JPH01206355A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。 口、従来技術 従来、電子写真感光体として、アモルファスシリコン（
ａ−３ｉ）を母体として用いた電子写真感光体が近年に
なって提案されている。 このようなａ−３ｉはいわゆるダングリングボンドを有
しているため、この欠陥を水素原子で補償して暗抵抗を
大としかつ光導電性も向上させたアモルファス水素化シ
リコン（ａ−３ｉ　：　Ｉｆ）が提案されている。 しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで十分な検討がなされていない
。例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−３ｉＣ：Ｈ
と称する。）について、その製法や存在が”　Ｐｈｉ、
　　Ｍａｇ、　　Ｖｏｌ、　３５”　　（１９７８）等
に記載されており、その特性として、耐熱性や表面硬度
が高いこと、ａ−３ｉ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（
１０”　〜１０”Ω−ｃＪ）を有すルコト、炭素量ニよ
り光学的エネルギーギャップが１．６〜２．８ｅＶの範
囲に亘って変化すること等が知られている。 但、炭素の含有によりバンドギャップが拡がるために長
波長感度が不良となるという欠点がある。 こうしたａ−３ｉＣ：Ｈとａ−３ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５７−１１５５５９号公報
において提案されている。これによれば、ａ−３ｉ：Ｈ
からなる電荷発生層上にａ−８ｉＣ：Ｈ層を表面改質層
として形成している。 しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けても、未だ期待
した程には効果がなく、特に画像流れが生じ易いことが
判明した。 ハ０発明の目的 本発明の目的は、繰返し使用に耐え、良好な画像を得る
ことのできる感光体を提供することにある。 二１発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、アモルファス水素化及び／又はハロゲ
ン化シリコンからなる電荷発生層と、アモルファス水素
化及び／又はハロゲン化炭化シリコンからなる電荷輸送
層と、前記電荷発生層又は電荷輸送層の表面に被着され
た表面改質層とを有し、この表面改質層が炭素原子及び
酸素原子を含有しかつ周期表第ｍＡ族の不純物元素も含
有するアモルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコ
ンからなり、前記酸素原子の量が１〜２０　ａｔｍ％（
但し、シリコン原子と炭素原子と酸素原子との合計量を
１００ａ　ｔｍ％とする。）であり、かつ前記不純物元
素がグロー放電分解による前記表面改質層の形成時に、 の条件下で前記表面改質層中にドープされたちのである
感光体に係るものである。 本発明によれば、表面改質層は炭素原子及び酸素原子を
含有しているので、層の機械的強度及び光学的バンドギ
ャップ（Ｅｇ、ｏｐｔ）が大となり、白スジ発生等によ
る画質の劣化がなく、耐刷性が優れたものとなる。しか
も、表面改質層には、上記した不純物元素が１０−’　
〜１０３容ｆｆｌ　（ｖｏｌ）ｐｌ”の割合でドープさ
れているので、画像形成時に画像流れを大きく減少させ
ることができる。これは、上記不純物元素によって層の
表面抵抗及び不純物準位が適切に設定されるためである
と思われる。 また、上記の電荷発生層と上記の電荷輸送層とを設けて
機能分離型の積層構造としているので、電荷発生層によ
って広い波長域での光感度を得、かつこの電荷発生層と
へテロ接合を形成する電荷輸送層によって電荷輸送能と
帯電電位の向上とを図ることができる。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。 第１図は、本実施例によるａ−３ｉ系電子写真感光体３
９を示すものである。この感光体３９はＡｎ等のドラム
状導電性支持基板４１上に、必要に応じて設けられるａ
−３ｉ系の電荷ブロッキング層４４と、アモルファス水
素化炭化シリコン（ａ−３ｉ　Ｃ：　ｌ（）からなる電
荷輸送ＪＥＪ４２と、ａ−３ｉ：、Ｈからなる電荷発生
層（不純物ドーピングなし又は真性化されたもの）４３
と、Ｃ及び０を含有するａ−３ｉ　　（Ｃｏ）：Ｈから
なる表面改質層４５とが積層された構造からなっている
。 電荷ブロッキング層４４は、ａ−３ｔ：Ｈｌａ−３ｉＣ
：Ｈ又はａ−３ｉＮ：Ｈからなっていてよく、また周期
表第１１ｒＡ族又は第ＶＡ族元素がドープされていてよ
い。また、電荷輸送層４２、電荷発生層４３にも同様の
不純物がドープされていてよい。電荷発生層４３は、暗
所抵抗率ρ。と光照射時の抵抗率ρ、との比が電子写真
感光体として充分大きく光感度（特に可視及び赤外領域
の光に対するもの）が良好である。 ここで注目すべきことは、表面改質層４５がＣ及び○を
含有するａ−３ｉ　　（ＣＯ）：Ｈからなっていること
である。これによって、表面改質層４５の機械的強度が
向上すると共に、光学的バンドギャップが向上する。 表面改質層４５の組成については、 １０　ａｔｍ％≦（Ｃ＋０）≦１００　ａｔｍ％ｌ　　
ａｔｍ％≦（０）　　　≦　２０　ａｔｍ％（イ旦し、
　Ｃ３ｉ）　　＋　（Ｃ）　　十（０）　＝　１００　
ａｔｍ％）とするのが望ましく、 ４０　ａｔｍ％≦（Ｃ＋Ｏ）≦　７０　ａｔｍ％ｌ　ａ
ｔｍ％≦

〔０〕　　≦　１０　ａｔｍ％（イ旦し、（Ｓ
　ｉ）　＋　（Ｃ）　十（０）　−１００ａｔｍ％）と
するのが更に望ましい（ここで、ａｔｍ％は原子数の百
分率を表す）。Ｃ＋Ｏの含有量が少なすぎると耐スクラ
ッチ性向上の効果に乏しくなり、また逆に多すぎるとＳ
ｉ量が減って半導体特性が失われ易い。 また、上記表面改質層は、少量の酸素原子を含有するこ
とによって光学的バント°ギヤツブが向上し、耐画像流
れ性が向上するが、逆に多すぎると耐スクラッチ性の低
下を引き起こす。 また、この感光体の他の注目点は、後述のグロー放電法
において例えば ＣＢｚ　Ｈｂ　）　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）　〜１０−３
〜１０３容ｆｆｌｐｐｍ（望ましくは１０−１〜１０３
容ｆｆｉｐｐｍ　、更には１０−　’〜１０２容量ｐｐ
ｍ　、最も好ましくは１０−１〜１０容量ｐｐｍ）の周
期表第１ＩＩＡ族元素を表面改質層４５中にドープして
いることである。こうした不純物元素の含有によって、
画像流れを大幅に減少させることができるのである。即
ち、不純物元素の量が１０４容ｉｔｐｐｍ未満であれば
少なすぎ、また１０３容量ｐｐｍを超えると多すぎ、共
に十分な表面抵抗が得られず、画像流れが顕著に生じて
しまう。 また、表面改質層４５の膜厚は２００〜５０，０００人
とすることが望ましく、１　、０００〜１０，０００人
とするのが更に望ましい。膜厚が大きすぎると、残留電
位■８が高くなりすぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−３
ｉ系感光体としての良好な特性を失い易く、また膜厚が
小さすぎると、１−ンネル効果によって電荷が表面上に
帯電されなくなるため、暗減衰の増大や光感度の低下が
生じてしまう。 電荷発生層４３はａ−３ｉ：Ｈからなっていてよく、そ
の組成としては、Ｈを５〜４０　ａｔｍ％とするのがよ
く、Ｈに代えて或いは併用してノ＼ロゲンを含有すると
きにはハロゲン５〜４０　ａｔｍ％、或いはＩ］とハロ
ゲンとの合計量は５〜４０　ａｔｍ％とするのがよい。 この電荷発生層４３は帯電能向上のために不純物、特に
周期表第ＩＩＩＡ族又はＶＡ族元素をドープするとよい
。例えば、後述のグロー放電時に、 ＣＢ２　Ｈ６）　／　（Ｓ　ｉ　Ｈａ　〕＝１０−３〜
１００（好ましくは１０−２〜１０）容量ｐｐｍ　Ｓ（
Ｐ　Ｈ２）　　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４〕＝１０−３〜１０
０（好ましくは１０−”〜１０）容量ｐｐｍとしてよい
。 また、この層４３の厚みは１〜５０μｍ１好ましくは５
〜３０μｍとするのがよい。光導電性層４３の厚みが小
さすぎると十分な帯電電位が得られず、また大きすぎる
と残留電位が上昇し、実用上不充分である。 電荷輸送層４２は電位保持及び電荷輸送の両機能を担い
、暗所抵抗率が好ましくは１０′２Ω−ｃｍ以上あって
、耐高電界性を有し、単位膜厚当りに保持される電位が
高（、しかも電子を大きな移動度と寿命を以って効率よ
く支持体１側へ輸送する。 また、炭素含有量（特に５〜３０　ａｔｍ％）によって
エネルギーギヤツブの大きさを調節できるため、電荷発
生層４３において光照射に応じて発生した電子に対し障
壁を作ることなく、効率よく注入させることができる。 従ってこのａ−３ｉＣ：０層４２は実用レベルの高い表
面電位を保持し、ａ　−３ｉ：Ｈ層４３で発生した電荷
担体を効率良く速やかに輸送し、高感度で残留電位のな
い感光体とする働きがある。 この電荷輸送層４２の炭素原子含有量を５〜３０ａｔｍ
％（更にはｌＯ〜２０　ａｔｍ％）にするのがよい（但
、ＳｉとＣとの合計原子数は１００　ａｔｍ％）。 即ち、炭素原子含有量が５　ａｔｍ％未満では、ａ−３
ｉＣ：８層２の比抵抗が電位保持能に必要な１０１２Ω
−ｃｍを下延るために特に帯電電位が不充分となり易い
。また、炭素原子含有量が３０　ａｔｍ％を超えると、
比抵抗がやはり低下すると同時に、炭素原子が多すぎて
ａ−３ｉＣｓＨ層中での欠陥が増えてキャリア輸送能自
体が悪くなり易い。 この層４２には、水素原子が５〜５０　ａｔｍ％含有さ
れているのがよ（、Ｉ−Ｉに代えて或いは併用してハロ
ゲンを含有するときにはハロゲン５〜５０　ａｔｍ％、
或いはＨとハロゲンとの合計量は５〜５０　ａｔｍ％と
するのがよい。この層４２は帯電能向上のために不純物
、特に周期表第１Ｉ［Ａ族又はＶＡ族元素をドープする
とよい。例えば、後述のグロー放電時に、［Ｂ２Ｈ６）
／　（Ｓ　ｊＨ−）〜１０−’〜１０００（好ましくは
１０−”　〜１００　）容量ｐｐｍ、ＣＰＨ３）　　／
　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）　＝ｌＯ弓〜１０００（好ましくは
１０−２〜１００）容量ｐｐｍとしてよい。 更に、この電荷輸送層４２の膜厚は、例えばカールソン
方式による乾式現像法を通用するためには５μｍ〜３０
μｍであることが望ましい。この膜厚が５μｍ未満であ
ると薄すぎるために現像に必要な表面電位が得られず、
また３０μｍを超えるとキャリアの支持体４１への到達
率が低下してしまう。 また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のために
は、周期表第ＩＩＩＡ族元素（例えばボロン）をグロー
放電分解でドープして、Ｐ型（更にはＰ＋型）化する。 ブロッキング層の組成によって、次のようにドーピング
量を制′４′ＪＩＩするのが望ましい。 ａ−３ｉ：Ｈ（Ｈ含有量５〜４０　ａｔｍ％）：ＣＢｚ
　Ｈ６）　／　（Ｓ　ｓ　Ｈ−）　−１０−３〜１０’
容量ｐｐｍ（更には１０−’　〜１０”容量ｐｐｍ）（
Ｐ　Ｈ：Ｉ　）　　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４〕＝１０−’〜
１０４容量ｐｐｍ（更には１０−１〜１０２容ｆｆｉｐ
ｐｍ）ａ−３ｉＣ：Ｈ（Ｈ含有量５〜５０　ａｔｍ％、
Ｃ含有量　５〜１００　ａｔｍ％）： （Ｂ２　Ｈ６）　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）　〜１０−’〜
１０６容璽ｐｐｍ（更には１０−１〜１０４容量ｐｐｍ
）ＣＰ　Ｈ３）　　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）　〜１０−３
〜１０６容ｆｆｉ　ｐ　ｐ　ｍ（更には１０−１〜１０
４容足ｌ１ｌ）ＩＩＩ）ａ−５ｉＮ：Ｈ（Ｈ含有１５〜
５０　ａｔｍ％、Ｎ含有量５〜６０　ａｔｍ％）　： ＣＢｚ　Ｈ６）　／　（Ｓ　ｉ　Ｈａ　）　〜１０−３
〜１０６容量ｐｐｍ（更には１０−１〜１０′容量ｐｐ
ｎ＋）ＣＰ　Ｈｚ　）　　／　（Ｓ　ｉ　Ｈ４）　〜１
０−’〜１０ｂ容ＩＪｉ　ｐ　ｐ　ｍ（更には１０−　
’〜１０４容量ｐＩ）ｍ）また、ブロッキング層４４は
膜厚１００人〜２μｍがよい。厚みが小さすぎるとブロ
ッキング効果が弱く、また大きすぎると電荷輸送能が悪
くなり易い。 なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。 特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダングリング
ボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させる
ために必要である。 また、上記の層４２．４３の順序は逆にしてもよい。ま
た、ドープする不純物としては、ボロン以外にもＡ１、
Ｇａ、Ｉ　ｎ−、Ｔβ等の周期表第■Ａ族元素を使用で
きるし、またリン以外にもＡｓ、ｓｂ等の周期表第ＶＡ
族元素を使用できる。 次に、上記した感光体く例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第２図について説明す
る。 この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの円
筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波
電源５６によりグロー放電が生ゼしめられる。なお、図
中の６２ば５ｉ）１４又はガス状シリコン化合物の供給
源、６３はＣＨ，等の炭化水素ガスの供給源、６４はＮ
２等の窒素化合物ガスの供給源、６５は０□等の酸素化
合物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供給源
、６７は不純物ガス（例えばＩ３ｚ　Ｈ６）供給源、６
８は各流量計である。このグロー放電装置において、ま
ず支持体である例えばＡ１基板４１の表面を清浄化した
後に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１
Ｏ−６Ｔ　ｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基
板４１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは
１５０〜３００”Ｃ）に加熱保持する。次いで、高純度
の不活性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ４又はガス
状シリコン化合物、ＣＨ４、Ｎ２、ＣＯ２，０２等を適
宜真空槽５２内に導入し、例えば０．０１〜１０Ｔｏｒ
ｒの反応圧下で高周波電源５６により高周波電圧（例え
ば１３．５６　Ｍｌｌｚ）を印加する。これによって、
上記各反応ガスを電極５７と基板４１との間でグロー放
電分解し、ａ−３ｉＣ：Ｈ。 ａ−３ｉ　：Ｈ，ａ−３ｉＣ：Ｈ，ａ−３ｉＣＯ：Ｈを
上記の層４４．４２．４３．４５として基板上に連続的
に（即ち、例えば第１図の例に対応して）堆積させる。 上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。 なお、上記ａ−３ｉ系怒光体の各層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフン素等のハロゲンをＳ
　ｉ　Ｆ　ａ等の形で導入し、ａ−Ｓｉ　　：Ｆ、、　
ａ−３ｉ　　：Ｈ：Ｆ、、　ａ−３ｉＮ：Ｆ。 ａ−３ｉＮ：Ｈ：Ｆ、　　ａ−３ｉＣ：Ｆ。 ａ−３ｉＣ：Ｈ：Ｆ等とすることもできる。 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状Ａβ支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。 即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ａ１基板４１の表面を清浄化した後に、第２図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０−　
’　Ｔ　ｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板
４１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１
５０〜３００°Ｃ）に加熱保持する。 次いで、高純度のＡｒガスをキャリアガスとして導入し
、０．５　Ｔｏｒｒの背圧のもとで周波数１３．５６Ｍ
　ｔｌｚＯ高周波電力を印加し、１０分間の予備放電を
行った。次いで、ＳｉＨ４とＣＨ，とＢ１１−１６とか
らなる反応ガスを導入し、流量比１：Ｌ：１：（１，５
ｘｌＯ−’）の（Ａｒ＋Ｓ　ｉ　［（、＋ＣＨ４十ＢＺ
　Ｈ６）混合ガスをグロー放電分解することにより、電
荷ブロッキング機能を担うＰ＋型のａ　−３ｉ　Ｃ：　
Ｈ層４４を６ｐｍ／ｈｒの堆積速度で所定厚さに製膜し
た。次いでＳｉＨ４に対するＢｚＨｂの流量比を１　：
　　（６Ｘｌ０−６）として電荷輸送層４２を６μｍ　
／　ｈ　ｒの堆積速度で順次所定厚さに製膜した。引き
続き、Ｂ２Ｈ６及びＣＨ４を供給停止し、３ｉＨ４を放
電分解し、所定厚さのａ−３ｉ：Ｈ層４３を形成した。 更に、流量比４０：３：９’Ｏの（Ａｒ　：　Ｓ　ｉＨ
４：　ＣＨ４）混合ガスを反応圧力Ｐ　＝０．５　Ｔｏ
ｒｒ　、放電パワーＲ，＝４００Ｗでグロー放電分解し
、所定厚さの中間層を形成し、更に流量比４０：　３　
：９０：　　（１，５Ｘｌ０−’）の（Ａｒ　：　Ｓ　
ｉ　Ｈ４：　ＣＨ４：　Ｂ２　Ｈｂ　）混合ガスを反応
圧力Ｐ　＝１．ＯＴｏｒｒ　、放電パワーＲ，＝４００
Ｗでグロー放電分解して表面保護層４５を更に設け、電
子写真感光体を完成させた。この際、ＢｚＨａＯ量を種
々変え、対応する感光体を得た。 なお、表面層４５をａ−３ｉ　Ｃｏとするときの酸素源
としてＣＯ□を使用し、必要に応じて適当量供給した。 次に、上記の各感光体を使用して次のテストを行なった
。但し、表面改質層をａ−３ｉＣ：Ｈ（Ｂは除く。）の
組成において、Ｃ債を３９Ｊ　ａｔｍ％、○量を５．６
ａｔｍ％とした（表−１）。また、表−２のデータは表
−１の隘４において○量を変化させて得られたものであ
る（数字はａｔｍ％）。 璽寛握起 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ　−Ｂ　１ｘ２５００　（コニカ株式会社
製）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、ブ
レードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った後
、画像出しを行ない、以下の基準で画像流れの程度を判
定した。 ○：画画像流がなく、５．５ポイントの英字や細線の再
現性が良い。 △：５．５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。 Ｘ：５．５ポイントの英字判読不能。 乱ム又’ｙ　Ｌ±檀 上記において、酸素量を種々変えた表面改質層を設けた
感光体を作製し、引っかき傷の状態を観察した。 ○：引っかき傷殆どない。 △：　　〃　　　　あり。 ×：〃　　　　非常に多い。 結果を下記表−１にまとめて示した。この結果から、本
発明に基づいて感光体（隘２〜７）を作成すれば、電子
写真感光体として特に画像流れの著しく少ないものが得
られた。また、表−２から本発明に基づ＜　１ｋｌｌ〜
１３は特性に優れている。 表−１ 表−２ 次に、本発明に基づく機能分離型の感光体は実験の結果
、光感度や帯電特性に優れていることが分った。測定は
次の通りに行い、結果を下記表−３に示した。 仄溜」浦いう二しＬと Ｕ　−Ｂ　１ｘ２５００改造機を使った電位測定で、４
００ｎｍにピークをもつ除電光３０１　ｕｘ−ｓｅｃを
照射した後も残っている感光体表面電位。 帯＋Ｓ″′立■。（Ｖ） Ｕ　−Ｂ　１ｘ２５００改造機（コニカ（樽製）を用い
、感光体流れ込み電流２００μＡ、露光なしの条件で、
３６０ＳＸ型電位計（トレンク社製）で測定した現像直
前の表面電位。 半減　光、　Ｅｌ／２　　（＃ｕｘ−ｓｅｃ　）上記の
装置を用い、ダイクロイ、クミラー（光伸光学社製）に
より像露光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成分をシ
ャープカットし、表面電位を５００　Ｖから２５０Ｖに
半減するのに必要な露光量。 （露光量は５５０−１型光量計（ＥＧ　ａｎｄＧ社製）
にて測定） 表−３ 但し、下記表の各データ中、左側（＊１）は下記の本発
明に基づく機能分離型感光体、右側（＊２）は下記の単
層型感光体のデータを示す。 ＊１）支持体：Ａ１、ブロッキング層：厚さ１μｍのボ
ロンドープドａ−３ｉＣ： Ｈ３電荷輸送層：厚さ１２μｍのボロンドープドａ−３
ｉＣ：Ｈ３電荷発生Ｎ：厚さ７μｍのボロンドープドａ
−３ｉニド■、表面改質層：厚さ０．３μｍのａ−３ｉ
ＣＯ：Ｈ ＊２）支持体：Ａβ、ブロッキング層：厚さ１μｍのボ
ロンドープドａ−３ｉＣ： Ｈ１光導電性層：厚さ１９μｍのボロンドープドａ　　
ＳＩ：Ｈ％表面改質層：厚さ０．３μｍのａ−３ｉＣＯ
：Ｈ

【図面の簡単な説明】

第１図〜第２図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−５ｉ系感光体の断面図、 第２図はグロー放電装置の概略断面図 である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・ａ−３ｉ系感光体 ４１・・・・支持体く基板） ４２・・・・電荷輸送層 ４３・・・・電荷発生層 ４４・・・・電荷ブロッキング層 ４５・・・・表面改質層 である。 代理人　　弁理士　　逢　坂　　　末 弟１図　。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アモルファス水素化及び／又はハロゲン化、シリコ
   ンからなる電荷発生層と、アモルファス水素化及び／又
   はハロゲン化炭化シリコンからなる電荷輸送層と、前記
   電荷発生層又は電荷輸送層の表面に被着された表面改質
   層とを有し、この表面改質層が炭素原子及び酸素原子を
   含有しかつ周期表第IIIＡ族の不純物元素も含有するア
   モルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコンからな
   り、前記酸素原子の量が１〜２０ａｔｍ％（但し、シリ
   コン原子と炭素原子と酸素原子との合計量を１００ａｔ
   ｍ％とする。）であり、かつ前記不純物元素がグロー放
   電分解による前記表面改質層の形成時に、１０＾−＾３
   容量ｐｐｍ≦〔不純物元素の化合物〕／〔シリコン化合
   物〕≦１０＾３容量ｐｐｍ の条件下で前記表面改質層中にドープされたものである
   感光体。