JPH01153673A - 2−アシルシクロヘキサン誘導体およびその製造法 - Google Patents

2−アシルシクロヘキサン誘導体およびその製造法

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JPH01153673A
JPH01153673A JP31355587A JP31355587A JPH01153673A JP H01153673 A JPH01153673 A JP H01153673A JP 31355587 A JP31355587 A JP 31355587A JP 31355587 A JP31355587 A JP 31355587A JP H01153673 A JPH01153673 A JP H01153673A
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JP
Japan
Prior art keywords
formula
group
general formula
compound
acylcyclohexane
Prior art date
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Pending
Application number
JP31355587A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Arai
健二 新井
Naonori Hirata
直則 平田
Koichi Morita
耕一 森田
Nobuaki Mito
信彰 水戸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
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Publication date
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  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は新規な2−アシルシクロヘキサン誘導体および
その製造法に関するものである。さらに詳しくは、特開
昭62−167526号、特願昭62−167688号
、特願昭62−169548号、特願昭62−1817
44号、特願昭62−185284号等に記載の除草剤
を製造する上で有用な製造原料である一般式[1]〔式
中、Xは低級ハロアルキル基または低級ハロアルコキシ
基を表わし R1、R2、R8は水素原子またはメチル
基を表わし R4は低級アルキル基または低級アルコキ
シメチル基を表わす。〕 で示される2−アシルシクロヘキサン誘導体(以下、本
発明化合物と記す。)およびその製造法を提供するもの
である。 まず、本発明化合物の製造法について説明する。 本発明化合物は一般式[11 および/または一般式〔曹〕 〔一般式[1]および(1) j(オイテX1R1、R
2、R8およびR4は前記と同じ意味を表わす。〕で示
されるシクロヘキセノン誘導体を触媒の存在下に転位反
応を起こさせることにより製造することができる。 該反応は、通常不活性溶媒中で行われ、用いられる触媒
としては、例えば4−ジメチルアミノピリジン等の塩基
、トリフルオロメタンスルホン酸等の酸や塩化亜鉛等の
ルイス酸などがあげられ、通常塩基触媒が用いられる。 反応に用いられる溶媒としては、例えばベンゼン、トル
エン、クロロホルム、ジクロロエタン、酢酸エチル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、アセトニトリル等があ
げられる。用いられる触媒の量は一般式[1]または〔
閂〕で示される化合物1当量に対して通常0.0 O5
〜0.5当量用いられる。反応温度の範囲は通常60〜
150℃であり、該反応は通常数時間で終了し、反応終
了後は水にあけ、酸性条件下で有機溶媒抽出等の通常の
後処理を行う仁とにより本発明化合物を得る仁とができ
る。また、必要によ−り再結晶、クロマトグラフィー等
の操作により精製する。 また、本発明化合物は一般式[IV] 〔式中、X%R1、R*およびR11は前記と同じ意味
を表わす。〕 で示される化合物と一般式[Vl (RC0)20      [Vl
【式中、R4は前記と同じ意味を表わす。】で示される
酸無水物とを触媒の存在下に反応させることによって得
ることができる。 該反応は、通常不活性溶媒中で行われ、触媒としては前
記の転位反応で用いたものと同様の触媒が用いられる。 用いられる反応溶媒としては、例えば、ベンゼン、トル
エン、クロロホルム、ジクロロエタン、酢酸エチル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、アセトニトリル等の有
機溶媒があげられ、反応温度は通常50〜150℃の範
囲である。 反応に供せられる試剤の量は、一般式[IV]で示され
る化合物1当量に対して、一般式(Vlで示される酸無
水物は通常1〜5当量、触媒は通常0.005〜0.5
当量である。該反応は通常数時間で終了し、反応終了後
は水にあけ、酸性条件下で有機溶媒抽出等の通常の後処
理を行うことにより本発明化合物を得ることができる。 また、必要により再結晶、クロマトグラフィー等の操作
により精製する。 次に、これらの製造法により製造される本発明化合物の
いくつかを第1表に示す。 第   1   表 尚、本発明化合物を製造する際の原料化合物である一般
式[11、[13、[IV]で示される化合物は下記の
経路により製造することができる。 [式中、x、 Rt、R2、R8およびR4は前記と同
じ意味を表わし R6は低級アルキル基を表わす。]即
ち、置換ベンゼンチオールとα、β−不飽和アルデヒド
とを塩基触媒の存在下に付加反応を行わせ、次いでWi
ttig反応を行い、さらにマロン酸エステル誘導体を
反応させて環化反応を行い、アルカリ加水分解、ついで
脱炭酸反応を行って、−最中[1%’lで示される化合
物番得ることができる。 一般式[IV]で示される化合物は不活性溶媒中、塩基
の存在下に酸ハロゲン化物と反応させることによって、
−最中[11)および/またはEl]で示される化合物
に導かれる。 本発明化合物は、〇−置換ヒドロキシルアミンと反応さ
せることにより有用な除草性化合物に導かれる。 次に、本発明化合物の製造例を具体例にて示すが、本発
明は下記の製造例のみに限定されるものではない。 製造例1 〔本発明化合物(8)の製造〕8.6gの1
−プロピニルオキシ−5−[2−(4−)リフルオロメ
チルフェニルチオ)エチルコシクロヘキサン−1,8−
ジオンと−0,51の4−ジメチルアミノピリジンとを
1511のアセトニトリルに溶かし、8.5時間加熱還
流した。反応赦を水に加え、塩、酸で酸性にして酢酸エ
チルで抽出した。減圧下に酢酸エチルを除去して8..
1fの2−プロピオニル−5−(2−(4−)リフルオ
ロメチルフェニルチオ)エチルコシクロヘキサン−1゜
8−ジオンを得た。 ’ H−NMR(CD(Js) δ(ppm)18.5(IH,S)、7.45(4Hs
ABQ)、8.、o 8 (2H,t )、8.0〜1
.5(9H,m)、1.12(8H。 t) 製造例2 〔本発明化合物(2)の製造〕5−(2−(
4−トリフルオロメチルフェニルチオ)エチルコシクロ
ヘキサン−1,8一ジオン8.2fをトルエン20g+
/に溶かし、無水酢酸1.2gと4−ジメチルアミノピ
リジン0.8fとを□加え、8時間加熱還流した。反応
液を室温まで放冷した後、希塩酸次いで水で洗浄した。 減圧下に溶媒を除去して8.21の2−アセチル−5−
[2−(4−トリフルオロメチルフェニルチオ)エチル
コシクロヘキサン−1,8−ジオンを得た。 ’H−NMR(CDC63) δ(ppm) 18.16 (IH,s )、7.46
(4H#ABq)、8.08(2H,t)、2,58(
8H,s)、2.8〜1.6(7H,m)上記のように
して得られた本発明化合物のいくつかを第2表に示す。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Xは低級ハロアルキル基または低 級ハロアルコキシ基を表わし、R^1、R^2、R^3
    は水素原子またはメチル基を表わし、R^4は低級アル
    キル基または低級アルコキシメ チル基を表わす。〕 で示される2−アシルシクロヘキサン誘導体。
  2. (2)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼および/または ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Xは低級ハロアルキル基または低 級ハロアルコキシ基を表わし、R^1、R^2、R^3
    は水素原子またはメチル基を表わし、R^4は低級アル
    キル基または低級アルコキシメ チル基を表わす。〕 で示されるシクロヘキセノン誘導体を触媒の存在下に転
    位反応を起こさせることにより一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、X、R^1、R^2、R^3およびR^4は前
    記と同じ意味を表わす。〕 で示される2−アシルシクロヘキサン誘導体を製造する
    方法。
  3. (3)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Xは低級ハロアルキル基または低 級ハロアルコキシ基を表わし、R^1、R^2、R^3
    は水素原子またはメチル基を表わす。〕 で示される化合物と一般式 (R^4CO)_2O 〔式中、R^4は低級アルキル基または低級アルコキシ
    メチル基を表わす。〕 で示される酸無水物とを触媒の存在下に反応させること
    を特徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、X、R^1、R^2、R^3およびR^4は前
    記と同じ意味を表わす。] で示される2−アシルシクロヘキサン誘導体の製造法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1991001289A1 (fr) * 1989-07-14 1991-02-07 Nippon Soda Co., Ltd. Derives de cyclohexanedione substitue
CN103607895A (zh) * 2011-05-30 2014-02-26 住友化学株式会社 环己酮化合物和包含该化合物的除草剂

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1991001289A1 (fr) * 1989-07-14 1991-02-07 Nippon Soda Co., Ltd. Derives de cyclohexanedione substitue
CN103607895A (zh) * 2011-05-30 2014-02-26 住友化学株式会社 环己酮化合物和包含该化合物的除草剂
CN103607895B (zh) * 2011-05-30 2017-04-12 住友化学株式会社 环己酮化合物和包含该化合物的除草剂

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