもつ酸化されやすい、透
磁率が大きいという欠点を克服するターゲットを提供す
るところにある。
の目的とするところは従来の鋳造合金ターゲットがもつ
成膜面内で組成分布が生じるという欠点を克服し、さら
に半溶融法によるターゲットのもつ酸化されやすい、透
磁率が大きいという欠点を克服するターゲットを提供す
るところにある。
希土類遷移金属合金からなる光磁気記録層をスパッタリ
ングにて製造する鋳造合金ターゲットにおいて、鋳造合
金ターゲット中の金属組織が、希土類金属単体相と希土
類遷移金属合金相からなることを特徴とする。
ングにて製造する鋳造合金ターゲットにおいて、鋳造合
金ターゲット中の金属組織が、希土類金属単体相と希土
類遷移金属合金相からなることを特徴とする。
従来より実験室で用いられているＴＭツタ−ゲット上Ｒ
Ｅチップを配して成膜する複合ターゲット方式の場合、
基板面内の組成分布は鋳造合金ターゲットのそれとは逆
の傾を示す。
Ｅチップを配して成膜する複合ターゲット方式の場合、
基板面内の組成分布は鋳造合金ターゲットのそれとは逆
の傾を示す。
つまり、複合ターゲットの場合はターゲットの直上にな
るほどＲＥが多く側面はどＴＭが多い。
るほどＲＥが多く側面はどＴＭが多い。
一方、鋳造合金ターゲットのそれはターゲットの直上に
なるほどＴＭが多く、側面はどＲＥが多い。
なるほどＴＭが多く、側面はどＲＥが多い。
これらをより詳細に見てみると、ＴＭの飛び方は複合タ
ーゲット、鋳造合金ともほぼ同じで大きな差はなかった
。一方、ＲＥの飛び方が複合ターゲットと鋳造合金とで
大きな差があることがわかった。つまり、複合ターゲッ
トのときのＲＥはターゲットの上方向に飛び易く、鋳造
合金ターゲットのときのＲＥはターゲットの横方向に飛
び易いのである。つまりＲＥ単体相と、ＲＥ−７Ｍ合金
相を適当に混存させた鋳造合金ターゲットができれば、
基板面内で組成分布が少ない均一な成膜が可能となり、
又ＴＭ単体相がないため透磁率も小さくなりターゲット
を厚くしても十分マグネトロンスパッタが可能となる。
ーゲット、鋳造合金ともほぼ同じで大きな差はなかった
。一方、ＲＥの飛び方が複合ターゲットと鋳造合金とで
大きな差があることがわかった。つまり、複合ターゲッ
トのときのＲＥはターゲットの上方向に飛び易く、鋳造
合金ターゲットのときのＲＥはターゲットの横方向に飛
び易いのである。つまりＲＥ単体相と、ＲＥ−７Ｍ合金
相を適当に混存させた鋳造合金ターゲットができれば、
基板面内で組成分布が少ない均一な成膜が可能となり、
又ＴＭ単体相がないため透磁率も小さくなりターゲット
を厚くしても十分マグネトロンスパッタが可能となる。
さらに鋳造合金であるための本来の酸素含有量も少なく
、予備スパッタリングも非常に短くなる。
、予備スパッタリングも非常に短くなる。
〔実施例１〕
まず原料として、（Ｎｄｏ、ｚ Ｄ’ｉｏ、＋ ） ｑ
ｚ、ｚ（Ｆ ｅｏ、ｎ Ｃ０６，２） Ｚ７．８ａｔ％
の鋳塊を作る（以下この鋳塊をＲ＋ ＲＩＴ ２鋳塊と
呼ぶ）。この鋳塊の融点は８３０°Ｃ程度と極めて低い
。そして次に（Ｎｄｏ、ｚ Ｄ Ｖｏ、ｓ ） ｔｏ、
ｓ （Ｆ ｅｏ、ａ Ｃ００，２）ｅｑ、ｓａｔ％の鋳
塊を作り、平均粒径が２００μｍ程度となる様にこの鋳
塊を粉砕し粉末とする（以下この粉末をＲｚＴｙｔ粉末
と呼ぶ）。このＲｚＴ＋を粉末の融点は１３３０°Ｃで
ある。
ｚ、ｚ（Ｆ ｅｏ、ｎ Ｃ０６，２） Ｚ７．８ａｔ％
の鋳塊を作る（以下この鋳塊をＲ＋ ＲＩＴ ２鋳塊と
呼ぶ）。この鋳塊の融点は８３０°Ｃ程度と極めて低い
。そして次に（Ｎｄｏ、ｚ Ｄ Ｖｏ、ｓ ） ｔｏ、
ｓ （Ｆ ｅｏ、ａ Ｃ００，２）ｅｑ、ｓａｔ％の鋳
塊を作り、平均粒径が２００μｍ程度となる様にこの鋳
塊を粉砕し粉末とする（以下この粉末をＲｚＴｙｔ粉末
と呼ぶ）。このＲｚＴ＋を粉末の融点は１３３０°Ｃで
ある。
これら原料、つまりＲ十Ｒｒ Ｔ ｚ鋳塊とＲｚ Ｔ
１７粉末を（Ｒ＋Ｒ＋ Ｔｔ ） ： （Ｒｚ Ｔｉｔ
） ＝ １７ ：４４．７の比になる様にルツボ中に投
入する。その後ルツボを１０５０°Ｃまで温度を上げる
。つまりこの１０５０°Ｃの状態のときはＲ＋ＲＩ Ｔ
Ｚ鋳塊が溶解されておりＲｚＴ＋、粉末“は溶解しな、
いまま粒末が溶湯中に混合されている状態となる。そし
て、この状態のまま鋳型に鋳込み、出来上がった鋳造合
金を加工し、４“φＸ６ｔのスパッタリングターゲット
を作成した。このターゲットの組成はＮｄｓ、ｓ Ｄｙ
ｚｇ−Ｆ ｅｓｅ、ｏｃＯ＋４．５ａｔ％となっている
。このターゲットの表面組織の模式図を第１図に示す。
１７粉末を（Ｒ＋Ｒ＋ Ｔｔ ） ： （Ｒｚ Ｔｉｔ
） ＝ １７ ：４４．７の比になる様にルツボ中に投
入する。その後ルツボを１０５０°Ｃまで温度を上げる
。つまりこの１０５０°Ｃの状態のときはＲ＋ＲＩ Ｔ
Ｚ鋳塊が溶解されておりＲｚＴ＋、粉末“は溶解しな、
いまま粒末が溶湯中に混合されている状態となる。そし
て、この状態のまま鋳型に鋳込み、出来上がった鋳造合
金を加工し、４“φＸ６ｔのスパッタリングターゲット
を作成した。このターゲットの組成はＮｄｓ、ｓ Ｄｙ
ｚｇ−Ｆ ｅｓｅ、ｏｃＯ＋４．５ａｔ％となっている
。このターゲットの表面組織の模式図を第１図に示す。
１の相はＮｄ＋ Ｄｙａの希土類（Ｒ）単独相であり、
２の相は（Ｎｄ０．□Ｄｙｏ、ａ）＋（Ｆ ｅｏ、ｓ
Ｃ００，２）ｚの希土類遷移金属合金相（Ｒ。
２の相は（Ｎｄ０．□Ｄｙｏ、ａ）＋（Ｆ ｅｏ、ｓ
Ｃ００，２）ｚの希土類遷移金属合金相（Ｒ。
Ｔ２）である。又、３の相は（Ｎｄｏ、ｚ Ｄｙｏ、ａ
）ｚ（Ｆ ｅｏ、Ｂ ＣＯｏ、ｚ Ｌ７の希土類遷移金
属合金相（Ｒｚ’ｒ’＋ｔ）である。つまり大きくわけ
て希土類単独相と希土類遷移金属合金相の２相になって
いるのである。
）ｚ（Ｆ ｅｏ、Ｂ ＣＯｏ、ｚ Ｌ７の希土類遷移金
属合金相（Ｒｚ’ｒ’＋ｔ）である。つまり大きくわけ
て希土類単独相と希土類遷移金属合金相の２相になって
いるのである。
このＮｄＤｙＦｅＣｏターゲットを第２図に示す様なス
パッタリング装置に装着し、成膜しその磁気特性及び組
成分布を調べてみた。第２図の２１が、スパッタリング
ターゲットであり、２２が基板ホルダー（３００φ）で
ある。成膜条件はＡｒ圧２．５ｍＴｏｒｒ 、初期真空
度３ Ｘ １０−’Ｔ、、、 。
パッタリング装置に装着し、成膜しその磁気特性及び組
成分布を調べてみた。第２図の２１が、スパッタリング
ターゲットであり、２２が基板ホルダー（３００φ）で
ある。成膜条件はＡｒ圧２．５ｍＴｏｒｒ 、初期真空
度３ Ｘ １０−’Ｔ、、、 。
投入電力はＤＣ電源を用い１．ＯＡ３４０ Ｖでおこな
った。第３図に本発明ターゲットを用いた基板ホルダー
内組成分布及び磁気特性分布図である。
った。第３図に本発明ターゲットを用いた基板ホルダー
内組成分布及び磁気特性分布図である。
この図に示す様に組成はＲＥが２８．０〜２８゜５ａｔ
％で均一であり、磁気特性もＨｃが９．７〜１０．５Ｋ
Ｏｅで均一である。基板ホルダー内にほとんどといっ
て良いほど均一な膜が成膜できている。当然このターゲ
ットは鋳造合金であるので酸素量は少なく３５０ｐｐｍ
であった。
％で均一であり、磁気特性もＨｃが９．７〜１０．５Ｋ
Ｏｅで均一である。基板ホルダー内にほとんどといっ
て良いほど均一な膜が成膜できている。当然このターゲ
ットは鋳造合金であるので酸素量は少なく３５０ｐｐｍ
であった。
一方、比較のために従来の製造方法でＮｄＤｙＦｅＣｏ
ターゲットを作成した。すわわちＮｄＤｙＦｅｃ、ｏ全
組成を１５００°Ｃでルツボ中にて溶解し、そして鋳型
に注湯し鋳塊を作った。そしてこの鋳塊を切断、研磨し
４“φ×６むのＮｄＤｙＦｅＣｏターゲットを作成した
。このターゲットの表面組織の模式図が第４図である。
ターゲットを作成した。すわわちＮｄＤｙＦｅｃ、ｏ全
組成を１５００°Ｃでルツボ中にて溶解し、そして鋳型
に注湯し鋳塊を作った。そしてこの鋳塊を切断、研磨し
４“φ×６むのＮｄＤｙＦｅＣｏターゲットを作成した
。このターゲットの表面組織の模式図が第４図である。
４１は（Ｎｄｏ、＋ｚＤｙｏ、５ｓ）ｚｓ （Ｆｅｏ、
ａ Ｃ。
ａ Ｃ。
ｏ、 ｚ） ｑ５ａｔ％組成相で４２は（Ｎｄｏ、３Ｄ
ｙｏ、ｔ ）３１−３ （Ｆ ｅ Ｏｎ Ｂ ＣＯＯ−
２）６６．７ａｔ％組成相である。
ｙｏ、ｔ ）３１−３ （Ｆ ｅ Ｏｎ Ｂ ＣＯＯ−
２）６６．７ａｔ％組成相である。
つまり、両相ともＮｄＤｙＦｅＣｏ合金相であった。全
体ではＮｄｂ、ｓ Ｄ ｙｚ＋、ｓＦ ｅｓｓｃ ｏｌ
ａの組成であった。このターゲットを第２図に示す装置
で成膜をおこなった。成膜条件は先述の本発明ターゲッ
トの場合と同じである。第５図にこの従来の製造方法に
よる鋳造合金ＮｄＤｙＦｅＣｏターゲットを用いた基板
ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図を示す。この図
に示す様に組成はＲＥが２９．８〜２６．８ａｔ％で、
基板ホルダー中心へいくほどＲＥが多く、逆にホルダー
外周へいくほどＲＥ −が少なくなっている。又、磁
気特性もＨｃが１２〜５ＫＯｅとホルダー中心へいくほ
どＨｃが大きくなっている。これは組成分布とも一致す
る。つまり従来の製造方法による鋳造合金ＮｄＤｙＦｅ
Ｃ０ターゲットはターゲットの上方向はどＴＭ（遷移金
属）がとびやすく、横方向はどＲＥがとびやすい特性を
示し、基板ホルダー内で組成分布を生じさせてしまう。
体ではＮｄｂ、ｓ Ｄ ｙｚ＋、ｓＦ ｅｓｓｃ ｏｌ
ａの組成であった。このターゲットを第２図に示す装置
で成膜をおこなった。成膜条件は先述の本発明ターゲッ
トの場合と同じである。第５図にこの従来の製造方法に
よる鋳造合金ＮｄＤｙＦｅＣｏターゲットを用いた基板
ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図を示す。この図
に示す様に組成はＲＥが２９．８〜２６．８ａｔ％で、
基板ホルダー中心へいくほどＲＥが多く、逆にホルダー
外周へいくほどＲＥ −が少なくなっている。又、磁
気特性もＨｃが１２〜５ＫＯｅとホルダー中心へいくほ
どＨｃが大きくなっている。これは組成分布とも一致す
る。つまり従来の製造方法による鋳造合金ＮｄＤｙＦｅ
Ｃ０ターゲットはターゲットの上方向はどＴＭ（遷移金
属）がとびやすく、横方向はどＲＥがとびやすい特性を
示し、基板ホルダー内で組成分布を生じさせてしまう。
さらに半溶融法により製造したターゲットと比較するた
め、先述の本発明ターゲット組成と同様のＮｄｓ、ｓ
Ｄ）’ｚｚＦ ｅｓｅ、ｏｃＯ＋４．ｓａｔ％の組成で
半溶融法を用い４“φＸ６ｔのターゲットを作成した。
め、先述の本発明ターゲット組成と同様のＮｄｓ、ｓ
Ｄ）’ｚｚＦ ｅｓｅ、ｏｃＯ＋４．ｓａｔ％の組成で
半溶融法を用い４“φＸ６ｔのターゲットを作成した。
そして、これら本発明品と半溶融品のターゲットの透磁
率を測定した所、本発明品が３であったのに対し、半溶
融品は５５と大きな値であった。そして、半溶融品を先
述のスパッタ装置に装着し、放電を試みたが、放、電し
なかった。そこでターゲット厚みを薄くしていったとこ
ろ、３．３ｍｍｔでやっと放電する様になった。つまり
半溶融品は透磁率が大きく、マグネトロン放電させるた
めにはターゲットを薄くする必要がある。このことは、
１枚のターゲットから製造できる薄膜が少ないというこ
とであり、製品のコスト面で非常に悪いということを意
味する。当然本発明品は６ ｍｍ ｔでも十分な漏洩磁
場が出ており、製品コストの点でも非常にメリットがあ
る。ここで示した方法以外にＲＺＴＩ７粉末を作成せず
、Ｒ６Ｔ２ｆｆ粉末あるいはＲ，Ｔ３あるいはＲ，Ｔ、
粉末を用いても本発明は有効であることは確認した。
率を測定した所、本発明品が３であったのに対し、半溶
融品は５５と大きな値であった。そして、半溶融品を先
述のスパッタ装置に装着し、放電を試みたが、放、電し
なかった。そこでターゲット厚みを薄くしていったとこ
ろ、３．３ｍｍｔでやっと放電する様になった。つまり
半溶融品は透磁率が大きく、マグネトロン放電させるた
めにはターゲットを薄くする必要がある。このことは、
１枚のターゲットから製造できる薄膜が少ないというこ
とであり、製品のコスト面で非常に悪いということを意
味する。当然本発明品は６ ｍｍ ｔでも十分な漏洩磁
場が出ており、製品コストの点でも非常にメリットがあ
る。ここで示した方法以外にＲＺＴＩ７粉末を作成せず
、Ｒ６Ｔ２ｆｆ粉末あるいはＲ，Ｔ３あるいはＲ，Ｔ、
粉末を用いても本発明は有効であることは確認した。
〔実施例２］
次にＰｒＴｂＦｅＣｏについて本発明法による効果を確
認した。製造方法は実施例１に示す本発明品と同じであ
り、まず原料として（Ｐｒｏ、ｚＴＥ）ｏ、ｓ）ｇｏ
（Ｆ ｅｏ、ａ Ｃｏｏ、ｚ）ｚｏａｔ％の鋳塊を作る
。
認した。製造方法は実施例１に示す本発明品と同じであ
り、まず原料として（Ｐｒｏ、ｚＴＥ）ｏ、ｓ）ｇｏ
（Ｆ ｅｏ、ａ Ｃｏｏ、ｚ）ｚｏａｔ％の鋳塊を作る
。
この鋳塊の融点は８１０°Ｃ程度である。そして次に（
Ｐ ｒ ｏ、ｚ Ｔ １）ｏ、１）ｔｏ、ｓ（Ｆ ｅ
ｏ、ｓ ＣＯｏ、ｚ）ａｑ、ｓａｔ％の鋳塊を作り、平
均粒径が２００μｍ程度となる様にこの鋳塊を粉砕し粉
末とする。この粉末の融点は１２７５°Ｃである。
Ｐ ｒ ｏ、ｚ Ｔ １）ｏ、１）ｔｏ、ｓ（Ｆ ｅ
ｏ、ｓ ＣＯｏ、ｚ）ａｑ、ｓａｔ％の鋳塊を作り、平
均粒径が２００μｍ程度となる様にこの鋳塊を粉砕し粉
末とする。この粉末の融点は１２７５°Ｃである。
これら原料、つまり鋳塊と粉末を１３．６ ： ４２の
比になる様にルツボ中に投入する。その後ルツボを１０
５０℃まで温度を上げる。そして鋳型に鋳込み出来上が
った鋳造合金を加工し、４“φ×６ｔのスパッタリング
ターゲットを作成し実施例１と同様の成膜を試みた所、
基板ホルダー内に均一な組成、均一な磁気特性の膜が得
られた。このターゲットの酸素量は３８０ｐｐｍ、透磁
率は３．８であった。このターゲット組成はＰｒｓ、ｓ
Ｔｂ＊ｚ、。
比になる様にルツボ中に投入する。その後ルツボを１０
５０℃まで温度を上げる。そして鋳型に鋳込み出来上が
った鋳造合金を加工し、４“φ×６ｔのスパッタリング
ターゲットを作成し実施例１と同様の成膜を試みた所、
基板ホルダー内に均一な組成、均一な磁気特性の膜が得
られた。このターゲットの酸素量は３８０ｐｐｍ、透磁
率は３．８であった。このターゲット組成はＰｒｓ、ｓ
Ｔｂ＊ｚ、。
Ｆ ｅ ｓｓ、 ｏ ＣＯ１４，ｓａｔ％である。又、
金属組織は、大きくわけて希土類単独相と希土類遷移金
属合金相の２相になっていた。
金属組織は、大きくわけて希土類単独相と希土類遷移金
属合金相の２相になっていた。
〔実施例３〕
次にＳｍＧｄＦｅＣｏについても同様のターゲットを作
成した。製造方法は実施例１に示す本発明品と同じであ
り、まず原料として（Ｓｍｏ、ｚＧｄｏ、ａ）ｙｚ、ｔ
（Ｆ ｅｏ、ｅ Ｃｏｏ、り！？、１ｌａｔ％の鋳塊
を作る。この鋳塊の融点は８０８ ’Ｃ程度である。そ
して次に（Ｓｍｏ、ｚ Ｇ ｄｏ、５）ｔｏ、ｓ （Ｆ
ｅａ、ｓ Ｃ。
成した。製造方法は実施例１に示す本発明品と同じであ
り、まず原料として（Ｓｍｏ、ｚＧｄｏ、ａ）ｙｚ、ｔ
（Ｆ ｅｏ、ｅ Ｃｏｏ、り！？、１ｌａｔ％の鋳塊
を作る。この鋳塊の融点は８０８ ’Ｃ程度である。そ
して次に（Ｓｍｏ、ｚ Ｇ ｄｏ、５）ｔｏ、ｓ （Ｆ
ｅａ、ｓ Ｃ。
。０ｇ）ｓｑ、ｓａｔ％の鋳塊を作り、平均粒径が２０
０μｍ程度となる様にこの鋳塊を粉砕し粉末とする。
０μｍ程度となる様にこの鋳塊を粉砕し粉末とする。
この粉末の融点は１３２５°Ｃである。
これら原料、つまり鋳塊と粉末を１７ ： ４４．７の
比になる様にルツボ中に投入する。その後ルツボを１０
５０°Ｃまで温度を上げる。そして鋳型に鋳込み出来上
がった鋳造合金を加工し、４”φ×６ｔのスパッタリン
グターゲットを作成し実施例１と同様の成膜を試みた所
、基板ホルダー内に均一な組成、均一な磁気特性の膜が
得られた。このターゲット酸素量は３９０ｐｐｍ、透磁
率は４．０であった。また、このターゲットの組成はＳ
ｍｓ、ｓＧｄｇｚ、ｏＦ ｅｓｓ、ｏｃＯ＋４．５ａｔ
％である。又、金属組織は大きくわけて希土類単独相と
希土類遷移金属合金相の２相になっていた。
比になる様にルツボ中に投入する。その後ルツボを１０
５０°Ｃまで温度を上げる。そして鋳型に鋳込み出来上
がった鋳造合金を加工し、４”φ×６ｔのスパッタリン
グターゲットを作成し実施例１と同様の成膜を試みた所
、基板ホルダー内に均一な組成、均一な磁気特性の膜が
得られた。このターゲット酸素量は３９０ｐｐｍ、透磁
率は４．０であった。また、このターゲットの組成はＳ
ｍｓ、ｓＧｄｇｚ、ｏＦ ｅｓｓ、ｏｃＯ＋４．５ａｔ
％である。又、金属組織は大きくわけて希土類単独相と
希土類遷移金属合金相の２相になっていた。
〔実施例４〕
次にＮｄＳｍＤｙＴｂＦｅＣｏについても同様のターゲ
ットを作成した。製造方法は実施例１に示す本発明品と
同じであり、まず原料として（Ｎｄｏ、＋ Ｓｍｏ、＋
Ｄ ）’０．４ Ｔ ｂｏ、４）、ｚ、ｚ （Ｆ ｅ
ｏ、ａＣｏ ｏ、 ｇ） ！？＋ ｌｌａｔ％の鋳塊を
作る。この鋳塊の融点は８３０℃程度である。そして次
に（Ｎｄｏ、＋Ｓｍｏ、＋ Ｄ ）’ ｏ、ａ Ｔ ｂ
ｏ、ｎ）＋ｏ、ｓ （Ｆ ｅｏ、１１ ＣＯｏ、ｚ）ｓ
ｑ、５ａｔ％の鋳塊を作り、平均粒径が２００μｍ程度
となる様にこの鋳塊を粉砕し粉末とする。この粉末の融
点は１３２０°Ｃである。
ットを作成した。製造方法は実施例１に示す本発明品と
同じであり、まず原料として（Ｎｄｏ、＋ Ｓｍｏ、＋
Ｄ ）’０．４ Ｔ ｂｏ、４）、ｚ、ｚ （Ｆ ｅ
ｏ、ａＣｏ ｏ、 ｇ） ！？＋ ｌｌａｔ％の鋳塊を
作る。この鋳塊の融点は８３０℃程度である。そして次
に（Ｎｄｏ、＋Ｓｍｏ、＋ Ｄ ）’ ｏ、ａ Ｔ ｂ
ｏ、ｎ）＋ｏ、ｓ （Ｆ ｅｏ、１１ ＣＯｏ、ｚ）ｓ
ｑ、５ａｔ％の鋳塊を作り、平均粒径が２００μｍ程度
となる様にこの鋳塊を粉砕し粉末とする。この粉末の融
点は１３２０°Ｃである。
これら原料、つまり鋳塊と粉末を１７ ： ４４．７の
比になる様にルツボ中に投入する。その後ルツボを１０
５０″Ｃまで温度を上げる。そして鋳型に鋳込み出来上
がった鋳造合金を加工し、４＃φ×６ｔのスパッタリン
グターゲットを作成し実施例１と同様の成膜を試みた所
、基板ホルダー内に均一な組成、均一な磁気特性の膜が
得られた。このターゲットの酸素量は３７５ｐｐｍ、透
磁率は３．２であった。またこのターゲットの組成はＮ
ｄｚ、ｔｓＳ ｍｚ、、ｓＤ ｙ＋＋、ｏＴ ｂ ｚ、
ｏＦ ｅ ５１１．（Ｉｃ Ｏ＋ａ、ｓａｔ％であり、
金属組織は大きくわけて希土類単独相と希土類遷移金属
合金相の２相になっていた。
比になる様にルツボ中に投入する。その後ルツボを１０
５０″Ｃまで温度を上げる。そして鋳型に鋳込み出来上
がった鋳造合金を加工し、４＃φ×６ｔのスパッタリン
グターゲットを作成し実施例１と同様の成膜を試みた所
、基板ホルダー内に均一な組成、均一な磁気特性の膜が
得られた。このターゲットの酸素量は３７５ｐｐｍ、透
磁率は３．２であった。またこのターゲットの組成はＮ
ｄｚ、ｔｓＳ ｍｚ、、ｓＤ ｙ＋＋、ｏＴ ｂ ｚ、
ｏＦ ｅ ５１１．（Ｉｃ Ｏ＋ａ、ｓａｔ％であり、
金属組織は大きくわけて希土類単独相と希土類遷移金属
合金相の２相になっていた。
これら実施例１，２．３．４に示す組成系以外にＮｄＧ
ｄＦｅＣｏ、ＮｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＰｒＤｙＦｅＣｏ
、ＮｄＰｒＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＰｒＤｙＦｅＣｏ、Ｎｄ
ＳｍＧｄＦｅＣｏ、ＣｅＮｄ’ＤｙＦｅｃｏ、 ＣｅＮ
ｄＰｒＤｙＦｅＣｏ、等のＳｍ、Ｎｄ、’Ｐｒ、Ｃｅの
うち少なくとも１種以上の軽希土と、Ｆｅ、Ｃｏのうち
の少なくとも１種以上の遷移金属とを含む全ての組成系
について本発明効果が存在することを確認した。
ｄＦｅＣｏ、ＮｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＰｒＤｙＦｅＣｏ
、ＮｄＰｒＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＰｒＤｙＦｅＣｏ、Ｎｄ
ＳｍＧｄＦｅＣｏ、ＣｅＮｄ’ＤｙＦｅｃｏ、 ＣｅＮ
ｄＰｒＤｙＦｅＣｏ、等のＳｍ、Ｎｄ、’Ｐｒ、Ｃｅの
うち少なくとも１種以上の軽希土と、Ｆｅ、Ｃｏのうち
の少なくとも１種以上の遷移金属とを含む全ての組成系
について本発明効果が存在することを確認した。
このように本発明を用いれば、ターゲット中の酸素量が
少ないという鋳造合金の特性を保ったまま、成膜面内で
組成分布が生じないという効果を有する。しかも、透磁
率が小さく、マグネトロンスパッタに適しており、ター
ゲット厚みも厚くすることができるため、作成した膜の
製品コストを減らすことができる。
少ないという鋳造合金の特性を保ったまま、成膜面内で
組成分布が生じないという効果を有する。しかも、透磁
率が小さく、マグネトロンスパッタに適しており、ター
ゲット厚みも厚くすることができるため、作成した膜の
製品コストを減らすことができる。
第１図は本発明ターゲットの表面組織の模式図。
第２図はスパッタリング装置の概略図。
第３図は本発明のターゲットを用いた基板ホルダー内組
成分布及び磁気特性分布図。 第４図は従来の製造方法による鋳造合金ターゲットの表
面組織の模式図。 第５図は従来の製造方法による鋳造合金ターゲットを用
いた基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 １・・・Ｎｄ＋Ｄ）’４の希土類（Ｒ）単独相２…（Ｎ
ｄｏ、ｚ Ｄ ）’ｏ、ｓ）＋ （Ｆ ｅｏ、ｓ Ｃｏ
ｏ、ｚ）ｚの希土類遷移金属合金相（ＲＩ Ｔ！ ）３
・・・（Ｎｄｏ、ｇＩ））’ｏ、ｓ）ｚ （Ｆ ｅｏ、
ｓｃ Ｏｏｌｇ）＋。 の希土類遷移金属合金相（ＲｚＴ＋ｔ）２１・・・スパ
ッタリングターゲット ２２・・・基板ホルダー（３００φ） ４１ ”・（Ｎ ｄｏ、＋ｚＤ ）’ｏ、５ｓ）ｚｓ
（Ｆ ｅｏ、ａ ＣＯｏ、ｚＬ５ａｔ％組成相 ４２・＝ （Ｎｄｏ、：＋ Ｄ ｙｏ、ｔ）３ｓ、ｔ
（Ｆ ｅｏ、ａ ＣＯｏ、ｚ）６６．７８ｔ％組成相 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 最上 務 他１名 第 １ 図 （Ｙ＝１剖Ｃ祷
成分布及び磁気特性分布図。 第４図は従来の製造方法による鋳造合金ターゲットの表
面組織の模式図。 第５図は従来の製造方法による鋳造合金ターゲットを用
いた基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 １・・・Ｎｄ＋Ｄ）’４の希土類（Ｒ）単独相２…（Ｎ
ｄｏ、ｚ Ｄ ）’ｏ、ｓ）＋ （Ｆ ｅｏ、ｓ Ｃｏ
ｏ、ｚ）ｚの希土類遷移金属合金相（ＲＩ Ｔ！ ）３
・・・（Ｎｄｏ、ｇＩ））’ｏ、ｓ）ｚ （Ｆ ｅｏ、
ｓｃ Ｏｏｌｇ）＋。 の希土類遷移金属合金相（ＲｚＴ＋ｔ）２１・・・スパ
ッタリングターゲット ２２・・・基板ホルダー（３００φ） ４１ ”・（Ｎ ｄｏ、＋ｚＤ ）’ｏ、５ｓ）ｚｓ
（Ｆ ｅｏ、ａ ＣＯｏ、ｚＬ５ａｔ％組成相 ４２・＝ （Ｎｄｏ、：＋ Ｄ ｙｏ、ｔ）３ｓ、ｔ
（Ｆ ｅｏ、ａ ＣＯｏ、ｚ）６６．７８ｔ％組成相 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 最上 務 他１名 第 １ 図 （Ｙ＝１剖Ｃ祷
Claims (2)
- （１）希土類遷移金属合金からなる光磁気記録層をスパ
ッタリングにて製造するための鋳造合金ターゲットにお
いて、前記鋳造合金ターゲット中の金属組織が希土類金
属単体相と希土類遷移金属合金相からなることを特徴と
するスパッタリング用ターゲット。 - （２）前記スパッタリング用ターゲットの主たる組成が
、Ｓｎ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｃｅのうち少なくとも１種以上の
軽希土類金属（ＬＲ）と、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙのうちの少
なくとも１種類以上の重希土類金属（ＨＲ）とを含み、
さらにＦｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種以上の遷移金属
（ＴＭ）を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のスパッタリング用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28864687A JPH01129964A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | スパッタリング用ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28864687A JPH01129964A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | スパッタリング用ターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01129964A true JPH01129964A (ja) | 1989-05-23 |
Family
ID=17732857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28864687A Pending JPH01129964A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | スパッタリング用ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01129964A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010061660A (ko) * | 1999-12-28 | 2001-07-07 | 이구택 | 이물질유입방지장치를 구비한 카메라 케이스 |
-
1987
- 1987-11-16 JP JP28864687A patent/JPH01129964A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010061660A (ko) * | 1999-12-28 | 2001-07-07 | 이구택 | 이물질유입방지장치를 구비한 카메라 케이스 |
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