JPH01182325A - ポリエチレンオキシド‐ポリシロキサン重合体 - Google Patents
ポリエチレンオキシド‐ポリシロキサン重合体Info
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Classifications
-
- Y02E60/12—
Landscapes
- Silicon Polymers (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Primary Cells (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はポリエチレンオキシド−ポリシロキサン重合体
に関し、更に詳しくは、−数式%式%(1) 式中、nは2〜50の整数を表わし;RIはアルキル基
、アリール基またはアルコキシ基を表わ、L;R”はア
ルコキシ基を表わし;Rsはアルキル基または式−(C
H2)2 S i (R’)tR5の基を表わし、ここ
でR4はアルキル基、アリール基またはアルコキシ基を
表わし、R5はアルコキシ基を表わす、 で示されるオリゴエチレンオキシド誘導体を一般式 %式%( 式中、mは0.1または2を表わし;R6はアルキル基
またはアリール基を表わし;Rテは水素原子、アルキル
基またはアリール基を表わし;Mはケイ素原子またはチ
タン原子を表わす、 で示される含金属化合物と反応させることにより得られ
るポリエチレンオキシド−ポリシロキサン重合体(以下
、これをPEO3と略称する)に関する。
に関し、更に詳しくは、−数式%式%(1) 式中、nは2〜50の整数を表わし;RIはアルキル基
、アリール基またはアルコキシ基を表わ、L;R”はア
ルコキシ基を表わし;Rsはアルキル基または式−(C
H2)2 S i (R’)tR5の基を表わし、ここ
でR4はアルキル基、アリール基またはアルコキシ基を
表わし、R5はアルコキシ基を表わす、 で示されるオリゴエチレンオキシド誘導体を一般式 %式%( 式中、mは0.1または2を表わし;R6はアルキル基
またはアリール基を表わし;Rテは水素原子、アルキル
基またはアリール基を表わし;Mはケイ素原子またはチ
タン原子を表わす、 で示される含金属化合物と反応させることにより得られ
るポリエチレンオキシド−ポリシロキサン重合体(以下
、これをPEO3と略称する)に関する。
本発明のPEO3は、支持塩となる電解質を溶解させる
ことにより、たとえばエレクトロクロミック素子(EC
D)あるいは2次電池などの電気化学素子用の固体電解
質として有用である。
ことにより、たとえばエレクトロクロミック素子(EC
D)あるいは2次電池などの電気化学素子用の固体電解
質として有用である。
[従来技術]
従来、固体電解質としてはα−AgIのような゛無機結
晶が知られているが、加工性等の点で問題がある。近年
、ポリエチレンオキシド鎖を主骨格とする高分子固体電
解質が開発され、実用化されつつある。なかでも、ポリ
シロキサン−ポリエチレンオキシド複合系固体電解質は
、シロキサン鎖部位の性質によりガラス転移点(Tg)
が低く、一般に高いイオン伝導度を示すことが明らかに
なってきた。従来、このようなポリシロキサン−ポリエ
チレンオキシド系固体電解質としては、(i)ジメチル
ジクロロシランとポリエチレングリコールとを縮合させ
得られる高分子化合物[J。
晶が知られているが、加工性等の点で問題がある。近年
、ポリエチレンオキシド鎖を主骨格とする高分子固体電
解質が開発され、実用化されつつある。なかでも、ポリ
シロキサン−ポリエチレンオキシド複合系固体電解質は
、シロキサン鎖部位の性質によりガラス転移点(Tg)
が低く、一般に高いイオン伝導度を示すことが明らかに
なってきた。従来、このようなポリシロキサン−ポリエ
チレンオキシド系固体電解質としては、(i)ジメチル
ジクロロシランとポリエチレングリコールとを縮合させ
得られる高分子化合物[J。
Polym、 Sci、、 Po1ya+、 Lett
、 Ed、、 22゜659 (1984)参照] ;
(ii)ポリメチルシロキサンにポリエチレングリコ
ールモノメチルエーテルをグラフトさせ得られる高分子
化合物[Po1ys、 Commun、、 2 7
二、 98 (1986) :Macaromo
l。 Chew、、 Rapid Commun、
、 7 。
、 Ed、、 22゜659 (1984)参照] ;
(ii)ポリメチルシロキサンにポリエチレングリコ
ールモノメチルエーテルをグラフトさせ得られる高分子
化合物[Po1ys、 Commun、、 2 7
二、 98 (1986) :Macaromo
l。 Chew、、 Rapid Commun、
、 7 。
115(1986)参照] ; (iii)テトラエ
トキシシランとポリエチレングリコールとを縮合させ得
られる高分子化合物[J 、Non−CrystalS
olids、82,210 (1986)参照];(i
v)ポリメチルシロキサンにポリエチレングリコール類
のモノアリルエーテル、モノメタクリラート、ジメタク
リラード等を反応させ得られる高分子化合物[Poly
mer Prepr、、 Japan、 35 、77
8 (1986)参照]等が知られている。しかしなが
ら、これらの固体電解質は、自立性膜になりに<<、電
気化学素子構築には不利である。また、上記(i)〜(
iii )の固体電解質は加水分解を受けやすい5t−
0−C結合を含むため、化学的に不安定である。さらに
上記(iv)の固体電解質は、合成の際触媒として用い
る遷移金属錯体の除去が困難ななめエレクトロクロミッ
ク(Ec)材料としては不向きである。
トキシシランとポリエチレングリコールとを縮合させ得
られる高分子化合物[J 、Non−CrystalS
olids、82,210 (1986)参照];(i
v)ポリメチルシロキサンにポリエチレングリコール類
のモノアリルエーテル、モノメタクリラート、ジメタク
リラード等を反応させ得られる高分子化合物[Poly
mer Prepr、、 Japan、 35 、77
8 (1986)参照]等が知られている。しかしなが
ら、これらの固体電解質は、自立性膜になりに<<、電
気化学素子構築には不利である。また、上記(i)〜(
iii )の固体電解質は加水分解を受けやすい5t−
0−C結合を含むため、化学的に不安定である。さらに
上記(iv)の固体電解質は、合成の際触媒として用い
る遷移金属錯体の除去が困難ななめエレクトロクロミッ
ク(Ec)材料としては不向きである。
[発明が解決しようとする問題点]
本発明者らはこのような従来法の欠点を克服し、自己支
持性膜を形成することが可能であり、化学的に安定でか
つEC材料として有用な新規ポリシロキサン−ポリエチ
レンオキシド系固体電解質を工業的に合成する方法につ
いて鋭意検討を重ねた結果、今回、前記のPEO8が所
望の固体電解質として極めて有用であることを見出し、
本発明を完成するに至った。
持性膜を形成することが可能であり、化学的に安定でか
つEC材料として有用な新規ポリシロキサン−ポリエチ
レンオキシド系固体電解質を工業的に合成する方法につ
いて鋭意検討を重ねた結果、今回、前記のPEO8が所
望の固体電解質として極めて有用であることを見出し、
本発明を完成するに至った。
[問題点を解決するための手段]
本発明により提供されるPEO8は、下記式%式%(1
) 式中、nは2〜50、好ましくは2〜3o、さらに好ま
しくは5〜20の整数を表わし;R1はアルキル基、ア
リール基琥たはアルコキシ基を表わし;R2はアルコキ
シ基を表わし;R3はアルキル基または式=(CHs)
Si(R’)tR’の基を表わし、ここでR4はアルキ
ル基、アリール基またはアルコキシ基を表わし、R5は
アルコキシ基を表わす、 で示されるオリゴエチレンオキシド誘導体と下記式 %式%() 式中、mはOllまたは2を表わし;R6はアルキル基
またはアリール基を表わし;R1は水素原子、アルキル
基またはアリール基を表わし二Mはケイ素原子またはチ
タン原子を表わす、 で示される含金属化合物との反応により得られるポリエ
チレンオキシド−ポリシロキサン誘導体である。
) 式中、nは2〜50、好ましくは2〜3o、さらに好ま
しくは5〜20の整数を表わし;R1はアルキル基、ア
リール基琥たはアルコキシ基を表わし;R2はアルコキ
シ基を表わし;R3はアルキル基または式=(CHs)
Si(R’)tR’の基を表わし、ここでR4はアルキ
ル基、アリール基またはアルコキシ基を表わし、R5は
アルコキシ基を表わす、 で示されるオリゴエチレンオキシド誘導体と下記式 %式%() 式中、mはOllまたは2を表わし;R6はアルキル基
またはアリール基を表わし;R1は水素原子、アルキル
基またはアリール基を表わし二Mはケイ素原子またはチ
タン原子を表わす、 で示される含金属化合物との反応により得られるポリエ
チレンオキシド−ポリシロキサン誘導体である。
本明細書において、「アルキル基」は直鎖状または分岐
鎖状のいずれのタイプのものであってもよく、例えば、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イ
ソブチル、5ec−ブチル、tert−ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、オクチル、デシル基等が挙げられ、中で
も炭素原子数が6個以下、好ましくは4個以下の低級ア
ルキル基が好適である。また、「アルコキシ基」はアル
キル部分が上記の意味を有するアルキルオキシ基であり
、例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポ
キシ、ブトキシ、ヘキソキシ基等が挙げられる。
鎖状のいずれのタイプのものであってもよく、例えば、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イ
ソブチル、5ec−ブチル、tert−ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、オクチル、デシル基等が挙げられ、中で
も炭素原子数が6個以下、好ましくは4個以下の低級ア
ルキル基が好適である。また、「アルコキシ基」はアル
キル部分が上記の意味を有するアルキルオキシ基であり
、例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポ
キシ、ブトキシ、ヘキソキシ基等が挙げられる。
さらに「アリール基」は単環式及び多環式のいずれのタ
イプのものであってもよく、例えば、フェニル、トリル
、キシリル、ナフチル基等が包含される。
イプのものであってもよく、例えば、フェニル、トリル
、キシリル、ナフチル基等が包含される。
しかして、上記式(1)のオリゴエチレンオキシド誘導
体の具体例としては、オリゴエチレングリコールビス[
3−(ジェトキシメチルシリル)プロピル]エーテル(
n=2〜50)、オリゴエチレングリコールビス[3−
(ジメトキシフェニルシリル)プロピル]エーテル(n
=2〜50)、オリゴエチレングリコールビス[3−(
メトキシジメチルシリル)プロピル1エーテル(n=2
〜50)、オリゴエチレングリコールビス[3−(トリ
エトキシシリル)プロピル]エーテル(n=2〜50)
等を挙げることができる。
体の具体例としては、オリゴエチレングリコールビス[
3−(ジェトキシメチルシリル)プロピル]エーテル(
n=2〜50)、オリゴエチレングリコールビス[3−
(ジメトキシフェニルシリル)プロピル]エーテル(n
=2〜50)、オリゴエチレングリコールビス[3−(
メトキシジメチルシリル)プロピル1エーテル(n=2
〜50)、オリゴエチレングリコールビス[3−(トリ
エトキシシリル)プロピル]エーテル(n=2〜50)
等を挙げることができる。
また、上記式(II)の含金属化合物としては、例えば
、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テト
ライソプロポキシシラン、テトラフェノキシシラン、メ
チルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、
ブチルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラ
ン、ジメチルジェトキシシラン、ジフェニルジメトキシ
シラン、ジフェニルジシラノール、メチルフエニルジエ
トキシシラン等が挙げられる。
、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テト
ライソプロポキシシラン、テトラフェノキシシラン、メ
チルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、
ブチルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラ
ン、ジメチルジェトキシシラン、ジフェニルジメトキシ
シラン、ジフェニルジシラノール、メチルフエニルジエ
トキシシラン等が挙げられる。
上記式(1)のオリゴエチレンオキシド誘導体と式(I
I)の含金属化合物との反応は、無溶媒で゛または適当
な溶媒中で、−mに約−50℃ないし約100’C間の
温度、好ましくは室温ないし約60℃間の温度で行なう
ことができる。その際の式(夏)のオリゴエチレンオキ
シド誘導体と式(If)の含金属化合物との使用割合は
特に制限はなく、反応生成物であるPE0Sに望まれる
特性等に応じて広範にわたり変えることができるが、−
数的には、式(1)のオリゴエチレンオキシド誘導体1
モル当り式(■)の含金属化合物を0.01〜10モル
、好ましくは0.1〜1モルの割合で使用するのが好都
合である。
I)の含金属化合物との反応は、無溶媒で゛または適当
な溶媒中で、−mに約−50℃ないし約100’C間の
温度、好ましくは室温ないし約60℃間の温度で行なう
ことができる。その際の式(夏)のオリゴエチレンオキ
シド誘導体と式(If)の含金属化合物との使用割合は
特に制限はなく、反応生成物であるPE0Sに望まれる
特性等に応じて広範にわたり変えることができるが、−
数的には、式(1)のオリゴエチレンオキシド誘導体1
モル当り式(■)の含金属化合物を0.01〜10モル
、好ましくは0.1〜1モルの割合で使用するのが好都
合である。
上記式(1)のオリゴエチレンオキシド誘導体と式(I
t)の含金属化合物との反応は、通常、酸または塩基触
媒の存在下反応を行うのが好ましい。
t)の含金属化合物との反応は、通常、酸または塩基触
媒の存在下反応を行うのが好ましい。
かかる触媒としては、例えば、塩酸、硫酸等の鉱酸;ト
リフルオロ酢酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸;
水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
水酸化テトラメチルアンモニウム等の水酸化物、トリエ
チルアミン等のアミン類を用いることができる。これら
触媒の使用量は特に制約はなく、いわゆる触媒量で十分
である。
リフルオロ酢酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸;
水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
水酸化テトラメチルアンモニウム等の水酸化物、トリエ
チルアミン等のアミン類を用いることができる。これら
触媒の使用量は特に制約はなく、いわゆる触媒量で十分
である。
また、上記の反応は水の共存下に実施される。
その水の使用量は、一般に、式(1)のオリゴエチレン
オキシド誘導体1モルに対して少なくとも0.1当量で
あり、大過剰に用いることも可能である。水は予め反応
系内に添加しておいてもよく、或いは反応を含水雰囲気
中で実施することにより反応の進行中に反応系内に吸収
されるようにしてもよい。
オキシド誘導体1モルに対して少なくとも0.1当量で
あり、大過剰に用いることも可能である。水は予め反応
系内に添加しておいてもよく、或いは反応を含水雰囲気
中で実施することにより反応の進行中に反応系内に吸収
されるようにしてもよい。
上記反応に際して適宜用いられる有機溶媒としては、例
えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコー
ル等のアルコール類:アセトン、シクロヘキサノン等の
ケトン類;ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類;
ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類
;クロロホルム、ジクロロメタン等のハロゲン化アルカ
ン類等広い範囲から選ぶことができる。
えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコー
ル等のアルコール類:アセトン、シクロヘキサノン等の
ケトン類;ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類;
ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類
;クロロホルム、ジクロロメタン等のハロゲン化アルカ
ン類等広い範囲から選ぶことができる。
以上に述べた式(1)のオリゴエチレンオキシド誘導体
を式(II)の含金属化合物との反応によれば、その反
応機構は正確にはわがらないが、式(1)のオリゴエチ
レンオキシド誘導体と式(II)の含金属化合物が酸、
または塩基存在下水の共存下に加水分解され、シランポ
リオールを経て脱水縮合しかつ三次元的に架橋し、PE
O8が生成するものと考えられる。また、生成するPE
O8が架橋構造を有することは、原料の構造およびPE
O8がいかなる溶媒に対しても不溶であることから推察
できる。従って、生成するPEO3の構造は、例えばM
=ケイ素原子の場合、主に下記の骨格を有すると考えら
れる。
を式(II)の含金属化合物との反応によれば、その反
応機構は正確にはわがらないが、式(1)のオリゴエチ
レンオキシド誘導体と式(II)の含金属化合物が酸、
または塩基存在下水の共存下に加水分解され、シランポ
リオールを経て脱水縮合しかつ三次元的に架橋し、PE
O8が生成するものと考えられる。また、生成するPE
O8が架橋構造を有することは、原料の構造およびPE
O8がいかなる溶媒に対しても不溶であることから推察
できる。従って、生成するPEO3の構造は、例えばM
=ケイ素原子の場合、主に下記の骨格を有すると考えら
れる。
て使用される前記式(1)のオリゴエチレンオキシド誘
導体は、例えば下記反応式: %式% 式中、Rはアルキル基またはアリル基を表わし; n、
R’、R”及びR3は前記の意味を有する、 に従い、式(1)のオリゴエチレンオキシドアリルエー
テルを式(IV)のヒドロシランと、触媒、例えば塩化
白金酸、クロロトリス(トリフェニルフォスフイン)ロ
ジウム等の遷移金属塩または錯体やアゾイソブチロニト
リル等のラジカル発生剤の存在下[その使用量は通常式
(III)のオリゴエチレンオキシドアリルエーテルに
対し0.01〜10モル%、特に0.1〜1モル%の範
囲が適当である]に、無溶媒でまたは適当な有機溶媒、
例えばベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒;
ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系
溶媒などの中で、約−50℃ないし約100℃、好まし
くは室温ないし約60℃の範囲内の温度において反応さ
せることにより製造することができる。上記反応におい
て、式(IV)のヒドロキシシランは式(1)のオリゴ
エチレンオキシドアリルエーテルに対し一般に1〜5当
量の割合で使用するのが好適である。[本反応の詳細に
ついては後記参考側参照、] なお、上記式(III)のオリゴエチレンオキシドアリ
ルエーテルは、例えば、入手容易なオリゴエチレンオキ
シドと臭化アリルとの反応によりオリゴエチレンオキシ
ドから高収率で製造することができ、或いは特開昭50
−13496号公報に記載されている方法により製造す
ることもできる。
導体は、例えば下記反応式: %式% 式中、Rはアルキル基またはアリル基を表わし; n、
R’、R”及びR3は前記の意味を有する、 に従い、式(1)のオリゴエチレンオキシドアリルエー
テルを式(IV)のヒドロシランと、触媒、例えば塩化
白金酸、クロロトリス(トリフェニルフォスフイン)ロ
ジウム等の遷移金属塩または錯体やアゾイソブチロニト
リル等のラジカル発生剤の存在下[その使用量は通常式
(III)のオリゴエチレンオキシドアリルエーテルに
対し0.01〜10モル%、特に0.1〜1モル%の範
囲が適当である]に、無溶媒でまたは適当な有機溶媒、
例えばベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒;
ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系
溶媒などの中で、約−50℃ないし約100℃、好まし
くは室温ないし約60℃の範囲内の温度において反応さ
せることにより製造することができる。上記反応におい
て、式(IV)のヒドロキシシランは式(1)のオリゴ
エチレンオキシドアリルエーテルに対し一般に1〜5当
量の割合で使用するのが好適である。[本反応の詳細に
ついては後記参考側参照、] なお、上記式(III)のオリゴエチレンオキシドアリ
ルエーテルは、例えば、入手容易なオリゴエチレンオキ
シドと臭化アリルとの反応によりオリゴエチレンオキシ
ドから高収率で製造することができ、或いは特開昭50
−13496号公報に記載されている方法により製造す
ることもできる。
本発明により提供されるPEO3は例えば膜状に成型し
たのち、支持塩を含浸させることにより固体電解質膜と
して使用することができる。また、該PEO8の製造を
支持塩の共存下で実施することにより、直接、固体電解
質膜として利用できる材料を得ることができる。その際
に用いる支持塩としては、例えば、過塩素酸リチウム、
リンフッ化リチウム、砒素フッ化リチウム、ヨウ化リチ
ウム、臭化リチウム、リチウムテトラフルオロボラート
、リチウムテトラフェニルボラート、トリフルオロ酢酸
リチウム、メタンスルホン酸リチウム等のリチウム塩;
過塩素酸ナトリウム、メタンスルホン酸ナトリウム等の
ナトリウム塩;過塩素酸カリウム、メタンスルホン酸カ
リウム等のカリウム塩等が挙げられる。これら支持塩は
、PE0S**の際に用いられる式(I)のオリゴエチ
レンオキシド誘導体に含まれるCI−ItCH20単位
に対し、CH2CH,O単位:支持塩(モル比)=20
0 : 1〜3:1の範囲で用いることができるが、特
に50:1〜3:1の範囲が好ましい。
たのち、支持塩を含浸させることにより固体電解質膜と
して使用することができる。また、該PEO8の製造を
支持塩の共存下で実施することにより、直接、固体電解
質膜として利用できる材料を得ることができる。その際
に用いる支持塩としては、例えば、過塩素酸リチウム、
リンフッ化リチウム、砒素フッ化リチウム、ヨウ化リチ
ウム、臭化リチウム、リチウムテトラフルオロボラート
、リチウムテトラフェニルボラート、トリフルオロ酢酸
リチウム、メタンスルホン酸リチウム等のリチウム塩;
過塩素酸ナトリウム、メタンスルホン酸ナトリウム等の
ナトリウム塩;過塩素酸カリウム、メタンスルホン酸カ
リウム等のカリウム塩等が挙げられる。これら支持塩は
、PE0S**の際に用いられる式(I)のオリゴエチ
レンオキシド誘導体に含まれるCI−ItCH20単位
に対し、CH2CH,O単位:支持塩(モル比)=20
0 : 1〜3:1の範囲で用いることができるが、特
に50:1〜3:1の範囲が好ましい。
また、本発明のPEO8は、適当な高沸点溶媒の存在下
で製造するか、または、製造後、高沸点溶媒に浸すこと
により、その膨潤体を自己支持性膜として得ることがで
きる。高沸点溶媒としては、例えばジオキサン、トリオ
キサン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリ
エチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレン
グリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶媒;プロ
ピレンカーボナート、エチレンカーボナート等の炭酸エ
ステル類;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミ
ド、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド類等を用
いることができる。
で製造するか、または、製造後、高沸点溶媒に浸すこと
により、その膨潤体を自己支持性膜として得ることがで
きる。高沸点溶媒としては、例えばジオキサン、トリオ
キサン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリ
エチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレン
グリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶媒;プロ
ピレンカーボナート、エチレンカーボナート等の炭酸エ
ステル類;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミ
ド、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド類等を用
いることができる。
[発明の効果]
本発明のPE0Sは、不純物として電気化学的に活性な
レドックス種を一切含まず、重合時に反応系内でイオン
ドーピングを行なうことにより、高イオン伝導性の膜と
して得ることができる。得られる膜は透明で、ゴム状弾
性があるため、調光ガラス、ECDなどの固体電気化学
素子用の電解質として好適である。 ′ 以下、実施例および参考例により本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明の範囲はこれら実施例にのみ限定
されるものではない、なお、Meはメチル基、Etはエ
チル基、phはフェニル基をそれぞれ表わす。
レドックス種を一切含まず、重合時に反応系内でイオン
ドーピングを行なうことにより、高イオン伝導性の膜と
して得ることができる。得られる膜は透明で、ゴム状弾
性があるため、調光ガラス、ECDなどの固体電気化学
素子用の電解質として好適である。 ′ 以下、実施例および参考例により本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明の範囲はこれら実施例にのみ限定
されるものではない、なお、Meはメチル基、Etはエ
チル基、phはフェニル基をそれぞれ表わす。
参考例 I
CHt = CHCH2(OCH2CHx )−0CH
* CH= CH*−〉M e (E t O)t S
i CH2CHz CH* (OCH* CH2)−
OCH2CHtCHtSi(OE t)tMeポリエチ
レングリコールジアリルエーテル(平均分子量680;
n=13)13.6y(20働+*ol)のトルエン1
00mf溶液にジェトキシメチルシラン6.72g(5
0醜5ol)、クロロロジウムトリス(トリフェニルホ
スフィン)20輪y(0,02mmol)を加え、80
℃で一晩撹拌した。減圧濃縮後、得られた油状生成物を
ジエチルエーテル80社に溶解し、少量のイオン交換樹
脂(Aeeberlite−ca−120(登録商標)
)、活性炭を加え、室温で約1時間撹拌した。濾過、減
圧濃縮により、ポリエチレングリコールビス[3−(ジ
ェトキシメチルシリル)プロピル]エーテル13.4g
を得た。収率71%(平均分子量950として)。
* CH= CH*−〉M e (E t O)t S
i CH2CHz CH* (OCH* CH2)−
OCH2CHtCHtSi(OE t)tMeポリエチ
レングリコールジアリルエーテル(平均分子量680;
n=13)13.6y(20働+*ol)のトルエン1
00mf溶液にジェトキシメチルシラン6.72g(5
0醜5ol)、クロロロジウムトリス(トリフェニルホ
スフィン)20輪y(0,02mmol)を加え、80
℃で一晩撹拌した。減圧濃縮後、得られた油状生成物を
ジエチルエーテル80社に溶解し、少量のイオン交換樹
脂(Aeeberlite−ca−120(登録商標)
)、活性炭を加え、室温で約1時間撹拌した。濾過、減
圧濃縮により、ポリエチレングリコールビス[3−(ジ
ェトキシメチルシリル)プロピル]エーテル13.4g
を得た。収率71%(平均分子量950として)。
’ HN M R(CD C13)δ:0.4−0.9
(m、 5iCH2) 、1.10(t、J=7 H2
,CH3CHz) 、1.4 1.7(m、CHzCH
zCHIC) 、3.2−4.0 (m、 CHtCH
tCHIC) 、3.56 (f3 、 QCHICH
zO)。
(m、 5iCH2) 、1.10(t、J=7 H2
,CH3CHz) 、1.4 1.7(m、CHzCH
zCHIC) 、3.2−4.0 (m、 CHtCH
tCHIC) 、3.56 (f3 、 QCHICH
zO)。
IR(neat) :2280 、1106 、94
8cm−’。
8cm−’。
参考例 2
CHt = CHCH* (OCH2CH2)20 C
H2CH= CH2−一→Me(E to)z S i
CHICHtc H2(OCH*CHz)tOCH*
CH* CHz S ! (OE t)t Meジエチ
レングリコールジアリルエーテル3.72g(20,0
maol)のトルエン50+sj!溶液にジェトキシメ
チlレジラン6、7g(50semol) 、クロロロ
ジウムトリス(トリフェニルホスフィン)20mg(0
、02m輸o1)を加え、80℃で一晩撹拌した。減圧
濃縮後、得られた油状生成物をジエチルエーテル100
m&に溶解し、少量のイオン交、 換樹脂(Amber
lite CG −120) 、活性炭を加え、室温で
約1時間撹拌した。濾過、減圧濃縮によりジエチレング
リコールビス[3−(ジェトキシメチルシリル)プロピ
ル]エーテル7.90gを得た。収率87%。
H2CH= CH2−一→Me(E to)z S i
CHICHtc H2(OCH*CHz)tOCH*
CH* CHz S ! (OE t)t Meジエチ
レングリコールジアリルエーテル3.72g(20,0
maol)のトルエン50+sj!溶液にジェトキシメ
チlレジラン6、7g(50semol) 、クロロロ
ジウムトリス(トリフェニルホスフィン)20mg(0
、02m輸o1)を加え、80℃で一晩撹拌した。減圧
濃縮後、得られた油状生成物をジエチルエーテル100
m&に溶解し、少量のイオン交、 換樹脂(Amber
lite CG −120) 、活性炭を加え、室温で
約1時間撹拌した。濾過、減圧濃縮によりジエチレング
リコールビス[3−(ジェトキシメチルシリル)プロピ
ル]エーテル7.90gを得た。収率87%。
’ HN M R(CD CI りδ:0.3(s、6
H)、0.6−1.3(m、 2 H) 、1.42
(t。
H)、0.6−1.3(m、 2 H) 、1.42
(t。
J =7 Hz、 12 H) 、1.6−2.0 (
m 。
m 。
4 H) 、3.6−3.9 (m、 4 H) 、
4.80(q、J=7 Hz、8 H)。
4.80(q、J=7 Hz、8 H)。
IR(neat) : 2980.2940.2885
.1258.1166.1105.1076.952、
824、796、765 C論−1゜参考例 3 CHz = CHCH2(OCHt CHt )40
CH2CH= CHz−〉P h (M e O)2
S i CH2CHz CH2(OCHt CH2)4
0CHtCHtCHtSi(OMe)zPhテトラエチ
レングリコールジアリルエーテル1.37y(5,O−
−of)番こジクロロフェニルシラン1.−77y(1
2,0mmol) 、塩化白金酸(0,1Mイソプロピ
ルアルコール溶液)0.1mg<OlOlmmol)を
加え、室温で一時間、50℃で一晩撹拌した。得られた
油状生成物をジエチルエーテル50−l、ヘキサン50
m1に溶解し、メタノ−1し5sN、トリエチルアミン
5−1を力■え、室温で5時間撹拌した。析出したアミ
ン塩をろ別し、ろ液を減圧濃縮した。得られた油状生成
物を再びジエチルエーテル50m1に溶解し少量のイオ
ン交換樹脂(Amberlite CG −120)
、活性炭を加え、室温で約1時間撹拌した。濾過、減圧
濃縮によりテトラエチレングリコールビス[3−(ジメ
トキシフェニルシリル)プロピル]エーテル2.20g
を得た。収率72%。
.1258.1166.1105.1076.952、
824、796、765 C論−1゜参考例 3 CHz = CHCH2(OCHt CHt )40
CH2CH= CHz−〉P h (M e O)2
S i CH2CHz CH2(OCHt CH2)4
0CHtCHtCHtSi(OMe)zPhテトラエチ
レングリコールジアリルエーテル1.37y(5,O−
−of)番こジクロロフェニルシラン1.−77y(1
2,0mmol) 、塩化白金酸(0,1Mイソプロピ
ルアルコール溶液)0.1mg<OlOlmmol)を
加え、室温で一時間、50℃で一晩撹拌した。得られた
油状生成物をジエチルエーテル50−l、ヘキサン50
m1に溶解し、メタノ−1し5sN、トリエチルアミン
5−1を力■え、室温で5時間撹拌した。析出したアミ
ン塩をろ別し、ろ液を減圧濃縮した。得られた油状生成
物を再びジエチルエーテル50m1に溶解し少量のイオ
ン交換樹脂(Amberlite CG −120)
、活性炭を加え、室温で約1時間撹拌した。濾過、減圧
濃縮によりテトラエチレングリコールビス[3−(ジメ
トキシフェニルシリル)プロピル]エーテル2.20g
を得た。収率72%。
’HNMR(CDCla)δ: 0.7−1.7(m、
8 H)、3.2−4.2 (m 、32 H)
、7.2−7.8(m。
8 H)、3.2−4.2 (m 、32 H)
、7.2−7.8(m。
10H)。
IR(neat): 2950.2890.1189.
1120.1086.813.740.702cm−’
。
1120.1086.813.740.702cm−’
。
参考例 4
CH2二〇 HCH2(OCHt CHz )−0CH
2CH= CHz−〉Me2(MeO)S ic Ht
c Hzc H2(OCHzc Ht)nOCH,CH
,CH2Si(CH2S1(Oポリエチレングリコール
ジアリルエーテル(平均分子量680 : H=13)
3.4Of(5,0+輸ol)のトルエン20m1溶液
にメトキシジメチルシラン1、35g(15,0mee
ol) 、塩化白金酸(1Mイソプロピルアルコール溶
液0.1mN、0.01+usol)を加え、室温で一
晩撹拌した。減圧濃縮後、得られた油状生成物をジエチ
ルエーテル5C)alに溶解し、メタノール5d、トリ
エチルアミン5mfを加え、室温で5時間撹拌した。析
出したアミン塩をろ別し、ろ液を減圧濃縮した。得られ
た油状生成物を再びジエチルエーテル100+ai’に
溶解し少量のイオン交換樹脂(Amberlite C
G−120>、活性炭を加え、室温で約1時間撹拌した
。ろ過、減圧濃縮によりポリエチレングリコールビス[
3−(メトキシジメチルシリル)プロピル]エーテル3
.22yを得た。収率75%(平均分子量860として
)。
2CH= CHz−〉Me2(MeO)S ic Ht
c Hzc H2(OCHzc Ht)nOCH,CH
,CH2Si(CH2S1(Oポリエチレングリコール
ジアリルエーテル(平均分子量680 : H=13)
3.4Of(5,0+輸ol)のトルエン20m1溶液
にメトキシジメチルシラン1、35g(15,0mee
ol) 、塩化白金酸(1Mイソプロピルアルコール溶
液0.1mN、0.01+usol)を加え、室温で一
晩撹拌した。減圧濃縮後、得られた油状生成物をジエチ
ルエーテル5C)alに溶解し、メタノール5d、トリ
エチルアミン5mfを加え、室温で5時間撹拌した。析
出したアミン塩をろ別し、ろ液を減圧濃縮した。得られ
た油状生成物を再びジエチルエーテル100+ai’に
溶解し少量のイオン交換樹脂(Amberlite C
G−120>、活性炭を加え、室温で約1時間撹拌した
。ろ過、減圧濃縮によりポリエチレングリコールビス[
3−(メトキシジメチルシリル)プロピル]エーテル3
.22yを得た。収率75%(平均分子量860として
)。
’HNMR(CDC1s>8 : 0.1 0.2 (
m、 Si−Me) 、0.5−1.3(m、5iCH
z)、1.6 2.2 (m 、 CH2CH2CHz
)、3.4−3.8(m、CH2Cl、CH20)、3
.6(s、OCH,CH,O)。
m、 Si−Me) 、0.5−1.3(m、5iCH
z)、1.6 2.2 (m 、 CH2CH2CHz
)、3.4−3.8(m、CH2Cl、CH20)、3
.6(s、OCH,CH,O)。
IR(neat) : 2885.1353.11o7
.1039.940cm””。
.1039.940cm””。
参考例 5
CH2=CHCH2(OCH2CH2>、10CH2C
H=CH2−〉(Men)、 S iCH2CHzc
H! (OCHtc Ht)−OCH2CH! CH2
S i (OMe)!ポリエチレングリコールジアリル
エーテル(平均分子量680 ; n=13)3.4g
(5,0mmol)のトリクロロシラン1 、52ta
l (15,0aeaeol)の混合物に水冷下塩化白
金酸(0,1Mイソプロピルアルコール溶液>0.1m
1(0,01−一〇りを加え、水冷下1時間、室温で1
8時間撹拌した。
H=CH2−〉(Men)、 S iCH2CHzc
H! (OCHtc Ht)−OCH2CH! CH2
S i (OMe)!ポリエチレングリコールジアリル
エーテル(平均分子量680 ; n=13)3.4g
(5,0mmol)のトリクロロシラン1 、52ta
l (15,0aeaeol)の混合物に水冷下塩化白
金酸(0,1Mイソプロピルアルコール溶液>0.1m
1(0,01−一〇りを加え、水冷下1時間、室温で1
8時間撹拌した。
減圧濃縮後、得られた油状生成物をジエチルエーテル8
0社に溶解し、少量のイオン交換樹脂(Amberli
te CG −120) 、活性炭を加え、室温で約1
時間撹拌した。以下、参考例4と同様にしてポリエチレ
ングリコールビス[3−(トリエトキシシリル)プロピ
ル]エーテル3.3gを得た。収率71%(平均分子量
920として)。
0社に溶解し、少量のイオン交換樹脂(Amberli
te CG −120) 、活性炭を加え、室温で約1
時間撹拌した。以下、参考例4と同様にしてポリエチレ
ングリコールビス[3−(トリエトキシシリル)プロピ
ル]エーテル3.3gを得た。収率71%(平均分子量
920として)。
’HNMR(CDCl s)δ: 0.8 2.0 (
m、 CHzCHzCHas i) 、3.52 (8
、OMe)、3.1 3.7 (m 、 CH*O)
。
m、 CHzCHzCHas i) 、3.52 (8
、OMe)、3.1 3.7 (m 、 CH*O)
。
IR(neat):2950.288o、146o、1
353.1192.1090.95 0.826.788cm−’。
353.1192.1090.95 0.826.788cm−’。
参考例 6
CH2= CHCH* (OCHt CH* )40
Me−一÷Me(E to)z S iCHzCH2C
H2(QCHzc HtLOMeテトラエチレングリコ
ールアリルメチルエーテル4 、96g(20mmol
) (7) )/レニン100社溶液にジェトキシメチ
ルシラン3.36y(25m輸of)、クロロロジウム
トリス(トリフェニルポスフィン)10mg(0,O1
mmol)をカ■え、80’Cで一晩撹拌した。溶媒を
減圧濃縮後、減圧蒸留によりテトラエチレングリコール
[3−(ジェトキシメチルシリル)プロピルコメチルエ
ーテル6.72gを得た。収率88%。
Me−一÷Me(E to)z S iCHzCH2C
H2(QCHzc HtLOMeテトラエチレングリコ
ールアリルメチルエーテル4 、96g(20mmol
) (7) )/レニン100社溶液にジェトキシメチ
ルシラン3.36y(25m輸of)、クロロロジウム
トリス(トリフェニルポスフィン)10mg(0,O1
mmol)をカ■え、80’Cで一晩撹拌した。溶媒を
減圧濃縮後、減圧蒸留によりテトラエチレングリコール
[3−(ジェトキシメチルシリル)プロピルコメチルエ
ーテル6.72gを得た。収率88%。
bp:150 ℃10 、 1mm
’HNMR(CDCI 3>8 : 0.11 (s
、 3 H)、0.3−0.9 (m 、 2 H)
、1.40 (t 。
、 3 H)、0.3−0.9 (m 、 2 H)
、1.40 (t 。
J =7 Hz、 6 H) 、1.4−1.9 (m
。
。
2 H) 、3.33(s、 3 H) 、3.35−
4.1(m、22H)。
4.1(m、22H)。
IR(neat) : 2890.1256.11o7
.1080.949.826.799. 767cm−’。
.1080.949.826.799. 767cm−’。
実施例 I
Me (E t O)2 S i CHx CHz C
H2(OCH2CH2)、OCH2CHzCHzSi(
OEt)zMe + Si (OEt) 4+ P
E OS 参考例1で得たポリエチレングリコールビス[3−(ジ
ェトキシメチルシリル−)プロピル]エーテル(平均分
子量950;n=13)474B(0,5mmol)
、テトラエトキシシラン2l−3(0,1−輸o1)、
過塩素酸リチウム38−g(0゜71m5iol)をア
セトン10mj!に溶解し、濃塩酸2滴を加えた。この
溶液を底面4cmX4cmのテフロン製の器(水準器を
用い底面を水平に保った)に注ぎ、全体をシャーレ−で
覆った。シャーレ−は溶媒が自然蒸発するよう、床面と
の間に若干の隙間をあけた。このものを室温で3日間放
置することにより均一なゴム状無色透明膜を得た。この
膜をさらに3日間室温で真空乾燥し、より弾性の大きい
ゴム状無色透明膜を得た。
H2(OCH2CH2)、OCH2CHzCHzSi(
OEt)zMe + Si (OEt) 4+ P
E OS 参考例1で得たポリエチレングリコールビス[3−(ジ
ェトキシメチルシリル−)プロピル]エーテル(平均分
子量950;n=13)474B(0,5mmol)
、テトラエトキシシラン2l−3(0,1−輸o1)、
過塩素酸リチウム38−g(0゜71m5iol)をア
セトン10mj!に溶解し、濃塩酸2滴を加えた。この
溶液を底面4cmX4cmのテフロン製の器(水準器を
用い底面を水平に保った)に注ぎ、全体をシャーレ−で
覆った。シャーレ−は溶媒が自然蒸発するよう、床面と
の間に若干の隙間をあけた。このものを室温で3日間放
置することにより均一なゴム状無色透明膜を得た。この
膜をさらに3日間室温で真空乾燥し、より弾性の大きい
ゴム状無色透明膜を得た。
得られた膜の物性値
イオン伝導度: a =1.4X1G−’S−am−’
(25℃)引張り強度: 7.9 kg/am2 破断時伸び=25% 実施例 2−22 参考例1〜5で得たポリエチレングリコールビス(3−
シリルプロピル)エーテル[1]を用い、実施例1と同
様にしてPE0S膜を作成した。試薬の量、反応条件、
および得られた膜のイオン伝導度等を下記衣−1にまと
めて示す。
(25℃)引張り強度: 7.9 kg/am2 破断時伸び=25% 実施例 2−22 参考例1〜5で得たポリエチレングリコールビス(3−
シリルプロピル)エーテル[1]を用い、実施例1と同
様にしてPE0S膜を作成した。試薬の量、反応条件、
および得られた膜のイオン伝導度等を下記衣−1にまと
めて示す。
実施例 23
Me(E to)aS iCH2CH2CH2(OCH
2CHzLOMe + Si (OEt)<−〉P
EO3参考例参考書6テトラエチレングリコール[3−
(ジェトキシメチルシリル)プロピルコメチルエーテル トキシシラン210醜g(1. 0ssol) 、過塩
素酸リチウム21+u(0.2ssol)をアセトン1
0+++1に溶解し、濃塩酸2滴を加えた.以下、実施
例1と同様にしてゴム状無色透明膜を得た。
2CHzLOMe + Si (OEt)<−〉P
EO3参考例参考書6テトラエチレングリコール[3−
(ジェトキシメチルシリル)プロピルコメチルエーテル トキシシラン210醜g(1. 0ssol) 、過塩
素酸リチウム21+u(0.2ssol)をアセトン1
0+++1に溶解し、濃塩酸2滴を加えた.以下、実施
例1と同様にしてゴム状無色透明膜を得た。
得られた膜の物性値
イオン伝導度: 6 =0.61xlG−’S ( a
m−’(25℃)引張り強度: 2 、8 kg7Cm
”破断時伸び:23% 実施例 24 参考例1で得たポリエチレングリコールビス[3−(ジ
ェトキシメチルシリル)プロピル]エーテル(平均分子
量950:n=13)4741111(0. 5sso
l) 、ジメチlレジエトキシシラン1 5mg(0
、 1ssol) 、テトラエチレングリコールジメチ
ルエーテル(TG)O.ly、過塩素酸リチウムo.
1gをアセトン10輸1に溶解し、濃塩酸2滴を加えた
.以下、実施例1と同様にしてTGを保持したPEOS
膜(0.6g)を自立性膜として得た。
m−’(25℃)引張り強度: 2 、8 kg7Cm
”破断時伸び:23% 実施例 24 参考例1で得たポリエチレングリコールビス[3−(ジ
ェトキシメチルシリル)プロピル]エーテル(平均分子
量950:n=13)4741111(0. 5sso
l) 、ジメチlレジエトキシシラン1 5mg(0
、 1ssol) 、テトラエチレングリコールジメチ
ルエーテル(TG)O.ly、過塩素酸リチウムo.
1gをアセトン10輸1に溶解し、濃塩酸2滴を加えた
.以下、実施例1と同様にしてTGを保持したPEOS
膜(0.6g)を自立性膜として得た。
得られた膜の物性値
イオン伝導度: σ=0.52X 1G−’S − c
ee−’(25℃)引張り強度: 5.6 kglc醜
2 破断時伸び=27% 実施例 25−32 実施例24と同一の条件下、TGの量のみ異なる膜を作
製した,TGの保持量とティオン伝導度を下記衣−2に
示す。
ee−’(25℃)引張り強度: 5.6 kglc醜
2 破断時伸び=27% 実施例 25−32 実施例24と同一の条件下、TGの量のみ異なる膜を作
製した,TGの保持量とティオン伝導度を下記衣−2に
示す。
表−2.TO含有PEOS膜のイオン伝導度25
40 0、09x 10″″42
6 60 G.56X 10
−’27 、 100 G.91
X 1G−’28 120
1、6 XIO−429 140
3、3 XIO−’30 160
5、4 XIG−’31 200
3、3 xlO−’”PE081g%に対
するXt% 参考例 7 実施例2で得たPEOS膜をプロピレンカーボナート(
p.c)に室温で一晩浸した.得られた膨潤体をろ紙に
挟み、五酸化リン存在下、デシケータ−中で約30分間
放置した.このようにして得た膜は、初めに用いた膜の
260%の重量を示した。
40 0、09x 10″″42
6 60 G.56X 10
−’27 、 100 G.91
X 1G−’28 120
1、6 XIO−429 140
3、3 XIO−’30 160
5、4 XIG−’31 200
3、3 xlO−’”PE081g%に対
するXt% 参考例 7 実施例2で得たPEOS膜をプロピレンカーボナート(
p.c)に室温で一晩浸した.得られた膨潤体をろ紙に
挟み、五酸化リン存在下、デシケータ−中で約30分間
放置した.このようにして得た膜は、初めに用いた膜の
260%の重量を示した。
イオン伝導度:σ=8.8xlO−’S H all−
’ (室温)参考例 8 実施例22で得たPEOS膜を、過塩素酸リチウム(メ
タノール溶液、1モル/1)に浸漬し、室温で一晩放置
した.この膜を3日間真空乾燥することにより、イオン
伝導性を有するPEOS膜を得た。
’ (室温)参考例 8 実施例22で得たPEOS膜を、過塩素酸リチウム(メ
タノール溶液、1モル/1)に浸漬し、室温で一晩放置
した.この膜を3日間真空乾燥することにより、イオン
伝導性を有するPEOS膜を得た。
イオン伝導度: tj =1.2X10−’Sーamー
’ (25℃)参考例 9 実施例1で得た固体電解質を用い、電着PB(プルシア
ンブルー)および蒸着WOsを対向極とした透過型EC
Dセルを作成した(第1図参照)。
’ (25℃)参考例 9 実施例1で得た固体電解質を用い、電着PB(プルシア
ンブルー)および蒸着WOsを対向極とした透過型EC
Dセルを作成した(第1図参照)。
このセルを用い、PBを作用極として+1.0から−1
.Ovで着消色を行なった.このセルの応答速度(電気
量の半減期tl/□)は以下のとおりであった。
.Ovで着消色を行なった.このセルの応答速度(電気
量の半減期tl/□)は以下のとおりであった。
消色時:t+zt=1、6S
着色時: j+zz=2. 1 s
第1図は参考例19で用いた透明型EDCセルの断面図
である。 PEOSの膜厚:100,um PBの電着量=8ミリクローン/C論2PB.WOlの
反応面積=2011×2c輸1ニガラス 2:ITO(インジウムチンオキシド)電極3:電着P
B(プルシアンブルー) 4:実施例1で得たPEOS 5 :WO,(酸化タングステン) 6:シール
である。 PEOSの膜厚:100,um PBの電着量=8ミリクローン/C論2PB.WOlの
反応面積=2011×2c輸1ニガラス 2:ITO(インジウムチンオキシド)電極3:電着P
B(プルシアンブルー) 4:実施例1で得たPEOS 5 :WO,(酸化タングステン) 6:シール
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 (R^1)_2R^2Si(CH_2)_3(OCH_
2CH_2)_nOR^3( I )式中、nは2〜50
の整数を表わし;R^1はアルキル基、アリール基また
はアルコキシ基を表わし;R^2はアルコキシ基を表わ
し;R^3はアルキル基または式−(CH_2)_3S
i(R^4)_2R^5の基を表わし、ここでR^4は
アルキル基、アリール基またはアルコキシ基を表わし、 R^5はアルコキシ基を表わす、 で示されるオリゴエチレンオキシド誘導体を一般式 (R^6)_mM(OR^7)_4_−_m(II)式中
、mは0、1または2を表わし;R^6はアルキル基ま
たはアリール基を表わし;R^7は水素原子、アルキル
基またはアリール基を表わし;Mはケイ素原子またはチ
タン原子を表わす、 で示される含金属化合物と反応させることにより得られ
るポリエチレンオキシド−ポリシロキサン重合体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP499188A JPH01182325A (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | ポリエチレンオキシド‐ポリシロキサン重合体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP499188A JPH01182325A (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | ポリエチレンオキシド‐ポリシロキサン重合体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01182325A true JPH01182325A (ja) | 1989-07-20 |
Family
ID=11599075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP499188A Pending JPH01182325A (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | ポリエチレンオキシド‐ポリシロキサン重合体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01182325A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0532408A1 (fr) * | 1991-09-13 | 1993-03-17 | Saint-Gobain Vitrage International | Polymère conducteur protonique, application en tant qu'électrolyte dans des dispositifs électrochimiques |
| FR2681328A1 (fr) * | 1991-09-13 | 1993-03-19 | Saint Gobain Vitrage Int | Polymere conducteur protonique, application en tant qu'electrolyte dans des dispositifs electrochimiques. |
| EP1094089A1 (de) * | 1994-04-18 | 2001-04-25 | Institut Für Neue Materialien Gem. Gmbh | Elektrolyt für Elektrochrome Systeme |
| JP2001319691A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Kagawa Industry Support Foundation | 複合電解質 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5560557A (en) * | 1978-10-31 | 1980-05-07 | Toshiba Silicone Co Ltd | Cold-curing composition |
| JPS60156733A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-08-16 | ダウ コーニング コーポレーシヨン | オルガノポリシロキサン‐ポリオキシアルキレンブロツク コポリマーの製造方法 |
| JPS6236424A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-17 | ダウ・コ−ニング・リミテツド | ポリオルガノシロキサン−ポリオキシアルキレン共重合体およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-01-14 JP JP499188A patent/JPH01182325A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5560557A (en) * | 1978-10-31 | 1980-05-07 | Toshiba Silicone Co Ltd | Cold-curing composition |
| JPS60156733A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-08-16 | ダウ コーニング コーポレーシヨン | オルガノポリシロキサン‐ポリオキシアルキレンブロツク コポリマーの製造方法 |
| JPS6236424A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-17 | ダウ・コ−ニング・リミテツド | ポリオルガノシロキサン−ポリオキシアルキレン共重合体およびその製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0532408A1 (fr) * | 1991-09-13 | 1993-03-17 | Saint-Gobain Vitrage International | Polymère conducteur protonique, application en tant qu'électrolyte dans des dispositifs électrochimiques |
| FR2681328A1 (fr) * | 1991-09-13 | 1993-03-19 | Saint Gobain Vitrage Int | Polymere conducteur protonique, application en tant qu'electrolyte dans des dispositifs electrochimiques. |
| US5283310A (en) * | 1991-09-13 | 1994-02-01 | Saint-Gobain Vitrage International | Proton conducting polymer, and application thereof as electrolyte in electrochemical devices |
| EP1094089A1 (de) * | 1994-04-18 | 2001-04-25 | Institut Für Neue Materialien Gem. Gmbh | Elektrolyt für Elektrochrome Systeme |
| JP2001319691A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Kagawa Industry Support Foundation | 複合電解質 |
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