JPH01181515A - 多重イオン注入層の形成方法 - Google Patents
多重イオン注入層の形成方法Info
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- JPH01181515A JPH01181515A JP506488A JP506488A JPH01181515A JP H01181515 A JPH01181515 A JP H01181515A JP 506488 A JP506488 A JP 506488A JP 506488 A JP506488 A JP 506488A JP H01181515 A JPH01181515 A JP H01181515A
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Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は化合物半導体における多重イオン注入層の形成
方法に関する。
方法に関する。
ＧａＡｓ電解効果トランジスタの動作層をイオン注入法
により作製する際、例えば導電型がｎ型のイオン注入層
及びこの上に重ねてｎ″−型のイオン注入層を形成して
リセスゲート構造とする事がＧａＡｓ電解効果トランジ
スタの特性向上を図るうえで有効であることが知られて
いる（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、 ＥＤ−３２、Ｎα６１
９８５ Ｐ１１３５〜１１３９）。
により作製する際、例えば導電型がｎ型のイオン注入層
及びこの上に重ねてｎ″−型のイオン注入層を形成して
リセスゲート構造とする事がＧａＡｓ電解効果トランジ
スタの特性向上を図るうえで有効であることが知られて
いる（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、 ＥＤ−３２、Ｎα６１
９８５ Ｐ１１３５〜１１３９）。
ところでこのような多重イオン注入層の形成は従来第３
図に示す如き工程で行っていた。第３図（イ）、 （
ｔｌｌｌ）、 （ハ）は従来の多重イオン注入層の形
成の主要工程を示す工程図であり、先ず第３図（イ）に
示す如（ＧａＡｓ製の半絶縁性基板１１の表面から不純
物としてのシリコンイオンを、注入エネルギ： １０Ｋ
ｅＶ、注入量： １〜５ Ｘｌ０Ｉ３ｃ＋＋＋−”の条
件で注入して表面から所定の深さの範囲に導電型がｎ゛
型のイオン注入層１２′を形成し、次いで第３図（ロ）
に示す如くシリコンイオンを、注入エネルギ： １００
ＫｅＶ、注入量： ５ Ｘ１０”ｃｍ−２（７）条件で
同じ表面側から注入し、ｎ゛型ビイオン注入層１２′下
ｎ型イオン注入層１３′を所定の幅にわたって形成する
。
図に示す如き工程で行っていた。第３図（イ）、 （
ｔｌｌｌ）、 （ハ）は従来の多重イオン注入層の形
成の主要工程を示す工程図であり、先ず第３図（イ）に
示す如（ＧａＡｓ製の半絶縁性基板１１の表面から不純
物としてのシリコンイオンを、注入エネルギ： １０Ｋ
ｅＶ、注入量： １〜５ Ｘｌ０Ｉ３ｃ＋＋＋−”の条
件で注入して表面から所定の深さの範囲に導電型がｎ゛
型のイオン注入層１２′を形成し、次いで第３図（ロ）
に示す如くシリコンイオンを、注入エネルギ： １００
ＫｅＶ、注入量： ５ Ｘ１０”ｃｍ−２（７）条件で
同じ表面側から注入し、ｎ゛型ビイオン注入層１２′下
ｎ型イオン注入層１３′を所定の幅にわたって形成する
。
不純物注入後、注入イオンを活性化のするため８５０°
Ｃで５秒間フラッシュランプアニールを行い、第３図（
ハ）に示す如く上、下に重合したｎ゛型ビイオン注入層
１２／ｎ型イオン注入 ｎ９型イオン注入層１２、ｎ型イオン注入層１３のキャ
リヤ濃度は第４図に示す如くである。第４図はｎ９型イ
オン注入層１２、ｎ型イオン注入層１３のキャリア濃度
を示すプロファイルであり、横軸に基板表面からの深さ
（μｍ）を、また縦軸にキャリヤ濃度分布（ｃｍ−”）
をとって示してあり、図中実線はｎ＋型ビイオン注入層
１２、また破線はｎ型イオン注入Ｎ１３のプロファイル
を示している。このプロファイルから明らかなようにｎ
型イオン注入層１３のテール部、即ちｎ型イオン注入層
１３と半絶縁性基板１１における不純物を注入していな
い領域との境界近くにおける勾配が緩くなっていること
が解る。
Ｃで５秒間フラッシュランプアニールを行い、第３図（
ハ）に示す如く上、下に重合したｎ゛型ビイオン注入層
１２／ｎ型イオン注入 ｎ９型イオン注入層１２、ｎ型イオン注入層１３のキャ
リヤ濃度は第４図に示す如くである。第４図はｎ９型イ
オン注入層１２、ｎ型イオン注入層１３のキャリア濃度
を示すプロファイルであり、横軸に基板表面からの深さ
（μｍ）を、また縦軸にキャリヤ濃度分布（ｃｍ−”）
をとって示してあり、図中実線はｎ＋型ビイオン注入層
１２、また破線はｎ型イオン注入Ｎ１３のプロファイル
を示している。このプロファイルから明らかなようにｎ
型イオン注入層１３のテール部、即ちｎ型イオン注入層
１３と半絶縁性基板１１における不純物を注入していな
い領域との境界近くにおける勾配が緩くなっていること
が解る。
〔発明が解決しようとする課題〕
一般にＧａＡｓ電解効果トランジスタの特性向上のため
にはｎ′″型イオン注入層のキャリア濃度は可及的に高
（、またｎ型イオン注入層の下部、即ちテール部のキャ
リアプロファイルはより急峻であることが要求される。
にはｎ′″型イオン注入層のキャリア濃度は可及的に高
（、またｎ型イオン注入層の下部、即ちテール部のキャ
リアプロファイルはより急峻であることが要求される。
ところで前述したような従来方法にあってはｎ４型イオ
ン注入層形成のために不純物注入量を増すとｎ型イオン
注入層のテール部におけるキャリア濃度分布の勾配が緩
くなり、ＧａＡｓ電解効果トランジスタとして、増幅率
が小さくなるという欠点があった。
ン注入層形成のために不純物注入量を増すとｎ型イオン
注入層のテール部におけるキャリア濃度分布の勾配が緩
くなり、ＧａＡｓ電解効果トランジスタとして、増幅率
が小さくなるという欠点があった。
この理由については十分に解明されているわけではない
が、通常イオン注入層はイオン注入時に多数の格子欠陥
が生じるが、多重イオン注入層の場合、各イオン注入で
先住した格子欠陥領域が重なり合って生じるため、この
状態で不純物活性化の熱処理を行った際、不純物原子の
異常拡散が生じることに依ると考えられる。
が、通常イオン注入層はイオン注入時に多数の格子欠陥
が生じるが、多重イオン注入層の場合、各イオン注入で
先住した格子欠陥領域が重なり合って生じるため、この
状態で不純物活性化の熱処理を行った際、不純物原子の
異常拡散が生じることに依ると考えられる。
、 本発明に係る多重イオン注入層の形成方法は半絶
縁性基板へのイオン注入工程と、このイオン注入の際に
、生じた結晶欠陥が回復する温度領域で熱処理する工程
と、注入イオンを活性化する温度領域で熱処理を行う工
程とを含む。
縁性基板へのイオン注入工程と、このイオン注入の際に
、生じた結晶欠陥が回復する温度領域で熱処理する工程
と、注入イオンを活性化する温度領域で熱処理を行う工
程とを含む。
本発明方法にあっては、これによってイオン注入時に生
じた結晶欠陥が回復され、半絶縁性基板のイオン未注入
域側近傍でのキャリア濃度分布の急峻度を太き（し得る
。
じた結晶欠陥が回復され、半絶縁性基板のイオン未注入
域側近傍でのキャリア濃度分布の急峻度を太き（し得る
。
以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に説
明する。第１図（イ）〜（ニ）は本発明方法の主要工程
を示す工程図であり、先ず第１図（イ）に示す如（Ｇａ
Ａｓ製の半絶縁性基板１にその表面から、例えば不純物
としてシリコンイオンを、注入エネルギ： １０ＫｅＶ
、注入量： ５ ＸＩＯ”ｅｌｌ−”で注入して表面
から所定深さにわたって導電型がｎ゛型ビイオン注入層
２′形成しくイオン注入工程）、次いで第１図（ロ）に
示す如り５５０°Ｃで３０分間真空中にて熱処理を行い
（熱処理工程）、イオン注入に際し生じた結晶欠陥（格
子欠陥）を回復せしめる。
明する。第１図（イ）〜（ニ）は本発明方法の主要工程
を示す工程図であり、先ず第１図（イ）に示す如（Ｇａ
Ａｓ製の半絶縁性基板１にその表面から、例えば不純物
としてシリコンイオンを、注入エネルギ： １０ＫｅＶ
、注入量： ５ ＸＩＯ”ｅｌｌ−”で注入して表面
から所定深さにわたって導電型がｎ゛型ビイオン注入層
２′形成しくイオン注入工程）、次いで第１図（ロ）に
示す如り５５０°Ｃで３０分間真空中にて熱処理を行い
（熱処理工程）、イオン注入に際し生じた結晶欠陥（格
子欠陥）を回復せしめる。
この熱処理は真空中に限らすＮ２、Ａｒ等の不活性雰囲
気中で行ってもよく、またアルシン等のＡｓ雰囲気中で
熱処理を行ってもよい。アルシン雰囲気中での熱処理で
はＧａＡｓ製基板構成原子の抜は出しを防止し得るため
、熱処理温度をより高く設定することが可能となる。
気中で行ってもよく、またアルシン等のＡｓ雰囲気中で
熱処理を行ってもよい。アルシン雰囲気中での熱処理で
はＧａＡｓ製基板構成原子の抜は出しを防止し得るため
、熱処理温度をより高く設定することが可能となる。
次に第１図（ハ）に示す如く不純物であるシリコンイオ
ンを、注入エネルギ： １００ＫｅＶ、注入量５ＸＩＯ
”ｃｍ−”で注入しくイオン注入工程）、ｎ゛゛イオン
注入層２′下に、ｎ型イオン注入層３′を形成した後、
アニール温度：８５０°Ｃ、アニール時間：５秒で窒素
雰囲気中にてフラッシュランプアニールを施しくイオン
活性化熱処理工程）、第１図（ニ）に示す如く、注入し
た不純物であるシリコンイオンを電気的に活性化せしめ
てｎ゛゛イオン注入層２、ｎ型イオン注入層３を上、下
に重ね合せた状態に形成する。
ンを、注入エネルギ： １００ＫｅＶ、注入量５ＸＩＯ
”ｃｍ−”で注入しくイオン注入工程）、ｎ゛゛イオン
注入層２′下に、ｎ型イオン注入層３′を形成した後、
アニール温度：８５０°Ｃ、アニール時間：５秒で窒素
雰囲気中にてフラッシュランプアニールを施しくイオン
活性化熱処理工程）、第１図（ニ）に示す如く、注入し
た不純物であるシリコンイオンを電気的に活性化せしめ
てｎ゛゛イオン注入層２、ｎ型イオン注入層３を上、下
に重ね合せた状態に形成する。
なお、イオン活性化熱処理工程に先立って、ｎ型イオン
注入層形成のためのイオン注入に際して生じた格子欠陥
を回復するための温度で熱処理を施してもよいことは言
うまでもない。
注入層形成のためのイオン注入に際して生じた格子欠陥
を回復するための温度で熱処理を施してもよいことは言
うまでもない。
第２図は本発明方法により形成した多重イオン注入層に
おけるキャリア温度分布のプロファイルであり、横軸に
基板表面からの深さ（μｍ）を、また縦軸にキャリア濃
度（Ｃｍ−’）をとって示しである。図中実線はｎ゛型
ビイオン注入層、また破線はｎ型イオン注入層の各キャ
リア温度分布を示している。
おけるキャリア温度分布のプロファイルであり、横軸に
基板表面からの深さ（μｍ）を、また縦軸にキャリア濃
度（Ｃｍ−’）をとって示しである。図中実線はｎ゛型
ビイオン注入層、また破線はｎ型イオン注入層の各キャ
リア温度分布を示している。
第４図に示す従来方法に依った場合の多重イオン注入層
のプロファイルと比較すれば明らかなように下層に位置
するｎ型イオン注入層におけるキャリア濃度は表面から
の深さが大きくなるに従って２、激に低減されており、
必要な急峻度が得られることが解かる。なお、上述実施
例ではＧａＡｓ製の半絶縁性基板にｎ型 ｎ゛型の各イ
オン注入層を形成する場合につき説明したが、何らこれ
に限るものではなく、各種化合物半導体の基板にｐ型。
のプロファイルと比較すれば明らかなように下層に位置
するｎ型イオン注入層におけるキャリア濃度は表面から
の深さが大きくなるに従って２、激に低減されており、
必要な急峻度が得られることが解かる。なお、上述実施
例ではＧａＡｓ製の半絶縁性基板にｎ型 ｎ゛型の各イ
オン注入層を形成する場合につき説明したが、何らこれ
に限るものではなく、各種化合物半導体の基板にｐ型。
ｐ゛型或はｎ型、ｐ型の各イオン注入層を多重形成する
場合にも適用し得ることは勿論である。
場合にも適用し得ることは勿論である。
［効果］
以上の如く本発明方法にあっては半絶縁性基板へのイオ
ン注入工程後にイオン注入に伴って生じる結晶欠陥を回
復させる温度領域での熱処理工程を行うから、結晶欠陥
が回復されてキャリア濃度が相対的に高いイオン注入層
ではよりキャリア濃度を高く、またキャリア濃度の相対
的に低いイオン注入層ではテール部においてキャリア濃
度分布をより急峻化することが可能となり、高い増幅率
が得られるなど、特性向上を図るうえで優れた効果を奏
するものである。
ン注入工程後にイオン注入に伴って生じる結晶欠陥を回
復させる温度領域での熱処理工程を行うから、結晶欠陥
が回復されてキャリア濃度が相対的に高いイオン注入層
ではよりキャリア濃度を高く、またキャリア濃度の相対
的に低いイオン注入層ではテール部においてキャリア濃
度分布をより急峻化することが可能となり、高い増幅率
が得られるなど、特性向上を図るうえで優れた効果を奏
するものである。
第１図は本発明方法の主要工程を示す工程図、第２図は
本発明方法により得た多重イオン注入層のキャリア濃度
分布を示すプロファイル、第３図は従来方法の主要工程
を示す工程図、第４図は従来方法により得た多重イオン
注入層のキャリア濃度分布を示すプロファイルである。 １・・・半絶縁性基板 ２．２′・・・ｎ゛型ビイオン
注入層３，３′・・・ｎ型イオン注入層特許 出願人
三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 失策１図 表面ｍらの疎之（ｌＪり 第２図 表面カ６梼奔２（声舛） 手続補正書（自発） 昭和６３年８月１９日 昭和６３年特許願第５０６４号 ２、発明の名称 多重イオン注入層の形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 所在地 守口型京阪本通２了目１８番地名 称 （１８
８）三洋電機株式会社 代表者 井 植 敏 ４、代理人 住 所 ■５４３大阪市天王寺区四天王寺１丁目１４番
２２号 日進ビル２０７号 明細書の「発明の詳細な説明」及び「図面の簡単な説明
」の欄、並びに「図面」 ６、補正の内容 ６−１明細書の「発明の詳細な説明」の欄（１）明細書
の第１頁１６行目及び同頁２０行目に夫々「電解効果」
とあるを「電界効果」と訂正する。 （２）明細書の第３頁１行目乃至同頁１９行目に「ｎ＋
型ベイオン・・・・・・要求される。」とあるを次のと
おりに訂正する。 ｒ上、下に重合したｎ３型イオン注入層１２八型イオン
注入層１３（以下ｎ゛八へイオン注入層と略す）及びｎ
型イオン注入層１３のキャリア濃度プロファイルは第４
図に示す如くである。 第４図はロ゛へ型イオン注入層、ｎ型イオン注入層１３
のキャリア濃度を示すプロファイルであり、横軸に基板
表面からの深さ（μｌ１１）を、また縦軸にキャリア濃
度（ｃｍ−３）をとって示してあり、図中実線はｎ型イ
オン注入層１３の、また破線はｎ” ／ｎ型イオン注入
層のキャリア濃度プロファイルを示している。この２つ
のキャリア濃度プロファイルから明らかなように、ｎ“
／ｎ型イオン注入層のプロファイルのテール部、即ちｎ
” ／ｎ型イオン注入層と半絶縁性基板１１における不
純物を注入していない領域との境界近くにおけるプロフ
ァイルの勾配がｎ型イオン注入層のプロファイルテール
部の勾配に比べて、緩くなっていることが解かる。 〔発明が解決しようとする課題〕 一触にＧａＡｓ電界効果トランジスタの特性向上のため
には、前述したｎ゛八へイオン注入層の形成において、
ｎ型イオン注入ｊｉｌ１２のキャリア濃度は可及的に高
濃度で薄層化され、ｎ型イオン注入層におけるテール部
のキャリアプロファイルはより急峻であることが要求さ
れ漬。」（３）明細書の第４頁３行目乃至同頁５行目に
ｆ” ＧａＡｓ電解効果・・・・・・欠点があった。」
とあるをｒ ＧａＡｓ電界効果トランジスタとして、相
互コンダクタンスｇ１が小さくなるという欠点があった
。」と訂正する。 （４）明細書の第６頁１９行目に「キャリア温度分布の
プロファイル」とあるを「キャリア濃度プロファイル」
と訂正する。 （５）明細書の第７頁１行目乃至同頁１０行目に「また
縦軸に・・・・・・・ことが解かる。」とあるを、次の
とおりに訂正する。 「また縦軸にキャリア濃度（ｃｍ−３）をとうて示しで
ある。図中実線はｎ型イオン注入層の、また破線はｎ”
／ｎ型イオン注入層の各キャリア濃度プロファイルを
示している。第４図に示す従来方法に依った場合の多重
イオン注入層のプロファイルと比較すれば明らかなよう
に、ｎ″″／ｎ型イオン型入オン注入層下層に位置する
ｎ型イオン注入層におけるキャリア濃度プロファイルの
テール部形状は、ｎ型イオン注入層単層の場合とほとん
ど一致している事が解かる。Ｊ（６）明細書の第７頁１
７行目乃至第８頁６行目に「以上の如く・・・・・・・
効果を奏するものである。」とあるを次のとおりに訂正
する。 「以上の如（、本発明方法にあっては半絶縁性ｉｔへの
イオン注入工程後にイオン注入に伴って生じる結晶欠陥
の回復を促進する温度領域での熱処理工程を行うから、
ｎ” ／ｎ型イオン注入層におけるｎ型イオン注入層の
キャリア濃度を高め、且つｎ型イオン注入層におけるキ
ャリア濃度プロファイルのテール部の急峻性を保つこと
が可能となり、高い相互コンダクタンスｇ。 が得られるなど、特性向上を図るうえで優れた効果を奏
するものである。」 ６−２明細書の「図面の簡単な説明」の欄（１）明細書
の第８頁１０行目に「キャリア濃度分布」とあるを「キ
ャリア濃度」と訂正する。 （２） 明細書の第８頁１２行目乃至同頁１３行目に
「キャリア濃度分布」とあるを「キャリア濃度」と訂正
する。 ６−３ 図面 第２図、第４図を別紙のとおりに訂正する。 ７、添付書類の目録 （１１訂正図面 １通表面から
の：ｔ２らμ〜 第２図
本発明方法により得た多重イオン注入層のキャリア濃度
分布を示すプロファイル、第３図は従来方法の主要工程
を示す工程図、第４図は従来方法により得た多重イオン
注入層のキャリア濃度分布を示すプロファイルである。 １・・・半絶縁性基板 ２．２′・・・ｎ゛型ビイオン
注入層３，３′・・・ｎ型イオン注入層特許 出願人
三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 失策１図 表面ｍらの疎之（ｌＪり 第２図 表面カ６梼奔２（声舛） 手続補正書（自発） 昭和６３年８月１９日 昭和６３年特許願第５０６４号 ２、発明の名称 多重イオン注入層の形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 所在地 守口型京阪本通２了目１８番地名 称 （１８
８）三洋電機株式会社 代表者 井 植 敏 ４、代理人 住 所 ■５４３大阪市天王寺区四天王寺１丁目１４番
２２号 日進ビル２０７号 明細書の「発明の詳細な説明」及び「図面の簡単な説明
」の欄、並びに「図面」 ６、補正の内容 ６−１明細書の「発明の詳細な説明」の欄（１）明細書
の第１頁１６行目及び同頁２０行目に夫々「電解効果」
とあるを「電界効果」と訂正する。 （２）明細書の第３頁１行目乃至同頁１９行目に「ｎ＋
型ベイオン・・・・・・要求される。」とあるを次のと
おりに訂正する。 ｒ上、下に重合したｎ３型イオン注入層１２八型イオン
注入層１３（以下ｎ゛八へイオン注入層と略す）及びｎ
型イオン注入層１３のキャリア濃度プロファイルは第４
図に示す如くである。 第４図はロ゛へ型イオン注入層、ｎ型イオン注入層１３
のキャリア濃度を示すプロファイルであり、横軸に基板
表面からの深さ（μｌ１１）を、また縦軸にキャリア濃
度（ｃｍ−３）をとって示してあり、図中実線はｎ型イ
オン注入層１３の、また破線はｎ” ／ｎ型イオン注入
層のキャリア濃度プロファイルを示している。この２つ
のキャリア濃度プロファイルから明らかなように、ｎ“
／ｎ型イオン注入層のプロファイルのテール部、即ちｎ
” ／ｎ型イオン注入層と半絶縁性基板１１における不
純物を注入していない領域との境界近くにおけるプロフ
ァイルの勾配がｎ型イオン注入層のプロファイルテール
部の勾配に比べて、緩くなっていることが解かる。 〔発明が解決しようとする課題〕 一触にＧａＡｓ電界効果トランジスタの特性向上のため
には、前述したｎ゛八へイオン注入層の形成において、
ｎ型イオン注入ｊｉｌ１２のキャリア濃度は可及的に高
濃度で薄層化され、ｎ型イオン注入層におけるテール部
のキャリアプロファイルはより急峻であることが要求さ
れ漬。」（３）明細書の第４頁３行目乃至同頁５行目に
ｆ” ＧａＡｓ電解効果・・・・・・欠点があった。」
とあるをｒ ＧａＡｓ電界効果トランジスタとして、相
互コンダクタンスｇ１が小さくなるという欠点があった
。」と訂正する。 （４）明細書の第６頁１９行目に「キャリア温度分布の
プロファイル」とあるを「キャリア濃度プロファイル」
と訂正する。 （５）明細書の第７頁１行目乃至同頁１０行目に「また
縦軸に・・・・・・・ことが解かる。」とあるを、次の
とおりに訂正する。 「また縦軸にキャリア濃度（ｃｍ−３）をとうて示しで
ある。図中実線はｎ型イオン注入層の、また破線はｎ”
／ｎ型イオン注入層の各キャリア濃度プロファイルを
示している。第４図に示す従来方法に依った場合の多重
イオン注入層のプロファイルと比較すれば明らかなよう
に、ｎ″″／ｎ型イオン型入オン注入層下層に位置する
ｎ型イオン注入層におけるキャリア濃度プロファイルの
テール部形状は、ｎ型イオン注入層単層の場合とほとん
ど一致している事が解かる。Ｊ（６）明細書の第７頁１
７行目乃至第８頁６行目に「以上の如く・・・・・・・
効果を奏するものである。」とあるを次のとおりに訂正
する。 「以上の如（、本発明方法にあっては半絶縁性ｉｔへの
イオン注入工程後にイオン注入に伴って生じる結晶欠陥
の回復を促進する温度領域での熱処理工程を行うから、
ｎ” ／ｎ型イオン注入層におけるｎ型イオン注入層の
キャリア濃度を高め、且つｎ型イオン注入層におけるキ
ャリア濃度プロファイルのテール部の急峻性を保つこと
が可能となり、高い相互コンダクタンスｇ。 が得られるなど、特性向上を図るうえで優れた効果を奏
するものである。」 ６−２明細書の「図面の簡単な説明」の欄（１）明細書
の第８頁１０行目に「キャリア濃度分布」とあるを「キ
ャリア濃度」と訂正する。 （２） 明細書の第８頁１２行目乃至同頁１３行目に
「キャリア濃度分布」とあるを「キャリア濃度」と訂正
する。 ６−３ 図面 第２図、第４図を別紙のとおりに訂正する。 ７、添付書類の目録 （１１訂正図面 １通表面から
の：ｔ２らμ〜 第２図
Claims (1)
- １、半絶縁性基板に多重イオン注入層を形成する方法に
おいて、半絶縁性基板へのイオン注入工程と、イオン注
入の際に生じた結晶欠陥が回復する温度領域で熱処理す
る工程と、注入イオンを活性化する温度領域で熱処理を
行う工程とを含むことを特徴とする多重イオン注入層の
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP506488A JPH01181515A (ja) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | 多重イオン注入層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP506488A JPH01181515A (ja) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | 多重イオン注入層の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01181515A true JPH01181515A (ja) | 1989-07-19 |
Family
ID=11600960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP506488A Pending JPH01181515A (ja) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | 多重イオン注入層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01181515A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03212451A (ja) * | 1990-01-17 | 1991-09-18 | Takeo Saegusa | 有機・無機複合透明均質体及びその製法 |
-
1988
- 1988-01-12 JP JP506488A patent/JPH01181515A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03212451A (ja) * | 1990-01-17 | 1991-09-18 | Takeo Saegusa | 有機・無機複合透明均質体及びその製法 |
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