JPH01185643A

JPH01185643A - 感光体

Info

Publication number: JPH01185643A
Application number: JP63009060A
Authority: JP
Inventors: Yuji Marukawa; 丸川　雄二; Tatsuo Nakanishi; 達雄中西; Satoshi Takahashi; 智高橋; Toshiki Yamazaki; 山崎　敏規
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1988-01-19
Filing date: 1988-01-19
Publication date: 1989-07-25

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】イ、産業上の利用分野本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

口、従来技術従来、電子写真感光体として、アモルファスシリコン（
ａ−３ｉ）を母体として用いた電子写真感光体が近年に
なって提案されている。

このようなａ−３４はいわゆるダングリングボンドを有
しているため、この欠陥を水素原子で補償して暗抵抗を
大としかつ光導電性も向上させたアモルファス水素化シ
リコン（ａ−３ｉ：Ｈ）が提案されている。

しかしながら、ａ−３ｔ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで十分な検討がなされていない
。例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−３ｉＣ：Ｈ
と称する。）について、その製法や存在が”　Ｐｈ１１
．　　Ｍａｇ、　Ｖｏｌ、　３５”　　（１９７８）等
に記載されており、その特、性として、耐熱性や表面硬
度が高いこと、ａ−３ｉ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率
（１０−２〜１０′３Ω−ｃｍ）を有すること、炭素量
ニより光学的エネルギーギャップが１．６〜２．８ｅＶ
の範囲に亘って変化すること等が知られている。

但、炭素の含有によりバンドギャップが拡がるために長
波長感度が不良となるという欠点がある。

こうしたａ−３ｉＣ：Ｈとａ−Ｓｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５７−１１５５５９号公報
において提案されている。これによれば、ａ−３ｉ：Ｈ
からなる電荷発生層上にａ−３ｉＣ：Ｈ層を表面改質層
として形成している。

しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けても、東だ期待
した程には効果がな（、特に画像流れが生じ易いことが
判明した。

特開昭６１−１６０７５４号公報には、表面改質層の局
在準位密度を５Ｘ１０”ａｍ−３以下とすることが述べ
られているが、これでは耐画像流れは不十分であること
が分った。

ハ６発明の目的本発明の目的は、繰返し使用に耐え、良好な画像を得る
ことのできる感光体を提供することにある。

二０発明の構成及びその作用効果即ち、本発明は、アモルファス水素化及び／又はハロゲ
ン化シリコンからなる電荷発生層と、アモルファス水素
化及び／又はハロゲン化炭化シリコンからなる電荷輸送
層と、炭素原子及び酸素原子のうち少なくとも炭素原子
を含有するアモルファス水素化及び／又はハロゲン化シ
リコンからなる表面改質層とを有し、この表面改質層の
ＥＳＲスピン密度が１．０Ｘ１０Ｉ９ｃ＋ｎ−３以上で
ある感光体に係るものである。

本発明によれば、表面改質層は炭素原子及び酸素原子の
少なくとも炭素原子を含有しているので、層の機械的強
度が大となり、白スジ発生等による画質の劣化がなく、
耐剛性が優れたものとなる。

しかも、表面改質層のＥＳＲスピン密度〔即ち、ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ　　５ｐｉｎ　　ｒｅｓｏｎａｎｃｅ　　（
電子スピン共鳴：磁場をかけて共鳴の大きさで局在準位
密度を測定する方法）で測定された局在準位密度であっ
て、不対電子又はダングリングボンド密度に相当するも
の。〕が１．０Ｘ１０”ｃ＋＋＋−３以上としたので、
感光体として画像形成時の画像流れが著しく減少するこ
とが判明したのである。

また、上記の電荷発生層と上記の電荷輸送層とを設けて
機能分離型の積層構造としているので、電荷発生層によ
って広い波長域での光感度を得、かつこの電荷発生層と
へテロ接合を形成する電荷輸送層によって電荷輸送能と
帯電電位の向上とを図ることができる。

ホ、実施例以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第１図は、本実施例によるａ−３ｉ系電子写真感光体３
９を示すものである。この感光体３９はＡ１等のドラム
状導電性支持基板４１上に、必要に応じて設けられるａ
−３ｉ系の電荷ブロッキング層４４と、アモルファス水
素化炭化シリコン（ａ−３ｉＣ：Ｈ）からなる電荷輸送
層４２と、ａ−３ｉ：）ｌからなる電荷発生層４３と、
Ｃ及び０の少な（ともＣを含有するアモルファス水素化
シリコン（又はａ−３ｉＣ（０）：Ｈ）からなる表面改
質層４５とが積層された構造がらなっている。電荷ブロ
ッキング層４４は、ａ−３ｉ：Ｈ，。

ａ−３ｉＣ：Ｈ又はａ−３ｉＮ：Ｈがらなっていてよく
、また周期表第ＨＡ族又は第ＶＡ族元素がドープされて
いてよい。また、電荷輸送層４２、電荷発生層４３にも
同様の不純物がドープされていてよい。電荷発生層４３
は、暗所抵抗率ρ。と光照射時の抵抗率ρ、との比が電
子写真感光体として充分大きく光感度（特に可視及び赤
外領域の光に対するもの）が良好である。なお、上記の
層４３−４５間には、ａ−３ｉＣ等の中間層を設けても
よい。

ここで注目すべきことは、表面改質層４５がＣ１０の少
なくともＣを含有するａ−３ｉＣ：Ｈ又はａ　−３ｉ　
　（Ｃｏ）　　：　Ｈからなっていることである。

これによって、表面改質層４５の機械的強度が向上する
。表面改質層４５の組成については、１０ａｔｍ％≦（
Ｃ）又は（Ｃ＋Ｏ）≦ｌｏｏａｔｍ％（但し、（Ｓ　ｉ
ｌ　＋　（Ｃ）　＝　１１００ａｔ％又は（Ｓ　ｉ）　
十（Ｃ）　＋　（Ｏ〕＝　ｌｏＯａｔｍ％）とするのが
望ましく、４０ａ　ｔｍ％≦（Ｃ）又は（Ｃ＋Ｏ’ｌ　≦７０ａ　
ｔｍ％とするのが更に望ましい（ここで、ａｔｍ％は原
子数の百分率を表す）。Ｃ又はＣ＋Ｏの含有量が少なす
ぎても多すぎても耐スクラッチ性向上の効果に乏しくな
る。

また、この感光体の他の注目点は、表面改質層４５のＥ
ＳＲスピン密度が１．ＯＸ１０１９ａｍ−３以上（望ま
しくはｌ、Ｑ　Ｘ　ＩＱ”ｃｍ−’以下）としているこ
とである。即ち、このスピン密度によって画像流れが著
しく生じ難くなったのである。このＥＳＲスピン密度は
表面改質層の組成、特に炭素量、或いは水素又はハロゲ
ン量によってコントロール可能である。

また、表面改質層４５の膜厚は２００〜３０　、０００
人とすることが望ましく、１　、０００〜１０．０００
人とするのが更に望ましい。膜厚が大きすぎると、残留
電位■８が高くなりすぎか？光感度の低下も生じ、ａ−
５ｉ系感光体としての良好な特性を失い易く、また膜厚
が小さすぎると、トンネル効果によって電荷が表面上に
帯電されなくなるため、暗減衰の増大や光感度の低下が
生じてしまう。

電荷発生層４３はａ−３ｉ：Ｈからなっていてよく、そ
の組成としては、Ｈを５〜４０ａ　Ｌｍ％とするのがよ
く、Ｈに代えて或いは併用してハロゲンを含有するとき
にはハロゲン５〜４０ａ　Ｌｍ％、或いはＨとハロゲン
との合計量は５〜４０ａｔｍ％とするのがよい。この電
荷発生層４３は帯電能向上のために不純物、特に周期表
第１［ＩＡ族又はＶＡ族元素をドープするとよい。例え
ば、後述のグロー放電時に、（Ｂｚ　Ｈｂ　）　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）　＝１０１〜
１００（好ましくは１０−２〜１０）容量ｐｐ＋ｉ、［
ＰＨ３）　　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）　＝１０４〜１００
（好ましくは１０−２〜１０）容量ｐｐｍとしてよい。

また、このＦＪ４３の厚みは１〜５０μｍ、好ましくは
５〜３０μｍとするのがよい。層４３の厚みが小さすぎ
ると十分な帯電電位が得られず、また大きすぎると残留
電位が上昇し、実用上不充分である。

電荷輸送層４２は電位保持及び電荷輸送の両機能を担い
、暗所抵抗率が好ましくは１０Ｉ２Ω−悄以上あって、
耐高電界性を有し、単位膜厚光りに保持される電位が高
く、しかも電子を大きな移動度と寿命を以って効率よく
支持体１側へ輸送する。

また、炭素含有！（特に５〜３０ａｔｍ％）によってエ
ネルギーギャップの大きさを調節できるため、電荷発生
層４３において光照射に応じて発生した電子に対し障壁
を作ることなく、効率よく注入させることができる。従
ってこのａ−３ｉＣ：Ｈ層４２は実用レベルの高い表面
電位を保持し、ａ　−３ｔ　：Ｈ層４３で発゛生した電
荷担体を効率良く速やかに輸送し、高感度で残留電位の
ない感光体とする働きがある。

この電荷輸送層４２の炭素原子含有量を５〜３０ａｔｍ
％（更には１０〜２０ａ　ｔｍ％）にするのがよい（但
、ＳｉとＣとの合計原子数は１００ａ　Ｌｍ％）。

即ち、炭素原子含有量が５ａｔｍ％未満では、ａ　−３
ｉＣ：Ｈ層２の比抵抗が電位保持能に必要な１０１２Ω
−ｃｎを下田るために特に帯電電位が不充分となり易い
。また、炭素原子含有量が３０ａ　ｔｍ％を越えると、
比抵抗がやはり低下すると同時に、炭素原子が多すぎて
ａ−３ｉＣ：Ｈ層中での欠陥が増えてキャリア輸送能自
体が悪（なり易い。

この層４２には、水素原子が５〜５０ａｔｍ％含有され
ているのがよく、Ｈに代えて或いは併用してハロゲンを
含有するときにはハロゲン５〜５０ａ　ｔｍ％、或いは
Ｈとハロゲンとの合計量は５〜５Ｑａ　ｔｍ％とするの
がよい。この層４２は帯電能向上のために不純物、特に
周期表第ＩＡ族又はＶＡ族元素をドープするとよい。例
えば、後述のグロー放電時に、（Ｂ２　Ｈｂ　）　／　
（Ｓ　ｉ　Ｈ４）　＝１０−３〜１０００（好ましくは
１０−”　〜１００　）容量１）Ｉ）ＩＩ＋　％（Ｐ　
Ｈ３）　　／　（Ｓ　ｉ　Ｈａ　３　＝１０４〜１ｏｏ
。

（好マＬ　＜　ハ１０−”　〜１００　）　容ｉｔｐｐ
ｍとしてよい。

更に、この電荷輸送層４２の膜厚は、例えばカールソン
方式による乾式現像法を適用するためには５μｍ〜３０
μｍであることが望ましい。この膜厚が５μｍ未満であ
ると薄すぎるために現像に必要な表面電位が得られず、
また３０μｍを越えるとキャリアの支持体４１への到達
率が低下してしまう。

また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のために
は、周期表第１Ｉ［Ａ族元素（例えばボロン）をグロー
放電分解でドープして、Ｐ型（更にはＰ生型）化する。

ブロッキング層の組成によって、次のようにドーピング
量を制御するのが望ましい。

ａ−３ｉ：Ｈ（Ｈ含有Ｉｔ　５〜４０ａｔｍ％）：（Ｂ
２　Ｈａ　）　／　（Ｓ　ｉ　Ｈａ　）　〜１０−３〜
１０’容１ｐｐｍ（更には１Ｏ−１〜１０２容量ｐｐｓ
Ｉ）（Ｐ　Ｈ３）　　／　（Ｓ　ｉ　Ｈａ　）　〜１０
−３〜１０’容１ｐｐｍ（更には１０−１〜１０２容ｆ
ｔｐｐｍ）ａ−３ｉＣ：Ｈ（Ｈ含有量５〜５ｏａｔＩＩ
１％、Ｃ含有Ｉｔ　５〜１１００ａｔ％）：（Ｂｚ　Ｈ，）　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ，）　〜１０−３〜
１０’容量ｐｐｍ（更には１０伺〜１０４容ｉ１ｐｐｍ
）（Ｐ　　Ｈ３）　　　　／　　（Ｓ　　ｉ　　Ｈ４］
　　＝１０−”〜１０”　　容ｉ１ｐｐｍ＋（更には１
０−１〜１０４容ｉｔｐｐｍ）ａ−３ｉＮ：Ｈ（Ｈ含有
量５〜５０ａｔｍ％、Ｎ含有量５〜６０ａｔ−％）　　
：（ＢＺ　Ｈａ　）　／　（Ｓ　ｉ　Ｈａ　）　〜１０−
’〜１０ｈ容量ｐｐｍ（更には１０−’〜１０’容ｆｆ
ｉｐｐｍ）（Ｐ　Ｈ３）　　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）　〜
１０−’〜１０ｈ容量ｐｐｍ（更には１０−１〜１０４
容量ｐｐ＋ｎ）また、ブロッキング層４４は膜厚１００
人〜２μｍがよい。厚みが小さすぎるとブロッキング効
果が弱く、また大きすぎると電荷輸送能が悪（なり易い
。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。

特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダングリング
ボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させる
ために必要である。

また、上記の層４２．４３の順序は逆にしてもよい。ま
た、ドープする不純物としでは、ボロン以外にもＡ１１
ＧａＳ　Ｉｎ、Ｔ１等の周期表Ｉ［ｌＡ族元素を使用で
きるし、またリン以外にもＡｓ、ｓｂ等の周期表第ＶＡ
族元素を使用できる。

次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第２図について説明す
る。

この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセントされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの円
筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波
電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の６２は５ｉｎ４又はガス状シリコン化合物の供給源
、６３はＣＨ，等の炭化水素ガスの供給源、６４はＮ２
等の窒素化合物ガスの供給源、６５は０□等の酸素化合
物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供給源、
６７は不純物ガス（例えばＢｚＨ＆）供給源、６８は各
流量計である。このグロー放電装置において、まず支持
体である例えばＡｌ基板４１の表面を清浄化した後に真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１Ｏ−ｈ
Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を
所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５０〜
３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度の不活性ガ
スをキャリアガスとして、ＳｉＨ，又はガス状シリコン
化合物、ＣＨ，、ＮＺ　、Ｏ，等を適宜真空槽５２内に
導入し、例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高
周波型ａｉｉｓｅにより高周波電圧（例えば１３．５６
　ＭＨｚ）を印加する。これによって、上記各反応ガス
を電極５７と基板４１との間でグロー放電分解し、ａ−
３ｉＣ：Ｈｌａ−３ｉＣ：Ｈ，ａ−３ｉ：Ｈ，ａ−３ｉ
Ｃ：Ｈを上記の層４４．４２．４３．４５として基板上
に連続的に（即ち、例えば第１図の例に対応して）堆積
させる。

上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。

なお、上記ａ−３ｉ系感光体の各層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフン素等のハロゲンをＳ
　ｉ　Ｆ４等の形で導入し、ａ−Ｓｉ：Ｆ、ａ−５ｉ：
Ｈ：Ｆ、ａ−３ｉＮ：Ｆ。

ａ−３ｉＮ：Ｈ：Ｆ、　　ａ−３ｉＣ：Ｆ。

ａ−３ｉＣ：Ｈ：Ｆ等とすることもできる。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にもスパッタリング法、イオンブレー
ティング法や、水素放電管で活性化又は・イオン化され
た水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。

以下、本発明を具体的な実施例について説明する。

グロー放電分解法により、ドラム状Ａｆｆｉ支持体上に
第１図の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ａｌ基板４１の表面を清浄化した後に、第２図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０−’
Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を
所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５０〜
３００℃）に加熱保持する。

次いで、高純度のＡｒガスをキャリアガスとして導入し
、０．５　Ｔ　ｏｒｒの背圧のもとで周波数１３．５６
ＭＨｚの高周波電力を印加し、１０分間の予備放電を行
った。次いで、ＳｉＨ４とＢ２Ｈ４からなる反応ガスを
導入し、流量比１　：　１　：　　（１，５Ｘｌ０−”
）の（Ａｒ　＋Ｓ　ｉ　Ｈ４＋Ｂｚ　Ｈｈ　）混合ガス
をグロー放電分解することにより、電荷ブロッキング機
能を担うＰ生型のａ−３ｉＣ：Ｈ層４４を６μｍ／　ｈ
　ｒの堆積速度で所定厚さに製膜した。次いでＳ　ｉＨ
４に対するＢ、Ｈ，の流量比を１：　（６Ｘ１０１）と
して電荷輸送層４２を６μｍ／ｈｒの堆積速度で順次所
定厚さに製膜した。引き続き、ＢｚＨｈ及びＣＨ，を供
給停止し、ＳｉＨ，を放電分解し、所定厚さのａ−３ｉ
：Ｈ層４３を形成した。更に、流量比４０：３：９０の
（Ａｒ：ＳｉＨ。

：ＣＨ４）混合ガスを反応圧力Ｐ　＝０．５　Ｔｏｒｒ
、放電パワーＲｒ　＝　４００Ｗでグロー放電分解し、
所定厚さの中間層を形成し、更に流量比４０：３：９０
の（Ａｒ　：　Ｓ　ｉＨ４：　ＣＨ４）混合ガスを反応
圧力Ｐ−１，ＯＴｏｒｒ　、放電パワーＲｔ　＝　４０
０Ｗでグロー放電分解して表面保護層４５を更に設け、
電子写真感光体を完成させた。この際、供給するＣＨ４
量や反応圧力、Ｒ，パワーを適宜制御することによって
表面層４５のＥＳＲスピン密度を種々変化させた。

なお、表面層４５をａ−ＳｉＣＯとするときは、酸素源
としてＣＯ２を使用した。

次に、上記の各感光体を使用して次のテストを行なった
。

星１人並温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ　−Ｂ　１ｘ２５００　（コニカ株式会社
製）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、ブ
レードとは非接触で帯電電流（感光体への流れ込み電流）　　３００μＡ　
（ＤＣ）分離〃　　（〃　　　　　）２５ｏμＡ（Ａｃ
）の条件下で１時間空回しを行った後、画像出しを行な
い、以下の基準で画像流れの程度を判定した。

◎：画画像流が全くなく、５．５ポイントの英字や細線
の再現性が良い。

○：５．５ポイントの英字がやや太（なる。

Δ：５．５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。

Ｘ：５，５ポイントの英字判読不能。

ｘ　ｘ　：　５．５ポイントの英文字がなくなる。

結果を下記表−１にまとめて示した。この結果から、本
発明に基いて感光体（Ｎ１３〜７）を作成すれば、電子
写真感光体として特に画像流れの著しく少ないものが得
られた表−１次に、本発明に基づく機能分離型の感光体は実験の結果
、光感度や帯電特性に優れていることが分った。測定は
次の通りに行い、結果を下記表−２に示した。

畢立Ｖ＝　（Ｖ）Ｕ　−Ｂ　１ｘ１６００改造機（コニカ■製）を使った
電位測定で、４００　ｎ　ｍにピークをもつ除電光３０
１　ｕｘ・ｓｅｃを照射した後も残っている感光体表面
電位。

滞３３Ｊえ竺り工」υ− Ｕ　−Ｂ　１ｘ１６００改造機（コニカ０潰製）を用い
、感光体流れ込み電流１５０μＡ、露光なしの条件で３
６０ＳＸ型電位計（トレック社製）で測定した現像直前
の表面電位。

上記の’ＡＭを用い、グイクロイックミラー（光体光学
社製）により像露光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長
成分をシャープカットし、表面電位を５００■から２５
０■に半減するのに必要な露光量。

（露光量は５５０−１型光量計（ＥＧ　ａｎｄＧ社製）
にて測定）感度（半’　　　　Ｅ−／り上記の装置を用い、グイクロイックミラー（光体光学社
製）により像露光波長のうち６２０　ｎ　ｍ以上の長波
長成分をシャープカットし、表面電位をｓｏｏ　ｖから
２５０■に半減するのに必要な露光量。

（露光量は５５０−１型光量計（ＥＧａｎｄＧ社製）花
で測定）表−２但し、上記表の各データ中、左側（＊ｌ）は下記の本発
明に基づく機能分離型感光体、右側（＊２）は下記の単
層型感光体のデータを示す。

＊１）支持体：八β、ブロッキング層：１７さ１μｍの
ボロンドープドａ−３ｉＣ：Ｈｓ電荷輸送層：厚さ１２
μｍのボロンドープドａ−３ｉＣ：Ｈ１電荷発生層：厚
さ７μｍのボロンドープドａ−３ｉ：Ｈｓ表面改質層：
厚さ０．３μｍのａ−３ｉＣ：Ｈ＊２）支持体：Ａｌ、
ブロッキング層：厚さ１μｍのボロンドープドａ−３ｔ
Ｃ：Ｈ。

光導電性層：厚さ１９μｍのボロンドープドａ−３ｉ：
Ｈ１表面改質層：厚さ０．３ｐｍのａ−３ｉＣ：Ｈ

【図面の簡単な説明】

第１図〜第２図は本発明の実施例を示すものであって、第１図はａ−３ｉ系感光体の断面図、第２図はグロー放電装置の概略断面図である。なお、図面に示された符号において、３９・・・・ａ−３ｉ系感光体４１・・・・支持体（基板）４２・・・・電荷輸送層４３・・・・電荷発生層４４・・・・電荷ブロッキング層４５・・・・表面改質層である。代理人　　弁理士　　逢　坂　　　宏

Claims

【特許請求の範囲】

１、アモルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコン
からなる電荷発生層と、アモルファス水素化及び／又は
ハロゲン化炭化シリコンからなる電荷輸送層と、炭素原
子及び酸素原子のうち少なくとも炭素原子を含有するア
モルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコンからな
る表面改質層とを有し、この表面改質層のＥＳＲスピン
密度が１．０×１０＾１＾９ｃｍ＾−＾３以上である感
光体。