JPH01185639A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

口、従来技術 従来、電子写真感光体として、アモルファスシリコン（
ａ−３ｔ）を母体として用いた電子写真感光体が近年に
なって提案されている。

このようなａ−３ｉはいわゆるダングリングボンドを有
しているため、この欠陥を水素原子で補償して暗抵抗を
大としかつ光導電性も向上させたアモルファス水素化シ
リコン（ａ−３ｉ：Ｈ）が提案されている。

しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで十分な検討がなされていない
。例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−３ｉＣ：Ｈ
と称する。）について、その製法や存在が”　Ｐｈ１１
．　　Ｍａｇ、　Ｖｏｌ、　３５”　　（１９７８）等
に記載されており、その特性として、耐熱性や表面硬度
が高いこと、ａ−３ｉ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（
１０”〜１０′３Ω−ｃｍ）を有すること、炭素量によ
り光学的エネルギーギャップが１．６〜２．８ｅＶの範
囲に亘って変化すること等が知られている。

但、炭素の含有によりバンドギャップが拡がるために長
波長感度が不良となるという欠点がある。

こうしたａ−３ｉＣ：Ｈとａ−３ｉ：）ｌとを組合せた
電子写真感光体は例えば特開昭５７−１１５５５９号公
報において従案されている。これによれば、ａ−３ｉ：
Ｉ（からなる電荷発生層上にａ−３ｉＣ：８層を表面改
質層として形成している。

しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けても、未だ期待
した程には効果がな（、特に画像流れが生じ易いことが
判明した。

ハ９発明の目的 本発明の目的は、繰返し使用に耐え、良好な画像を得る
ことのできる感光体を提供することにある。

二１発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、アモルファス水素化及び／又はハロゲ
ン化シリコンからなる電荷発生層と、アモルファス水素
化及び／又はハロゲン化炭化シリコンからなる電荷輸送
層と、炭素原子及び酸素原子のうち少なくとも炭素原子
を含有するアモルファス水素化及び／又はハロゲン化シ
リコンからなる表面改質層とを有し、この表面改質層が
、９ｏ　≧１０１１Ω−ｃｍ及び０．０１≦ｌ）Ｌ／ｆ
）ｏ　≦１．０（但し、ρ。は暗所での比抵抗、ρＤは
光照射時の比抵抗である。） なる条件を満している感光体に係るものである。

本発明によれば、表面改質層は炭素原子及び酸素原子の
少なくとも炭素原子を含有しているので、層の機械的強
度が大となり、白スジ発生等による画質の劣化がなく、
耐刷性が優れたものとなる。

しかも、表面改質層の比抵抗の条件として、ρ。≧１０
１１Ω−ｃＩ１１と暗所比抵抗を十分に大きくして感光
体としての電荷の暗減衰を著しく小さくし、画像形成時
の画像流れを大きく減少させると共に、ρＬ／ρ。を０
．Ｏ１〜１．０に設定して耐画像流れに加えて光感度も
良好にしている。即ち、ρ。は、１０１１Ω−０１１１
未満であると電荷の減衰が激しくなり、またρＬ／ρＤ
が０．０１未満でもρＤが小さすぎてこれも耐画像流れ
にとって不適当である。

また、上記の電荷発生層と上記の電荷輸送層とを設けて
機能分離型の積層構造としているので、電荷発生層によ
って広い波長域での光感度を得、かつこの電荷発生層と
へテロ接合を形成する電荷輸送層によって電荷輸送能と
帯電電位の向上とを図ることができる。

ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第１図は、本実施例によるａ−３ｉ系電子写真感光体３
９を示すものである。この感光体３９はへ１等のドラム
状導電性支持基板４１上に、必要に応じて設けられるａ
−３ｉ系の電荷ブロッキング層４４と、アモルファス水
素化炭化シリコン（ａ−３ｉＣ：Ｈ）からなる電荷輸送
層４２と、ａ−５ｉ：Ｈからなる電荷発生層４３と、Ｃ
及びＯの少なくともＣを含有する水素化アモルファスシ
リコン（又はａ−３ｉＣ：Ｈ）からなる表面改ｌｉ層４
５とが積層された構造からなっている。電荷ブロッキン
グ層４４は、ａ−３ｉ：Ｈｌａ−３ｉＣ：Ｈ又はａ　−
Ｓ　ｉ　Ｎ　：　Ｈからなっていてよく、また周期表第
１Ｉ［Ａ族又は第ＶＡ族元素がドープされていてよい。

また、電荷輸送層４２、電荷発生層４３にも同様の不純
物がドープされていてよい。電荷発生層４３は、暗所抵
抗率ρ。と光照射時の抵抗率ρＤとの比が電子写真感光
体として充分太き（光感度（特に可視及び赤外領域の光
に対するもの）が良好である。なお、上記の層４３−４
５間には、ａ−３ｉＣ等の中間層を設けてもよい。

ここで注目すべきことは、表面改質層４５がＣ１０の少
なくともＣを含有するａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈ又はａ−
３ｉ　（Ｃｏ）：Ｈからなっていることである。

これによって、表面改質層４５の機械的強度が向上する
。表面改質層４５の組成については、１０ａｔｍ％≦（
Ｃ）又は（Ｃ＋　Ｏ）≦１００ａ　ｔｍ％（但し、（Ｓ
　ｉ）　＋　（Ｃ）　＝　１１００ａｔ％又は（Ｓ　　
ｉ）　　　＋　　　（Ｃ）　　　十　　（０）　　　＝
　　　１１００ａｔ　　％）とするのが望ましく、 ４０ａ　Ｌｍ％≦（Ｃ）又は（Ｃ＋Ｏ）≦７０ａｔｍ％
とするのが更に望ましい（ここで、ａｔｍ％は原子数の
百分率を表す）。Ｃ又はＣ＋０の含有量が少なすぎても
多すぎても耐スクラッチ性向上の効果に乏しくなる。

また、この感光体の他の注目点は、表面改質層４５のρ
Ｉ、（暗所での比抵抗）とρＬ　（光照射時の比抵抗）
とについて、 ρ０≧１０１１Ω−■ （望ましくはρＤ≧１ＱＩＺΩ−ａｎ）０．０１≦ρＬ
／ρ０≦１．０ （望ましくは０．１　≦ρＬ／ρ。≦１．０、更に望ま
しくは０．５　≦ρＬ／ρ。≦１．０）を満足している
ことである。即ち、ρＤが１０１１Ω−口より小さ（、
ρＬ／ρ。が０．０１より小さいと、電荷の保持が著し
く不十分とな４て画像流れが激しくなる。なお、ρ。及
びρＬ／ρゎは、表面改質層中の炭素量、或いは水素又
はハロゲン量によってコントロール可能である。

また、表面改質層４５の膜厚は２００〜３０，０００人
とすることが望ましく、１，０００〜１０，０００人と
するのが更に望ましい。膜厚が大きすぎると、残留電位
Ｖ、が高くなりすぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−３ｉ
系感光体としての良好な特性を失い易く、また膜厚が小
さすぎると、トンネル効果によって電荷が表面上に帯電
されなくなるため、暗減衰の増大や光感度の低下が生じ
てしまう。

電荷発生層４３はａ−３ｉ：Ｈからなっていてよく、そ
の組成としては、Ｕを５〜４０ａｔｍ％とするのがよく
、Ｈに代えて或いは併用してハロゲンを含有するときに
はハロゲン５〜４０ａ　ｔｍ％、或いはＨとハロゲンと
の合計量は５〜４０ａ　Ｌｍ％とするのがよい。この電
荷発生層４３は帯電能向上のために不純物、特に周期表
第１ｔ［Ａ族又はＶＡ族元素をドープするとよい。例え
ば、後述のグロー放電時に、 （Ｂｚ　Ｈｂ　）　／　（Ｓ　ｉ　Ｈａ　）　〜１０−
’〜１００（好ましくは１０４〜１０）容量ｐｐｍ、（
Ｐ　Ｈｓ　）　　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）　〜１０−３〜
１００（好ましくは１０−２〜１０）容量ｐｐｍとして
よい。

また、この層４３の厚みは１〜５０μｍ、好ましくは５
〜３０μｍとするのがよい。層４３の厚みが小さすぎる
と十分な帯電電位が得られず、また大きすぎると残留電
位が上昇し、実用上不充分である。

電荷輸送層４２は電位保持及び電荷輸送の両機能を担い
、暗所抵抗率が好ましくは１０１２Ω−備以上あって、
耐高電界性を有し、単位膜厚当りに保持される電位が高
く、しかも電子を大きな移動度と寿命を以って効率よく
支持体１側へ輸送する。

また、炭素含有量（特に５〜３０ａ　Ｌｍ％）によって
エネルギーギャップの大きさを調節できるため、電荷発
生層４３において光照射に応じて発生した電子に対し障
壁を作ることなく、効率よく注入させることができる。

従ってこのａ−３ｉＣ：Ｈ層４２は実用レベルの高い表
面電位を保持し、ａ　−３ｉ　ｓＨ層４３で発生した電
荷担体を効率良く速やかに輸送し、高感度で残留電位の
ない感光体とする働きがある。

この電荷輸送層４２の炭素原子含有量を５〜３０ａｔｍ
％（更には１０〜２０ａｔｍ％）にするのがよい（但、
ＳｉとＣとの合計原子数は１００ａ　ｔｍ％）。

即ち、炭素原子含有量が５．ａｔｍ％未満では、ａ−３
ｉＣ：Ｈ層２の比抵抗が電位保持能に必要な１０１２Ω
−印を下廻るために特に帯電電位が不充分となり易い。

また、炭素原子含有量が３０ａ　ｔｍ％を越えると、比
抵抗がやはり低下すると同時に、炭素原子が多すぎてａ
−３ｉＣｓＨ層中での欠陥が増えてキャリア輸送能自体
が悪（なり易い。

この層４２には、水素原子が５〜５０ａ　ｔｎ＋％含有
されているのがよく、Ｈに代えて或いは併用してハロゲ
ンを含有するときにはハロゲン５〜５０ａ　ｔｍ％、或
いはＨとハロゲンとの合計量は５〜５０ａ　ｔｎ＋％と
するのがよい。この層４２は帯電能向上のために不純物
、特に周期表第１１１Ａ族又はＶＡ族元素をドープする
とよい。例えば、後述のグロー放電時に、（Ｂｚ　　Ｈ
ｈ　　）　　／　　（Ｓ　　ｉ　　Ｈ４）　　〜１０−
３〜１０００（好ましくは１０−”　〜１０”　）容量
ｐｐｍ、（Ｐ　Ｈａ　　）　　　／　　（Ｓ　ｉ　Ｈａ
　　）　　＝１０−３〜１０００（好ましくは１０−”
　〜１０ｚ）容ｆｆｉｐｐｍとしてよい。

更に、この電荷輸送層４２の膜厚は、例えばカールソン
方式による乾式現像法を適用するためには５μｍ〜３０
μｍであることが望ましい。この膜厚が５μｍ未満であ
ると薄すぎるために現像に必要な表面電位が得られず、
また３０μｍを越えるとキャリアの支持体４１への到達
率が低下してしまう。

また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のために
は、周期表第１ＩＩＡ族元素（例えばボロン）をグロー
放電分解でドープして、Ｐ型（更にはＰ生型）化する。

ブロッキング層の組成によって、次のようにドーピング
量を制御するのが望ましい。

ａ−３ｉ：Ｈ（Ｈ含有量　５〜４０ａｔｍ％）：（Ｂｚ
　Ｈｌ、”Ｊ　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４］　＝１０−’〜１
０４容量ｐｐｍ（更には１０−　’〜１０”容量ｐｐ醜
）（Ｐ　Ｈｌ　）　　／　（Ｓ　ｉＨ４）　＝１０−”
〜１０’容１ｐｐｍ（更には１０−’〜１０”容量ｐｐ
ｍ）ａ−３ｉＣ：Ｈ（Ｈ含有量５〜５０ａｔ１１１％、
Ｃ含有量５〜１００ａｔ鴫　％）　　： （Ｂｚ　Ｈｂ　）　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）　＝１０−’
〜１０’容１ｐｐｍ（更には１０−１〜１０４容量ｐｐ
ｍ）（Ｐ　Ｈｓ　）　　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）　＝１０
−３〜１０＆容量ｐｐｍ（更には１０−１〜１０４容量
ｐｌ）ｍ）ａ−３ｉＮ：Ｈ（Ｈ含有量５〜５０ａｔｍ％
、Ｎ含有１５〜６０ａｔｍ　　％）　； （Ｂ！　Ｈ，）　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４〕＝１０−”〜１
０６容量ｐｐｍ（更には１０−１〜１０４容量ｐｐｍ）
（Ｐ　Ｈｌ　）　　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ−）　＝１０−３
〜ｂ（更には１０−’〜１０’容量ｐｐｍ）また、ブロ
ッキング層４４は膜厚１００人〜２μｍがよい。厚みが
小さすぎるとブロッキング効果が弱く、また大きすぎる
と電荷輸送能が悪くなり易い。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。

特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダングリング
ボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させる
ために必要である。

また、上記の層４２．４３の順序は逆にしてもよい。ま
た、ドープする不純物としては、ボロン以外にもＡ２、
ＧａＸ　ＩｎＸＴｆｆｉ等の周期表ＩＩ［Ａ族元素を使
用できるし、またリン以外にもＡｓ、ｓｂ等の周期表第
ＶＡ族元素を使用できる。

次に、上記した怒光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第２図について説明す
る。

この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの円
筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波
電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の６２はＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物の供給源
、６３はＣＨ，等の炭化水素ガスの供給源、６４はＮ２
等の窒素化合物ガスの供給源、６５は０□等の酸素化合
物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供給源、
６７は不純物ガス（例えばＢ２Ｈ４）供給源、６８は各
流量計である。このグロー放電装置において、まず支持
体である例えばＡｌ基板４１０表面を清浄化した後に真
空槽５２内に配宜し、真空槽５２内のガス圧が１０−”
Ｔ　ｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１
を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５０
〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度の不活性
ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ４又はガス状シリコ
ン化合物、ＣＨ４、ＮＺ　、ＣＯＸ、０□等を適宜真空
Ｗ！５２内に導入し、例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの
反応圧下で高周波電源５６により高周波電圧（例えば１
３．５６　Ｍｌｌｚ）を印加する。これによって、上記
各反応ガスを電極５７と基板４１との間でグロー放電分
解し、ａ−ＳｉＣ：Ｈｌａ−３ｉＣ：Ｈ，ａ−３ｉ　：
Ｈ，、ａ−３ｉＣ：Ｈを上記の層４４．４２．４３．４
５として基板上に連続的に（即ち、例えば第１図の例に
対応して）堆積させる。

上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０　”Ｃとし
ているので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良（す
ることができる。

なお、上記ａ−３ｉ系感光体の各層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフッ素等のハロゲンをＳ
　ｉ　Ｆ４等の形で導入し、ａ−３ｉ　：Ｆ、ａ−３ｔ
　：Ｈ：Ｆ、ａ−３ｉＮ：Ｆ。

ａ−３ｉＮ：Ｈ：Ｆ、ａ−３ｉＣ：Ｆ。

ａ−３ｉＣ：Ｈ：Ｆ等とすることもできる。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にもスパンタリング法、イオンブレー
ティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化された
水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人に
よる特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２４
５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可能
である。

以下、本発明を具体的な実施例について説明する。

グロー放電分解法により、ドラム状Ａｌ支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ａｌ基板４１の表面を清浄化した後に、第２図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０−’
Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を
所定温度、°特に１００〜３５０℃（望ましくは１５０
〜３００℃）に加熱保持する。

次いで、高純度のＡｒガスをキャリアガスとして導入し
、０．５　Ｔｏｒｒの背圧のもとで周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波電力を印加し、１０分間の予備放電を行っ
た。次いで、ＳｉＨ，とＢｚＨｂからなる反応ガスを導
入し、流量比１　：　１　：　　（１，５Ｘｌ０−’）
の（Ａ　ｒ＋　Ｓ　ｉ　Ｈ４＋Ｂｚ　Ｈａ　）　／昆合
ガスをグロー放電分解することにより、電荷ブロッキン
グ機能を担うＰ生型のａ−３ｉＣ：Ｈ層４４を６μｍ／
　ｈ　ｒの堆積速度で所定厚さに製膜した。次いで５Ｉ
Ｈ４に対するＢ、Ｈ，の流量比を１：（６Ｘ１０−’）
として電荷輸送層４２を６μｍ／ｈｒの堆積速度で順次
所定厚さに製膜した。引き続き、Ｂ、Ｈ，及びＣＨ，を
供給停止し、ＳｉＨ，を放電分解し、所定厚さのａ−３
ｉ：Ｈ層４３を形成した。更に、流量比４０：３：９０
の（Ａｒ：５ｔＨａ：　ＣＨ４）　ｒＲ合ガスを反応圧
力Ｐ　＝０．５　Ｔｏｒｒ　。

放電パワーＲｆ＝　４００Ｗでグロー放電分解し、所定
厚さの中間層を形成し、更に流量比４０：３：９０の（
Ａ　ｒ　：　Ｓ　ｉ　Ｈ４：　ＣＨａ　）混合ガスを反
応圧力Ｐ　＝１．ＯＴｏｒｒ　％放電パワーＲｔ　＝　
４００Ｗでグロー放電分解して表面保護層４５を更に設
け、電子写真感光体を完成させた。この際、供給するＣ
Ｈ，量や反応圧力、Ｒ，パワーを適宜制御することによ
って表面層４５のρ。、ρＤを種々変化させた。

なお、表面層４５をａ　−３ｉ　Ｃｏとするときは、酸
素源としてＣＯ２を使用した。

次に・、上記の各感光体を使用して次のテストを行なっ
た。

貞像人並 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ　−Ｂ　１ｘ２５００　（コニカ株式会社
製）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、ブ
レードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った後
、画像出しを行ない、以下の基準で画像流れの程度を判
定した。

◎二画像流れが全くなく、５．５ポイントの英字や細線
の再現性が良い。

○：５．５ポイントの英字がやや太くなる。

△：５．５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。

Ｘ：５．５ポイントの英字判読不能。

感度（半減　　　Ｅｌ／□） 上記の装置を用い、グイクロイックミラー（光伸光学社
製）により像露光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成
分をシャープカットし、表面電位を５００■から２５０
Ｖに半減するのに必要な露光量。

（露光量は５５０−１型光量計（Ｅ　Ｃ’ａｎｄＧ社製
）にて測定） 結果を下記表−１にまとめて示した。この結果から、本
発明に基いて感光体（Ｎｌｌ−３，５〜１２）を作成す
れば、電子写真感光体として特に画像流れが著しく少な
く、光感度も良いものが得られた。

表−１ なお、上記のρ９、ρＤ／ρ。は第３図に示すように、
層４５の光学的バンドギャップ（Ｅｇ、ｏｐｔ）によっ
て変化すること、換言すれば炭素又は水素含有量によっ
て変化することが分った。

従って、ρＤ≧１０１Ω−ｃｍ、ρＬ　／　ｆ）ｎ　＝
０．０１〜１．０を満たすには、Ｅｇ、ｏｐｔはほぼ２
．１ｅＶ以上とすべきことが分る。

次に、本発明に基づく機能分離型の感光体は実験の結果
、帯電特性も優れていることが分った。

測定は次の通りに行い、結果を下記表−２に示した。

留！立Ｖ、Ｉ（ｖ） Ｕ　−Ｂ　１ｘ１６００改造機（コニカ■製）を使った
電位測定で、４００ｎｍにピークをもつ除電光３０１２
　ｕｘ・ｓｅｃを照射した後も残っている感光体表面電
位。

書９　立■。（Ｖ） Ｕ　　Ｂ　１ｘ１６００改造機（コニカ■製）を用い、
感光体流れ込み電流１５０μＡ、露光なしの条件で３６
０ＳＸ型電位計（トレソク社製）で測定した現像直前の
表面電位。

上記の装置を用い、ダイクロイックミラー（光伸光学社
製）により像露光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成
分をシャープカットし、表面電位を５００ｖから２５０
■に半減するのに必要な露光量。

（露光量は５５０−１型光量計（ＥＧａｎｄＧ社製）に
て測定） 表−２ 但し、上記表の各データ中、左側（＊１）は下記の本発
明に基づく機能分離型感光体、右側（＊２）は下記の単
層型感光体のデータを示す。

＊ｌ）支持体：Ａｌ、ブロッキング層：厚さ１μｍのボ
ロンドープドａ−３ｉＣ：Ｈ。

電荷輸送層：厚さ１２μｍのボロンドープドａ−３ｉＣ
：Ｈ，電荷発生層：厚さ７μｍのボロンドープドａ−３
ｉ：Ｈ１表面改質層：厚さ０．３．ｕｍのａ−３ｉＣ：
）（＊２）支持体：Ａｌ、ブロッキング層：厚さ１μｍ
のボロンドープドａ−３ｉＣ：Ｈ。

光導電性層：厚さ１９μｍのボロンドープドａ−３ｉ：
Ｈ１表面改質層：厚さ０．３ｐｍのａ−３ｉＣ：Ｈ

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−３ｉ系感光体の断面図、 第２図はグロー放電装での概略断面図、第３図は光学的
バンドギャップと比抵抗との関係を示すグラフ である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・ａ−３ｉ系感光体 ４１・・・・支持体（基板） ４２・・・・電荷輸送層 ４３・・・・電荷発生層 ４４・・・・電荷ブロッキング層 ４５・・・・表面改質層 である。 代理人　　弁理士　　逢　坂　　　宏

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アモルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコン
   からなる電荷発生層と、アモルファス水素化及び／又は
   ハロゲン化炭化シリコンからなる電荷輸送層と、炭素原
   子及び酸素原子のうち少なくとも炭素原子を含有するア
   モルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコンからな
   る表面改質層とを有し、この表面改質層が、 ρ＿Ｄ≧１０＾１＾１Ω−ｃｍ及び０．０１≦ρ＿Ｌ／
   ρ＿Ｄ≦１．０（但し、ρ＿Ｄは暗所での比抵抗、ρ＿
   Ｌは光照射時の比抵抗である。） なる条件を満している感光体。