JPH01153673A - 2−アシルシクロヘキサン誘導体およびその製造法 - Google Patents
2−アシルシクロヘキサン誘導体およびその製造法Info
- Publication number
- JPH01153673A JPH01153673A JP31355587A JP31355587A JPH01153673A JP H01153673 A JPH01153673 A JP H01153673A JP 31355587 A JP31355587 A JP 31355587A JP 31355587 A JP31355587 A JP 31355587A JP H01153673 A JPH01153673 A JP H01153673A
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- general formula
- compound
- acylcyclohexane
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は新規な2−アシルシクロヘキサン誘導体および
その製造法に関するものである。さらに詳しくは、特開
昭62−167526号、特願昭62−167688号
、特願昭62−169548号、特願昭62−1817
44号、特願昭62−185284号等に記載の除草剤
を製造する上で有用な製造原料である一般式[1]〔式
中、Xは低級ハロアルキル基または低級ハロアルコキシ
基を表わし R1、R2、R8は水素原子またはメチル
基を表わし R4は低級アルキル基または低級アルコキ
シメチル基を表わす。〕 で示される2−アシルシクロヘキサン誘導体(以下、本
発明化合物と記す。)およびその製造法を提供するもの
である。 まず、本発明化合物の製造法について説明する。 本発明化合物は一般式[11 および/または一般式〔曹〕 〔一般式[1]および(1) j(オイテX1R1、R
2、R8およびR4は前記と同じ意味を表わす。〕で示
されるシクロヘキセノン誘導体を触媒の存在下に転位反
応を起こさせることにより製造することができる。 該反応は、通常不活性溶媒中で行われ、用いられる触媒
としては、例えば4−ジメチルアミノピリジン等の塩基
、トリフルオロメタンスルホン酸等の酸や塩化亜鉛等の
ルイス酸などがあげられ、通常塩基触媒が用いられる。 反応に用いられる溶媒としては、例えばベンゼン、トル
エン、クロロホルム、ジクロロエタン、酢酸エチル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、アセトニトリル等があ
げられる。用いられる触媒の量は一般式[1]または〔
閂〕で示される化合物1当量に対して通常0.0 O5
〜0.5当量用いられる。反応温度の範囲は通常60〜
150℃であり、該反応は通常数時間で終了し、反応終
了後は水にあけ、酸性条件下で有機溶媒抽出等の通常の
後処理を行う仁とにより本発明化合物を得る仁とができ
る。また、必要によ−り再結晶、クロマトグラフィー等
の操作により精製する。 また、本発明化合物は一般式[IV] 〔式中、X%R1、R*およびR11は前記と同じ意味
を表わす。〕 で示される化合物と一般式[Vl (RC0)20 [Vl
その製造法に関するものである。さらに詳しくは、特開
昭62−167526号、特願昭62−167688号
、特願昭62−169548号、特願昭62−1817
44号、特願昭62−185284号等に記載の除草剤
を製造する上で有用な製造原料である一般式[1]〔式
中、Xは低級ハロアルキル基または低級ハロアルコキシ
基を表わし R1、R2、R8は水素原子またはメチル
基を表わし R4は低級アルキル基または低級アルコキ
シメチル基を表わす。〕 で示される2−アシルシクロヘキサン誘導体(以下、本
発明化合物と記す。)およびその製造法を提供するもの
である。 まず、本発明化合物の製造法について説明する。 本発明化合物は一般式[11 および/または一般式〔曹〕 〔一般式[1]および(1) j(オイテX1R1、R
2、R8およびR4は前記と同じ意味を表わす。〕で示
されるシクロヘキセノン誘導体を触媒の存在下に転位反
応を起こさせることにより製造することができる。 該反応は、通常不活性溶媒中で行われ、用いられる触媒
としては、例えば4−ジメチルアミノピリジン等の塩基
、トリフルオロメタンスルホン酸等の酸や塩化亜鉛等の
ルイス酸などがあげられ、通常塩基触媒が用いられる。 反応に用いられる溶媒としては、例えばベンゼン、トル
エン、クロロホルム、ジクロロエタン、酢酸エチル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、アセトニトリル等があ
げられる。用いられる触媒の量は一般式[1]または〔
閂〕で示される化合物1当量に対して通常0.0 O5
〜0.5当量用いられる。反応温度の範囲は通常60〜
150℃であり、該反応は通常数時間で終了し、反応終
了後は水にあけ、酸性条件下で有機溶媒抽出等の通常の
後処理を行う仁とにより本発明化合物を得る仁とができ
る。また、必要によ−り再結晶、クロマトグラフィー等
の操作により精製する。 また、本発明化合物は一般式[IV] 〔式中、X%R1、R*およびR11は前記と同じ意味
を表わす。〕 で示される化合物と一般式[Vl (RC0)20 [Vl
【式中、R4は前記と同じ意味を表わす。】で示される
酸無水物とを触媒の存在下に反応させることによって得
ることができる。 該反応は、通常不活性溶媒中で行われ、触媒としては前
記の転位反応で用いたものと同様の触媒が用いられる。 用いられる反応溶媒としては、例えば、ベンゼン、トル
エン、クロロホルム、ジクロロエタン、酢酸エチル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、アセトニトリル等の有
機溶媒があげられ、反応温度は通常50〜150℃の範
囲である。 反応に供せられる試剤の量は、一般式[IV]で示され
る化合物1当量に対して、一般式(Vlで示される酸無
水物は通常1〜5当量、触媒は通常0.005〜0.5
当量である。該反応は通常数時間で終了し、反応終了後
は水にあけ、酸性条件下で有機溶媒抽出等の通常の後処
理を行うことにより本発明化合物を得ることができる。 また、必要により再結晶、クロマトグラフィー等の操作
により精製する。 次に、これらの製造法により製造される本発明化合物の
いくつかを第1表に示す。 第 1 表 尚、本発明化合物を製造する際の原料化合物である一般
式[11、[13、[IV]で示される化合物は下記の
経路により製造することができる。 [式中、x、 Rt、R2、R8およびR4は前記と同
じ意味を表わし R6は低級アルキル基を表わす。]即
ち、置換ベンゼンチオールとα、β−不飽和アルデヒド
とを塩基触媒の存在下に付加反応を行わせ、次いでWi
ttig反応を行い、さらにマロン酸エステル誘導体を
反応させて環化反応を行い、アルカリ加水分解、ついで
脱炭酸反応を行って、−最中[1%’lで示される化合
物番得ることができる。 一般式[IV]で示される化合物は不活性溶媒中、塩基
の存在下に酸ハロゲン化物と反応させることによって、
−最中[11)および/またはEl]で示される化合物
に導かれる。 本発明化合物は、〇−置換ヒドロキシルアミンと反応さ
せることにより有用な除草性化合物に導かれる。 次に、本発明化合物の製造例を具体例にて示すが、本発
明は下記の製造例のみに限定されるものではない。 製造例1 〔本発明化合物(8)の製造〕8.6gの1
−プロピニルオキシ−5−[2−(4−)リフルオロメ
チルフェニルチオ)エチルコシクロヘキサン−1,8−
ジオンと−0,51の4−ジメチルアミノピリジンとを
1511のアセトニトリルに溶かし、8.5時間加熱還
流した。反応赦を水に加え、塩、酸で酸性にして酢酸エ
チルで抽出した。減圧下に酢酸エチルを除去して8..
1fの2−プロピオニル−5−(2−(4−)リフルオ
ロメチルフェニルチオ)エチルコシクロヘキサン−1゜
8−ジオンを得た。 ’ H−NMR(CD(Js) δ(ppm)18.5(IH,S)、7.45(4Hs
ABQ)、8.、o 8 (2H,t )、8.0〜1
.5(9H,m)、1.12(8H。 t) 製造例2 〔本発明化合物(2)の製造〕5−(2−(
4−トリフルオロメチルフェニルチオ)エチルコシクロ
ヘキサン−1,8一ジオン8.2fをトルエン20g+
/に溶かし、無水酢酸1.2gと4−ジメチルアミノピ
リジン0.8fとを□加え、8時間加熱還流した。反応
液を室温まで放冷した後、希塩酸次いで水で洗浄した。 減圧下に溶媒を除去して8.21の2−アセチル−5−
[2−(4−トリフルオロメチルフェニルチオ)エチル
コシクロヘキサン−1,8−ジオンを得た。 ’H−NMR(CDC63) δ(ppm) 18.16 (IH,s )、7.46
(4H#ABq)、8.08(2H,t)、2,58(
8H,s)、2.8〜1.6(7H,m)上記のように
して得られた本発明化合物のいくつかを第2表に示す。
酸無水物とを触媒の存在下に反応させることによって得
ることができる。 該反応は、通常不活性溶媒中で行われ、触媒としては前
記の転位反応で用いたものと同様の触媒が用いられる。 用いられる反応溶媒としては、例えば、ベンゼン、トル
エン、クロロホルム、ジクロロエタン、酢酸エチル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、アセトニトリル等の有
機溶媒があげられ、反応温度は通常50〜150℃の範
囲である。 反応に供せられる試剤の量は、一般式[IV]で示され
る化合物1当量に対して、一般式(Vlで示される酸無
水物は通常1〜5当量、触媒は通常0.005〜0.5
当量である。該反応は通常数時間で終了し、反応終了後
は水にあけ、酸性条件下で有機溶媒抽出等の通常の後処
理を行うことにより本発明化合物を得ることができる。 また、必要により再結晶、クロマトグラフィー等の操作
により精製する。 次に、これらの製造法により製造される本発明化合物の
いくつかを第1表に示す。 第 1 表 尚、本発明化合物を製造する際の原料化合物である一般
式[11、[13、[IV]で示される化合物は下記の
経路により製造することができる。 [式中、x、 Rt、R2、R8およびR4は前記と同
じ意味を表わし R6は低級アルキル基を表わす。]即
ち、置換ベンゼンチオールとα、β−不飽和アルデヒド
とを塩基触媒の存在下に付加反応を行わせ、次いでWi
ttig反応を行い、さらにマロン酸エステル誘導体を
反応させて環化反応を行い、アルカリ加水分解、ついで
脱炭酸反応を行って、−最中[1%’lで示される化合
物番得ることができる。 一般式[IV]で示される化合物は不活性溶媒中、塩基
の存在下に酸ハロゲン化物と反応させることによって、
−最中[11)および/またはEl]で示される化合物
に導かれる。 本発明化合物は、〇−置換ヒドロキシルアミンと反応さ
せることにより有用な除草性化合物に導かれる。 次に、本発明化合物の製造例を具体例にて示すが、本発
明は下記の製造例のみに限定されるものではない。 製造例1 〔本発明化合物(8)の製造〕8.6gの1
−プロピニルオキシ−5−[2−(4−)リフルオロメ
チルフェニルチオ)エチルコシクロヘキサン−1,8−
ジオンと−0,51の4−ジメチルアミノピリジンとを
1511のアセトニトリルに溶かし、8.5時間加熱還
流した。反応赦を水に加え、塩、酸で酸性にして酢酸エ
チルで抽出した。減圧下に酢酸エチルを除去して8..
1fの2−プロピオニル−5−(2−(4−)リフルオ
ロメチルフェニルチオ)エチルコシクロヘキサン−1゜
8−ジオンを得た。 ’ H−NMR(CD(Js) δ(ppm)18.5(IH,S)、7.45(4Hs
ABQ)、8.、o 8 (2H,t )、8.0〜1
.5(9H,m)、1.12(8H。 t) 製造例2 〔本発明化合物(2)の製造〕5−(2−(
4−トリフルオロメチルフェニルチオ)エチルコシクロ
ヘキサン−1,8一ジオン8.2fをトルエン20g+
/に溶かし、無水酢酸1.2gと4−ジメチルアミノピ
リジン0.8fとを□加え、8時間加熱還流した。反応
液を室温まで放冷した後、希塩酸次いで水で洗浄した。 減圧下に溶媒を除去して8.21の2−アセチル−5−
[2−(4−トリフルオロメチルフェニルチオ)エチル
コシクロヘキサン−1,8−ジオンを得た。 ’H−NMR(CDC63) δ(ppm) 18.16 (IH,s )、7.46
(4H#ABq)、8.08(2H,t)、2,58(
8H,s)、2.8〜1.6(7H,m)上記のように
して得られた本発明化合物のいくつかを第2表に示す。
Claims (3)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Xは低級ハロアルキル基または低 級ハロアルコキシ基を表わし、R^1、R^2、R^3
は水素原子またはメチル基を表わし、R^4は低級アル
キル基または低級アルコキシメ チル基を表わす。〕 で示される2−アシルシクロヘキサン誘導体。 - (2)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼および/または ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Xは低級ハロアルキル基または低 級ハロアルコキシ基を表わし、R^1、R^2、R^3
は水素原子またはメチル基を表わし、R^4は低級アル
キル基または低級アルコキシメ チル基を表わす。〕 で示されるシクロヘキセノン誘導体を触媒の存在下に転
位反応を起こさせることにより一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、X、R^1、R^2、R^3およびR^4は前
記と同じ意味を表わす。〕 で示される2−アシルシクロヘキサン誘導体を製造する
方法。 - (3)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Xは低級ハロアルキル基または低 級ハロアルコキシ基を表わし、R^1、R^2、R^3
は水素原子またはメチル基を表わす。〕 で示される化合物と一般式 (R^4CO)_2O 〔式中、R^4は低級アルキル基または低級アルコキシ
メチル基を表わす。〕 で示される酸無水物とを触媒の存在下に反応させること
を特徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、X、R^1、R^2、R^3およびR^4は前
記と同じ意味を表わす。] で示される2−アシルシクロヘキサン誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31355587A JPH01153673A (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 2−アシルシクロヘキサン誘導体およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31355587A JPH01153673A (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 2−アシルシクロヘキサン誘導体およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01153673A true JPH01153673A (ja) | 1989-06-15 |
Family
ID=18042728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31355587A Pending JPH01153673A (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 2−アシルシクロヘキサン誘導体およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01153673A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991001289A1 (fr) * | 1989-07-14 | 1991-02-07 | Nippon Soda Co., Ltd. | Derives de cyclohexanedione substitue |
| CN103607895A (zh) * | 2011-05-30 | 2014-02-26 | 住友化学株式会社 | 环己酮化合物和包含该化合物的除草剂 |
-
1987
- 1987-12-10 JP JP31355587A patent/JPH01153673A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991001289A1 (fr) * | 1989-07-14 | 1991-02-07 | Nippon Soda Co., Ltd. | Derives de cyclohexanedione substitue |
| CN103607895A (zh) * | 2011-05-30 | 2014-02-26 | 住友化学株式会社 | 环己酮化合物和包含该化合物的除草剂 |
| CN103607895B (zh) * | 2011-05-30 | 2017-04-12 | 住友化学株式会社 | 环己酮化合物和包含该化合物的除草剂 |
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